KR101423539B1 - 포지티브형 감광성 수지 조성물 - Google Patents

포지티브형 감광성 수지 조성물 Download PDF

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Abstract

(A) 하기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 폴리벤조옥사졸 전구체; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀 화합물; 및 (E) 용매를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물이 제공된다.
[화학식 1]
Figure 112010083989518-pat00054

상기 식에서, 각 치환기의 정의는 명세서에 정의된 것과 동일하다.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물 {POSITIVE TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION}
본 기재는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물로 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자에 관한 것이다.
종래부터 반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막에는 우수한 내열성과 전기 특성, 기계 특성 등을 갖는 폴리이미드 수지가 사용되고 있다. 　이러한 폴리이미드 수지는 최근 감광성 폴리이미드 전구체 조성물의 형태로 사용하여, 도포가 용이하며, 상기 폴리이미드 전구체 조성물을 반도체 장치 상에 도포한 후, 자외선에 의한 패터닝, 현상, 열 이미드화 처리 등을 실시하여 표면 보호막, 층간 절연막 등을 쉽게 형성시킬 수 있다. 　따라서, 종래 비감광성 폴리이미드 전구체 조성물에 비하여 대폭적인 공정 단축이 가능해진다는 특징을 갖고 있다. 　
감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 노광된 부분이 현상에 의해 용해되는 포지티브형과 노광된 부분이 경화되어 남는 네가티브형이 있는데, 포지티브형의 경우 무독성인 알칼리 수용액을 현상액으로 사용할 수 있어 바람직하다. 　포지티브형 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 폴리이미드 전구체인 폴리아미드산, 감광성 물질인 디아조나프토퀴논 등을 포함한다. 　그러나 포지티브형 감광성 폴리이미드 전구체 조성물은 사용된 폴리아미드산의 카르본산이 알칼리에 대한 용해도가 너무 커서 원하는 패턴을 얻지 못하는 문제점이 있다.
이를 해결하기 위하여 폴리아미드산에 에스테르 결합을 통해서 수산기 1개 이상을 갖는 알코올 화합물을 반응시키는 내용(일본 특개 평10-307393호 참조) 등 카르본산 대신에 페놀성 수산기를 도입한 물질이 제안되었으나, 이 물질은 현상성이 불충분하며 막감소나 기재로부터 수지가 박리되는 문제점이 있다.
다른 방법으로 폴리벤조옥사졸 전구체에 디아조나프토퀴논 화합물을 혼합한 재료(일본특허공고 소63-96162호 공보)은 최근 주목받고 있으나 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 실제로 사용하는 경우, 특히 현상시의 미노광부의 막감소량이 크기 때문에 현상 후의 원하는 패턴을 얻기 어렵다. 　이를 개선하기 위해 폴리벤조옥사졸 전구체의 분자량을 크게 하면 미노광부의 막감소량은 작아지나 현상시 노광부에 현상 잔여물(스컴)이 발생하여 해상도가 불량해지며 노광부의 현상 시간이 길어지는 문제가 있었다.
이런 문제를 해결하기 위하여, 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물에 특정한 페놀 화합물을 첨가함으로써 현상시의 미노광부의 막 감소량이 억제되는 것이 보고되어 있다(일본특허공개 평9-302221호 및 일본특허공개 제2000-292913호). 그러나 이 방법으로는 미노광부의 감소량을 억제하는 효과가 불충함에 따라, 현상 잔여물(스컴)을 발생시키지 않으면서, 막 감소 억제 효과를 크게 하기 위한 연구가 계속 요구되고 있다. 또한 용해도를 조절하기 위하여 사용하는 페놀이 열경화시의 높은 온도에서 분해하거나 부반응을 일으키거나 하는 등의 문제를 일으켜 결과적으로 얻어지는 경화막의 기계적 물성에 큰 손상을 입히기 때문에 이를 대체할 수 있는 용해조절제의 연구 또한 계속 요구되고 있다.
하지만, 이들 연구의 경우 전자제품의 생산성 향상을 위해 지속적인 감도 개선을 요구하고 있면서　해상도 등의 광특성 면에서 기존 재료와 동등 이상의　수준을 유지하는 연구가 지속적으로 요구되고 있는 상황이다.
본 발명의 일 측면은 고감도, 고해상도, 패턴 형상 양호, 및 우수한 잔여물 제거성을 나타내는 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 측면은　상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조한　감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 측면은 상기 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면은 (A) 하기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 폴리벤조옥사졸 전구체, (B) 감광성 디아조퀴논 화합물, (C) 실란 화합물, (D) 페놀 화합물 및 (E) 용매를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112010083989518-pat00001
상기 식에서,
X1　및　X2는 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,
Y1은 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이고,
Z는
Figure 112010083989518-pat00002
이며,
상기 R1　및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C6　알킬렌이고,
상기 R3은 C1 내지 C6　알킬이다.
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 2의 반복단위 또는 하기 화학식 3의 반복단위를 더 포함하는 공중합체일 수 있다..
[화학식 2]
Figure 112010083989518-pat00003
[화학식 3]
Figure 112010083989518-pat00004
상기 식에서,
X3은 방향족 유기기 또는 4 내지 6가의 지방족 유기기이고,
X4는 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기 또는 2 내지 6가의 지환족 유기기이고,
Y1은 방향족 유기기 또는 2 내지 6가의 지방족 유기기이다.
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 상기 화학식 1의 반복단위 대 상기 화학식 2의 반복단위 및 화학식 3의 반복단위를 m:n의 몰비로 포함하고, m+n=100몰% 기준으로 할 때, m은 5　내지 100몰%이고, n은 0 내지 95몰%인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 폴리벤조옥사졸 전구체에서 m은 5　내지 75몰%이고, n은 25　내지 95몰%이다.
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 3,000 내지 300,000의 중량평균분자량(Mw)을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에서, 상기 폴리벤조옥사졸 전구체 내의 화학식 1의 반복단위는 하기 화학식 4의 디아민화합물로부터 유도된 것일　수 있다.
[화학식 4]
Figure 112010083989518-pat00005
상기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N, N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산 메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 또다른 구현예에서, 상기 수지 조성물은 상기 (A) 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여, 상기 (B) 감광성 다이조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부, 상기 (C) 실란 화합물 0.1 내지 30 중량부, 상기 (D) 페놀 화합물 1 내지 30 중량부 및 상기 (E) 용매 100 내지 400 중량부를 포함한다.
발명의 다른 측면은 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막을 제공한다.
발명의 또다른 측면은 상기 감광성 수지막을 포함하는　반도체 소자를 제공한다.
기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 고감도, 고해상도, 패턴 형상 양호, 우수한 잔여물 제거성을 나타낸다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란, 작용기 중의 하나 이상의 수소가 할로겐 원자 F, 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기(-NH2, -NH(R), -N(R')(R"), R, R'과 R"은 서로 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 알킬기임), 아미디노기, 히드라진 또는 히드라존기, 카르복실기, 알킬기, 아릴기, 알케닐기, 알키닐기, 헤테로아릴기, 및 헤테로사이클릭기로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한 "알킬기"란 탄소수 1 내지 30의 알킬기를, 좋게는 탄소수 1 내지 16의 알킬기를 의미하고, "알킬렌기"란 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기를, 좋게는 탄소수 1 내지 16의 알킬렌기를 의미하고, "알케닐기"란 탄소수 2 내지 30의 알케닐기를, 좋게는 탄소수 2 내지 16의 알케닐기를 의미하고, "알키닐기"란 탄소수 2 내지 30의 알키닐기를, 좋게는 탄소수 2 내지 16의 알키닐기를 의미하고, "알콕시기"란 탄소수 1 내지 30의 알콕시기를, 좋게는 탄소수 1 내지 16의 알콕시기를 의미하고, "아릴기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴기를, 좋게는 탄소수 6 내지 18의 아릴기를 의미하고, "아릴렌기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기를, 좋게는 탄소수 6 내지 18의 아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴기"란 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기를, 좋게는 탄소수 1 내지 16의 헤테로아릴기를 의미하고, "헤테로사이클릭기"는 탄소수 2 내지 30의 헤테로사이클릭기를 의미하고, 좋게는 탄소수 2 내지 18의 헤테로사이클릭기를 의미한다.
또한 본 명세서에서 "지방족 유기기"란 탄소수 1 내지 30의 알킬, 탄소수 2 내지 30의 알케닐, 또는 탄소수 2 내지 30의 알키닐을 의미하며, "지환족 유기기" 및 "지환족기"란 탄소수 3 내지 30의 사이클로알킬, 탄소수 3 내지 30의 사이클로알케닐, 또는 탄소수 3 내지 30의 사이클로알키닐을 의미하며, "방향족 유기기"란 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 2 내지 30의 헤테로아릴기를 의미한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1의 반복단위를 포함하는　폴리벤조옥사졸 전구체(polybenzoxazole precursor); (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; (C) 실란 화합물; (D) 페놀화합물; 및 (E) 용매를 포함한다.
이하 상기 감광성 수지 조성물의 각 구성 성분에 대하여 자세하게 설명하도록 한다.
　
(A) 폴리벤조옥사졸 전구체
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 1의 반복 단위를 갖는다.
[화학식 1]
Figure 112010083989518-pat00006
상기 식에서,
X1　및　X2는 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 4가의 지방족 유기기이고,
Y1은 방향족 유기기 또는 2가의 지방족 유기기이고,
Z는
Figure 112010083989518-pat00007
이며,
상기 R1　및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C6　알킬렌이고,
상기 R3은 C1 내지 C6　알킬이다.
　
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 2의 반복단위 또는 화학식 3의 반복단위를 더 포함하는 공중합체일 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112010083989518-pat00008
[화학식 3]
Figure 112010083989518-pat00009
상기 식에서,
X3은 방향족 유기기 또는 4가의 지방족 유기기이고,
X4는 방향족 유기기 또는 2가의 지방족 유기기 또는 2가의 지환족 유기기이고,
Y2는 방향족 유기기 또는 2가의 지방족 유기기이다)
본 발명의 다른 구현예에서, 상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 상기 화학식 1의 반복단위와, 상기 화학식 2의 반복단위 및/또는 상기 화학식 3의 반복단위의 공중합체일 수 있는데, 이때 화학식 1의 반복단위와 화학식 2의 반복단위 간의 몰비가 m:n이라고 하면 　m은 5　내지 100몰%이고, n은 0 내지 95몰%이다(m+n=100몰%).
바람직하게는, 상기 폴리벤조옥사졸 전구체에서 m은 5　내지 75몰%이고, n은 25　내지 95몰%일 수 있다. 　　m 및 n의 상대 함량이 상기 범위일 때, 반도체 소자의 감광성 수지막 등 소정의 용도에서 요구하는 물성 밸런스를 만족시키기에 유리하다.
상기 X1, X2　및 X3는 대표적으로, 3,3'-디아미노-4,4'-디히드록시비페닐, 4,4'-디아미노-3,3'-디히드록시비페닐, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)프로판, 비스(3-아미노-4-히드록시페닐)설폰, 비스(4-아미노-3-히드록시페닐)설폰, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노-3-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-　히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노-3-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노-3-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(4-아미노-3-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,2'-비스(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-아미노-4-히드록시-5-펜타플루오로에틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-히드록시-4-아미노-6-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-5-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-히드록시-4-아미노-2-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-2-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2-(3-아미노-4-히드록시-6-트리플루오로메틸페닐)-2'-(3-히드록시-4-아미노-5-트리플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로판, 2,6-비스[[[5-[1-(아미노-4-히드록시페닐)-2,2,2-트리플로로-1-(트리플로메틸)에틸]-2-히드록시페닐]아미노]메틸]-4-메틸페놀　및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물의 잔기일 수 있다.　
또한, 상기 X1, X2　및 X3는 하기 화학식 5　및 6로 표현되는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 5]
Figure 112010083989518-pat00010
[화학식 6]
Figure 112010083989518-pat00011
상기 화학식 5　및 6에서,
A1은 O, CO, CR10R11, SO2, SO, 및 단일결합으로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고,
R10 및 R11은 각각 독립적으로, 수소, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으며, 바람직하게는 상기 R10 및 R11은 플루오로알킬이고,
상기 R7　내지 R9는 각각 독립적으로 수소, 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고,
상기 n3은 1 내지 2의 정수일 수 있고,
상기 n4　및 n5는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수일 수 있다.
상기 X4는 대표적으로 방향족 디아민으로부터 유도될 수 있다.
상기 방향족 디아민의 구체적인 예로는, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐메탄,　4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노디페닐술피드, 벤지딘, m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 비스(4-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(3-아미노페녹시페닐)술폰, 비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 　또한, 이들 방향족 디아민 단량체는 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
물론 방향족 디아민이 상기 화합물들로 한정되는 것은 아니다.
상기 Y1　및 Y2는 대표적으로 디카르복시산 또는 디카르복실산 유도체의 잔기일 수 있다.
상기 디카르복실산의 구체적인 예로는 Y(COOH)2(여기에서 Y는 화학식 1의 Y1　및 Y2와 동일함)을 들 수 있다.
상기 디카르복실산 유도체의 구체적인 예로는 카르보닐 할라이드 유도체 또는 　Y(COOH)2와 1-히드록시-1,2,3-벤조트리아졸 등을 반응시킨 활성 에스테르형 유도체인 활성 화합물을 들 수 있다.　　그 예로는, 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드,　디페닐옥시디카르복실산클로라이드, 비스(페닐카르복실산클로라이드)술폰, 비스(페닐카르복실산클로라이드)에테르, 비스(페닐카르복실산클로라이드)페논, 프탈릭 카르복실산디클로라이드, 테레프탈릭산디클로라이드, 이소프탈릭 카르복실산디클로라이드, 카르복실산디클로라이드, 디페닐옥시디카르복실레이트 벤조트리아졸 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 화합물 등을 들 수 있다
또한, 상기 Y1　및 Y2는 하기 화학식 7 내지 9로 이루어진 군에서 선택되는 화합물인 것이 바람직하다.
[화학식 7]
Figure 112010083989518-pat00012
[화학식 8]
Figure 112010083989518-pat00013
[화학식 9]
Figure 112010083989518-pat00014
상기 화학식 7 내지 9에서,
상기 R12　내지 R15는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고,
상기 n6, n8, 및 n9은 1 내지 4의 정수일 수 있고, n7는 1 내지 3의 정수일 수 있고,
A2는 O, CR16R17, CO, CONH, S, 및 SO2로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있으며, 상기 R16 및 R17은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 수소, 및 플로오로알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 분지쇄 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에, 반응성 말단봉쇄 단량체로부터 유도된 열중합성 관능기를 가질 수 있다.
상기 반응성 말단봉쇄 단량체는 탄소-탄소 이중결합을 갖는 모노아민류 또는 모노언하이드라이드류, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다.
상기 모노아민류는 톨루이딘, 디메틸아닐린, 에틸아닐린, 아미노페놀, 아미노벤질알콜, 아미노인단(aminoindan), 아미노아세톤페논, 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 모노언하이드라이드류는 하기 화학식 10의 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드, 하기 화학식 11의 3,6-에폭시-1,2,3,6-테트라 하이드로프탈릭언하이드라이드, 하기 화학식 12의 이소부테닐숙시닉 언하이드라이드, 말레익 언하이드라이드, 아코니틱 언하이드라이드(aconitic anhydride), 4,5,6-테트라하이드로프탈릭 언하이드라이드(3,4,5,6-tetrahydrophthalic anhydride), 시스-1,2,3,6,-테트라하이드로프탈릭 언하이드라이드(cis-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride), 이타코닉 언하이드라이드(itaconic anhydride: IA), 시트라코닉 언하이드라이드(citraconicanhydride: CA), 2,3-디메틸말레익 언하이드라이드(2,3-dimethylmaleicanhydride: DMMA)또는 이들의 조합　등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 10]
Figure 112010083989518-pat00015
[화학식 11]
Figure 112010083989518-pat00016
[화학식 12]
Figure 112010083989518-pat00017
또한, 화학식 13 내지 17은 폴리벤조옥사졸 전구체의 말단에 위치하는 열중합성 관능기의 대표적인 예로서, 이러한 상기 열중합성 관능기는 가열하는 공정에서 가교될 수 있다.　
[화학식 13]
Figure 112010083989518-pat00018
상기 화학식 13에서, R18은 H, CH2COOH, 또는 CH2CHCHCH3이다.
[화학식 14]
Figure 112010083989518-pat00019
상기 화학식 14에서, R19　및 R20은 각각 독립적으로 H 또는 CH3이다.
[화학식 15]
Figure 112010083989518-pat00020
[화학식 16]
Figure 112010083989518-pat00021
상기 화학식 16에서, R21은 H 또는 CH3이고, R22는 CH2　또는 O이다.
[화학식 17]
Figure 112010083989518-pat00022
상기 화학식 17에서, R23　및 R24는 각각 독립적으로 H, CH3　또는 OCOCH3이다.
상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 중량평균 분자량(Mw)이 3,000 내지 300,000인 것이 바람직하다. 　중량평균 분자량이 3,000 미만인 경우는 충분한 물성이 얻어지지 않아 바람직하지 않으며, 300,000을 초과하면 유기 용매에 대한 용해성이 낮아져 취급이 매우 곤란해지기 때문에 바람직하지 않다.
　
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물
상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 1,2-벤조퀴논디아지드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 　이는 미국특허 제2,772,975호, 제2,797,213호, 제3,669,658호에 의해 공지된 물질이다. 　　　
상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는, 하기 화학식 18　내지 21로 표현되는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 18]
Figure 112010083989518-pat00023
상기 화학식 18에서, R44　내지 R46은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 바람직하게는 CH3일 수 있고,
상기 D1　내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고,
상기 Q는 수소, 하기 화학식 18-1 또는 18-2일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소일 수는 없고,
상기 n25 내지 n27은 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.　
[화학식 18-1]
Figure 112010083989518-pat00024
[화학식 18-2]
Figure 112010083989518-pat00025
[화학식 19]
Figure 112010083989518-pat00026
상기 화학식 19에서, R47은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일수 있고, 상기 D4　내지 D6은 OQ일 수 있고, 상기 Q는 화학식 18에 정의된 것과 동일하고, 상기 n28 내지 n30은 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이다.
[화학식 20]
Figure 112010083989518-pat00027
상기 화학식 20에서,
A7은 CO 또는 CR48R49일 수 있고, 상기 R48 및 R49는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,
D7　내지 D10은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ, 또는 NHQ일 수 있고,
상기 Q는 화학식 18에 정의된 것과 동일하고,
상기 n31, n32, n33, 및 n34는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,
n31+n32　및 n33+n34는 각각 독립적으로 5 이하의 정수이고,
단, 상기 D7　내지 D8중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1 내지 4개로 포함될 수 있다.
[화학식 21]
Figure 112010083989518-pat00028
상기 화학식 21에서,
R50　내지 R57은 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고, n35　및 n36은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 보다 바람직하게는 2 내지 4의 정수일 수 있고, Q는 화학식 18에 정의된 것과 동일하다.
상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 5 내지 100 중량부로 사용되는 것이 바람직하다. 　감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위 내로 포함될 때 노광시 잔사없이 패턴 형성이 잘되며, 현상 시 막 두께 손실이 없고 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
　
(C) 실란 화합물
상기 실란 화합물은, 감광성 수지 조성물과 기판과의 밀착력을 향상시킬 수 있다. 　
상기 실란 화합물로는 하기 화학식 22로 표현되는 것을 사용할 수 있다.
[화학식 22]
Figure 112010083989518-pat00029
상기 화학식 22에서,
R58은 비닐기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 및 치환 또는 비치환된 아릴기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, 바람직하게는 3-(메타)크릴옥시프로필, p-스티릴, 또는 3-(페닐아미노)프로필일 수 있다.
상기 R59 내지 R61은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 알킬기, 및 할로겐으로 이루어진 군에서 선택되는 것이며, 이때 R59 내지 R61중 적어도 하나는 알콕시기 또는 할로겐이고, 바람직하게는 상기 알콕시기는 탄소수 1 내지 8의 알콕시기이고, 상기 알킬기는 탄소수 1 내지 20의 알킬기일 수 있다. 　
상기 실란 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 23　및 24로 표현되는 화합물; 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐 트리클로로실란, 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란; 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디 에톡시실란; 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등의 탄소-탄소 불포화 결합을 함유하는 실란 화합물을 들 수 있으며, 가장 바람직하게는 비닐트리메톡시실란 또는 비닐트리에톡시실란을 들 수 있다.
[화학식 23]
Figure 112010083989518-pat00030
상기 화학식 23에서,
R62는 NH2　또는 CH3CONH이고, R63　내지 R65는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기이고, 바람직하게는 상기 알콕시기는 OCH3　또는 OCH2CH3일 수 있고, n37은 1 내지 5의 정수일 수 있다.
[화학식 24]
Figure 112010083989518-pat00031
상기 화학식 24에서,
R66 내지 R69는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기, 및 치환 또는 비치환된 알콕시기로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있고, 바람직하게는 CH3, 또는 OCH3일 수 있고,
상기 R70　및 R71은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아미노기이고, 바람직하게는 NH2　또는 CH3CONH일 수 있고
상기 n38　및 n39는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.
상기 실란 화합물은, 상기 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 사용될 수 있다. 　상기 실란 화합물의 함량이 상기 범위로 포함되는 경우, 상하부 막 층과의 접착력이 우수하며, 현상 후 잔막이 남지 않고, 광특성(투과율)을 향상시킬 수 있어 바람직하다.
　
　(D) 페놀 화합물
상기 페놀 화합물은 감광성 수지 조성물로 패턴을 형성하기 위해 알칼리 수용액으로 현상시 노광부의 용해 속도 및 감도를 증가시킬 수 있고, 현상 시에 현상 잔여물 없이 고해상도로 패터닝할 수 있는 역할을 한다.
상기 페놀 화합물의 예로는 하기 화학식 25 내지 화학식 30으로 표시되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 25]
Figure 112010083989518-pat00032
상기 화학식 25에서,
R99　내지 R101은 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고,
R102 내지 R106은 각각 독립적으로 H, OH, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고, 구체적으로는 상기 알킬기는 CH3일 수 있고,
n68은 1 내지 5의 정수이다.
[화학식 26]
Figure 112010083989518-pat00033
상기 화학식 26에서,
R107　내지 R112는 각각 독립적으로 H, OH, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고,
A3은 CR205R206　또는 단일결합이고, 상기 R205　및 R206은 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고,구체적으로는 상기 알킬기는 CH3일 수 있고,
n69+n70+n71 및 n72+n73+n74는 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.
[화학식 27]
Figure 112010083989518-pat00034
　
상기 화학식 27에서,
R113　내지 R115는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고,
n75, n76　및 n79는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이고,
n77　및 n78은 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.
[화학식 28]
　
Figure 112010083989518-pat00035
상기 화학식 28에서,
R116 내지 R121은 각각 독립적으로 수소, OH, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고,
n80 내지 n83은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수이고,
단, 　n80+n82　및 n81+n83은 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.
[화학식 29]
　
Figure 112010083989518-pat00036
상기 화학식 29에서,
R122는 치환 또는 비치환된 알킬기이고, 구체적으로는 CH3일 수 있고,
R123　내지 R125는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고,
n84, n86　및 n88은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이고,
n85, n87　및 n89는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
단, n84+n85, n86+n87　및 n88+n89는 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.
[화학식 30]
Figure 112010083989518-pat00037
상기 화학식 30에서,
R126　내지 R128은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기이고, 구체적으로는 CH3일 수 있고,
R129　내지 R132는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이고,
n90 , n92　및 n94는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이고,
n91, n93　및 n95는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고,
n96은 1 내지 4의 정수이고,
단, n90+n91, n92+n93　및 n94+n95는 각각 독립적으로 5 이하의 정수이다.
상기 페놀 화합물의 구체적인 예로는 2,6-디메톡시메틸-4-t-부틸페놀, 2,6-디메톡시메틸-p-크레졸, 2,6-디아세톡시메틸-p-크레졸 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 페놀 화합물의 사용량은 상기 폴리이미드 전구체 100 중량부에 대하여 약 1 내지 약 30 중량부일 수 있다. 　페놀 화합물의 함량이 상기 범위내인 경우 현상시 감도 저하를 유발하지 않고, 비노광부의 용해 속도를 적당하게 증가시켜 양호한 패턴을 얻을 수 있으며, 또한 냉동보관시 석출이 일어나지 않아 우수한 보관안정성을 나타낼 수 있다.
　
(E) 용매
상기 용매로는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산 메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 등을 들 수 있다. 　이러한 용매는 단독으로 또는 2종 이상 병용하고 이용할 수 있다.
상기 용매는 제1 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여 100 내지 400 중량부로 사용되는 것이 바람직하고, 20 내지 90 중량부로 사용되는 것이 보다 바람직하다. 상기 범위에서는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수하여 바람직하다.
　
(F) 기타 첨가제
상기 감광성 수지 조성물은 (A) 내지 (E)의 성분 이외의 (F) 기타 첨가제를 더욱 포함할 수 있다.
상기 기타 첨가제로는 열잠재 산발생제를 들 수 있다. 　상기 열잠재 산발생제로는 p-톨루엔 술폰산, 벤젠술폰산과 같은 알릴술폰산; 트리플루오르메탄술폰산, 플루오르부탄술폰산과 같은 퍼플루오르알킬 술폰산; 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 부탄 술폰산과 같은 알킬 술폰산; 및 이들의 혼합물을 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 열잠재 산발생제는 폴리벤조옥사졸 전구체의 고리화 반응을 위한 촉매로써 경화온도를 낮추어도 고리화 반응을 원활히 진행할 수 있다.
또한, 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상하기 위해 적당한 계면활성제 또는 레빌링제를 첨가제로 더욱 사용할 수도 있다.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 공정은 포지티브형 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 도포하는 공정; 상기 도포된 조성물을 건조하여 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 형성하는 공정; 상기 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 폴리벤조옥사졸 전구체 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 감광성 수지막을 제조하는 공정; 및 상기 감광성 수지막을 가열 처리하는 공정을 포함한다. 　감광성 수지 조성물을 도포하고, 노광, 현상하여 패턴을 형성하는 공정상의 조건 등에 대해서는 당해 분야에 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다. 　
본 발명의 또다른 구현예에 따르면, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 포함하는 반도체 소자가 제공된다. 　상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 반도체 소자에서 절연막, 페시베이션층 또는 버퍼 코팅층에 유용하게 사용될 수 있다. 　즉, 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물은 반도체 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막으로 유용하게 사용될 수 있다
　
이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
　
실시예
　 < 합성예 1>: 폴리벤조옥사졸 전구체( PBO -1)의 합성
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서　2,6-비스[[[5-[1-(아미노-4-히드록시페닐)-2,2,2-트리플로로-1-(트리플로메틸)에틸]-2-히드록시페닐]아미노]메틸]-4-메틸페놀(하기 화학식 4로 표시되는 화합물임) 41.1g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g에 넣어 용해시켰다.
고체가 완전 용해되면 피리딘을 9.9g을 상기 용액에 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하하였다. 　적하후 1시간 동안 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반하여 반응을 종료하였다.
여기에, 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.6g을 투입하고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 　반응혼합물을 물/메탄올 = 10/1(부피비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후. 온도 80℃, 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 중량 평균 분자량이 9,500인 하기 화학식 1a(m　및 n은 몰비로서, m=100이고, n=0임)로 표현되는 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1)를 제조하였다. 　
[화학식 4]
Figure 112010083989518-pat00038
[화학식 1a]
Figure 112010083989518-pat00039

< 합성예 2>: 폴리벤조옥사졸 전구체( PBO -2)의 합성
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서　2,6-비스[[[5-[1-(아미노-4-히드록시페닐)-2,2,2-트리플로로-1-(트리플로메틸)에틸]-2-히드록시페닐]아미노]메틸]-4-메틸페놀 30.8g, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플로오로프로판　4.4g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g에 넣어 용해시켰다.
고체가 완전 용해되면 피리딘을 9.9g을 상기 용액에 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하하였다. 　적하후 1시간 동안 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반하여 반응을 종료하였다.
여기에, 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.6g을 투입하고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 　반응혼합물을 물/메탄올 = 10/1(부피비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후. 온도 80℃, 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 중량 평균 분자량이 10,100인 하기 화학식 1b(m　및 n은 몰비로서, m=75이고, n=25임)로 표현되는 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-2)를 제조하였다. 　
[화학식 1b]
Figure 112010083989518-pat00040

< 합성예 3>: 폴리벤조옥사졸 전구체( PBO -3)의 합성
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서　2,6-비스[[[5-[1-(아미노-4-히드록시페닐)-2,2,2-트리플로로-1-(트리플로메틸)에틸]-2-히드록시페닐]아미노]메틸]-4-메틸페놀 24.2g, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플로오로프로판　10.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g에 넣어 용해시켰다.
고체가 완전 용해되면 피리딘을 9.9g을 상기 용액에 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하하였다. 　적하후 1시간 동안 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반하여 반응을 종료하였다.
여기에, 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.6g을 투입하고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 　반응혼합물을 물/메탄올 = 10/1(부피비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후. 온도 80℃, 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 중량 평균 분자량이 10,300인 하기 화학식 1c(m　및 n은 몰비로서, m=50이고, n=50임)로 표현되는 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-3)를 제조하였다. 　
[화학식 1c]
Figure 112010083989518-pat00041

< 합성예 4>: 폴리벤조옥사졸 전구체( PBO -4)의 합성
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서　2,6-비스[[[5-[1-(아미노-4-히드록시페닐)-2,2,2-트리플로로-1-(트리플로메틸)에틸]-2-히드록시페닐]아미노]메틸]-4-메틸페놀 10.3g, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플로오로프로판　13.1g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g에 넣어 용해시켰다.
고체가 완전 용해되면 피리딘을 9.9g을 상기 용액에 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하하였다. 　적하후 1시간 동안 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반하여 반응을 종료하였다.
여기에, 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.6g을 투입하고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 　반응혼합물을 물/메탄올 = 10/1(부피비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후. 온도 80℃, 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 중량 평균 분자량이 10,300인 하기 화학식 1d(m　및 n은 몰비로서, m=25이고, n=75임)로 표현되는 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-4)를 제조하였다. 　
[화학식 1d]
Figure 112010083989518-pat00042

< 합성예 5>: 폴리벤조옥사졸 전구체( PBO -5)의 합성
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서　2,6-비스[[[5-[1-(아미노-4-히드록시페닐)-2,2,2-트리플로로-1-(트리플로메틸)에틸]-2-히드록시페닐]아미노]메틸]-4-메틸페놀 2.1g, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플로오로프로판　16.9g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g에 넣어 용해시켰다.
고체가 완전 용해되면 피리딘을 9.9g을 상기 용액에 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하하였다. 　적하후 1시간 동안 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반하여 반응을 종료하였다.
여기에, 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.6g을 투입하고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 　반응혼합물을 물/메탄올 = 10/1(부피비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후. 온도 80℃, 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 중량 평균 분자량이 10,200인 하기 화학식 1e(m　및 n은 몰비로서, m=5이고, n=95임)로 표현되는 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-5)를 제조하였다. 　
[화학식 1e]
Figure 112010083989518-pat00043

< 합성예 6>: 폴리벤조옥사졸 전구체( PBO -6)의 합성(비교군)
교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서　2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플로오로프로판　17.4g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 280g에 넣어 용해시켰다.
고체가 완전 용해되면 피리딘을 9.9g을 상기 용액에 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조닐클로라이드 13.3g을 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 142g에 넣어 용해시킨 용액을 30분간 천천히 적하하였다. 　적하후 1시간 동안 0 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 교반하여 반응을 종료하였다.
여기에, 5-노보넨-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.6g을 투입하고 70℃에서 24시간 교반하여 반응을 종료하였다. 　반응혼합물을 물/메탄올 = 10/1(부피비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성하고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후. 온도 80℃, 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 중량 평균 분자량이 10,500인 하기 화학식 1f(m　및 n은 몰비로서, m=0이고, n=100임)로 표현되는 비교군으로서 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-6)를 제조하였다. 　
[화학식 1f]
Figure 112010083989518-pat00044

< 실시예 1>
합성예 1에서 얻은 폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1) 10g을 γ-부티로락톤(GBL) 35.0g에 첨가하여 녹인 후, 하기 화학식 15a의 구조를 가지는 감광성 디아조퀴논 1g, 하기 화학식 20a의 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 0.02g, 하기 화학식 22a로 표시되는 페놀 화합물 0.75 g을 넣고 용해한 후 0.45 ㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
[화학식 15a]
Figure 112010083989518-pat00045
(상기 화학식 15a에서, Q1, Q2, 및 Q3　중에서, 둘은
Figure 112010083989518-pat00046
로 치환되어 있고, 나머지 하나는 수소이다.)
[화학식 20a]
Figure 112010083989518-pat00047
　[화학식 22a]
Figure 112010083989518-pat00048
　
< 실시예 2>
폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1) 10g을 폴리벤족옥사졸 전구체(PBO-2)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
　
< 실시예 3>
폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1) 10g을 폴리벤족옥사졸 전구체(PBO-3)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
　
< 실시예 4>
폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1) 10g을 폴리벤족옥사졸 전구체(PBO-4)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
　
< 실시예 5>
폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1) 10g을 폴리벤족옥사졸 전구체(PBO-5)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
　
< 실시예 6>
폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1) 10g을 폴리벤족옥사졸 전구체(PBO-1)　5g과 폴리벤족옥사졸 전구체(PBO-6)　5g로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
　　
< 비교예 1>
폴리벤조옥사졸 전구체(PBO-1) 10g을 폴리벤족옥사졸 전구체(PBO-6)로 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 실시하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
　　
물성 측정
상기 실시예 1 내지 6　및 비교예 1에 따라 제조된 감광성 폴리벤조옥사졸 전구체 조성물을 8인치 웨이퍼에 미카사제(1H-DX2) 스핀코터를 이용해 코팅하여 도포한 후, 핫플레이트 상에서 130℃에서, 2분간 가열하여 감광성 폴리이미드 전구체 필름을 형성하였다.
상기 폴리이미드 전구체 필름에 다양한 크기의 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 일본 Nikon사제 I-line stepper(NSR i10C)로 노광한 후, 상온에서 2.38%의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액에 40초, 2 퍼들(puddle)을 통해 노광부를 용해 제거한 후, 순수로 30초간 세척하였다. 　이어서, 얻어진 패턴을 전기로를 이용하여 산소 농도 1000ppm 이하에서, 150℃/30분 이어서, 추가하여 320℃/30분으로 경화를 실시하여, 패턴이 형성된 필름을 제조하였다. 　
완성된 필름 패턴의 해상도는 광학현미경을 통하여 확인할 수 있었고, 예비 소성, 현상, 경화 후의 막두께 변화는 KMAC사제(ST4000-DLX)장비를 이용해 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
또한, 현상 후의 막두께에 대한 감소율이 현상성과 최종 막두께에도 영향을 가져오며 이는 현상 시에도 막두께 감소가 작아야 하는데 이를 측정하기 위해 예비소성을 한 필름을 2.38% 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액에 시간 별로 침지하고 물로 씻어내는 현상 방법을 실시하고, 막두께 변화를 측정하여 하기 표 1에 정리하였다. 　
아울러, 감도 및 해상도를 측정하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
감도는 노광 및 현상후 10 um L/S 패턴이 1 대 1의 선폭으로 형성되는 노광시간을 구하여 이를 최적 노광 시간으로 하였다. 　해상도는 상기 최적 노광 시간에 있어서의 최소의 패턴 치수를 해상도로 하여 측정하였다.
　
　		 막두께 (um) 감도 (mJ/cm2) 해상도
(um)		 현상시 막두께 변화 (um)
예비소성 현상후
실시예 1 9.6 8.4 420 2 1.2
실시예 2 9.3 8.1 400 3 1.2
실시예 3 8.8 7.7 360 4 1.1
실시예 4 9.4 8.3 340 5 1.1
실시예 5 9.0 7.8 350 4 1.2
실시예 6 8.8 7.6 400 3 1.2
비교예 1 8.6 6.5 450 7 2.1
상기 표 1을 참조하면, 2,6-비스[[[5-[1-(아미노-4-히드록시페닐)-2,2,2-트리플로로-1-(트리플로메틸)에틸]-2-히드록시페닐]아미노]메틸]-4-메틸페놀 단량체를 포함하는 PBO전구체를 사용한　실시예 1 내지 6은 비교예 1 비교하여, 감도가 현격히 좋아졌으며, 경화 후 막 두께 감소가 줄고, 해상도, 수축률, 현상시 막 두께 감소 등의 광특성 면에서도 훨씬 우수하게 나타났다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.

Claims (10)

  1. (A) 하기 화학식 1의 반복단위를 포함하는 폴리벤조옥사졸 전구체;
    (B) 감광성 디아조퀴논 화합물;
    (C) 실란 화합물;
    (D) 페놀 화합물; 및
    (E) 용매;
    를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112013113538368-pat00049

    (상기 식에서,
    X1　및　X2는 각각 독립적으로 방향족 유기기 또는 4가의 지방족 유기기이고,
    Y1은 방향족 유기기 또는 2가의 지방족 유기기이고,
    Z는
    Figure 112013113538368-pat00050
    이며,
    상기 R1　및 R2는 각각 독립적으로 C1 내지 C6　알킬렌이고,
    상기 R3은 C1 내지 C6　알킬이다)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 하기 화학식 2의 반복단위 또는 하기 화학식 3의 반복단위를 더 포함하는 공중합체인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    [화학식 2]
    Figure 112013113538368-pat00051

    [화학식 3]
    Figure 112013113538368-pat00052

    (상기 식에서,
    X3은 방향족 유기기 또는 4가의 지방족 유기기이고,
    X4는 방향족 유기기 또는 2가의 지방족 유기기 또는 2가의 지환족 유기기이고,
    Y2는 방향족 유기기 또는 2가의 지방족 유기기이다)
  3. 제2항에 있어서,
    상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 상기 화학식 1의 반복단위 대 상기 화학식 2의 반복단위 및 화학식 3의 반복단위를 m:n의 몰비로 포함하고, m+n=100몰% 기준으로 할 때, m은 5　내지 100몰%이고, n은 0 내지 95몰%인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 폴리벤조옥사졸 전구체에서 m은 5　내지 75몰%이고, n은 25　내지 95몰%인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리벤조옥사졸 전구체는 3,000 내지 300,000의 중량평균분자량(Mw)을 갖는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리벤조옥사졸 전구체 내의 화학식 1의 반복단위는 하기 화학식 4의 디아민화합물로부터 유도된 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
    [화학식 4]
    Figure 112010083989518-pat00053
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용매는 N-메틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤, N, N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산 메틸, 락트산에틸, 락트산부틸, 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지 조성물은 상기 (A) 폴리벤조옥사졸 전구체 100 중량부에 대하여, 상기 (B) 감광성 다이조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부, 상기 (C) 실란 화합물 0.1 내지 30 중량부, 상기 (D) 페놀 화합물 1 내지 30 중량부 및 상기 (E) 용매 100 내지 400 중량부를 포함하는 것인 포지티브형 감광성 수지 조성물.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 이용하여 형성된 감광성 수지막.
  10. 제9항의 감광성 수지막을 포함하는　반도체 소자.
KR1020100130786A 2010-12-20 2010-12-20 포지티브형 감광성 수지 조성물 KR101423539B1 (ko)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101333698B1 (ko) * 2009-11-10 2013-11-27 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR20120066923A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 제일모직주식회사 신규 페놀 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101423539B1 (ko) 2010-12-20 2014-07-25 삼성전자 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101692758B1 (ko) * 2013-10-23 2017-01-04 제일모직 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자
TWI548005B (zh) * 2014-01-24 2016-09-01 環旭電子股份有限公司 選擇性電子封裝模組的製造方法
KR102288385B1 (ko) * 2018-10-02 2021-08-10 삼성에스디아이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000075478A (ja) 1998-08-31 2000-03-14 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂前駆体組成物
KR20100077669A (ko) * 2008-12-29 2010-07-08 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL95406C (ko) 1954-08-20
US2772975A (en) 1955-07-08 1956-12-04 Geo Wiedemann Brewing Co Inc Injecting of hops in the brewing of beer
US3669658A (en) 1969-06-11 1972-06-13 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive printing plate
US4231934A (en) 1977-11-02 1980-11-04 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated Process for the production of N-(hydroxyphenyl) maleimides
US4400521A (en) 1980-10-29 1983-08-23 Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated N-Substituted phenyl maleimides
US5077378A (en) 1986-10-02 1991-12-31 Hoechst Celanese Corporation Polyamide containing the hexafluoroisopropylidene group
ATE67611T1 (de) 1986-10-02 1991-10-15 Hoechst Celanese Corp Polyamide mit hexafluorisopropyliden-gruppen, diese enthaltende positiv arbeitende lichtempfindliche gemische und damit hergestellte aufzeichnungsmaterialien.
JP3391471B2 (ja) 1992-02-25 2003-03-31 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP3176795B2 (ja) 1994-04-06 2001-06-18 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP3207352B2 (ja) 1996-05-13 2001-09-10 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JPH09319082A (ja) 1996-05-27 1997-12-12 Hitachi Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた電子装置
JP3871767B2 (ja) 1997-05-07 2007-01-24 旭化成エレクトロニクス株式会社 感光性組成物
JPH11338157A (ja) 1998-05-29 1999-12-10 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及びレリーフパターンの製造法
US6143467A (en) 1998-10-01 2000-11-07 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive polybenzoxazole precursor compositions
US6214516B1 (en) * 1998-10-01 2001-04-10 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive resin compositions
JP4314335B2 (ja) 1999-04-02 2009-08-12 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
KR100322234B1 (ko) 1999-07-29 2002-02-07 김충섭 아세탈 또는 이의 고리화 유도체를 측쇄로 포함하는 폴리아미드 중합체와 감광성 내열절연체 조성물
JP4665333B2 (ja) 2000-11-27 2011-04-06 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂前駆体組成物
TW574620B (en) 2001-02-26 2004-02-01 Toray Industries Precursor composition of positive photosensitive resin and display device using it
EP1400849B1 (en) 2001-05-07 2012-04-04 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive photosensitive resin compositions and semiconductor device
WO2003011974A1 (fr) 2001-07-26 2003-02-13 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition de resine d'acide polyamique
JP2003248314A (ja) 2002-02-25 2003-09-05 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品
US7101652B2 (en) 2003-03-11 2006-09-05 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive resin compositions
EP1611483A4 (en) 2003-03-11 2009-12-16 Fujifilm Electronic Materials NEW PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITIONS
SG135954A1 (en) 2003-04-07 2007-10-29 Toray Industries Positive-type photosensitive resin composition
KR101067828B1 (ko) 2003-06-06 2011-09-27 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 신규한 감광성 수지 조성물들
EP2381308B1 (en) 2003-06-23 2015-07-29 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device
JP5030425B2 (ja) 2004-01-20 2012-09-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 樹脂及び樹脂組成物
JP4525255B2 (ja) 2004-08-31 2010-08-18 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物並びにそれらを用いた半導体装置及び表示素子
JP4384575B2 (ja) 2004-09-27 2009-12-16 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
WO2006104803A2 (en) 2005-03-25 2006-10-05 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Novel photosensitive resin compositions
JP5034269B2 (ja) 2005-03-31 2012-09-26 大日本印刷株式会社 パターン形成材料、及びポリイミド前駆体樹脂組成物
JP4639956B2 (ja) 2005-05-18 2011-02-23 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
JP2007017726A (ja) 2005-07-08 2007-01-25 Chisso Corp ポジ型感放射線性重合体組成物、該組成物を用いた薄膜、および該薄膜を用いた素子
JP4682764B2 (ja) 2005-09-15 2011-05-11 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法及び電子部品
WO2007034902A1 (ja) 2005-09-21 2007-03-29 Sumitomo Bakelite Company, Ltd. 樹脂組成物、ワニス、樹脂膜および半導体装置
KR101183395B1 (ko) 2005-11-30 2012-09-14 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 이용한 반도체장치 및 표시장치
JP4951962B2 (ja) 2005-12-27 2012-06-13 住友ベークライト株式会社 アミノフェノール化合物
JP5171628B2 (ja) 2006-08-15 2013-03-27 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP5028059B2 (ja) 2006-09-28 2012-09-19 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、それを用いた硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
JP5045064B2 (ja) 2006-11-02 2012-10-10 Ｊｎｃ株式会社 アルカリ可溶性重合体及びそれを用いたポジ型感光性樹脂組成物
JP5000345B2 (ja) 2007-03-16 2012-08-15 本州化学工業株式会社 新規なテトラキス（ｓｅｃ−ブチルフェノール）化合物
JP5127346B2 (ja) 2007-07-31 2013-01-23 本州化学工業株式会社 ビス（４−オキソシクロヘキシル）化合物及びそれから誘導されるテトラキスフェノール化合物
JP2009155481A (ja) 2007-12-27 2009-07-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd アルカリ可溶性樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置
KR100966176B1 (ko) 2008-03-12 2010-06-25 한양대학교 산학협력단 열전환 반응을 이용한 벤조옥사졸계 고분자의 제조방법, 이로써 얻어진 벤조옥사졸계 고분자, 및 이를 포함하는 기체 분리막
KR100914064B1 (ko) 2008-03-19 2009-08-28 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101015855B1 (ko) 2008-10-17 2011-02-23 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
TWI459141B (zh) * 2008-10-20 2014-11-01 Cheil Ind Inc 正型光敏性樹脂組成物
KR20100053798A (ko) 2008-11-13 2010-05-24 동우 화인켐 주식회사 페놀계 화합물을 포함하는 포지형 감광성 폴리이미드 수지 조성물
KR101225957B1 (ko) 2009-04-03 2013-01-24 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101333698B1 (ko) * 2009-11-10 2013-11-27 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101423539B1 (ko) 2010-12-20 2014-07-25 삼성전자 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000075478A (ja) 1998-08-31 2000-03-14 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂前駆体組成物
KR20100077669A (ko) * 2008-12-29 2010-07-08 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물

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