JP3422691B2

JP3422691B2 - ポジ型感光性樹脂組成物

Info

Publication number: JP3422691B2
Application number: JP20615898A
Authority: JP
Inventors: 孝平野; 敏夫番場
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 1997-07-30
Filing date: 1998-07-22
Publication date: 2003-06-30
Anticipated expiration: 2018-07-22
Also published as: JPH11102069A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高感度で高残膜率
のパターンを得ることができ、封止樹脂及び基板との密
着性に優れるポジ型感光性樹脂組成物に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶
縁膜には耐熱性が優れ、又卓越した電気特性、機械的特
性等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年
半導体素子の高集積化、大型化、封止樹脂パッケージの
薄型化、小型化、半田リフローによる表面実装への移行
等により耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の著しい向
上の要求があり、更に高性能のポリイミド樹脂が必要と
されるようになってきた。一方、ポリイミド樹脂自身に
感光性を付与する技術が最近注目を集めてきており、例
えば感光性ポリイミド樹脂として、下記式（１３）等が
ある。

【０００３】

【化１３】

【０００４】これを用いるとパターン作成工程の一部が
簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にＮ−
メチル−２−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安
全、取扱いにおいて問題がある。そこで最近では、アル
カリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発さ
れている。例えば、特公平１−４６８６２号公報におい
てはポリベンゾオキサゾール樹脂とジアゾキノン化合物
又はポリベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合
物より構成されるポジ型感光性樹脂が開示されている。
これは高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有
し、ウェハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂として
の可能性も有している。

【０００５】このポジ型の感光性樹脂の現像メカニズム
は、未露光部のジアゾキノン化合物がアルカリ性水溶液
に不溶であり、露光することによりジアゾキノン化合物
が化学変化を起こし、アルカリ性水溶液に可溶となる。
この露光部と未露光部での溶解性の差を利用し、未露光
部のみの塗膜パターンの作成が可能となる。これら感光
性樹脂を実際に使用する場合、特に問題となるのは感光
性樹脂の感度である。低感度であると、ウェハー１枚当
たりの露光時間が長くなり、スループットが低下する。
そこで感光性樹脂の感度を向上させようとして、例えば
ベース樹脂のポリベンゾオキサゾール樹脂の分子量を小
さくすると、非露光部の現像時の膜減りが大きくなり、
パターン形状が悪くなるといった問題が生じる。又感光
性樹脂と封止樹脂との密着性が悪く、その界面で剥離が
発生し、実用性に問題があり、より封止樹脂との密着性
に優れた感光性樹脂が強く求められるようになってい
る。

【０００６】さらに、このポジ型の感光性樹脂は、ビァ
ホール部の除去をアルカリ性水溶液を用いて行うため、
従来の他の感光性ポリイミド樹脂のように有機溶剤を必
要とせず作業の安全性は更に向上している。しかし、こ
の感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体は、基板、特に
シリコンウェハーとの密着性に劣り、硬化後の高温吸湿
処理によって樹脂が基板から剥離するという重大な欠陥
をも有している。

【０００７】密着性を改良するために密着成分をワニス
に添加することが行われてきた。有機ケイ素化合物をポ
ジ型感光性樹脂に添加する例としては例えば特願平８−
１４５５２７号に示されている。このような有機ケイ素
化合物をγ−ブチロラクトンを溶媒とする樹脂組成物に
添加すると有機ケイ素化合物が縮合反応を起こし、析出
してしまうという欠点を有していた。

【０００８】また、近年半導体回路の微細化が進むにつ
れ、レジストも化学増幅型のレジストが用いられるよう
になった。この化学増幅型レジストは光を照射すること
により酸が発生し、発生した酸がポリマーを分解してア
ルカリ可溶性にし、アルカリ現像ができるというメカニ
ズムであるが、雰囲気中に含まれる化学物質により特性
に大きな影響を受ける。例えば半導体クリーンルーム内
に存在する微量の塩基性物質がレジスト中に発生した酸
と反応し現像性が大きく変わってしまう。従来の半導体
コート用樹脂は溶媒にＮ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ
ＭＰ）という塩基性溶媒を使用していたためプリベーク
によりＮＭＰがクリーンルーム内に拡散し、レジスト特
性に大きな影響を与えてきた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、高感度で高
残膜率のパターンを得ることができ、封止樹脂及び基板
との密着性に優れるポジ型感光性樹脂、及び封止樹脂と
の密着性に優れるポジ型感光性樹脂を提供することを目
的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（１）
で示されるポリアミド（Ａ）１００重量部、感光性ジア
ゾキノン化合物（Ｂ）１〜１００重量部、一般式（２）
及び／又は（３）で表わされるフェノール化合物（Ｃ）
１〜５０重量部、一般式（４）及び／又は（５）で表さ
れる有機ケイ素化合物（Ｄ）１〜２０重量部及び溶剤か
らなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物であ
る。

【００１１】

【化１】

【００１２】

【化２】

【００１３】

【化３】

【００１４】

【化４】

【００１５】

【化５】

【００１６】式（１）のポリアミドは、Ｘの構造を有す
るビスアミノフェノール、Ｙの構造を有するジカルボン
酸およびＺの構造を有するジアミンからなり、このポリ
アミドを約３００〜４００℃で加熱すると閉環し、ポリ
ベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂に変化する。本発
明のポリアミド（１）のＸは、例えば、

【００１７】

【化１４】

【００１８】等であるがこれらに限定されるものではな
い。この中で特に高感度であるものとしては、一般式
（１０）より選ばれるものである。

【００１９】

【化１０】

【００２０】又式（１）のＹは、例えば、

【００２１】

【化１５】

【００２２】等であるがこれらに限定されるものではな
い。これらの中で特に高感度のものとしては、一般式
（１１）より選ばれるものである。

【００２３】

【化１１】

【００２４】更に、式（１）のＺは、例えば

【００２５】

【化１６】

【００２６】等であるがこれらに限定されるものではな
い。式（１）のＺは、例えば、シリコンウェハーのよう
な基板に対して、特に密着性が必要な場合に用いるが、
その使用割合ｂについては最大４０．０モル％まで使用
することができる。４０．０モル％を越えると樹脂の溶
解性が極めて低下し、スカムが発生し、パターン加工が
できない。なお、これらＸ、Ｙ、Ｚの使用にあたって
は、それぞれ１種類であっても２種類以上の混合物であ
っても構わない。また、式（１）のポリアミドにおい
て、ｂ＝０である式（１７）のポリアミドが好ましく用
いられる。

【００２７】

【化１７】

【００２８】本発明で用いる感光性ジアゾキノン化合物
は、１，２−ベンゾキノンジアジドあるいは１，２−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書第２，７７２，９７２号、第２，７９７，２１
３号、第３，６６９，６５８号により公知の物質であ
る。例えば、下記のものが挙げられる。

【００２９】

【化１８】

【００３０】

【化１９】

【００３１】これらの中で特に高残膜率の点から好まし
いものとしては下記のものがある。

【００３２】

【化２０】

【００３３】感光性ジアジドキノン化合物（Ｂ）のポリ
アミド（Ａ）への配合量は、ポリアミド１００重量部に
対し、１〜１００重量部で、配合量が１重量部未満だと
樹脂のパターニング性が不良であり、逆に１００重量部
を越えるとフィルムの引張り伸び率が著しく低下する。
引張り伸び率がの小さい被膜が素子表面に塗布されてい
る半導体装置では、熱ストレス等の応力によって信頼性
が低下するので好ましくない。

【００３４】本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必
要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導
体を加えることができる。ジヒドロキシピリジン誘導体
としては、例えば２，６−ジメチル−３，５−ジアセチ
ル−４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロ
ピリジン、４−（２′−ニトロフェニル）−２，６−ジ
メチル−３，５−ジカルボエトキシ−１，４−ジヒドロ
ピリジン、４−（２′，４′−ジニトロフェニル）−
２，６−ジメチル−３，５−カルボメトキシ−１，４−
ジヒドロピリジン等を挙げることができる。

【００３５】本発明のポジ型感光性樹脂組成物において
は、前記の成分（Ａ），（Ｂ）に加えて更に一般式
（２）及び／又は（３）で表わされるフェノール化合物
を含有させることが重要である。

【００３６】フェノール化合物をポジ型レジスト組成物
に添加する技術としては、例えば、特開平３−２００２
５１号公報、特開平３−２００２５２号公報、特開平３
−２００２５３号公報、特開平３−２００２５４号公
報、特開平４−１６５０号公報、特開平４−１６５１号
公報、特開平４−１１２６０号公報、特開平４−１２３
５６号公報、特開平４−１２３５７号公報に示されてい
る。しかし、これらに示されているようなフェノール化
合物は、本発明におけるポリアミドをベース樹脂とした
ポジ型感光性樹脂に用いても感度向上の効果は小さい。
しかし、本発明における一般式（２）又は（３）で表わ
されるフェノール化合物を用いた場合、露光部における
溶解速度が増し、感度が向上する。又分子量を小さくし
感度を上げた場合に見られるような未露光部の膜減りも
非常に小さく良好である。又本発明においては、一般式
（２）で表わされるフェノール化合物を添加することに
よる新たな特性として、封止樹脂との密着性が向上した
ポジ型感光性樹脂組成物が得られ、これを素子表面に塗
布した半導体装置の信頼性が向上することが判明した。
一般式（２）に示される化合物としては下記のもの等を
挙げることができるがこれらに限定されない。

【００３７】

【化２１】

【００３８】

【化２２】

【００３９】

【化２３】

【００４０】

【化２４】

【００４１】これらの中で特に、感度及び残膜率の点で
好ましいものとしては、化学式（８）又は（９）であ
り、化学式（８）又は（９）で表わされる化合物は単
独、又は混合物の形で全フェノール化合物（Ｃ）中に５
０重量％以上含まれるものである。一般式（２）で示さ
れるフェノールは低温での溶解性が低いため、例えば一
般式（２）のフェノールを含む組成物を非常に低い温度
で保存したりする場合、まれに一般式（２）のフェノー
ル化合物の析出が見られる場合がある。そのような場
合、一般式（２）の一部を一般式（３）で示されるフェ
ノール化合物に置き換えると、低温での保存性が向上す
る。一般式（３）に示される化合物としては下記のもの
等を挙げることができるがこれらに限定されない。

【００４２】

【化２５】

【００４３】

【化２６】

【００４４】

【化２７】

【００４５】フェノール化合物（Ｃ）の添加量として
は、ポリアミド（Ａ）１００重量部に対して１〜５０重
量部が好ましい。添加量が１重量部未満だと感度向上の
効果が得られず、又添加量が５０重量部を越えると残膜
率の低下が大きくなったり、又冷凍保存中において析出
が起こり実用性に欠ける。一般式（４）、（５）で示さ
れる本発明の有機ケイ素化合物は、感光性樹脂と封止樹
脂との接着性を向上させるために用いられるものであ
る。１種又は２種以上混合して用いてもよいが、添加量
はポリアミド１００重量部に対して１〜２０重量部であ
ることが好ましい。１重量部未満では接着性向上効果が
得られないので好ましくなく、２０重量部を越えると、
半導体素子上に形成されるポリベンゾオキサゾール皮膜
の機械的強度が低下して応力緩和効果が薄れるので好ま
しくない。

【００４６】本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物に
は、必要によりレベリング剤等の添加剤を添加すること
ができる。本発明においてはこれらの成分を溶剤に溶解
し、ワニス状にして使用する。溶剤としては、γ−ブチ
ロラクトン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチル
エーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレン
グリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコール
アセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメ
チルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、
メチル−３−メトキシプロピオネート、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン等を単独でも混合して用いてもよ
い。これらの溶剤は分子内に窒素原子がなく塩基性とし
て作用しないため、化学増幅型レジストにも影響を与え
ない。

【００４７】本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布
方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレー
コーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーテ
ィング等がある。次に、６０〜１２０℃でプリベークし
て塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射す
る。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線
等が使用できるが、２００〜５００ｎｍの波長のものが
好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去することによ
りレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナ
トリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無
機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の
第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミ
ン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩等の
アルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノー
ルのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができ
る。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音
波等の方式が可能である。次に、現像によって形成した
レリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸
留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール環
を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。

【００４８】本発明によるポジ型感光性樹脂組成物は、
半導体用途のみならず、多層回路の層間絶縁やフレキシ
ブル銅張板のカバーコート、ソルダーレジスト膜や液晶
配向膜等としても有用である。

【００４９】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。《実施例１》＊ポリアミドの合成２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン３６．６重量部（０．１００モ
ル）をγ−ブチロラクトン１５０重量部及びピリジン３
３．２（０．４２０モル）重量部に溶解した。次にシク
ロヘキサノン１００重量部に溶解したテレフタル酸クロ
リド１７．０重量部（０．０８４モル）とイソフタル酸
クロリド４．３重量部（０．０２１モル）を−１０〜−
１５℃で３０分かけて滴下し、その後室温で４時間撹拌
し反応を終了した。反応混合物を濾過した後、溶液を水
中に投入し目的の一般式（１）で示され、Ｘが下記式Ｘ
−１、Ｙが下記式Ｙ−１及びＹ−２の混合で、ａ＝１０
０、ｂ＝０からなるポリアミド（Ａ1）を沈殿させた。
沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下８０℃で１
昼夜乾燥させた。

【００５０】＊ポジ型感光性樹脂組成物の作製合成したポリアミド（Ａ1）１００重量部、下記式の構
造を有するジアゾキノン（Ｑ１）２５重量部、下記式の
構造を有するフェノール化合物（Ｐ−１）１５重量部、
下記構造を有する有機ケイ素化合物（Ｓ−１）１０重量
部をγ−ブチロラクトン２００重量部に溶解した後、
０．２μｍのテフロンフィルターで濾過し感光性樹脂組
成物を得た。

【００５１】＊特性評価このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にス
ピンコーターを用いて塗布した後、オーブン中７０℃で
１時間乾燥し、膜厚約３μｍの塗膜を得た。この塗膜に
ｇ線ステッパー露光機ＮＳＲ−１５０５Ｇ３Ａ（ニコン
(株)製）によりレチクル（Reticle）を通して５０ｍＪ
／ｃｍ²から１０ｍＪ／ｃｍ²づつ増やして５４０ｍＪ／
ｃｍ²まで露光を行った。

【００５２】次に０．７９％のテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド水溶液に３０秒浸漬することによって露
光部を溶解除去した後、純水で３０秒間リンスした。そ
の結果、露光量２００ｍＪ／ｃｍ²の照射した部分より
パターンが成形されていることが確認できた（即ち、感
度は２００ｍＪ／ｃｍ²であった）。この時の残膜率
（現像後の膜厚／現像前の膜厚）は９１．３％と非常に
高い値を示した。又、別にポジ型感光性樹脂組成物を同
様にシリコンウエハー上に塗布し、プリベークした後、
オーブン中３０分／１５０℃、３０分／２５０℃、３０
分／３００℃の順で加熱、樹脂を硬化させた。

【００５３】更に硬化膜の上に半導体封止用エポキシ樹
脂組成物（住友ベークライト(株)製、ＥＭＥ−６３００
Ｈ）を２×２×２ｍｍ（横×縦×高さ）の大きさに成形
した。テンシロンを用いて、ポリベンゾオキサゾール樹
脂硬化膜上に成形した封止用エポキシ樹脂組成物を引き
剥がし、剪断強度を測定した結果、３．２ｋｇ／ｍｍ²
であった。

【００５４】また、別に感光性ワニスを同様にシリコン
ウェハー上に塗布し、プリベークした後、オーブン中３
０分／１５０℃、３０分／２５０℃、３０分／３５０℃
の順序で加熱し、樹脂を硬化させた。得られた塗膜１ｍ
ｍ角に１００個基盤目にカットし、セロハンテープを貼
りつけ、引き剥がして、塗膜をシリコンウェハー上より
剥がそうとしたが、剥がれた塗膜の数（これを「硬化後
剥がれ数」と称する）は０であり、硬化膜のウェハーへ
の密着性も優れていることが確認された。更にこのシリ
コンウェハーを１２５℃、２．３ａｔｍのプレシャーク
ッカー（ＰＣＴ）処理１００時間を施した後、同様にセ
ロハンテープを貼り付け、引き剥がして評価したとこ
ろ、剥がれた塗膜の数（これを「高温高湿処理後剥がれ
数」と称する）は０であり、高温湿度処理後の密着性も
優れていることが確認された。また別に化学増幅型レジ
ストＰＥＫ−１０１（住友化学（株）製）をシリコンウ
エハ上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプ
レート上９０℃で２分間乾燥し、膜厚約１μｍの塗布を
得た。この塗膜にｉ線ステッパー露光機ＮＳＲ−２２０
５ｉ１１Ｃ（ニコン（株）製）によりレチクルを通して
４００mJ／cm²で露光を行った。

【００５５】このウエハをγ−ブチルラクトン蒸気に曝
し、ホットプレート上１１０℃で１分間ポストエクスポ
ージャーベーク（ＰＥＢ）を行い、次に２．３８％のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に２０秒浸
漬することによって露光部を溶解除去した後、純水で３
０秒間リンスした。その結果、０．３０μｍの解像度を
有していることが確認できた。即ち、化学増幅型レジス
トはγ−ブチルラクトン蒸気に曝されても、特に影響を
受けないことが判った。

【００５６】《実施例２》実施例１におけるフェノール
化合物を下記式Ｐ−２に替えて試作及び評価を行った。

【００５７】《実施例３》実施例１におけるフェノール
化合物を下記式Ｐ−３に替え、有機ケイ素化合物（Ｓ−
１）の添加量を１５重量部に替えて試作及び評価を行っ
た。

【００５８】《実施例４》実施例１におけるフェノール
化合物（Ｐ−１）の添加量を５重量部にして、有機ケイ
素化合物を（Ｓ−２）に替えて試作及び評価を行った。

【００５９】《実施例５》実施例１におけるポリアミド
の合成において、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸
クロリドの替わりにジフェニルエーテル−４，４′−ジ
カルボン酸クロリドに替え、一般式（Ｉ）で示され、Ｘ
が下記式Ｘ−１、Ｙが下記式Ｙ−３で、ａ＝１００、ｂ
＝０からなるポリアミド（Ａ2）を合成し、その他は実
施例１と同様の試作及び評価を行った。

【００６０】《実施例６》実施例１におけるポリアミド
の合成において、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸
クロリドの替わりに、ジフェニルエーテル−４，４′−
ジカルボン酸クロリドを用い、また、２，２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパンの替わりに、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンを用いて、一般式（Ｉ）
で示され、Ｘが下記式Ｘ−２、Ｙが下記式Ｙ−３で、ａ
＝１００、ｂ＝０からなるポリアミド（Ａ3）の合成を
し、その他は実施例１と同様の試作及び評価を行った。

【００６１】《実施例７》実施例１におけるポリアミド
の合成において、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸
クロリドの替わりに、ジフェニルエーテル−４，４′−
ジカルボン酸クロリドを用い、又２，２−ビス（３−ア
ミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパ
ンの替わりに、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジヒド
ロキシジフェニルエーテルを用いて、一般式（Ｉ）で示
され、Ｘが下記式Ｘ−３、Ｙが下記式Ｙ−３で、ａ＝１
００、ｂ＝０からなるポリアミド（Ａ4）の合成をし、
更にジアゾキノンとして下記式構造のジアゾキノン（Ｑ
２）を使用し、感光性樹脂組成物を得、その他は実施例
１と同様の試作及び評価を行った。

【００６２】《実施例８》実施例１におけるポリアミド
の合成において２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロ
キシフェニル）ヘキサフルオロプロパンを３４．８重量
部（０．０９５モル）に減らし、替わりに１，３−ビス
（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン１．２４重量部（０．００５モル）を加
え、一般式（Ｉ）で示され、Ｘが下記式Ｘ−１、Ｙが下
記式Ｙ−１及びＹ−２の混合、Ｚが下記式Ｚ−１で、ａ
＝９５、ｂ＝５からなるポリアミド（Ａ5）を合成し、
その他は実施例１と同様の試作及び評価を行った。

【００６３】《比較例１》実施例１においてフェノール
化合物を添加しないで試作及び評価を行った。

【００６４】《比較例２》実施例５においてフェノール
化合物を添加しないで試作及び評価を行った。

【００６５】《比較例３》実施例６においてフェノール
化合物を添加しないで試作及び評価を行った。

【００６６】《比較例４》実施例１においてのフェノー
ル化合物の添加量を０．５重量部に減らして試作及び評
価を行った。

【００６７】《比較例５》実施例１におけるフェノール
化合物の添加量を６０重量部に増して試作及び評価を行
った。

【００６８】《比較例６》実施例１におけるフェノール
化合物をＰ−４に替えて試作及び評価を行った。

【００６９】《比較例７》実施例１におけるフェノール
化合物をＰ−５に替えて試作及び評価を行った。

【００７０】《比較例８》実施例１におけるフェノール
化合物をＰ−６に替えて試作及び評価を行った。

【００７１】《比較例９》実施例１における有機ケイ素
化合物の添加量を０．１重量部に減らして試作及び評価
を行った。

【００７２】《比較例１０》実施例１における有機ケイ
素化合物をＳ−３に替えて試作及び評価を行った。

【００７３】《比較例１１》実施例１における化学増幅
型レジストへの影響を調べる評価において、γ−ブチル
ラクトンをＮ−メチル−２−ピロリドンに替えて実験を
行った。その結果解像度が０．６５μｍに低下すること
が確認できた。以上実施例１〜８、比較例１〜１１の評
価結果を表１に示す。

【００７４】

【化２８】

【００７５】

【化２９】

【００７６】

【化３０】

【００７７】

【化３１】

【００７８】

【化３２】

【００７９】

【表１】

【００８０】

【発明の効果】本発明によれば、高感度で高残膜率なパ
ターンが得れ、封止樹脂及び基板との密着性に優れるポ
ジ型感光性樹脂組成物、及び封止樹脂との密着性に優れ
るポジ型感光性樹脂を用いて半導体素子上に高残膜率の
ポリベンゾオキサゾール樹脂のパターンが形成された高
信頼性の半導体装置を得ることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＣ０８Ｌ 77/06 Ｇ０３Ｆ 7/022 ６０１Ｇ０３Ｆ 7/022 ６０１ 7/039 ６０１ 7/039 ６０１ 7/075 ５０１ 7/075 ５０１Ｃ０８Ｋ 5/54 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ (56)参考文献特開平８−123034（ＪＰ，Ａ) 特開昭53−39115（ＪＰ，Ａ) 特開平９−152715（ＪＰ，Ａ) 特開平５−19153（ＪＰ，Ａ) 特開平７−297508（ＪＰ，Ａ) 特開平９−179293（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/18

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式（１）で示されるポリアミド
（Ａ）１００重量部、感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）
１〜１００重量部、一般式（２）及び／又は（３）で表
わされるフェノール化合物（Ｃ）１〜５０重量部、一般
式（４）及び／又は（５）で表される有機ケイ素化合物
（Ｄ）１〜２０重量部及び溶剤からなることを特徴とす
るポジ型感光性樹脂組成物。【化１】【化２】【化３】【化４】【化５】
【請求項２】フェノール化合物（Ｃ）が、一般式
（６）及び／又は（７）で表わされるフェノール化合物
である請求項１記載のポジ型感光性樹脂組成物。【化６】【化７】
【請求項３】フェノール化合物（Ｃ）が、一般式
（８）又は（９）で表わされる化合物を、単独又は混合
物の形で、フェノール化合物（Ｃ）全体の５０重量％以
上含む請求項２記載のポジ型感光性樹脂組成物。【化８】【化９】
【請求項４】一般式（１）のポリアミドにおけるＸ
が、下記（１０）より選ばれてなる請求項１〜３のいず
れか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。【化１０】
【請求項５】一般式（１）のポリアミドにおけるＹ
が、下記（１１）より選ばれてなる請求項１〜４のいず
れか１項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。【化１１】
【請求項６】感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）が、下
記（１２）より選ばれてなる請求項１〜５のいずれか１
項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。【化１２】
【請求項７】有機ケイ素化合物（Ｄ）が、γ−グリシ
ドキシプロピルメトキシシラン及び／又はγ−メタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシランより選ばれてなる請
求項１〜６のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組
成物。
【請求項８】有機溶剤がγ−ブチロラクトンである請
求項１〜７のいずれか１項に記載のポジ型感光性樹脂組
成物。