JP4543923B2 - ポジ型感光性樹脂組成物並びにそれらを用いた半導体装置及び表示素子 - Google Patents
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一方、プロセスを簡略化するため、上記ポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂に感光性ジアゾキノン化合物と組み合わせたポジ型感光性樹脂も使用されている(特許文献1)。
近年、半導体素子の小型化、高集積化による多層配線化、チップサイズパッケージ(CSP)、ウエハーレベルパッケージ(WLP)への移行等により、低誘電率化や、また、銅、アルミニウム、金、チタニウム等の配線または配線金属との密着性向上の要求があり、更に高性能のポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂が必要とされている。
[1](A)アルカリ可溶性樹脂、
(B)感光性ジアゾキノン化合物、及び、
(C)窒素原子を2つ以上含む複素環式化合物、
を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
[2]成分(C)が窒素原子を3つ以上含む複素環式化合物である[1]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[3]成分(C)がトリアゾール化合物である[1]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[4]成分(C)が1,2,4−トリアゾールである[1]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[5]
更に(D)フェノール化合物を含むことを特徴とする[1]乃至[4]のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[6]フェノール化合物(D)が一般式(1−1)で示される構造、又は一般式(1−2)で示される構造を含むフェノール化合物である[1]又は[2]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[8](A)アルカリ可溶性樹脂が、ポリアミド樹脂である[1]乃至[7]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[9](A)アルカリ可溶性樹脂が、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造、ポリアミド酸構造又はポリアミド酸エステル構造を含むポリアミド樹脂である[8]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[10](A)アルカリ可溶性樹脂が、一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂である[8]又は[9]記載のポジ型感光性樹脂組成物。
[14][1]乃至[13]のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて作成される半導体装置。
[15][1]乃至[13]のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて作成される表示素子。
一般式(2)で示される構造を有するポリアミド樹脂中のXは、2〜4価の有機基を表し、またR8は、水酸基又はO−R10であり、mは0〜2の整数である。各々のR8は同一でも異なっていても良い。一般式(2)中のYは、2〜6価の有機基を表し、R9は水酸基、カルボキシル基、O−R10又はCOO−R10であり、nは0〜4の整数である。各々のR9は同一でも異なっていても良い。ここでR10は炭素数1〜15の有機基である。但し、R8として水酸基がない場合は、R9は少なくとも1つはカルボキシル基でなければならない。又R9としてカルボキシル基がない場合は、R8は少なくとも1つは水酸基でなければならない。
一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂において、Xの置換基としてのO−R10、Yの置換基としてのO−R10、COO−R10は、水酸基、カルボキシル基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で、炭素数1〜15の有機基であるR10で保護された基であり、必要により水酸基、カルボキシル基を保護しても良い。R10の例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
このポリアミド樹脂を約300〜400℃で加熱すると脱水閉環し、ポリイミド樹脂、又はポリベンゾオキサゾール樹脂、或いは両者の共重合という形で耐熱性樹脂が得られる。
としては、例えば、
これらの中で特に好ましいものとしては、
4,4’―オキシジフタル酸無水物17.1g(0.055モル)と2−メチル−2−プロパノール12.4g(0.167モル)とピリジン10.9g(0.138モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン150gを加えて溶解させた。この反応溶液に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール14.9g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン30gと共に滴下した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド22.7g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン50gと共に滴下し、室温で一晩反応させた。その後、この反応溶液にジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)27.1g(0.055モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.8g(0.122モル)をN−メチル−2−ピロリドン70gと共に添加し、室温で2時間攪拌した。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で十分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1及びY−2で、a=100、b=0からなるポリアミド樹脂(A−1)を合成した。
合成したポリアミド樹脂(A−1)10g、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−1)2g、窒素原子を2つ以上含む複素環式化合物(C−1)0.2g、γ―ブチロラクトン70gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。
このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、膜厚約10μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷(株)製マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、(株)ニコン製i線ステッパNSR―4425iを用いて、露光量を200mJ/cm2から10mJ/cm2ステップで増やして露光を行った。次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に80秒浸漬することによって露光部を溶解除去した後、純水で30秒間リンスした。パターンを観察したところ、露光量530mJ/cm2で、5μmのパターンまで良好に開口していることが確認できた。
このポジ型感光性樹脂組成物を硬化後5μmになるように銅メッキ処理された6インチシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、次にクリーンオーブンを用いて酸素濃度1000ppm以下で、150℃/30分+280℃/60分で加熱硬化を行った。得られた塗膜のパターン開口を行っていない未露光部分の塗膜を1mm角に100個の碁盤目にカットした。これにセロテープ(登録商標)を貼り付け、引き剥がそうとしたが、剥がれた塗膜の数(これを「硬化後剥がれ数」と称する)は0であり、硬化膜の金属への密着性も優れていることが確認できた。
[密着性評価2]
物性評価1での基板を6インチのベアシリコンウエハーに置き換えて、同様の密着性を評価した。その結果、塗膜の剥がれ数は0であることが確認できた。
ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.0g(0.12モル)をN−メチル−2−ピロリドン200gに溶解させた後、N−メチル−2−ピロリドン160gに溶解させた無水トリメリット酸クロライド50.6g(0.24モル)を5℃以下に冷却しながら加えた。更にピリジン22.8g(0.29モル)を加えて、20℃以下で3時間攪拌した。次に、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル24.0g(0.12モル)を加えた後、室温で5時間反応させた。次に内温を85℃に上げ、3時間攪拌した。反応終了後、濾過した反応混合物を、水/メタノール=5/1(体積比)に投入し、沈殿物を濾集して水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、X―2で、Yが下記式Y−3からなる混合物で、a=100、b=0からなる目的のポリアミド樹脂(A−2)を合成した。
合成したポリアミド樹脂(A−2)10g、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−1)2g、窒素原子を2つ以上含む複素環式化合物(C−2)0.05g、γ―ブチロラクトン70gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。実施例1と同様にして評価を行ったところ、現像時間80秒で露光量550mJ/cm2、4μmのパターンまで良好に開口していることが確認できた。物性評価は、実施例1と同様にして作成して、剥がれ塗膜の数は銅メッキ処理品およびシリコンウエハー(以下、両基板と呼ぶ)ともに0であり、密着性が優れていることが確認された。
ガラス基板上にITO膜を蒸着形成した後、フォトレジストを使用した通常のフォトリソグラフィー法によってこのITO膜をストライプ状に分割した。この上に、実施例1で得られたポジ型感光性樹脂組成物を塗布し、厚さ約2μmの樹脂層を形成した。次に、平行露光機(光源:高圧水銀灯)を使用して露光強度25mW/cm2で10秒間ガラスマスクを介し露光を行った。その後、2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に樹脂層を25秒間浸漬現像することにより、各ストライプ上のITOの縁以外の部分を露出し、ITOの縁部とITOの除去された部分の上にのみ樹脂層が形成されるよう加工を行った。その後、樹脂層全体に露光時に用いた平行露光機を使用して、露光強度25mW/cm2で40秒間、後露光を行った後、熱風循環式乾燥器を使用して空気中250℃で1時間加熱硬化を行った。
この基板上に、1×10−4Pa以下の減圧下で、正孔注入層として銅フタロシアニン、正孔輸送層としてビス−N−エチルカルバゾールを蒸着した後、発光層としてN,N‘−ジフェニル−N,N‘−m−トルイル−4,4’−ジアミノ−1,1‘−ビフェニル,電子注入層としてトリス(8−キノリノレート)アルミニウムをこの順に蒸着した。さらに、この上に第二電極としてアルミニウム層を蒸着形成した後、フォトレジストを使用した通常のフォトリソグラフィー法によって、このアルミニウム層を上記ITO膜のストライプと直交をなす方向のストライプ状となるように分割した。得られた基板を減圧乾燥した後、封止用ガラス板をエポキシ系接着剤を用いて接着し、表示体素子を作成した。この表示体素子を80℃で200時間処理した後両電極に電圧を掛け順次駆動を行ったが、何ら問題なく素子は発光した。
実施例1のポリアミド樹脂(A−1)10gを用いて、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−1)2g、γ―ブチロラクトン70gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。実施例1と同様にして評価を行ったところ、現像時間80秒で露光量540mJ/cm2、5μmのパターンまで開口していることが確認できた。物性評価は、実施例1と同様にして作成して、剥がれ塗膜の数は、銅メッキ処理品では100個であり、シリコンウエハーでは80個であり、密着性が劣ることが確認された。
実施例1のポリアミド樹脂(A−1)10gを用いて、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−2)2g、γ―ブチロラクトン70gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。実施例1と同様にして評価を行ったところ、現像時間80秒で露光量530mJ/cm2、6μmのパターンまで開口していることが確認できた。物性評価は、実施例1と同様にして作成して、剥がれ塗膜の数は、銅メッキ処理品では100個であり、シリコンウエハーでは90個であり、密着性が劣ることが確認された。
比較例2のワニスに、窒素原子を1つのみ含む複素環式化合物(C−4)を0.2g添加して、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。実施例1と同様にして評価を行ったところ、現像時間80秒で露光量560mJ/cm2、4μmのパターンまで開口していることが確認できた。物性評価は、実施例1と同様にして作成して、剥がれ塗膜の数は、銅メッキ処理品では60個であり、シリコンウエハーでは80個であり、密着性が劣ることが確認された。
比較例2のワニスに、窒素原子を2つ以上含むが複素環式化合物ではない化合物(C−5)を0.2g添加して、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。実施例1と同様にして評価を行ったところ、現像時間80秒で露光量570mJ/cm2、6μmのパターンまで開口していることが確認できた。物性評価は、実施例1と同様にして作成して、剥がれ塗膜の数は、銅メッキ処理品では90個であり、シリコンウエハーでは80個であり、密着性が劣ることが確認された。
Claims (9)
- (A)一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂、
(B)感光性ジアゾキノン化合物、及び、
(C)1,2,4−トリアゾール
を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
- 更に(D)フェノール化合物を含むことを特徴とする請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- (D)フェノール化合物が一般式(1−1)で示される構造、又は一般式(1−2)で示される構造を含むフェノール化合物である請求項2記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- (A)が100重量部、(B)が1〜50重量部、(C)が0.1〜20重量部であり、さらに(D)フェノール化合物が1〜30重量部含んでいる請求項3又は4記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂中のXが、式(3)の群より選ばれてなる請求項1乃至4のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂中のYが、式(4)の群より選ばれてなる請求項1乃至5記載のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂が、アルケニル基又はアルキニル基を含む化合物で末端封止された請求項1乃至6のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて作製される半導体装置。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて作製される表示素子。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101791265B1 (ko) * | 2010-12-13 | 2017-10-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성방법 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070118584A (ko) * | 2005-03-25 | 2007-12-17 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 신규한 감광성 수지 조성물 |
JP4925732B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2012-05-09 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JPWO2008020469A1 (ja) * | 2006-08-14 | 2010-01-07 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 |
JP2008052079A (ja) * | 2006-08-25 | 2008-03-06 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示素子。 |
JP5050450B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-10-17 | 住友ベークライト株式会社 | 層間絶縁膜、保護膜形成用ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示素子 |
CN101529332B (zh) | 2006-11-15 | 2012-12-12 | 住友电木株式会社 | 感光性树脂组合物、绝缘膜、保护膜以及电子设备 |
JP5169167B2 (ja) * | 2007-09-06 | 2013-03-27 | 住友ベークライト株式会社 | ポリアミド樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 |
JP5169169B2 (ja) * | 2007-11-22 | 2013-03-27 | 住友ベークライト株式会社 | ポリアミド樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 |
JP6003663B2 (ja) * | 2013-01-16 | 2016-10-05 | 東レ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP6093437B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-03-08 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、有機el表示装置および液晶表示装置 |
JP6878949B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2021-06-02 | 住友ベークライト株式会社 | 感光性樹脂組成物、樹脂膜及び樹脂膜を備える電子装置 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4812242B1 (ja) * | 1969-06-13 | 1973-04-19 | ||
JPS6145240A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JPS62262043A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JPH02160240A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-20 | Konica Corp | ポジ型・ネガ型兼用感光性平版印刷版およびそれを用いた平版印刷版の作製方法 |
JPH02228359A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリアミド酸組成物 |
JPH10268522A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パターン形成方法およびこれに用いるポジ型ホトレジスト組成物 |
JPH11181281A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-06 | Central Glass Co Ltd | ポリイミド組成物 |
JPH11338154A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-10 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及び電子部品の製造法 |
JP2000171968A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Nagase Denshi Kagaku Kk | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP2002357898A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-12-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003005369A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物 |
JP2004132996A (ja) * | 2001-12-17 | 2004-04-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004361872A (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-24 | Clariant Internatl Ltd | 感光性樹脂組成物密着性向上剤及びそれを含有する感光性樹脂組成物 |
-
2004
- 2004-12-28 JP JP2004379061A patent/JP4543923B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4812242B1 (ja) * | 1969-06-13 | 1973-04-19 | ||
JPS6145240A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-05 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JPS62262043A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JPH02160240A (ja) * | 1988-12-14 | 1990-06-20 | Konica Corp | ポジ型・ネガ型兼用感光性平版印刷版およびそれを用いた平版印刷版の作製方法 |
JPH02228359A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリアミド酸組成物 |
JPH10268522A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パターン形成方法およびこれに用いるポジ型ホトレジスト組成物 |
JPH11181281A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-06 | Central Glass Co Ltd | ポリイミド組成物 |
JPH11338154A (ja) * | 1998-05-29 | 1999-12-10 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及び電子部品の製造法 |
JP2000171968A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-23 | Nagase Denshi Kagaku Kk | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP2002357898A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-12-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2003005369A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-08 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性樹脂前駆体組成物 |
JP2004132996A (ja) * | 2001-12-17 | 2004-04-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004361872A (ja) * | 2003-06-09 | 2004-12-24 | Clariant Internatl Ltd | 感光性樹脂組成物密着性向上剤及びそれを含有する感光性樹脂組成物 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101791265B1 (ko) * | 2010-12-13 | 2017-10-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 포지티브형 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006184660A (ja) | 2006-07-13 |
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