JP2005250462A - ポジ型感光性樹脂組成物、該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
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一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与する技術が注目を集めてきており、例えば、下記式(5)に示される感光性ポリイミド樹脂が挙げられる。
そこで最近、アルカリ水溶液で現像ができるポジ型感光性樹脂組成物が開発されている。例えば、特許文献1にはベース樹脂であるポリベンゾオキサゾール前駆体と感光材であるジアゾキノン化合物より構成されるポジ型感光性樹脂組成物が開示されている。これは高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有し、ウェハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂組成物としての可能性も有している。このポジ型感光性樹脂組成物の現像メカニズムは以下のようになっている。未露光部のジアゾキノン化合物はアルカリ水溶液に不溶であり、ベース樹脂と相互作用することでこれに対し耐性を持つようになる。一方、露光することによりジアゾキノン化合物は化学変化を起こし、アルカリ水溶液に可溶となり、ベース樹脂を溶解させる。この露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、露光部を溶解除去することにより未露光部のみの塗膜パターンの作成が可能となるものである。
[1] アルカリ可溶性樹脂(A)、感光性ジアゾキノン化合物(B)及び一般式(1)で示される構造を有するフェノール化合物(C)を含むことを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
[4]アルカリ可溶性樹脂(A)が、一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂である第[1][2]又は[3]項記載のポジ型感光性樹脂組成物。
このポリアミド樹脂を約300〜400℃で加熱すると脱水閉環し、ポリイミド、又は
ポリベンゾオキサゾール、或いは両者の共重合という形で耐熱性樹脂が得られる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物においては、一般式(1)で示される構造を有するフェノール化合物を含有させることが重要である。
本発明においては、これらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用いても良い。
本発明によるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体用途のみならず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有用である。
<実施例1>
4,4’―オキシジフタル酸無水物17.1g(0.055モル)と2−メチル−2−プロパノール8.15g(0.110モル)とピリジン10.9g(0.138モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン150gを加えて溶解させた。この反応溶液に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール14.9g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン30gと共に滴下した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド22.7g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン50gと共に滴下し、室温で一晩反応させた。その後、この反応溶液にジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)27.1g(0.055モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.8g(0.122モル)をN−メチル−2−ピロリドン70gと共に添加し、室温で2時間攪拌した。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で十分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1及びY−2で、a=100、b=0からなるポリアミド樹脂(A−1)を合成した。
合成したポリアミド樹脂(A−1)100g、下記式(Q−1)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物16g、下記式(C−1)の構造を有するフェノール化合物10gをγ−ブチロラクトン150gに溶解した後、0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。
このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分プリベークし、膜厚約13μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷(株)製・マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、i線ステッパー((株)ニコン製・4425i)を用いて、露光量を変化させて照射した。
次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に110秒浸漬することによって露光部を溶解除去した後、純水で10秒間リンスした。その結果、露光量320mJ/cm2で照射した部分よりパターンが形成されていることが確認できた。(感度は320mJ/cm2)。解像度は3μmと非常に高い値を示した。
実施例1におけるフェノール化合物(C−1)の添加量を表1に示す量に変えた以外は実施例1と同様の評価を行った。
実施例1における感光材(Q−1)の添加量を表1に示す量に変えた以外は実施例1と同様の評価を行った。
実施例1におけるフェノール化合物(C−1)の添加量を表1に示す量に変えた以外は実施例1と同様の評価を行った。
ポリアミド樹脂の合成
テレフタル酸0.9モルとイソフタル酸0.1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)360.4g(0.9モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン366.3g(1モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3000gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。次にN−メチル−2−ピロリドン500gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物32.8g(0.2モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−3及びY−4の混合物で、a=100、b=0からなる目的のポリアミド樹脂(A−2)を得た。
合成したポリアミド樹脂(A−2)100g、下記式(Q−1)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物16g、下記式(C−1)の構造を有するフェノール化合物10gをγ−ブチロラクトン150gに溶解した後、0.2μmのテフロン(登録商標)フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。それ以外は実施例1と同様の評価を行った。
実施例3におけるポリアミド樹脂の合成において、ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパンを348.0g(0.95モル)に減らし、替わりに1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン12.4g(0.05モル)を加え、一般式(2)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−3及びY−4の混合物、Zが下記式Z−1で、a=95、b=5からなるポリアミド樹脂(A−3)を合成した。(A−2)を(A−3)に変えた以外は実施例3と同様にポジ型感光性樹脂組成物を作製し、実施例1と同様の評価を行った。
実施例1におけるフェノール化合物(C−1)を(C−2)に変えた以外は実施例1と同様の評価を行った。
実施例1におけるフェノール化合物(C−1)を(C−3)に変えた以外は実施例1と同様の評価を行った。
実施例1におけるフェノール化合物(C−1)を(C−4)に変えた以外は実施例1と同様の評価を行った。
実施例1におけるフェノール化合物(C−1)を(C−5)に変えた以外は実施例1と同様の評価を行った。
実施例5におけるフェノール化合物(C−1)を無添加にした以外は実施例1と同様の評価を行った。
2 Alパッド
3 パッシベーション膜
4 バッファコート膜
5 金属(Cr、Ti等)膜
6 配線(Al、Cu等)
7 絶縁膜
8 バリアメタル
9 ハンダバンプ
Claims (13)
- アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して、感光性ジアゾキノン化合物(B)を1〜50重量部、一般式(1)で示される構造を有するフェノール化合物(C)を1〜30重量部含むものである請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- アルカリ可溶性樹脂(A)が、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造、ポリイミド構造、ポリイミド前駆体構造又はポリアミド酸エステル構造であって、これらを単独又は2種類以上含んでなる請求項1又は2記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 一般式(2)で示される構造を含むポリアミド樹脂が、アルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む誘導体によって末端封止されたものである請求項4〜6のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 感光性ジアゾキノン化合物(B)が、フェノール化合物と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸又は1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸とのエステル化合物である請求項1〜7のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して組成物層を形成する工程と、概組成物層に活性エネルギー線を照射して現像液と接触させてパターンを形成する工程と、概組成物を加熱する工程を有することを特徴とするパターン状樹脂膜の製造方法。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする表示素子。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱後の膜厚が、0.1〜30μmになるように半導体素子上でパターン加工して得られることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱後の膜厚が、0.1〜30μmになるように表示素子用基板上にパターン加工して得られることを特徴とする表示素子の製造方法。
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006126809A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2009271160A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ネガ型感光性樹脂組成物 |
EP2196850A1 (en) * | 2007-08-10 | 2010-06-16 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film and semiconductor device |
WO2010092824A1 (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、及びそれを用いた硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置及び表示装置 |
JP2011053679A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Korea Kumho Petrochemical Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JP2012252044A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-20 | Asahi Kasei E-Materials Corp | フェノール樹脂組成物並びにこれを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 |
EP2639638A1 (en) * | 2005-11-30 | 2013-09-18 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, and semiconductor device and display therewith |
KR101400181B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2014-06-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자 |
CN104752371A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 聚酰亚胺光敏层及其制备方法、封装方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57118237A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Positive type photosensitive composition |
JPS5880636A (ja) * | 1981-11-10 | 1983-05-14 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト用組成物 |
JPH06208222A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-07-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
JPH1069075A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2003255533A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-09-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004029689A (ja) * | 2002-04-30 | 2004-01-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2005
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57118237A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-23 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Positive type photosensitive composition |
JPS5880636A (ja) * | 1981-11-10 | 1983-05-14 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト用組成物 |
JPH06208222A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-07-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
JPH1069075A (ja) * | 1996-08-29 | 1998-03-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2003255533A (ja) * | 2001-12-25 | 2003-09-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2004029689A (ja) * | 2002-04-30 | 2004-01-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006126809A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP4721845B2 (ja) * | 2004-09-28 | 2011-07-13 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
EP2639638A1 (en) * | 2005-11-30 | 2013-09-18 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, and semiconductor device and display therewith |
EP2196850A4 (en) * | 2007-08-10 | 2010-11-10 | Sumitomo Bakelite Co | POSITIVE LIGHT-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, PROTECTIVE FILM, INSULATION FILM AND SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT |
EP2196850A1 (en) * | 2007-08-10 | 2010-06-16 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film and semiconductor device |
US8309280B2 (en) | 2007-08-10 | 2012-11-13 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive-type photosensitive resin composition, cured film, protective film, insulating film, and semiconductor device |
CN101772734B (zh) * | 2007-08-10 | 2013-05-15 | 住友电木株式会社 | 正型感光性树脂组合物、固化膜、保护膜、绝缘膜以及半导体装置 |
JP5339087B2 (ja) * | 2007-08-10 | 2013-11-13 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜および半導体装置 |
JP2009271160A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ネガ型感光性樹脂組成物 |
WO2010092824A1 (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-19 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、及びそれを用いた硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置及び表示装置 |
CN102317861A (zh) * | 2009-02-13 | 2012-01-11 | 住友电木株式会社 | 正型感光性树脂组合物、和使用它的固化膜、保护膜、绝缘膜、半导体装置以及显示装置 |
JPWO2010092824A1 (ja) * | 2009-02-13 | 2012-08-16 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、及びそれを用いた硬化膜、保護膜、絶縁膜、半導体装置及び表示装置 |
JP2011053679A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Korea Kumho Petrochemical Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
KR101400181B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2014-06-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 소자 |
JP2012252044A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-20 | Asahi Kasei E-Materials Corp | フェノール樹脂組成物並びにこれを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 |
CN104752371A (zh) * | 2013-12-27 | 2015-07-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 聚酰亚胺光敏层及其制备方法、封装方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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