TW201346448A - 正型感光性樹脂組成物，使用其之半導體裝置及顯示裝置 - Google Patents

正型感光性樹脂組成物，使用其之半導體裝置及顯示裝置 Download PDF

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Ayako Mizushima
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Abstract

本發明提供一種含有(A)鹼溶性樹脂、(B)重氮醌化合物、(d1)活性矽化合物、以及(d2)鋁錯合物之正型感光性樹脂組成物。又，提供一種含有(A)鹼溶性樹脂，(B)重氮醌化合物，(C)在一分子中含有氧代環丁基(oxetanyl)2個以上之化合物，以及(D)前述(C)所含氧代環丁基之開環反應促進用觸媒之正型感光性樹脂組成物。

Description

正型感光性樹脂組成物，使用其之半導體裝置及顯示裝置
本發明係關於正型感光性樹脂組成物，使用該組成物之半導體裝置及顯示裝置者。
迄今為半導體元件之表面保護膜及層間絕緣膜，使用具有優異之耐熱性及卓越之電特性、機械特性等之聚苯并唑樹脂或聚醯亞胺樹脂。在此，為了使用聚苯并唑樹脂或聚醯亞胺樹脂時之步驟之簡化，由充當感光材之重氮醌與此等樹脂組合而成之正型感光性樹脂組成物亦被使用(專利文獻1)。
此等正型感光性樹脂組成物在其使用步驟中，為了使樹脂成分環化，有必要在圖案化之後，在300℃以上之溫度下施行熱處理。然而，隨著近年來之半導體元件佈線之細微化，在此種高溫下施行熱處理之場合，造成半導體元件之熱損傷之問題。於是，有人做過以更低溫實現樹脂成分環化之研究，但已得知，若單純降低環化之熱處理溫度，環化率則會降低，而在其後之步驟中會發生不良狀況。
再者，作為低溫環化之手法，有人研究，利用磺酸、鎓鹽等之酸 觸媒為環化觸媒之方法。
在另一方面，近年來由於半導體元件之小型化，高積體化所致之多層佈線化，封裝體往晶片級封裝體(CSP)、晶圓級封裝體(WLP)之轉移等，導致晶圓處理步驟使用各種藥液來處理。再者，此等新式封裝體在形態上已從習知之線結合方式轉移至使用凸塊(bump)。
專利文獻1：日本專利特開平1-46862號公報
然而，上述文獻所載述之習知技術在下述各點上有改善之餘地。
在正型感光性樹脂組成物之聚苯并唑前驅物或聚醯亞胺前驅物之低溫環化之情況，添加習知之酸觸媒作為環化觸媒時，雖然可藉此促進環化，卻由於酸性度強，使鋁佈線被腐蝕，造成可靠性降低之問題。再者，正型感光性樹脂組成物在圖案化前之狀態下，若有酸存在，則在形成圖案，鹼顯影之際，導致酸被鹼惰性化，在環化之階段無法得到觸媒之效果為其問題。
本發明乃鑒於上述實情所創之發明，係提供一種少發生腐蝕之可在更低溫下環化之正型感光性樹脂組成物。
再者，通常在裝載凸塊電極之際，使用助溶劑以通過再迴流(reflow)處理，此時先前之正型感光性樹脂之硬化膜則與助熔劑直接接觸，此際往往在正型感光性樹脂之硬化膜發生起縐或龜裂，造成再迴流耐性不良之問題。
此外，在顯示元件之領域亦在製程中使用各種藥液，而在其步驟發生與上述相同之不良為其問題。
本發明進一步提供一種具有優異之再迴流耐性或耐溶劑性之正型感光性樹脂等。
依照本發明，提供一種含有(A)鹼溶性樹脂、(B)重氮醌化合物、(d1)活性矽化合物、以及(d2)鋁錯合物
為特徵之正型感光性樹脂組成物。
在使用特定之成分(d1)及(d2)時，藉此可在鹼顯影步驟後之環化階段產生酸，因此可發揮適當之觸媒活性，又可抑制鋁佈線之腐蝕。
再者，依照本發明，提供一種正型感光性樹脂組成物，含有(A)鹼溶性樹脂、(B)重氮醌化合物、(C)在一分子中含有氧代環丁基(oxetanyl)2個以上之化合物、以及(D)前述(C)所含氧代環丁基之開環反應促進用觸媒者。
由於使用特定之成分(C)，可得到優異之再迴流耐性及耐溶劑性。
此外，依照本發明，提供一種形成圖案之方法，其特徵為，包含：將上述任一項之正型感光性樹脂組成物塗佈於基材上以形成樹脂層之步驟，使活性能量射線照射於該樹脂層中所指定部分之步驟，使經過活性能量射線照射後之該樹脂層顯影之步驟，以及 繼之加熱該樹脂層之步驟者。
又提供一種半導體裝置，具備半導體基板、設在該半導體基板之半導體元件以及設在該半導體元件上部之保護膜或絕緣膜，其特徵為，前述保護膜或絕緣膜係由上述任一項之正型感光性樹脂組成物經過塗佈、顯影、以及加熱所形成之膜。
又提供一種顯示裝置，具備顯示元件用基板、覆蓋該顯示元件用基板表面之平坦化膜或絕緣膜以及設在前述顯示元件用基板上部之顯示元件，其特徵為，前述平坦化膜或絕緣膜係由上述任一項之正型感光性樹脂組成物經過塗佈、顯影、以及加熱所形成之膜。
再者，依照本發明，提供一種製造半導體裝置之方法，係用以製造一具備半導體元件及設在該半導體元件上部之保護膜或絕緣膜之半導體裝置之方法，其特徵為，包含：將正型感光性樹脂組成物塗佈於前述半導體元件上以形成樹脂層之步驟，使活性能量射線照射於該樹脂層中所指定部分之步驟，使經過活性能量射線照射後之該樹脂層顯影之步驟，以及繼之加熱該樹脂層以形成前述保護膜或絕緣膜之步驟，且前述正型感光性樹脂組成物為上述正型感光性樹脂組成物。
再者，依照本發明，提供一種製造顯示裝置之方法，係用以製造一具備顯示元件用基板、覆蓋該基板表面之平坦化膜或絕緣膜以及設在前述顯示元件用基板上部之顯示元件之顯示裝置之方法，其特徵 為，包含：將正型感光性樹脂組成物塗佈於前述基板上以形成樹脂層之步驟，使活性能量射線照射於該樹脂層中所指定部分之步驟，使經過活性能量射線照射後之該樹脂層顯影之步驟，以及繼之加熱該樹脂層以形成前述平坦化膜或絕緣膜之步驟，且前述正型感光性樹脂組成物為上述正型感光性樹脂組成物。
依照本發明，可得到一種少發生腐蝕之可在更低溫下環化之正型感光性樹脂組成物，暨使用該組成物之半導體裝置及顯示裝置。
依照本發明，可得到一種具有優異之再迴流耐性及耐溶劑性之正型感光性樹脂組成物，暨使用該組成物之半導體裝置及顯示裝置。
本發明為，即使在低溫下經熱處理，亦可得到良好之物性，而得到高可靠性之正型感光性樹脂組成物，可合適使用於半導體元件之表面保護膜及層間絕緣膜，或顯示裝置之平坦化膜或絕緣膜等。
上述之目的及其他之目的、特徵以及優點，係由以下所述之合適實施形態及隨附圖式即可進一步明瞭。
1‧‧‧矽基板
2‧‧‧墊
3‧‧‧鈍化膜
4‧‧‧正型感光性樹脂
5‧‧‧金屬膜
6‧‧‧佈線
7‧‧‧絕緣膜
8‧‧‧障壁金屬
9‧‧‧焊劑凸塊
圖1展示本發明實施例之半導體裝置之焊裝部之剖面圖。
本發明係關於含有(A)鹼溶性樹脂、(B)重氮醌化合物、(d1)活性矽化合物、以及(d2)鋁錯合物為特徵之正型感光性樹脂組成物。
此外，本發明係關於含有(A)鹼溶性樹脂、(B)重氮醌化合物、(C) 在一分子中含有氧代環丁基2個以上之化合物、以及(D)前述(C)所含氧代環丁基之開環反應促進用觸媒為特徵之正型感光性樹脂組成物、半導體裝置等。
以下，關於本發明正型感光性樹脂組成物之各成分加以詳細說明。又按，以下所述者係屬例示，而本發明並未受到下述記載內容之任何限制。
關於本發明使用之(A)鹼溶性樹脂，可舉出甲苯酚型酚醛樹脂、聚羥苯乙烯、含有通式(1)所示構造之聚醯胺系樹脂等。在其中以聚醯胺系樹脂較佳，具體可舉出：擁有聚苯并唑(PBO)構造及聚醯亞胺(PI)構造之至少其一，且在主鏈或側鏈具有羥基、羧基、或磺酸基之樹脂；擁有聚苯并唑前驅物構造之樹脂；擁有聚醯亞胺前驅物構造之樹脂；擁有聚醯胺酸酯構造之樹脂等。作為此種聚醯胺系樹脂，例如可舉出下式(1)所示之聚醯胺系樹脂： (X、Y各為有機基。a、b各自表示莫耳百分率之數值，a+b=100，a為60以上且100以下，b為0以上且40以下。R1為羥基或-O-R3，互相相同或不同均可。R2為羥基、羧基、-O-R3，或-COO-R3，互相相同或不同均可。m為0~2之正數，n為0~4之正數。R3為碳原子數1~15之有機基。在此，在R1無羥基之情況，R2必需至少1個為羧基。再者， 在R2無羧基之情況，R1必需至少1個為羥基。Z為-R4-Si(R6)(R7)-O-Si(R6)(R7)-R5-所示之基，R4~R7為有機基。)
含有通式(1)所示構造之聚醯胺樹脂係例如使一選自含有X之二胺或雙(胺苯酚)、2,4-二胺苯酚等之化合物與一含有Y之四羧酐、偏苯三甲酸酐、二羧酸或二羧酸二氯化物、二羧酸衍生物、羥二羧酸、羥二羧酸衍生物等之化合物進行反應所得者。又按，在二羧酸之情況，為了提高反應產率等，亦可以使用由1-羥-1,2,3-苯并三唑等預先經過反應所得之活性酯型之二羧酸衍生物。
含有通式(1)所示構造之聚醯胺樹脂為僅擁有聚苯并唑或聚醯亞胺構造之單獨聚合物或為聚苯并唑-聚醯亞胺共聚物均可。
在含有通式(1)所示構造之聚醯胺樹脂中，充當X之取代基之-O-R3暨充當Y之取代之-O-R3、-COO-R3係在調節羥基或羧基對鹼水溶液之溶解性之目的下，為被碳原子數1~15有機基之R3所保護之基，必要時用以保護羥基、羧基亦可。作為R3之例子，可舉出甲醯基、甲基、乙基、丙基、異丙基、第三丁基、第三丁氧羰基、苯基、苄基、四氫呋喃基、四氫哌喃基等。
若將此聚醯胺樹脂予以加熱，則會發生脫水閉環，而會以聚醯亞胺樹脂、聚苯并唑樹脂或兩者共聚合之形式得到耐熱性樹脂。
作為通式(1)之X，例如可舉出下式所示者。
(式中，A為-CH2-、-C(CH3)2-、-O-、-S-、-SO2-、-CO-、-NHCO-、C(CF3)2、或單鍵、X1為選自氫原子、羥基、以及OR10之一種，R10為碳原子數1~15之烷基。在X1為羥基之情況，此羥基對胺基之位置為鄰位，R8及R9各自相同或不同均可，R8為選自烷基、烷酯基、以及鹵素原子之其一，其各自相同或不同均可，r為0~2之正數。再者，R9為選自氫原子、烷基、烷酯基、及鹵素原子之其一。)
作為其中特別合適者，可舉出下式所示之基。將此等單獨選用一種，或二種以上組合使用均可。
在此，X1為選自氫原子、羥基、以及-OR10之一種，R10為碳原子數1~15之烷基，在X1為羥基之情況，此羥基對胺基之位置為鄰位，R8選自烷基、烷酯基、以及鹵素原子，r為0~2之整數。
再者，為通式(1)之Y，例如可舉出下式所示者： (式中，A為-CH2-、-C(CH3)2-、-O-、-S-、-SO2-、-CO-、-NHCO-、C(CF3)2、或單鍵。R11為選自烷基、烷酯基、以及鹵素原子之任一，其各自相同或不同均可。r為0~2之正數。)
上式所示之化合物均具有複數之(價)鍵，其中之任意鍵乃與主鏈結合。
作為其中特別合適者，可舉出下式所示之基。將此等單獨選用一種，或二種以上組合使用均可。
(R12為選自烷基、烷酯基、以及鹵素原子之任一，其各自相同或不同均可。r為0~2之正數。)
在通式(1)中，b表示一含有Z及Y之重複單元之莫耳百分比者，係亦可以為零。
再者，在本發明中，在保存性之觀點上較佳的是，封閉末端。關於封閉末端，可將擁有包含至少一個烯基或炔基之脂肪族基或環式化合物基之衍生物以酸衍生物或胺衍生物導入通式(1)所示之聚醯胺之末端。
具體而言，例如較佳的是，合成一含有通式(1)所示之構造之聚醯胺樹脂，係使選自具有X之構造之二胺、雙(胺苯酚)、或2,4-二胺苯酚等之化合物與選自具有Y之構造之四羧酐、偏苯三甲酸酐、二羧酸或二羧酸二氯化物、二羧酸衍生物、羥二羧酸、或羥二羧酸衍生物等之化合物進行反應所得者，然後將該聚醯胺樹脂所含末端胺基使用一擁有包含至少一個烯基或炔基之脂肪族基或環式化合物基之酸酐或酸衍生物以使醯胺化而予以覆蓋。
作為此項末端封閉官能基，例如可舉出下式所示者：
在此等中，特別合適者為下式所示之官能基。將此等單獨選用一種，或二種以上組合使用均可。再者，在不受到此項方法限制之下，亦可以將該聚醯胺樹脂所含末端之酸使用一擁有包含至少一個烯基或炔基之脂肪族基或環式化合物基之胺衍生物以使醯胺化而予以覆蓋。
本發明使用之(B)重氮醌化合物為具有二疊氮1,2-苯醌或二疊氮1,2-萘醌構造之化合物，係由美國專利說明書第2772975號、第2797213號、以及第3669658號之揭示而成為習知之物質。例如，可舉出下式所示之化合物。
式中之Q為選自氫原子、式(2)、以及式(3)之任一。在此，在各化合物之Q中，至少1個Q為式(2)或式(3)。
在其中，特別合適之化合物為由酚化合物與1,2-萘醌-2-二疊氮-5-磺酸或1,2-萘醌-2-二疊氮-4-磺酸所形成之酯。作為其具體例，可舉出下式所示者。將此等單獨選用一種，或二種以上組合使用均可。
式中之Q為選自氫原子、式(2)、以及式(3)之任一。在此，在各化合物之Q中，至少1個Q為式(2)或式(3)。
本發明使用之(B)重氮醌化合物之較佳添加量乃相對於(A)樹脂100重量份，為1~50重量份，以10~40重量份進一步較佳。若該添加量在下限值以上，則圖案之形成良好，另若在上限值以下，則感度良好。
本發明使用之(d1)活性矽化合物係指可藉加熱產生矽醇基之化合物而言。較佳的是，具有Si-O-C鍵之化合物，進一步較佳者為烷氧矽烷化合物。在烷氧矽烷化合物中，具有R’-Si-(O-R)3(R’為有機基，R為烷基)構造之活性矽化合物由於反應點多，較適於使用。此種化合物被加熱時，由於水解作用而產生矽醇基。較佳的是，在圖案加工時之預焙溫度下不產生矽醇基而在硬化過程之升溫時產生矽醇基。又按，一般所用之預焙溫度為80℃至130℃。
關於活性矽化合物之具體例，可使用，例如二苯二甲氧矽烷、二苯二乙氧矽烷、二苯二異丙氧矽烷、二苯二乙醯氧矽烷、二苯二苯氧矽烷、三苯甲氧矽烷、三苯乙氧矽烷、二苯基乙烯基乙氧基矽烷、乙烯參(β-甲氧乙氧)矽烷、乙烯三乙氧矽烷、乙烯三甲氧矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧丙基)三甲氧矽烷、β-(3,4-環氧環己)乙基三甲氧矽烷、γ-縮水甘 油氧丙基三甲氧矽烷、γ-縮水甘油氧丙基甲基二乙氧基矽烷、N-β-(胺乙)γ-胺丙三甲氧矽烷、N-β-(胺乙)γ-胺丙基甲基二甲氧矽烷、γ-胺丙三乙氧矽烷、N-苯基-γ-胺丙三甲氧矽烷、γ-巰丙三甲氧矽烷、三乙氧(4-(三氟甲)苯基)矽烷、五氟苯三甲氧矽烷等之烷氧矽烷化合物，再者，亦可使用下述構造之活性矽化合物。其中較佳者為γ-(甲基丙烯醯氧丙基)三甲氧矽烷、下述構造之活性矽化合物。將此等化合物予以單獨使用或二種以上組合使用均可。
活性矽化合物之添加量乃相對於鹼溶性樹脂100重量份，以0.1~50重量份較佳，而以1~30重量份進一步較佳。若高於前述下限值，則可與鋁錯合物進行反應而產生充分足夠之酸，若低於前述上限值，則會得到良好之保存性。
活性矽化合物在常溫時對本發明之其他之樹脂組成物呈惰性，但被加熱至一定溫度時產生矽醇基而在樹脂組成物中與鋁錯合物起反應為其特徵。此係被認為，在反應後產生布忍斯特酸(Bronstedacid)，而成為一種促進本發明之(A)鹼溶性樹脂之環化之觸媒。又按，在活性矽化合物與鋁錯合物發生反應而產生布忍斯特酸之同時，亦造成矽酸鋁化合物之產生。由於設法使活性矽化合物與鋁錯合物在樹脂組成物中共存，構築一種可在常溫時不產生酸而在加熱時產生酸，藉此發揮環化促進效果之系統。
本發明之正型感光性樹脂組成物乃如後面段落所說明，支持體被塗佈後，經過圖案化(包括預焙)、鹼顯影、環化步驟等而形成圖案。在此，若正型感光性樹脂組成物在起初時有酸存在，則在鹼顯影之際，所需要之酸被去活化，造成無法充分發揮環化步驟之環化促進效果之問題。從而，最好能直至環化步驟時始有環化促進劑作為酸產生。
本發明使用之(d2)鋁錯合物乃以鋁鉗合錯合物較佳，例如可舉出乙基乙醯乙酸(二異丙氧化)鋁、參(乙基乙醯乙酸)鋁、參(乙醯丙酮)鋁、烷基乙醯乙酸(二異丙氧化)鋁、雙(乙基乙醯乙酸)(單乙醯丙酮)鋁等。其中以參(乙醯丙酮)鋁及烷基乙醯乙酸(二異丙氧化)鋁較佳。將此等單獨使用或多種(二種以上)組合使用均可。
鋁錯合物之添加量乃相對於鹼溶性樹脂100重量份，以0.1~20重量份較佳，而以0.5~10重量份進一步較佳。若高於前述下限值，則對環化可更有效起作用，於前述上限值以下，冷凍保存時之析出等之問題則會變少。
本發明使用之(C)在一分子中含有氧代環丁基2個以上之化合物為在一分子中擁有4員環環狀醚構造2個以上之化合物，係有可能實現陽離子開環聚合反應，或對羧酸、硫醇、或酚之加成反應者。例如，可舉出1,4-雙{[3-乙基-3-氧代環丁]甲氧]甲基}苯、雙[1-乙基(3-氧代環丁)]甲醚、4,4’-雙[(3-乙基-3-氧代環丁)甲氧甲基]聯苯、4,4’-雙(3-乙基-3-氧代環丁甲氧)聯苯、乙二醇雙(3-乙基-3-氧代環丁甲基)醚、二乙二醇雙(3-乙基-3-氧代環丁甲基)醚、雙(3-乙基-3-氧代環丁甲基)二苯酯、三(羥甲)丙烷參(3-乙基-3-氧代環丁甲基)醚、季戊四醇肆(3-乙基-3-氧代環丁甲基)醚、聚[[3-[(3-乙基-3-氧代環丁)甲氧]丙基]矽倍半氧]衍生物、氧代環丁酸鹽、苯酚酚醛型氧代環丁、1,3-雙[(3-乙基氧代環丁-3-基)甲氧]苯等，但並未受到此等之限制。將此等單獨使用或多種組合使用均可。
關於含有氧代環丁基之化合物之添加量，相對於鹼溶性樹脂100重量份，最好能使用1重量份以上。若使用1重量份以上，則可得到充分之再迴流耐性及耐藥品性。
本發明使用之(D)前述(C)所含氧代環丁基之開環反應促進用觸媒係為了促進含氧代環丁基化合物之反應而添加者，例如可舉出鎓鹽、鹵化有機化合物、醌二疊氮化合物、碸化合物等。鎓鹽之具體例可舉 出，未取代對稱或非對稱取代之烷基、烯基、芳烷基、芳香族基、擁有雜環基之重氮鹽、銨鹽、錪鹽、鋶鹽、鏻鹽、鉮鹽、鹽等。作為此等鎓鹽之配對陰離子，若屬於可形成配對陰離子之化合物，則未受到限制，而可舉出硼酸、砷酸、磷酸、碲酸、磺酸、羧酸、或其鹵化物。作為鹵化有機化合物，若屬於有機化合物之鹵化物，則未特別受到限制，而有可能使用各種習知化合物，其具體例可舉出，含鹵二唑系化合物、含鹵三系化合物、含鹵苯乙酮系化合物、含鹵二苯基酮系化合物、含鹵亞碸系化合物、含鹵碸系化合物、含鹵噻唑系化合物、含鹵唑系化合物、含鹵三唑系化合物、含鹵2-哌哢系化合物、含鹵脂肪族烴化合物、含鹵芳香族烴化合物、其他之含鹵雜環化合物、亞碸鹵系化合物等各種化合物。此外，作為鹵化有機化合物，亦可舉出參(五氟苯)硼烷、五氟苯硼酸、磷酸參(2,3-二溴丙酯)、磷酸參(2,3-二溴-3-氯丙酯)、氯四溴乙烷、六氯苯、六溴苯、六溴環十二烷、六溴聯苯、三溴苯基烯丙基醚、四氯雙苯酚A、四溴雙苯酚A、雙(溴乙醚)四溴雙苯酚A、雙(氯乙醚)四氯雙苯酚A、異三聚氰酸參(2,3-二溴丙酯)、2,2-雙(4-羥-3,5-二溴苯)丙烷、2,2-雙(4-羥乙氧-3,5-二溴苯)丙烷、二氯二苯三氯乙烷、六氯化苯、五氯苯酚、2,4,6-三氯苯-4-硝苯醚、2,4-二氯苯-3’-甲氧-4’-硝苯醚、2,4-二氯苯氧乙酸、4,5,6,7-四氯酞、1,1-雙(4-氯苯)乙醇、1,1-雙(4-氯苯)-2,2,2-三氯乙醇、4,4-二氯苄酸乙酯、2,4,5,4’-四氯二苯硫、2,4,5,4’-四氯二苯碸等。作為醌二疊氮化合物之具體例，可舉出鄰醌二疊氮化合物，如1,2-苯醌二疊氮-4-磺酸酯、1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸酯、1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸酯、1,2-萘醌二疊氮-6- 磺酸酯、2,1-萘醌二疊氮-4-磺酸、2,1-萘醌二疊氮-5-磺酸酯、2,1-萘醌二疊氮-6-磺酸酯、其他之醌二疊氮衍生物之磺酸酯、1,2-苯醌二疊氮-4-碸氯、1,2-萘醌二疊氮-4-碸氯、1,2-萘醌二疊氮-5-碸氯、1,2-萘醌二疊氮-6-碸氯、2,1-萘醌二疊氮-4-碸氯、2,1-萘醌二疊氮-5-碸氯、2,1-萘醌二疊氮-6-碸氯、其他之醌二疊氮衍生物之碸氯等。再者，亦可合適使用因矽化合物與鋁鉗合錯合物並用而產生之酸。將此等以觸媒起作用之化合物單獨使用或二種以上混合使用均可。
作為活性矽化合物及鋁錯合化合物，可使用與前述相同之物。
本發明有關之正型感光性樹脂組成物在必要時亦可以含有調平劑、矽烷偶合劑等之添加劑。
在本發明中，使此等成分溶於熔劑，以形成清漆狀而予以使用。作為溶劑，可舉出N-甲基-2-吡咯啶酮、γ-丁內酯、N,N-二甲基乙醯胺、二甲亞碸、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丁醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、1,3-丁二醇乙酸甲酯、1,3-丁二醇-3-單甲醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧丙酸甲酯等，單獨使用或混合使用均可。
本發明有關之正型感光性樹脂組成物在必要時亦可以含有調平劑、矽烷偶合劑等之添加劑。
在本發明中，使此等成分溶於熔劑，以形成清漆狀而予以使用。作為溶劑，可舉出N-甲基-2-吡咯啶酮、γ-丁內酯、N,N-二甲基乙醯胺、二甲亞碸、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丁醚、丙 二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、1,3-丁二醇乙酸甲酯、1,3-丁二醇-3-單甲醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧丙酸甲酯等，單獨使用或混合使用均可。
本發明之正型感光性樹脂組成物之使用方法為，首先，將該組成物塗佈於適當之支持體(例如矽晶圓、陶瓷基板、鋁基板等)上。其塗佈量在半導體裝置之情況，以硬化後之最後膜厚可成為0.1~30μm之方式予以塗佈。若膜厚低於下限值，則充當半導體元件表面保護膜之功能難以充分發揮，另若超過上限值，則不僅難於得到細微之加工圖案，加工亦費時，造成產量(throughput)之降低。塗佈方法包括使用旋塗器之旋塗法、使用噴霧塗料器之噴霧塗法、浸漬法、印刷法、輥塗法等。其次，在60~130℃溫度下施行預焙，以使塗膜乾燥後，用化學射線照射於所希望之圖案形狀。化學射線可使用X射線、電子線、紫外線、可視光線等，以具有波長200~500nm者較佳。
其次，將照射部使用顯影液予以溶解除去，藉此得到浮雕圖案。作為顯影液，可合適使用如無機鹼類(如氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水等)、第一胺類(如乙胺、正丙胺等)、第二胺類(如二乙胺、二正丙胺等)、第三胺類(如三乙胺、甲基二乙胺等)、醇胺類(如二甲基乙醇胺、三乙醇胺等)、第四銨鹽(如氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨等)等之鹼類之水溶液，以及對此以適量添加如醇類(如甲醇、乙醇等)等之水溶性有機溶媒或界面活性劑而成之水溶液。作為顯影方法，有可能採取噴霧、攪拌(paddle)、浸漬、超音波等之方式。
其次，對於由顯影而形成之浮雕圖案施加沖洗。作為沖洗液，使用蒸餾水。其次，施行加熱處理，以形成唑環及/或醯亞胺環，而得到富於耐熱性之最終圖案。
此正型感光性樹脂組成物之顯影機制在未曝光部係藉重氮醌化合物對樹脂(如聚苯并唑樹脂、聚醯亞胺樹脂等)之溶解抑制效果，使未曝光部變得難溶於鹼水溶液。另一方面，在曝光部係由於重氮醌化合物發生化學變化，使變得可溶於鹼水溶液。利用此項曝光部與未曝光部在溶解性之差異，以溶解除去曝光部，藉此有可能製成僅未曝光部存在之塗膜圖案。
本發明之正型感光性樹脂組成物不僅有用於半導體用途上，亦可用以充作多層電路之層間絕緣膜、撓性銅箔板之遮蓋塗層、焊劑光阻膜、液晶取向膜、顯示裝置中之元件之層間絕緣膜等。
本發明之正型感光性樹脂組成物可用於半導體裝置用途上，例如可用以充作下述絕緣膜：依半導體元件上形成上述之正型感光性樹脂組成物膜之鈍化膜(passivating coating)、依形成於半導體元件上之鈍化膜上形成上述之正型感光性樹脂組成物膜之保護膜或依形成於半導體元件上之電路上形成上述之正型感光性樹脂組成物膜之層間絕緣膜等。
再者，本發明之正型感光性樹脂組成物可用於顯示裝置用途上，例如可用以充作TFT層間絕緣膜等之絕緣膜、TFT元件平坦化膜或彩色濾光器-平坦化膜等之平坦化膜、MVA型液晶顯示裝置用突起、或有機EL元件用陰極隔牆等。其使用方法乃比照半導體裝置用途，基於形 成有顯示體元件或彩色濾光器之基板上依照上述方法形成已圖案化之正型感光性樹脂組成物層。顯示體裝置用途，尤其層間絕緣膜或平坦化膜係被要求高透明性，不過若在此正型感光性樹脂組成物層之硬化之前，將後期曝光步驟導入時，則藉此亦可得到透明性優異之樹脂層，因此在實用上進一步較佳。
[實施例] [實驗例A1] [聚醯胺樹脂之合成]
將由二苯醚-4,4’-二羧酸4.13g(0.016mol)與1-羥-1,2,3-苯并三唑4.32g(0.032mol)進行反應所得之二羧酸衍生物之混合物(0.016mol)及六氟-2,2-雙(3-胺基-4-羥苯)丙烷7.33g(0.020mol)放入一具備溫度計、攪拌機、原料投入口、以及乾燥氮氣導入口之可拆式4口燒瓶，對此添加N-甲基-2-吡咯啶酮57.0g以使溶解。然後，使用油浴在75℃溫度下進行反應12小時。其次，對此添加一由5-降烯-2,3-二羧酸酐1.31g(0.008mol)溶於N-甲基-2-吡咯啶酮7g而成之溶液，然後予以攪拌12小時並終結反應。將反應混合物過濾後，將反應混合物投入水/甲醇=3/1(容積比)之溶液，過濾收集沈澱物，用水予以充分洗滌後，在真空下乾燥，而得到所想要之聚醯胺樹脂(A-1)。
(式中，n為1以上之整數。)
[樹脂組成物之製備]
使所合成之聚醯胺樹脂(A-1)10g、具有下述構造之感光性重氮醌(B-1)2g、具有下式(d1-1)之構造之活性矽化合物0.8g、以及具有下式(d2-1)之構造之鋁錯合物0.1g溶於γ-丁內酯20g後，用0.2μm之氟樹脂製濾器予以過濾，而得到一正型感光性樹脂組成物。
(式中，Q1、Q2、以及Q3之75%為式(4)，而25%為氫原子。)
[顯影性評價]
將正型感光性樹脂組成物使用旋塗器塗佈於8吋矽晶圓上之後，使用加熱板以在120℃溫度下乾燥4分鐘，而得到膜厚約10μm之塗膜。對所得之塗膜，藉由凸版印刷(股)所製之掩模(測試卡No.1：描繪有寬度0.88~50μm之殘留部圖案及去除部圖案)，使用NICON(股)所製i線步進機NSR-4425i按100mJ/cm2至10mJ/cm2之步驟增加曝光量之方式施行曝光。其次，以對2.38%之氫氧化四甲銨水溶液顯影時之膜減厚量可達1.5μm之方式調整顯影時間，將曝光部溶解除去後，用純水予以沖洗30秒鐘。圖案經觀察之結果，曝光量為350mJ/cm2，並未產生浮渣而圖案良好開口之事實被確認。
[環化率評價]
對於經過顯影性評價所得之矽晶圓，使用KOYO THERMO SYSTEMS(股)所製之潔淨烘箱(CLH-21CDH)在氮氣環境下，按150℃/30分鐘+250℃/60分鐘之條件施行硬化。此項硬化溫度乃低於習知之環化溫度代表例子320℃/60分鐘。從而，依照本條件施行環化率評價時，藉此可得知低溫時之環化狀況。
其次，浸漬於2%氟酸水溶液中，從矽晶圓剝除硬化膜，而施行環化率之測定。與此分開地，另外施行150℃/30分鐘+320℃/60分鐘之硬化，進行相同處理而得到硬化膜。使用紅外分光光度計(FT-IR)，按以下之方法算出，結果得到之環化率高達80%。
[環化率測定]
作為裝置，使用FT-IR(Parkin Elmer Paragon 1000)，按照下式算出 環化率。
環化率(%)={(B/A)/(D/C)}×100
A：250℃硬化時之1490cm-1起因於全芳香族環之峰值
B：250℃硬化時之1051cm-1起因於環化之峰值
C：320℃硬化時之1490cm-1起因於全芳香族環之峰值
D：320℃硬化時之1051cm-1起因於環化之峰值
[腐蝕性評價]
將所得之正型感光性樹脂組成物塗佈於一以梳子狀形成有鋁電路之矽晶圓(TEG-3)上，用加熱板在120℃溫度下乾燥4分鐘。其次，以與先前相同之方法施行150℃/30分鐘+250℃/60分鐘之硬化。其次，將所得之晶圓在125℃、相對濕度100%、以及2.3atm之條件下使用加壓蒸煮器予以處理，而用金屬顯微鏡來觀察鋁佈線，結果在鋁佈線未觀察到腐蝕。
[實驗例A2] [聚醯胺樹脂之合成]
將4,4，-氧二酞酸酐6.82g(0.022mol)、2-甲基2-丙醇3.26g(0.044mol)、以及吡啶10.9g(0.138mol)放入一具備溫度計、攪拌機、原料投入口、以及乾燥氮氣導入口之可拆式4口燒瓶，對此添加N-甲基-2-吡咯啶酮150g以使溶解。對此反應溶液滴加1-羥-1,2,3-苯并三唑5.95g(0.044mol)及N-甲基-2-吡咯啶酮30g後，對此滴加二環己羰二醯亞胺22.7g(0.110mol)及N-甲基-2-吡咯啶酮50g，而在室溫下進行反應一夜。然後，對此反應溶液添加由二苯醚-4,4’-二羧酸1mol與1- 羥-1,2,3-苯并三唑2mol進行反應所得之二羧酸衍生物(活性酯)43.34g(0.088mol)、六氟-2,2-雙(3-胺基-4-羥苯)丙烷44.7g(0.122mol)、以及N-甲基-2-吡咯啶酮70g，而在室溫下攪拌2小時。然後，使用油浴在75℃溫度下進行反應12小時。
其次，對此添加一由5-降烯-2,3-二羧酸酐3.94g(0.024mol)溶於N-甲基-2-吡咯啶酮20g而成之溶液，然後予以攪拌12小時並終結反應。其他與實驗例A1一樣，將反應混合物過濾後，將反應混合物投入水/甲醇=3/1(容積比)之溶液，過濾收集沈澱物，用水予以充分洗滌，藉此施行再沈澱、純化，而合成所想要之聚醯胺樹脂(A-2)。
(式中，n及m各為1以上之整數。)
[樹脂組成物之製備]
使所合成之聚醯胺樹脂(A-2)10g、具有下述構造之感光性重氮醌(B-2)1.5g、具有下式(d1-2)之構造之活性矽化合物(三乙氧(4-(三氟甲)苯)矽烷)1.5g、以及具有下式(d-2)之構造之鋁錯合物(乙基乙醯乙酸鋁二氧二異丙酯)0.5g溶於γ-丁內酯20g後，用0.2μm之氟樹脂製濾器予以過濾，而得到一正型感光性樹脂組成物。關於此項樹脂組成物亦施 行與實驗例A1相同方式之評價。
(式中，Q1、Q2、以及Q3之87.5%為式(4)，而12.5%為氫原子。)
[實驗例A3]
在實驗例A1中，在未使用鋁錯合化合物(d2-1)之下製成一正型樹脂組成物。關於此項樹脂組成物亦施行與實驗例A1相同方式之評價。評價結果示於表1中。
[實驗例A4]
在實驗例A1中，在未使用活性矽化合物(d1-1)之下製成一正型樹脂組成物。關於此項樹脂組成物亦施行與實驗例A1相同方式之評價。評價結果示於表1中。
[實驗例A5]
在實驗例A1中，添加對-甲苯磺酸0.1g以代替鋁錯合化合物(d2-1)並且在未添加矽化合物(d1-1)之下製成一正型樹脂組成物。關於此項樹脂組成物亦施行與實驗例A1相同方式之評價。評價結果示於表1中。
[實驗例A6]
在實驗例A1中，在未使用矽化合物(d1-1)及鋁錯合化合物(d2-1)之下製成一正型樹脂組成物。關於此項樹脂組成物亦施行與實驗例A1相同方式之評價。評價結果示於表1中。
[實驗例A7]
茲為本發明之正型感光性樹脂組成物被用於半導體裝置之一應用例，關於對擁有凸塊之半導體裝置之應用者，在使用圖式之下加以說明。圖1為本發明之擁有凸塊之半導體裝置之焊裝部分之放大剖面圖。 如圖1所示，在表面設有半導體元件及佈線之矽基板1之上部，設置輸出入用A1墊2，然後在其上形成鈍化膜3，在該鈍化膜3上形成通孔。在其上塗佈、乾燥本發明之正型感光性樹脂組成物，以形成正型感光性樹脂(緩衝塗膜)4。然後，以可與A1(墊2接通之方式形成金屬(如Cr、Ti等)膜5，該金屬膜5係蝕刻焊劑凸塊9之周邊，以使各墊之間絕緣。在被絕緣之墊形成障壁金屬8及焊劑凸塊9。圖中，6表示佈線(如Al、Cu等)，7表示絕緣膜。
如以上所示得到之半導體裝置顯示良好之產率及高度之可靠性。
[實驗例A8]
使ITO膜藉蒸鍍形成於玻璃基板上之後，依照使用光阻之平常的光微影法，以條紋狀分割此ITO膜。對其上塗佈實驗例A1所得之正型感光性樹脂組成物，而形成厚度約2μm之樹脂層。其次，使用一平行曝光機(光源：高壓汞燈)按曝光強度25mW/cm2藉由玻璃掩模施行曝光10秒鐘。然後，使樹脂層在2.38%氫氧化四甲銨水溶液中經過浸漬顯影處理20秒鐘，藉此，以各條紋上之ITO可露出其邊緣以外之部分且樹脂層僅可形成於ITO膜之邊緣部及除去ITO膜後之部分之方式施行加工。然後，對樹脂層全體在使用平行曝光機(曝光時所用者)之下按曝光強度25mW/cm2施行後期曝光40秒鐘後，使用一熱風循環式乾燥器在空氣中在230℃溫度下施行加熱硬化1小時。
在此基板上，在1×10-4Pa以下之減壓下蒸鍍銅酞菁(充作電洞注入層)，蒸鍍雙-N-乙基咔唑(充作電洞輸送層)後，依次蒸鍍N,N’-二苯-N,N’-間-甲醯(toluyl)-4,4’-二胺-1,1’-聯苯(充作發光層)、參(8-喹啉酯) 鋁(充作電子注入層)。然後，在其上藉蒸鍍形成鋁層(充作第二電極層)後，將此鋁層依照使用光阻之平常的光微影法，以按與上述ITO膜之條紋形成正交之方向之條紋狀予以分割。將所得之基板減壓乾燥後，對此使用環氧系黏附劑黏附封閉用玻璃板，而製成一顯示裝置。將此顯示裝置在80℃溫度下處理200小時後，對兩電極施加電壓，依序施行驅動之結果，該顯示裝置表現良好之發光。
本實施例有關之裝置顯示良好之產率及高度之可靠性。
[實驗例B1] [樹脂組成物之製備]
使上述實驗例A1所合成之聚醯胺樹脂(A-1)10g、具有上述構造之感光性重氮醌(B-1)2g、具有下式(C-1)之構造之含氧代環丁基化合物3g、具有上述式(d1-1)之構造之矽化合物0.8g、以及具有上述式(d2-1)之構造之鋁鉗合物0.1g溶於γ-丁內酯20g後，用0.2μm之氟樹脂製濾器予以過濾，而得到一正型感光性樹脂組成物。
[顯影性評價]
關於以與上述相同之方法得到之正型感光性樹脂組成物，施行顯影性評價。圖案經觀察之結果，曝光量為350mJ/cm2，並未產生浮渣而使圖案良好開口之事實被確認。
[再迴流耐性評價]
將經過上述圖案加工之晶圓使用一潔淨烘箱按150℃/30分鐘、250℃/60分鐘之條件，在氮氣氣氛下施行熱處理以使硬化。其次，對此晶圓在使用一旋塗器之下，按500rpm/30秒鐘+1000rpm/30秒鐘之條件塗佈TAMURA KAKEN(股)所製之助熔劑BF-30。使之按140~200℃/120秒鐘(預熱)、250℃/60秒鐘之條件通過再迴流爐2次。其次，經過二甲苯洗滌10分鐘後，用異丙醇予以沖洗、乾燥。對於除去助熔劑後之膜表面使用金屬顯微鏡予以觀察之結果，並未發生龜裂、起縐等，呈良好之狀態。
[耐藥品性評價]
將經過上述圖案加工之晶圓使用一潔淨烘箱在氮氣氣氛下，按150℃/30分鐘+250℃/60分鐘之條件施行硬化。其次，使硬化後之晶圓在室溫下在東京應化所製之STRIPPER-106中浸漬5分鐘。其次，用室溫之異丙醇予以沖洗、乾燥。對其表面使用金屬顯微鏡予以觀察之結果，並未發生龜裂、起縐、剝離等，呈良好之狀態。
[環化率測定]
以與實驗例A1相同之方法算出環化率。
[實驗例B2] [聚醯胺樹脂之合成]
將4,4’-氧二酞酸酐17.06g(0.055mol)、2-甲基-2-丙醇8.15g(0.110mol)、以及吡啶10.9g(0.138mol)放入一具備溫度計、攪拌機、原料投入口、以及乾燥氮氣導入口之可拆式4口燒瓶，對此添加 N-甲基-2-吡咯啶酮150g以使溶解。對此反應溶液滴加1-羥-1,2,3-苯并三唑14.9g(0.110mol)及N-甲基-2-吡咯啶酮30g後，對此滴加二環己羰二醯亞胺22.7g(0.110mol)及N-甲基-2-吡咯啶酮50g，而在室溫下進行反應一夜。然後，對此反應溶液添加由二苯醚-4,4’-二羧酸1mol與1-羥-1,2,3-苯并三唑2mol進行反應所得之二羧酸衍生物(活性酯)27.1g(0.055mol)、六氟-2,2-雙(3-胺基-4-羥苯)丙烷44.7g(0.122mol)、以及N-甲基-2-吡咯啶酮70g，在室溫下攪拌2小時。然後，使用油浴在75℃溫度下進行反應12小時。
其次，對此添加一由5-降烯-2,3-二羧酸酐3.94g(0.024mol)溶於N-甲基-2-吡咯啶酮20g而成之溶液，然後予以攪拌12小時並終結反應。其他與實驗例A1一樣，將反應混合物過濾後，將反應混合物投入水/甲醇=3/1(容積比)之溶液，過濾收集沈澱物，用水予以充分洗滌，藉此施行再沈澱、純化，而合成所想要之聚醯胺樹脂(A’-2)。
(式中，n及m各為1以上之整數。)
[樹脂組成物之製備，顯影性評價]
使所合成之聚醯胺樹脂(A’-2)10g、具有上述構造之感光性重氮醌 (B-2)1.5g、具有下式(C-2)之構造之含氧代環丁基化合物3g、具有上述式(d1-2)之構造之矽化合物0.8g、以及具有上述式(d2-2)之構造之鋁鉗合物0.3g溶於γ-丁內酯20g後，用0.2μm之氟樹脂製濾器予以過濾，而得到一正型感光性樹脂組成物。
關於此項樹脂組成物亦施行與實驗例B1相同方式之評價。
[實驗例B3]
在實驗例B1中，在使用觸媒(E-1)0.3g之下製成一正型樹脂組成物。關於此項樹脂組成物亦施行與實驗例B1相同方式之評價。
[實驗例B4]
在實驗例B1中，在使用觸媒(E-2)0.3g之下製成一正型樹脂組成物。關於此項樹脂組成物亦施行與實驗例B1相同方式之評價。
[實驗例B5]
在實驗例B1中，在未使用含氧代環丁基化合物(C-1)之下製成一正型樹脂組成物。關於此項樹脂組成物亦施行與實驗例B1相同方式之評價。
[實驗例B6]
在實驗例B1中，在未使用含氧代環丁基化合物(C-1)、觸媒(d1-1)、以及觸媒(d2-1)之下製成一正型樹脂組成物。關於此項樹脂組成物亦施行與實驗例B1相同方式之評價。
[實驗例B7]
使ITO膜藉蒸鍍形成於玻璃基板上之後，依照使用光阻之平常的光微影法，以條子狀分割此ITO膜。對其上塗佈實驗例B1所得之正型感光性樹脂組成物，而形成厚度約2μm之樹脂層。其次，使用一平行曝光機(光源：高壓汞燈)按曝光強度25mW/cm2藉由玻璃掩模施行曝光10秒鐘。然後，使樹脂層在2.38%氫氧化四甲銨水溶液中經過浸漬顯影處理20秒鐘，藉此以使各條紋上之ITO露出其邊緣以外之部分且樹脂層僅可形成於ITO膜之邊緣部及除去ITO膜後之部分之方式施行加工。然後，對樹脂層全體在使用平行曝光機(曝光時所用者)之下按曝光強度25mW/cm2施行後期曝光40秒鐘後，使用一熱風循環式乾燥器在空氣中在250℃溫度下施行加熱硬化1小時。
在此基板上，進一步施行與實驗例A4相同之程序而製成一顯示裝置。將此顯示裝置在80℃溫度下處理200小時後，對兩電極施加電壓，依序施行驅動之結果，該顯示裝置表現良好之發光。
本實施例有關之裝置顯示良好之產率及高度之可靠性。
1‧‧‧矽基板
2‧‧‧墊
3‧‧‧鈍化膜
4‧‧‧正型感光性樹脂
5‧‧‧金屬膜
6‧‧‧佈線
7‧‧‧絕緣膜
8‧‧‧障壁金屬
9‧‧‧焊劑凸塊

Claims (11)

  1. 一種正型感光性樹脂組成物，其特徵為含有以下成份：(A)鹼溶性樹脂；(B)重氮醌化合物；(C)在一分子中含有氧代環丁基2個以上之化合物；以及(D)促進前述(C)所含氧代環丁基之開環反應的觸媒。
  2. 如申請專利範圍第1項之正型感光性樹脂組成物，其中，該(D)成分為酸產生劑。
  3. 如申請專利範圍第1項之正型感光性樹脂組成物，其中，該(D)成分為從鎓鹽、碸化合物、以及鋁錯合物與活性矽化合物之組合中選出之一種以上。
  4. 如申請專利範圍第1項之正型感光性樹脂組成物，其中，該(D)成分為含有鋁錯合物及活性矽化合物。
  5. 如申請專利範圍第1項之正型感光性樹脂組成物，其中，(A)鹼溶性樹脂為含有聚苯并唑構造、聚苯并唑前驅物構造、聚醯亞胺構造、聚醯亞胺前驅物構造或聚醯胺酸酯構造之樹脂。
  6. 如申請專利範圍第1項之正型感光性樹脂組成物，其中，(A)鹼溶性樹脂為下述通式(1)所示之樹脂： (X、Y為有機基；a、b表示莫耳百分率，a+b=100，a為60以上且100以下，b為0以上且40以下；R1為羥基或-O-R3，互相相同或不同均可；R2為羥基、羧基、-O-R3、-COO-R3中之任一者，互相相同或不同均可；m為0~2之正數，n為0~4之正數；R3為碳原子數1~15之有機基；在此，在R1無羥基之情況，R2至少有1個必需為羧基；再者，在R2無羧基之情況，R1至少有1個必需為羥基；Z為-R4-Si(R6)(R7)-O-Si(R6)(R7)-R5-所示，R4~R7為有機基)。
  7. 一種圖案形成方法，其特徵為包含：將申請專利範圍第1至6項中任一項之正型感光性樹脂組成物塗佈於基材上，以形成樹脂層之步驟；使活性能量射線照射於該樹脂層中所指定部分之步驟；使活性能量射線照射後之該樹脂層顯影之步驟；以及繼之加熱該樹脂層之步驟。
  8. 一種半導體裝置，其特徵為：具備半導體基板、設在該半導體基板之半導體元件、以及設在該半導體元件上部之保護膜或絕緣膜；前述保護膜或絕緣膜係將申請專利範圍第1至6項中任一項之正型感光性樹脂組成物予以塗佈、顯影以及加熱所形成之膜。
  9. 一種顯示裝置，其特徵為：具備顯示元件用基板、覆蓋其表面之平坦化膜或絕緣膜、以及設在前述顯示元件用基板上部之顯示元件；前述平坦化膜或絕緣膜係將申請專利範圍第1至6項中任一項之正 型感光性樹脂組成物予以塗佈、顯影以及加熱所形成之膜。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，係用以製造具備半導體元件及設在該半導體元件上部之保護膜或絕緣膜之半導體裝置者，其特徵為包含以下步驟：對前述半導體元件上塗佈正型感光性樹脂組成物而予以乾燥，以形成樹脂層之步驟；使活性能量射線照射於該樹脂層中所指定部分之步驟；使活性能量射線照射後之該樹脂層顯影之步驟；以及繼之加熱該樹脂層以形成前述保護膜或絕緣膜之步驟；前述正型感光性樹脂組成物為申請專利範圍第1至6項中任一項之正型感光性樹脂組成物。
  11. 一種顯示裝置之製造方法，係用以製造具備基板、覆蓋其表面之平坦化膜或絕緣膜、以及設在前述顯示元件用基板上部之顯示元件之顯示裝置者，其特徵為包含以下步驟：對前述基板上塗佈正型感光性樹脂組成物而予以乾燥，以形成樹脂層之步驟；使活性能量射線照射於該樹脂層中所指定部分之步驟；使活性能量射線照射後之該樹脂層顯影之步驟；以及繼之加熱該樹脂層以形成前述平坦化膜或絕緣膜之步驟；前述正型感光性樹脂組成物為申請專利範圍第1至6項中任一項之正型感光性樹脂組成物。
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