JP3449933B2 - ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高感度で高残膜率
のパターンを得ることができ、封止樹脂との密着性及び
保存安定性に優れるポジ型感光性樹脂組成物とそれを用
いた半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶
縁膜には耐熱性が優れ、又卓越した電気特性、機械特性
等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年半
導体素子の高集積化、大型化、封止樹脂パッケージの薄
型化、小型化、半田リフローによる表面実装への移行等
により耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の著しい向上
の要求があり、更に高性能の樹脂が必要とされるように
なってきた。一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与
する技術が最近注目を集めてきており、例えば感光性ポ
リイミド樹脂として、下記式（Ｘ）等がある。

【０００３】

【化１０】

【０００４】これを用いるとパターン作成工程の一部が
簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にＮ−
メチル−２−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安
全、取扱いにおいて問題がある。そこで最近では、アル
カリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発さ
れている。例えば、特公平１−４６８６２号公報におい
てはポリベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合
物より構成されるポジ型感光性樹脂が開示されている。
これは高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有
し、ウェハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂として
の可能性も有している。このポジ型の感光性樹脂の現像
メカニズムは、未露光部のジアゾキノン化合物がアルカ
リ性水溶液に不溶であり、露光することによりジアゾキ
ノン化合物が化学変化を起こし、アルカリ性水溶液に可
溶となる。この露光部と未露光部での溶解性の差を利用
し、未露光部のみの塗膜パターンの作成が可能となる。
これら感光性樹脂を実際に使用する場合、特に問題とな
るのは感光性樹脂の感度である。低感度であると、ウェ
ハー１枚当たりの露光時間が長くなり、スループットが
低下する。そこで感光性樹脂の感度を向上させようとし
て、例えばベース樹脂のポリベンゾオキサゾール前駆体
の分子量を小さくすると、未露光部の現像時の膜減りが
大きくなり、パターン形状が悪くなるといった問題が生
じる。又このような感光性樹脂を半導体素子の表面保護
膜として用いた場合、特に重要なのはその上に成形され
る封止樹脂との密着性である。密着性が悪いとその界面
で剥離が発生し、半導体パッケージのクラックや半導体
の電気的不良の発生の原因となる。特に感光性ポリイミ
ド樹脂は一般的な非感光性ポリイミドを比べて封止樹脂
との密着性が悪くしばしば問題となっている。特公平１
−４６８６２号公報においてはポリベンゾオキサゾール
樹脂とジアゾキノン化合物より構成されるポジ型感光性
樹脂においても封止樹脂との密着性は悪く実用性にはや
や問題がある。更に重要な特性として保存安定性があ
る。一般的に感光性樹脂はベース樹脂、感光剤、その他
の添加剤と一緒に組成物として、溶液状態で製品化され
ている。その使用期限を延ばすため、冷凍や冷蔵保管さ
れる。また、そのような製品を輸送する際には、低温状
態を保つため、ドライアイスを入れて輸送する。ドライ
アイスを入れた場合、−６０〜−５０℃にまで温度が下
がってしまい、感光剤や添加剤等が析出する場合があ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高感度で高
残膜率のパターンを得ることができ、封止樹脂との密着
性及び保存安定性に優れるポジ型感光性樹脂及びそれを
用いた半導体装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（Ｉ）
で示されるポリアミド（Ａ）１００重量部と、感光性ジ
アゾキノン化合物（Ｂ）１〜１００重量部と、一般式
（II）で表わされるビスフェノール化合物（Ｃ）と一般
式（III）で表わされるトリスフェノール化合物（Ｄ）
の両フェノール化合物１〜３０重量部（全フェノールの
添加量：γ、ビスフェノール化合物の添加量：α、トリ
スフェノール化合物の添加量：βとしたとき、γ＝α＋
β、α≠０、β≠０）とからなることを特徴とするポジ
型感光性樹脂組成物である。

【０００７】

【化１１】

【０００８】

【化１２】

【０００９】

【化１３】

【００１０】式（Ｉ）のポリアミドは、Ｘの構造を有す
るビスアミノフェノールとＹの構造を有するジカルボン
酸とＥの構造を有するカルボン酸誘導体から合成され、
このポリアミドを約３００〜４００℃で加熱すると閉環
し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂に変化す
る。本発明のポリアミド（Ｉ）のＸは、例えば、

【００１１】

【化１４】

【００１２】等であるがこれらに限定されるものではな
い。この中で特に好ましいものとしては、

【００１３】

【化１５】

【００１４】より選ばれるものである。又式（Ｉ）のＹ
は、例えば、

【００１５】

【化１６】

【００１６】等であるがこれらに限定されるものではな
い。これらの中で特に好ましいものとしては、

【００１７】

【化１７】

【００１８】より選ばれるものである。式（Ｉ）のＥ
は、Ｙの構造を有するジカルボン酸誘導体とＸの構造を
有するジアミンを反応させてポリアミドを合成した後、
末端アミノ基をアルケニル基又はアルキニル基を少なく
とも１個有するカルボン酸誘導体を反応させ、末端封止
を行うもので、カルボン酸誘導体としては５−ノルボル
ネン−２、３−ジカルボン酸無水物、無水マレイン酸等
が挙げられるが、特に５−ノルボルネン−２、３−ジカ
ルボン酸無水物が好ましい。更に式（Ｉ）のＺは、例え
ば、

【００１９】

【化１８】

【００２０】等であるがこれらに限定されるものではな
い。式（Ｉ）のＺは、例えば、シリコンウェハーのよう
な基板に対して、特に密着性が必要な場合に用いるが、
その使用割合ｂについては最大４０．０モル％まで使用
することができる。４０．０モル％を越えると樹脂の溶
解性が極めて低下し、現像残り（スカム）が発生し、パ
ターン加工ができない。なお、これらＸ、Ｙ、Ｚの使用
にあたっては、それぞれ１種類であっても２種類以上の
混合物であっても構わない。

【００２１】本発明で用いる感光性ジアゾキノン化合物
は、１，２−ベンゾキノンジアジドあるいは１，２−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書第２，７７２，９７２号、第２，７９７，２１
３号、第３，６６９，６５８号により公知の物質であ
る。例えば、下記のものが挙げられる。

【００２２】

【化１９】

【００２３】

【化２０】

【００２４】これらの中で特に高残膜率の点から好まし
いものとしては下記のものがある。

【００２５】

【化２１】

【００２６】感光性ジアジドキノン化合物（Ｂ）のポリ
アミド（Ａ）への配合量は、ポリアミド１００重量部に
対し、１〜１００重量部で、配合量が１重量部未満だと
樹脂のパターニング性が不良であり、逆に１００重量部
を越えるとフィルムの引張り伸び率が著しく低下する。

【００２７】本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必
要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導
体を加えることができる。ジヒドロピリジン誘導体とし
ては、例えば２，６−ジメチル−３，５−ジアセチル−
４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリ
ジン、４−（２′−ニトロフェニル）−２，６−ジメチ
ル−３，５−ジカルボエトキシ−１，４−ジヒドロピリ
ジン、４−（２′，４′−ジニトロフェニル）−２，６
−ジメチル−３，５−ジカルボメトキシ−１，４−ジヒ
ドロピリジン等を挙げることができる。

【００２８】本発明のポジ型感光性樹脂組成物において
は更に一般式（II）で示されるビスフェノール化合物と
一般式（III）で示されるトリスフェノール化合物と併
用することが重要である。これら一般式（II）、一般式
（III）で示されるフェノール化合物類を特公平１−４
６８６２号において示されるポリベンゾオキサゾール前
駆体とジアゾキノン化合物より構成されるポジ型感光性
樹脂組成に加えると封止樹脂との密着性が向上し、更に
現像時において高感度、高残膜率が得られ、また、−６
０〜−５０℃の低温で保管しても、フェノールの析出等
が無く保存性に優れたポジ型感光性樹脂組成物が得られ
るということを見いだした。封止樹脂との密着性は一般
式（II）、一般式（III）で示されるフェノール化合物
類を単独で加えるだけでもある程度は有効であるが、そ
れぞれの添加量を増やすと、一般式（II）で示されるビ
スフェノール化合物の場合、−６０〜−５０℃の低温で
保管すると、析出が起こりやすくなる。また一般式（II
I）で示されるトリスフェノール化合物の場合、添加量
を増やすと著しい残膜率の低下が見られる。しかし本発
明では一般式（II）で示されるビスフェノール化合物と
一般式（III）で示されるトリスフェノール化合物と併
用するとそれぞれのフェノール化合物が持っている低温
保存時の析出、残膜率低下が見事に改善でき、更に高感
度の感光特性と優れた封止樹脂との密着性も発現できる
という作用を見いだしたものである。添加量については
一般式（Ｉ）で示されるポリアミド１００重量部に対し
て、一般式（II）で表わされるビスフェノール化合物
（Ｃ）と一般式（III）で表わされるトリスフェノール
化合物（Ｄ）の両フェノール化合物１〜３０重量部（全
フェノールの添加量：γ、ビスフェノール化合物の添加
量：α、トリスフェノール化合物の添加量：βとしたと
き、γ＝α＋β、α≠０、β≠０）である。一般式（I
I）に示されるビスフェノール化合物としては下記のも
の等を挙げることができるがこれらに限定されない。

【００２９】

【化２２】

【００３０】

【化２３】

【００３１】

【化２４】

【００３２】

【化２５】

【００３３】これらの中で特に、好ましいものとして
は、

【００３４】

【化２６】

【００３５】であり、一般式（IV）又は（Ｖ）で表わさ
れる化合物は単独、又は混合物の形でビスフェノール化
合物（Ｃ）中に５０重量％以上含まれるものである。ま
た、一般式（III）に示される化合物としては下記のも
の等を挙げることができるがこれらに限定されない。

【００３６】

【化２７】

【００３７】

【化２８】

【００３８】

【化２９】

【００３９】これらの中で特に、好ましいものとして
は、

【００４０】

【化３０】

【００４１】本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物に
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。本発明においてはこ
れらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。
溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３
−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキ
シプロピオネート等を単独でも混合して用いてもよい。

【００４２】本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布
方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレー
コーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーテ
ィング等がある。次に、６０〜１３０℃でプリベークし
て塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射す
る。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線
等が使用できるが、２００〜５００ｎｍの波長のものが
好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去することによ
りレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナ
トリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無
機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の
第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミ
ン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩等の
アルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノー
ルのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができ
る。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音
波等の方式が可能である。次に、現像によって形成した
レリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸
留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール環
を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。本発明に
よるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバー
コート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有
用である。

【００４３】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 《実施例１》 ＊ポリアミドの合成 ジフェニルエーテル−４、４’−ジカルボン酸１モルと
１−ヒドロキシベンゾトリアゾール２モルとを反応させ
て得られたジカルボン酸誘導体４４３．２ｇ（０．９モ
ル）とヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４
−ヒドロキシフェニル）プロパン３６６．３ｇ（１．０
モル）とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス
導入管を備えた４つ口のセパラブルフラスコに入れ、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン３０００ｇを加えて溶解させ
た。その後オイルバスを用いて７５℃にて１２時間反応
させた。次にＮ−メチル−２−ピロリドン５００ｇに溶
解させた５−ノルボルネン−２、３−ジカルボン酸無水
物３２．８ｇ（０．２モル）を加え、更に１２時間攪拌
し反応を終了した。反応混合物をろ過した後、反応混合
物を水／メタノール＝３／１の溶液に投入、沈殿物を濾
集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のポリ
アミド（Ａ−１）を得た。

【００４４】＊ポジ型感光性樹脂組成物の作製 合成したポリアミド（Ａ−1）１００ｇ、下記式の構造
を有するジアゾキノン（Ｂ−１）２５ｇ、下記式の構造
を有するビスフェノール化合物（Ｃ−１）６ｇ、下記式
の構造を有するトリスフェノール化合物（Ｄ−１）６ｇ
をＮ−メチル−２−ピロリドン２５０ｇに溶解した後、
０．２μｍのテフロンフィルターで濾過し感光性樹脂組
成物を得た。

【００４５】＊特性評価 このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にス
ピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて
１２０℃で４分間プリベークし、膜厚約５μｍの塗膜を
得た。この塗膜にｇ線ステッパー露光機ＮＳＲ−１５０
５Ｇ３Ａ（ニコン(株)製）によりレチクルを通して５０
ｍＪ／ｃｍ²から２０ｍＪ／ｃｍ²づつ増やして５４０ｍ
Ｊ／ｃｍ²まで露光を行った。次に１．４％のテトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド水溶液に６０秒浸漬する
ことによって露光部を溶解除去した後、純水で３０秒間
リンスした。その結果、露光量２５０ｍＪ／ｃｍ²の照
射した部分よりパターンが成形されていることが確認で
きた。（感度は２５０ｍＪ／ｃｍ²）。この時の残膜率
（現像後の膜厚／現像前の膜厚×１００）は９０．３％
と非常に高い値を示した。又、別にポジ型感光性樹脂組
成物を同様にシリコンウエハー上に塗布し、プリベーク
した後、オーブン中３０分／１５０℃、３０分／２５０
℃、３０分／３５０℃の順で加熱、樹脂を硬化させた。
更に硬化膜の上に半導体封止用エポキシ樹脂組成物（住
友ベークライト(株)製、ＥＭＥ−６３００Ｈ）を２×２
×２ｍｍ（横×縦×高さ）の大きさに成形した。テンシ
ロンを用いて、ポリベンゾオキサゾール樹脂硬化膜上に
成形した封止用エポキシ樹脂組成物を引き剥がし、剪断
強度を測定した結果、３．８ｋｇ／ｍｍ²であった。

【００４６】表面にＡｌ回路を備えた模擬素子ウエハー
を用いて上記ポジ型感光性樹脂を最終５μｍとなるよう
に塗布した後、パターン加工を施して最終ベークした。
その後チップサイズ毎に分割して１６Pin DIP(Dual Inl
ine Package)用リードフレームに導電性ペーストを用い
てマウントした後、半導体封止用エポキシ樹脂（住友ベ
ークライト（株）製、ＥＭＥ−６３００Ｈ）で成形し
て、１６Pin DIPを得た。これらのパッケージを８５℃
／８５％湿度の条件で１６８時間処理した後、２６０℃
半田浴槽に１０秒浸漬し、ついで高温、高湿のプレッシ
ャークッカー処理（１２５℃、２．３ａｔｍ、１００％
ＲＨ）を施してＡｌ回路のオープン不良をチェックし
た。その結果を表１に示す。 ＊ 保存性安定性評価 発砲スチロールの箱に１００ｍｌのボトルに入れたポジ
型感光性樹脂組成物、ドライアイス１０ｋｇを入れ、ふ
たをしてそのまま密閉した。５日間放置放置後、更に−
２０〜−１５℃に冷凍庫に１週間入れた。ポジ型感光性
樹脂組成物を入れた１００ｍｌのボトルを取り出し、析
出物等は観察を行ったが、析出物等はなく良好であっ
た。

【００４７】《実施例２》実施例１におけるビスフェノ
ール化合物Ｃ−１をＣ−２に替えて評価を行った。 《実施例３》実施例１におけるトリスフェノール化合物
Ｄ−１をＤ−２に替えて評価を行った。 《実施例４》実施例１におけるビスフェノール化合物Ｃ
−１の添加量を１０ｇ、トリスフェノール化合物Ｄ−１
の添加量を２ｇにして評価を行った。 《実施例５》実施例１におけるビスフェノール化合物Ｃ
−１の添加量を２ｇ、トリスフェノール化合物Ｄ−１の
添加量を１０ｇにして評価を行った。 《実施例６》実施例１における感光性ジアゾキノン化合
物Ｂ−１をＢ−２に替えて評価を行った。 《実施例７》実施例１におけるポリアミドの合成におい
て、ジフェニルエーテル−４、４’−ジカルボン酸１モ
ルと１−ヒドロキシベンゾトリアゾール２モルとを反応
させて得られたジカルボン酸誘導体の替わりに、ジフェ
ニルスルホン−４、４’−ジカルボン酸１モルと１−ヒ
ドロキシベンゾトリアゾール２モルとを反応させて得ら
れたジカルボン酸誘導体を用いてポリアミド（Ａ−2）
を合成し、その他は実施例１と同様の評価を行った。

【００４８】《実施例８》実施例１におけるポリアミド
の合成において、ジフェニルエーテル−４、４’−ジカ
ルボン酸１モルとヒドロキシベンゾトリアゾール２モル
とを反応させて得られたジカルボン酸誘導体の替わり
に、テレフタル酸０．８モル、イソフタル酸０．２モル
と１−ヒドロキシベンゾトリアゾール２モルとを反応さ
せて得られたジカルボン酸誘導体を用いてポリアミド
（Ａ−３）を合成し、その他は実施例１と同様の評価を
行った。 《実施例９》実施例１におけるポリアミドの合成におい
てヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）プロパン１モルの替わりに３、３’
−ジアミノ−４、４’−ジヒドロキシジフェニルスルホ
ン１モルを用いて、ポリアミド（Ａ−４）を合成し、そ
の他は実施例１と同様の評価を行った。 《実施例１０》実施例１におけるポリアミドの合成にお
いてヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパン１モルの替わりに３、
３’−ジアミノ−４、４’−ジヒドロキシジフェニルエ
ーテル１モルを用いて、ポリアミド（Ａ−５）を合成
し、その他は実施例１と同様の評価を行った。 《実施例１１》実施例１におけるポリアミドの合成にお
いてヘキサフルオロ−２，２−ビス（３−アミノ−４−
ヒドロキシフェニル）プロパンを３２３．６ｇ（０．９
モル）に減らし、替わりに１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン
２４．９ｇ（０．１モル）を加え、ポリアミド（Ａ−
６）を合成し、その他は実施例１と同様の評価を行っ
た。 《実施例１２》実施例１におけるポリアミドの合成にお
いて５−ノルボルネン−２、３−ジカルボン酸無水物
０．２モルの替わりに無水マレイン酸０．２モルを用い
てポリアミド（Ａ−７）を合成し、その他は実施例１と
同様の評価を行った。以上実施例２〜１２の結果は表１
に示すように全て良好な性能を示した。

【００４９】《比較例１》実施例１においてビスフェノ
ール化合物Ｃ−１、またトリスフェノール化合物Ｄ−１
を添加しないで評価を行った。その結果、表１に示すよ
うにせん断密着強度は１．６ｋｇ／ｍｍ²と非常に低
く、また半導体信頼性評価においても不良が発生した。 《比較例２》実施例１においてビスフェノール化合物Ｃ
−１を１２ｇにまたトリスフェノール化合物を添加しな
いで評価を行った。その結果、表１に示すように保存安
定性評価で析出物が発生した。 《比較例３》実施例１においてトリスフェノール化合物
Ｄ−１を１２ｇにまたビスフェノール化合物を添加しな
いで評価を行った。その結果、表１に示すように現像後
の残膜率が７７．８％と低かった。 《比較例４》実施例２においてビスフェノール化合物Ｃ
−２を１２ｇにまたトリスフェノール化合物を添加しな
いで評価を行った。その結果、表１に示すように保存安
定性評価で析出物が発生した。 《比較例５》実施例３においてトリスフェノール化合物
Ｄ−２を１２ｇにまたビスフェノール化合物を添加しな
いで評価を行った。その結果、表１に示すように現像後
の残膜率が７５．９％と低かった。 以上実施例１〜１２、比較例１〜５の評価結果を表１に
示す。

【００５０】

【化３１】

【００５１】

【化３２】

【００５２】

【化３３】

【００５３】

【表１】

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、高感度で高残膜率なパ
ターンが得れ、封止樹脂との密着性、保存安定性に優れ
るポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた高信頼性の
半導体装置を得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−302221（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−197153（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−109620（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−143070（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−200254（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ）で示されるポリアミド
   （Ａ）１００重量部と、感光性ジアゾキノン化合物
   （Ｂ）１〜１００重量部と、一般式（II）で表わされる
   ビスフェノール化合物（Ｃ）と一般式（III）で表わさ
   れるトリスフェノール化合物（Ｄ）の両フェノール化合
   物１〜３０重量部（全フェノールの添加量：γ、ビスフ
   ェノール化合物（Ｃ）の添加量：α、トリスフェノール
   化合物（Ｄ）の添加量：βとしたとき、γ＝α＋β、α
   ≠０、β≠０）とからなることを特徴とするポジ型感光
   性樹脂組成物。 【化１】 【化２】 【化３】
2. 【請求項２】 ビスフェノール化合物（Ｃ）が、一般式
   （IV）で表わされるビスフェノール化合物である請求項
   １記載のポジ型感光性樹脂組成物。 【化４】
3. 【請求項３】 ビスフェノール化合物（Ｃ）が、一般式
   （Ｖ）又は（VI）で表わされる化合物であり、単独又は
   混合物の形で、ビスフェノール化合物（Ｃ）全体の５０
   重量％以上含む請求項１又は２記載のポジ型感光性樹脂
   組成物。 【化５】
4. 【請求項４】 トリスフェノール化合物（Ｄ）が、一般
   式（VII）又は（VIII）で表わされるトリスフェノール
   化合物である請求項１記載のポジ型感光性樹脂組成物。 【化６】
5. 【請求項５】 一般式（Ｉ）のポリアミドにおけるＸ
   が、下記より選ばれてなる請求項１、２、３又は４記載
   のポジ型感光性樹脂組成物。 【化７】
6. 【請求項６】 一般式（Ｉ）のポリアミドにおけるＹ
   が、下記より選ばれてなる請求項１、２、３又は４記載
   のポジ型感光性樹脂組成物。 【化８】
7. 【請求項７】 感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）が、下
   記より選ばれてなる請求項１、２、３、４、５又は６記
   載のポジ型感光性樹脂組成物。 【化９】
8. 【請求項８】 請求項１、２、３、４、５、６又は７記
   載のポジ型感光性樹脂組成物を、加熱脱水閉環後の膜厚
   が０．１〜２０μｍになるように半導体素子上に塗布
   し、プリベーク、露光、現像、加熱してなる半導体装
   置。