JP4622281B2 - ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4622281B2 JP4622281B2 JP2004087731A JP2004087731A JP4622281B2 JP 4622281 B2 JP4622281 B2 JP 4622281B2 JP 2004087731 A JP2004087731 A JP 2004087731A JP 2004087731 A JP2004087731 A JP 2004087731A JP 4622281 B2 JP4622281 B2 JP 4622281B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- positive photosensitive
- photosensitive resin
- group
- composition according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与する技術が最近注目を集めてきており、これを用いるとパターン作成工程の一部が簡略化でき、工程短縮および歩留まり向上の効果はあるが、現像の際にN−メチル−2−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安全性、取扱い性に問題がある。
このような感光性樹脂は半導体素子の表面保護膜あるいは層間絶縁膜として近年広く利用されるようになってきており、特に高解像度を有するポリベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合物より構成されるポジ型感光性樹脂の場合は、配線上に形成した無機膜を加工する際に、ポジ型感光性樹脂を介してドライエッチングする方法が適用可能である。しかしながら、無機膜を加工する際には一般的に層構成が複雑であるため、エッチング時に使用したガスとの反応物である堆積物が残存する現象があり、外観不良等の問題となる。この堆積物は一般的にデポジションと呼ばれるものであり、除去が困難である為、薬液処理等による除去工程が必要とされる。
[1] アルカリ可溶性樹脂100重量部と感光性ジアゾキノン化合物1〜50重量部とフッ素化合物0.5〜20重量部とを含んでなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、
[2] アルカリ可溶性樹脂がポリアミド樹脂である[1]に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
[3] アルカリ可溶性樹脂がポリベンゾオキサゾール前駆体構造、ポリアミド酸構造又はポリアミド酸エステル構造をそれぞれ単独又は2種類以上含んでなるポリアミド樹脂である[2]に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
[4] アルカリ可溶性樹脂が、一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂である[2]又は[3]に記載のポジ型感光性樹脂組成物、
[8] フッ素化合物がフェノール性水酸基を含有する化合物のフッ素誘導体である[1]〜[7]のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物、
[9] フッ素化合物が下記式(5)で示される化合物である[1]〜[8]のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物、
[11] [1]〜[9]のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱脱水閉環後の膜厚が、0.1〜30μmになるように表示素子用基板上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱して得られることを特徴とする表示素子
である。
これらの中で特に好ましいものとしては、
本発明においてはこれらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用いてもよい。
《実施例1》
*ポリアミド樹脂の合成
ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体443.2g(0.9モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン366.3g(1.0モル)と温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3000gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン500gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物32.8g(0.2モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物をろ過した後、水/メタノール=3/1の混合溶液中に投入、沈殿物を濾集し水で十分ろ過した後、真空下で乾燥し、目的の一般式(1)で表され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1、末端が下記式E−1でa=100、b=0からなるポリアミド樹脂(A−1)を得た。
合成したポリアミド樹脂(A−1)100g、下記式の構造を有するジアゾキノン(Q−1)25g、下記式P−1の構造を有するフッ素化合物5.0gをN−メチル−2−ピロリドン200gに溶解し、3時間攪拌した。その後攪拌を止めて室温で放置し、3時間後に目視により外観の観察を行ったところ、気泡は見られなかった。その後、0.2μmのテフロン(R)フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
前記方法により合成したポリベンゾオキサゾール前駆体を含有する耐熱性高分子保護膜用の樹脂前駆体ワニスである感光性樹脂組成物を、ウェハ基板上にプラズマCVD法により成膜した7000ÅのSi3N4膜上にスピンコーター等で塗布した後、ホットプレート等で乾燥し、塗膜を得た。この塗膜に露光・現像処理を行い、パターン形成を行った。更にこのウェハをオーブン中で150℃で30分、320℃で30分加熱してポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体の閉環反応を行い、ポリベンゾオキサゾ―ル硬化膜とする。
次いでウェハをエッチング装置L−210D−L(アネルバ(株)製;最大出力300W)を用いて、酸素:テトラフルオロメタン=7.7:92.3の容積%の比からなる混合ガスにより、出力200W、プロセス圧力5Paで7分間無機膜のエッチング処理を行った。このときのポリベンゾオキサゾール硬化膜の膜厚の減少は約1.0μmであった。
5μm×20μmの長方形パターン開口部を走査型電子顕微鏡を用いて観察し、開口部および開口部側壁のデポジションの残存を確認した結果、デポジションは観察されなかった。
実施例1においてフッ素化合物の添加量を15.0gに替えた他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
《実施例3》
実施例1におけるポリアミド樹脂の合成において、ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルの替わりにテレフタル酸132.8g(0.8モル)、イソフタル酸33.2g(0.2モル)を用いて、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体360.4g(0.9モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン366.3g(1.0モル)とを用いて、一般式(1)で表され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−2及びY−3、末端が下記式E−1でa=100、b=0からなるポリアミド樹脂を合成し、その他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
4,4’―オキシジフタル酸無水物17.1g(0.055モル)と2−メチル−2−プロパノール12.4g(0.105モル)とピリジン10.9g(0.138モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン150gを加えて溶解させた。この反応溶液に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール14.9g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン30gと共に滴下した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド22.7g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン50gと共に滴下し、室温で一晩反応させた。その後、この反応溶液にジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)27.1g(0.055モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.8g(0.122モル)をN−メチル−2−ピロリドン70gと共に添加し、室温で2時間攪拌した。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で十分洗浄した後、真空下で乾燥し、一般式(1)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1及びY−4で、a=100、b=0からなるポリアミド樹脂を合成し、その他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
実施例1におけるポリアミド樹脂の合成において、ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパンの替わりに、3,3′−ジアミノ−4,4′−ジヒドロキシジフェニルスルホン280.0g(1.0モル)を用いて、一般式(1)で表され、Xが下記式X−2、Yが下記式Y−1、末端が下記式E−1でa=100、b=0からなるポリアミド樹脂を合成し、その他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
実施例1におけるポリアミド樹脂の合成においてヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパンを348.0g(0.95モル)に減らし、替わりに1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン12.4g(0.05モル)を加え、一般式(1)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1、Zが下記式Z−1、末端が下記式E−1でa=95、b=5からなるポリアミド樹脂を合成し、その他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
実施例1におけるポジ型感光性樹脂組成物の作製においてP−1の替わりに下記式P−2の構造を有するフッ素化合物を用いた他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
《実施例8》
実施例1におけるポジ型感光性樹脂組成物の作製においてP−1の替わりに下記式P−3の構造を有するフッ素化合物を用いた他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
《実施例9》
実施例1におけるポジ型感光性樹脂組成物の作製においてP−1の替わりに下記式P−4の構造を有するフッ素化合物を用いた他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
《参考例》
実施例1におけるポジ型感光性樹脂組成物の作製においてP−1の替わりに下記式P−5の構造を有するフッ素化合物を用いた他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
実施例1においてフッ素化合物の添加量を1.0gに替えた他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
《実施例12》
実施例1においてジアゾキノン(Q−1)の添加量を10gに替えた他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
《実施例13》
実施例1においてジアゾキノン(Q−1)の添加量を40gに替えた他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
実施例1においてフッ素化合物P−1を添加しないで試作及び評価を行った。
《比較例2》
実施例1においてフッ素化合物P−1の配合量を0.1gに替えた他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
《比較例3》
実施例1においてフッ素化合物P−1の配合量を30gに替えた他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
《比較例4》
実施例5においてフッ素化合物P−1の配合量を30gに替えた他は実施例1と同様の試作及び評価を行った。
Claims (10)
- アルカリ可溶性樹脂100重量部と感光性ジアゾキノン化合物1〜50重量部とフッ素化合物0.5〜20重量部とを含んでなるポジ型感光性樹脂組成物であって、
前記フッ素化合物が下記式(5)で示される化合物であることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
- アルカリ可溶性樹脂がポリアミド樹脂である請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- アルカリ可溶性樹脂がポリベンゾオキサゾール前駆体構造、ポリアミド酸構造又はポリ
アミド酸エステル構造をそれぞれ単独又は2種類以上含んでなるポリアミド樹脂である請
求項2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。 - アルカリ可溶性樹脂が、一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂である請求項2又は3に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂中のXが、式(2)の群より選ばれてなる請求項4記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂中のYが、式(3)又は式(4)の群より選ばれてなる請求項4又は5に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂が、アルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む化合物で末端封止された請求項4〜6のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- フッ素化合物がフェノール性水酸基を含有する化合物のフッ素誘導体である請求項1〜7のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項3〜7のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱脱水閉環後の膜厚が、0.1〜30μmになるように半導体素子上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項3〜7のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を加熱脱水閉環後の膜厚が、0.1〜30μmになるように表示素子用基板上に塗布し、プリベーク、露光、現像、加熱することを特徴とする表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004087731A JP4622281B2 (ja) | 2003-03-26 | 2004-03-24 | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003084498 | 2003-03-26 | ||
JP2004087731A JP4622281B2 (ja) | 2003-03-26 | 2004-03-24 | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004310079A JP2004310079A (ja) | 2004-11-04 |
JP4622281B2 true JP4622281B2 (ja) | 2011-02-02 |
Family
ID=33478261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004087731A Expired - Fee Related JP4622281B2 (ja) | 2003-03-26 | 2004-03-24 | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4622281B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4650018B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2011-03-16 | 住友ベークライト株式会社 | ポリアミド樹脂及びポジ型感光性樹脂組成物並びにそれらを用いた半導体装置及び表示素子 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11349810A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2000292913A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2001168346A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2001181249A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-07-03 | Asahi Kasei Corp | アミドフェノール化合物 |
JP2002088066A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Asahi Kasei Corp | イミドフェノール化合物 |
-
2004
- 2004-03-24 JP JP2004087731A patent/JP4622281B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11349810A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2000292913A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-20 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP2001168346A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2001181249A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-07-03 | Asahi Kasei Corp | アミドフェノール化合物 |
JP2002088066A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Asahi Kasei Corp | イミドフェノール化合物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004310079A (ja) | 2004-11-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4661245B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 | |
KR101067090B1 (ko) | 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막 및 그것을 이용한 반도체 장치, 표시체 장치 | |
JP3449925B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP4254177B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4040216B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
JP2002040654A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP4569211B2 (ja) | フェノール化合物、ポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 | |
JP4622281B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 | |
JP3682898B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP3449926B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP4250935B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4379153B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置または表示素子 | |
JP3886334B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4325159B2 (ja) | ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP3839262B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4159838B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4517723B2 (ja) | ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子 | |
JP3801379B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
JP4345441B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4622282B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 | |
JP2006018191A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物の製造方法並びに半導体装置及び表示素子 | |
JP4166058B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2004310076A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物並びに半導体装置及び表示素子 | |
JP2009108074A (ja) | ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP4517792B2 (ja) | ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、ポジ型感光性樹脂組成物、並びに該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061207 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090818 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091019 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101005 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101018 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4622281 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |