JP4581511B2 - ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 - Google Patents
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Description
[1] 一般式(1)で示される構造を有するポリアミド樹脂であって、一般式(1)中のXの総量のうち、0.1モル%〜100モル%が一般式(2)で示される構造であることを特徴とするポリアミド樹脂。
[3] 一般式(1)で示される構造を有するポリアミド樹脂中のYが、下記の群より選ばれてなる[1]又は[2]項に記載のポリアミド樹脂。
[5] [1]〜[4]項のいずれか1項に記載のポリアミド樹脂(A)と感光性ジアゾキノン化合物(B)とを含んでなるポジ型感光性樹脂組成物。
[6] [5]項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して組成物層を形成する工程と、概組成物層に活性エネルギー線を照射して現像液と接触させてパターンを形成する工程と、概組成物を加熱する工程を有することを特徴とするパターン状樹脂膜の製造方法。
[7] [1]〜[4]項のいずれか1項に記載のポリアミド樹脂又は[5]項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする半導体装置。
[8] [1]〜[4]項のいずれか1項に記載のポリアミド樹脂又は[5]項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする表示素子。
[9] [5]項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱脱水閉環後の膜厚が、0.1〜50μmになるように半導体素子上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱して得られることを特徴とする半導体装置の製造方法。
[10] [5]項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱脱水閉環後の膜厚が、0.1〜50μmになるように表示素子用基板上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱して得られることを特徴とする表示素子の製造方法。
[ポリアミド樹脂の合成]
ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸4.13g(0.016モル)と1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール4.32g(0.032モル)とを反応させて得られたジカルボン酸誘導体7.88g(0.016モル)と1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン4.54g(0.014モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン2.20g(0.006モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン57.0gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。次にN−メチル−2−ピロリドン7gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物1.31g(0.008モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(容積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のポリアミド樹脂を得た。
合成したポリアミド樹脂10g、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−1)をN―メチルー2−ピロリドン50gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。
この得られたポジ型感光性樹脂組成物を硬化後5μmになるように6インチシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、次にクリーンオーブンで酸素濃度を1000ppm以下の条件下で150℃/30分、320℃/60分硬化した。次に表面粗さ計を用いて、ウエハーの裏面を100mmスキャンさせた時の反りを測定したところ、反り量は35μmと小さかった。
このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、膜厚約10μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷(株)製マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、(株)ニコン製i線ステッパNSR―4425iを用いて、露光量を変化させて照射した。次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に120秒浸漬することによって露光部を溶解除去した後、純水で30秒間リンスした。その結果、露光量460mJ/cm2で照射した部分よりパターンが形成されていることが確認できた。
[ポリアミド樹脂の合成]
実施例1のポリアミド樹脂の合成において、1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン4.54g(0.014モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン2.20g(0.006モル)のところを1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン0.65g(0.002モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン6.59g(0.018モル)に変えた以外は実施例1と同様にしてポリアミド樹脂の合成を行った。
[ポリアミド樹脂の合成]
実施例1においてのポリアミド樹脂の合成において、1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン4.54g(0.014モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン2.20g(0.006モル)のところを1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン6.49g(0.020モル)に変えて合成を行った。
合成したポリアミド樹脂10gをN―メチルー2−ピロリドン50gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ワニスを得た。
この得られたワニスを硬化後5μmになるように6インチシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、次にクリーンオーブンで酸素濃度を1000ppm以下の条件下で150℃/30分、320℃/60分硬化した。次に表面粗さ計を用いて、ウエハーの裏面を100mmスキャンさせた時の反りを測定したところ、反り量は26μmと小さかった。
[樹脂組成物の作製]
実施例3で合成したポリアミド樹脂10g、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−1)をN―メチルー2−ピロリドン50gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ワニスを得た。
この得られたワニスを硬化後5μmになるように6インチシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、次にクリーンオーブンで酸素濃度を1000ppm以下の条件下で150℃/30分、320℃/60分硬化した。次に表面粗さ計を用いて、ウエハーの裏面を100mmスキャンさせた時の反りを測定したところ、反り量は27μmと小さかった。
このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、膜厚約10μmの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷(株)製マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、(株)ニコン製i線ステッパNSR―4425iを用いて、露光量を変化させて照射した。次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に220秒浸漬することによって露光部を溶解除去した後、純水で30秒間リンスした。その結果、露光量500mJ/cm2で照射した部分よりパターンが形成されていることが確認できた。
[ポリアミド樹脂の合成]
1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン1.95g(0.006モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン2.20g(0.006モル)をN−メチル−2−ピロリドン60gに溶解させた後、N−メチル−2−ピロリドン60gに溶解させた無水トリメリット酸クロライド5.05g(0.024モル)を5℃以下に冷却しながら加える。更にピリジン2.29g(0.029モル)を加えて、20℃以下で3時間攪拌する。次に、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル2.40g(0.012モル)を加えた後、室温で5時間反応させる。次に内温を85℃に昇温し、3時間攪拌する。反応終了後、濾過した濾液を、水/メタノール=5/1(容積比)に投入して沈殿を得た。それを濾集し水で充分洗浄した後、目的のポリアミド樹脂を得た。
実施例1においてのポリアミド樹脂の合成において、1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン4.54g(0.014モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン2.20g(0.006モル)のところをヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン7.33g(0.020モル)だけに変えて合成を行った。
実施例1においてのポリアミド樹脂の合成において、1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン4.54g(0.014モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン2.20g(0.006モル)のところを3,3’−ジヒドロキシ−4,4’ −ジアミノビフェニル4.33g(0.020モル)に変えた。またジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸4.13g(0.016モル)と1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール4.32g(0.032モル)とを反応させるところをジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸を半分の2.07g(0.008モル)にして、その代わりにイソフタル酸1.33g(0.008モル)を新たに加え、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール4.32g(0.032モル)とを反応させて得られたジカルボン酸誘導体の混合物で合成を行った。
2 Alパッド
3 パッシベーション膜
4 バッファコート膜
5 金属(Cr、Ti等)膜
6 配線(Al、Cu等)
7 絶縁膜
8 バリアメタル
9 ハンダバンプ
Claims (10)
- 一般式(1)で示される構造を有するポリアミド樹脂であって、一般式(1)中のXの総量のうち、0.1モル%〜100モル%が1,3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−メチル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−メチル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−エチル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−エチル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−iso−プロピル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−iso−プロピル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−トリフルオロメチル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−トリフルオロメチル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−ペンタフルオロエチル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−ペンタフルオロエチル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−ヘキサフルオロプロピル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−ヘキサフルオロプロピル−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−メトキシ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−メトキシ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−エトキシ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−エトキシ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−トリフルオロメトキシ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−トリフルオロメトキシ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−ヘキサフルオロプロポキシ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−ヘキサフルオロプロポキシ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−アセトキシ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−アセトキシ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノ−5−フルオロ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノ−5−フルオロ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼンの群から選ばれるいずれかのビス(アミノフェノール)構造から[OH]と[NH 2 ]を除いた式(2)で示される構造であることを特徴とするポリアミド樹脂。
- 一般式(1)中のXの総量のうち、0.1モル%〜70モル%が一般式(2)で示される構造である請求項1記載のポリアミド樹脂。
- 一般式(1)で示される構造を有するポリアミド樹脂が、アルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む化合物によって末端封止されてなるものである請求項1〜3のいずれかに記載のポリアミド樹脂。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のポリアミド樹脂(A)と感光性ジアゾキノン化合物(B)とを含んでなるポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項5に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布して組成物層を形成する工程と、概組成物層に活性エネルギー線を照射して現像液と接触させてパターンを形成する工程と、概組成物を加熱する工程を有することを特徴とするパターン状樹脂膜の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のポリアミド樹脂又は請求項5に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のポリアミド樹脂又は請求項5に記載のポジ型感光性樹脂組成物を用いて製作されてなることを特徴とする表示素子。
- 請求項5に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱脱水閉環後の膜厚が、0.1〜50μmになるように半導体素子上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱して得られることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項5に記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱脱水閉環後の膜厚が、0.1〜50μmになるように表示素子用基板上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱して得られることを特徴とする表示素子の製造方法。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0540337A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JPH07224150A (ja) * | 1994-02-08 | 1995-08-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂組成物 |
JPH08259924A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 耐熱性接着剤 |
JPH0990632A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物及びそのパターン形成方法 |
JPH1192660A (ja) * | 1997-09-24 | 1999-04-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JP2002229206A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0540337A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JPH07224150A (ja) * | 1994-02-08 | 1995-08-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 耐熱性樹脂組成物 |
JPH08259924A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 耐熱性接着剤 |
JPH0990632A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物及びそのパターン形成方法 |
JPH1192660A (ja) * | 1997-09-24 | 1999-04-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 感光性樹脂組成物 |
JP2002229206A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 |
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JP5205772B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置 |
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