JP5127346B2 - ビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物及びそれから誘導されるテトラキスフェノール化合物 - Google Patents

ビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物及びそれから誘導されるテトラキスフェノール化合物 Download PDF

Info

Publication number
JP5127346B2
JP5127346B2 JP2007199452A JP2007199452A JP5127346B2 JP 5127346 B2 JP5127346 B2 JP 5127346B2 JP 2007199452 A JP2007199452 A JP 2007199452A JP 2007199452 A JP2007199452 A JP 2007199452A JP 5127346 B2 JP5127346 B2 JP 5127346B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bis
methyl
reaction
oxocyclohexyl
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007199452A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009035495A (ja
Inventor
耕司 村垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honshu Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Honshu Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honshu Chemical Industry Co Ltd filed Critical Honshu Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP2007199452A priority Critical patent/JP5127346B2/ja
Publication of JP2009035495A publication Critical patent/JP2009035495A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5127346B2 publication Critical patent/JP5127346B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

本発明は、新規なビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物及びそれから誘導される新規なテトラキスフェノール化合物に関する。
さらに詳しくは、本発明は、中心骨格に1,3−フェニレンビスアルキレン基を有するビス(4−オキソシクロヘキシル)及びそのビス(4−オキソシクロヘキシル)の両末端のオキソ基に各々2つのフェニル基が結合した構造をもつテトラキスフェノール化合物に関する。
本発明で得られたビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物は、医薬品原料、工業薬品原料、エポキシ樹脂、イミド樹脂、フェノール樹脂等の樹脂原料、又は酸化防止剤等の中間原料として有用であり、また、上記ビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物から誘導される、テトラキスフェノール化合物は、感光性レジスト材料、感光性ポリイミド材料、感光性透明樹脂絶縁膜材料、フェノール樹脂、エポキシ樹脂の原料や硬化剤等として有用である。
従来、ビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物としては、例えば、4,4’−ビシクロヘキサノン、ビス(4−オキソシクロヘキシル)メタン、2,2−ビス(4−オキソシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(3−メチル−4−オキソシクロヘキシル)プロパン等いくつかの化合物が知られている(特開昭49−250号公報、特開平8−134009号公報、特開平11−158108号公報)。
また、それらのビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物から誘導されるテトラキスフェノールとしては、4,4,4’,4’−テトラ(4−ヒドロキシフェニル)ビシクロヘキシル2,2−ビス[4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]プロパン、2,2−ビス[4,4−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]プロパン、2,2−ビス[4,4−ビス(2−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]プロパン等が知られている(特開2000−34248号公報、特開昭49−250号公報)。しかしながら、これらはいずれも、アルキリデンビス(シクロヘキシル)骨格又はビシクロヘキサン骨格を有するものである。
一方、テトラキスフェノールにおいては、このような中心骨格を有する化合物は、いずれも融点が高く、溶媒等への溶解性が劣るため、例えば、感光性レジスト組成物用途等において、耐熱性、耐水性を維持しつつ、溶媒への溶解性の改良が望まれている。
特開昭49−000250号公報 特開平08−134009号公報 特開平11−158108号公報 特開2000−34248号公報
従って、本発明は、従来の上記のような問題点を改良する為になされたもので、感光性レジスト組成物、感光性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等に用いることができる、耐熱性、耐水性、可とう性等に優れ、しかも融点が低く、溶媒等への溶解性の改良された新規なテトラキスフェノールを提供することを目的とし、及び、本発明はそのようなテトラキスフェノールの原料化合物となり得る新規なビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、中心骨格に、1,3−フェニレンビスアルキル基を持つ新規なテトラキスフェノール化合物が上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。
また、このようなテトラキスフェノール化合物の原料化合物となり得る、中心骨格に、対応する1,3−フェニレンビスアルキル基を持つ新規なビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物を見出し、本発明を完成した。
本発明によれば、一般式(1)
一般式(1)
(式中、Xは、炭素原子数1〜8の2価の飽和炭化水素基を示し、Rは、炭素原子数1〜8のアルキル基を示し、nは0〜4の整数を示す。)で表されるビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物が提供される。
また、本発明によれば、一般式(2)
一般式(2)
(式中、R及びRは、各々独立して水素原子又は炭素原子数1〜8のアルキル基を示し、R、X及びnは、一般式(1)のそれと同じである。)で表されるテトラキスフェノール化合物が提供される。
本発明の目的化合物の新規なテトラキスフェノール化合物は、フェニレン基の1,3−位置に結合したアルキル基を介してシクロヘキサン環が2つ結合した中心骨格を有するテトラキスフェノール類であるため、溶媒に対する高い溶解性を有し工業的に効率良く、しかも高純度品が製造できるので経済的に有利である。また、感光性レジスト等の組成物の成分として用いた場合、融点が低く、溶解しやすく、組成物からの結晶析出も抑制できる効果が期待できる。さらに、各種樹脂の原料化合物として使用した場合、耐熱性、耐水性、可撓性の向上が期待できる。
そして、本発明で得られた化合物は従来の高価なロジウムカーボン触媒(特開昭62−281832号公報等)に比べて安価なパラジウムカーボンを用いて、比較的穏和な条件下、原料のビス(4−オキソシクロヘキシル)類の製造が容易に行えるので、工業的な実施に有利である。
また、シクロヘキシルアルキル基を(1,4−位ではなく、)非対称な1,3−位に結合させることによって、溶剤への溶解性の向上をはかることができた。
さらに、本発明の原料化合物の新規なビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物も、本発明の新規なテトラキスフェノール化合物と同様に、フェニレン基の1,3−位置に結合したアルキル基を介してシクロヘキサン環が2つ結合した骨格を有するジオキソ化合物であるので、各種化学品の中間体化合物として使用した場合、融点が低く、溶媒に対する高い溶解性を有し、また、耐熱性、耐水性、可撓性の向上が期待でき、本発明のテトラキスフェノール化合物の原料として有用である
従って、本発明の新規なテトラキスフェノール化合物、及び本発明の新規なビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物は、感光性レジスト材料、感光性ポリイミド材料、感光性透明樹脂絶縁膜材料、フェノール樹脂、エポキシ樹脂の原料や硬化剤、感熱記録材料に用いられる顕色剤や退色防止剤等として、又はこれらの原料又は原料中間体として好適に用いることができる。
本発明における原料化合物のビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物は、上記一般式(1)で表される。
上記一般式(1)においてXは、炭素原子数1〜8の2価の飽和単価水素基を示し、具体的には、メチレン基、エチリデン基、プロパン−2−イリデン基、プロパン−1−イリデン基、ペンタン−3−イリデン基、2−メチルプロパン−1−イリデン基、2−メチルブタン−1−イリデン基、n−ペンタン−1−イリデン基等の直鎖状又は分枝鎖状のアルキリデン基、エチレン基、1,2−プロピレン基等の直鎖状又は分枝鎖状のアルキレン基であり、Xとしては、下記一般式(3)のアルキリデン基が好ましい。
一般式(3)
式中、R及びRは各々独立して水素原子又は炭素原子数1〜4のアルキル基を示し、但し、RとRの炭素原子数の和は0〜7の整数を示す。
上記炭素原子数1〜4のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、直鎖状又は分岐鎖状のプロピル基、ブチル基を示し、メチル基、エチル基等の1級又は2級アルキル基が好ましい。
また、上記一般式(1)において、式中Rは、炭素原子数1〜8のアルキル基を示し、具体的には、メチル基、エチル基、炭素原子数3〜8の直鎖状、分岐鎖状のプロピル、ブチル、ペンチル、オクチル等のアルキル基、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル等のシクロアルキル基等が挙げられる。これらのうち好ましくは炭素原子数1〜3のアルキル基である。また、nは0〜4の整数を示し、好ましくは0又は1〜2であり、0又は1が特に好ましい。アルキル基の置換位置としては、nが1の場合は、2−位又は3−位、nが2の場合は、2,5−位又は3,5−位、nが3の場合は、2,3,5−位が挙げられ、nが1の場合の2−位、nが2の場合の2,5−位が好ましい。
従って、一般式(1)で表されるビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物としては、具体的には、例えば、
1,3−ビス[1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル]ベンゼン
1,3−ビス[1−メチル−1−(2−メチル−4−オキソシクロヘキシル)エチル]ベンゼン
1,3−ビス[1−メチル−1−(3,5−ジメチル−4−オキソシクロヘキシル)エチル]ベンゼン
さらに、
1,3−ビス[1−メチル−1−(3−メチル−4−オキソシクロヘキシル)エチル]ベンゼン、
1,3−ビス[1−メチル−1−(2,3,5−トリメチル−4−オキソシクロヘキシル)エチル]ベンゼン、
1,3−ビス[(4−オキソシクロヘキシル)メチル]ベンゼン、
1,3−ビス[(3−メチル−4−オキソシクロヘキシル)メチル]ベンゼン、
1,3−ビス[1−(2−メチル−4−オキソシクロヘキシル)エチル]ベンゼン、
1,3−ビス[1−メチル−1−(2,5−ジメチル−4−オキソシクロヘキシル)エチル]ベンゼン、
1,3−ビス[2−メチル−2−(2−メチル−4−オキソシクロヘキシル)エチル]ベンゼン、
1,3−ビス[1−エチル−1−(2−メチル−4−オキソシクロヘキシル)エチル]ベンゼン、
1,3−ビス[1−エチル−1−(2−メチル−4−オキソシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン、
1,3−ビス[1−イソプロピル−1−(2−メチル−4−オキソシクロヘキシル)ブチル]ベンゼン
等が挙げられる。
このような本発明における、一般式(1)で表されるビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物の製造方法としては、特に制限はないが、例えば、ビスフェノール類を出発原料とし、これを核水添して、ビスシクロヘキサノールとし、ついで、これを酸化してビス(オキソシクロヘキシル)とする2段反応方法が提示できる。
これは、例えば、4,4’−ビス[1,3−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]フェノールのような中心骨格にフェニル基を有するビスフェノール類を担持Rh触媒、担持Ru触媒、ラネーニッケル触媒等の存在下に特定条件において両端のフェニル核を水素化することにより、4,4’−ビス[1,3−フェニレンビス(1−メチルエチリデン)]シクロヘキサノール等の対応するビスシクロヘキサノールを得(特開昭62−281832号公報)、ついで、これを次亜ハロゲン酸もしくはその塩により酸化(特開平4−59742号公報)又は銅系酸化触媒の存在下に酸化(特開2002−179609号公報)してビスオキソシクロヘキシルを得る2段反応方法であり、下記にその反応式(反応式1)を示す。
反応式1
また、他の方法としては、同じくビスフェノール類を出発原料とし、パラジウム系触媒及びアルカリ金属化合物の存在下(特開平8−134009号公報)で,又は、アルカリ金属含有パラジウム触媒の存在下(特開平11−158108号公報)に直接核水添して、ビスオキソシクロヘキシルを得る1段反応方法等が挙げられる。下記に一段反応の反応式(反応式2)を示す。
反応式2
1段反応方法は、通常、比較的低圧の1〜10kg/cm2程度で実施することができるが、目的物のビスオキソシクロヘキシル以外に、オキソシクロヘキシルシクロへキサノールや、ビスシクロへキサノールが生成する。しかしながら、原料フェニル基の不飽和結合が水素化されていれば、この混合物を次亜ハロゲン化酸もしくはその塩で酸化することで、副生したアルコール体がケトンになり、高選択的にビスオキソシクロヘキシルを製造することができる。従って、本発明のビス(4−オキソシクロヘキシル)の製造方法としては、下記一般式(3)で表されるビスフェノール類を原料とし、これをパラジウム系触媒及びアルカリ金属化合物の存在下、又は、アルカリ金属含有パラジウム触媒の存在下に水素添加した後、触媒等を除去して得られた粗製ビス(4−オキソシクロヘキシル)を酸化処理するビス(4−オキソシクロヘキシル)の製造方法が好ましく、工業的に容易に実施可能で、しかも収率よく、高純度で得ることができる。
一般式(3)
(式中、X、R及びnは一般式(1)のそれと同じである。)
このような、一般式(3)で表されるビスフェノールとしては、具体的には、例えば、
1,3−ビス〔1−メチル−1−(4−ヒドロキシフェニル)エチル〕ベンゼン、1,3−ビス〔1−メチル−1−(2−メチル−5−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)エチル〕ベンゼン、1,3−ビス〔1−メチル−1−(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)エチル〕ベンゼン、1,3−ビス〔1−メチル−1−(2,3,5−トリメチル−4−ヒドロキシフェニル)エチル〕ベンゼン、1,3−ビス〔(4−ヒドロキシフェニル)メチル〕ベンゼン、1,3−ビス〔(2,3,5−トリメチル−4−ヒドロキシフェニル)メチル〕ベンゼン等を挙げることができる。
また、このような上記一般式(3)で表され、Xがアルキリデン基であるビスフェノール類は、特開平9−143115号公報、特開2001−58968号公報等に記載の方法により、例えば、1,3−ジ(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ベンゼンのような1,3−ジ(1−ヒドロキシアルキル)ベンゼンに塩化水素ガス等の酸触媒の存在下、過剰のフェノール類を反応させる方法により、容易に得ることができる。
一般式(3)で表されるビスフェノール類が1,3−ビス〔1−メチル−1−(4−ヒドロキシフェニル)エチル〕ベンゼンである場合の、上記2段反応により対応するビス(4−オキソシクロヘキシル)を得る製造方法を下記に反応式(反応式3)で示す。
反応式3
水素化反応において、水素添加に用いられる水素化触媒としては、収率よく反応するものであれば特に制限はないが、例えば、ラネー触媒、貴金属触媒、貴金属担持触媒、貴金属錯体触媒等が挙げられる。これらの貴金属触媒に用いられる貴金属としては、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、金(Au)、銀(Ag)等が挙げられるが、好ましくはロジウムである。また、貴金属担持触媒に用いられる担持体としては、カーボン、アルミナ、シリカ等が挙げられる。
また、上記反応式2の一段反応で用いられるアルカリ金属含有パラジウム触媒としては、触媒金属活性成分としてのパラジウムと助触媒成分としてのアルカリ金属の双方を担体に担持したものであり、担体としては、カーボン及びアルミナが好ましく、アルカリ金属成分としては、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩などが挙げられ、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムが好ましい。
上記水素化反応に際し、用いられる触媒量としては、触媒の種類、貴金属担持量、ビスフェノール類、濃度等によっても変わるが、原料ビスフェノールに対し、通常、0.1〜100wt%の範囲、好ましくは0.5〜10wt%の範囲である。
水素化反応は、好ましくは、溶媒の存在下に行われる。用いられる溶媒としては、原料を溶解して、反応を阻害しないものであれば特に制限はないが、エタノール、2−ブタノール、2−プロパノール等の脂肪族アルコールが好ましい。溶媒量としては、通常、原料ビスフェノール100重量部に対して50〜1000重量部の範囲、好ましくは100〜300重量部の範囲である。反応温度としては、通常、20〜200℃の範囲、好ましくは100〜150℃の範囲である。また、反応圧力(水素圧)は、通常、常圧〜10MPa程度、好ましくは0.1〜5MPaの範囲である。このような反応条件において、水素化反応は、通常、2〜40時間程度で完結する。
上記反応終了後、反応生成混合物から触媒を濾別分離し、ついで中間原料であるビス(4−ヒドロキシシクロキサン)を含んだ濾液又はその濾液から溶媒を溜去して得られた蒸留残渣に次亜ハロゲン化酸等の酸化剤または酸化触媒及び必要に応じて溶媒を加えて酸化反応を行う。
上記酸化反応に用いられる酸化剤又は酸化触媒としては、収率よく反応するものであれば特に制限はないが、例えば、銅酸化物、銅−クロム酸化物、銅−亜鉛酸化物等の銅系酸化触媒、次亜塩素酸、次亜臭素酸等の次亜ハロゲン酸又はその塩等が挙げられる。好ましくは、次亜ハロゲン酸又はその塩であり、用いられる酸化剤の量としては、通常、中間原料のビス(4−ヒドロキシシクロキサン)類1モル部に対し、2〜4モル倍の範囲である。
酢酸等の有機カルボン酸を次亜ハロゲン化酸又はその塩と併用するのが、反応を短時間で完結できる理由でさらに好ましく、用いられる有機カルボン酸の量は、次亜ハロゲン化酸又はその塩1モルに対して1〜2モル倍である。
上記酸化反応は、通常、溶媒の存在下に行われる。用いられる溶媒としては、原料を溶かして反応を阻害しないものであれば特に制限はないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の脂肪族ケトン類、又は酢酸等が好ましい溶媒として挙げられる。溶媒量としては、通常、原料ビス(4−ヒドロキシシクロキサン)類100重量部に対して50〜1000重量部の範囲、好ましくは100〜300重量部の範囲である。
また、反応温度は、通常、0〜100℃の範囲 好ましくは20〜50℃の範囲である。
このような反応条件において、酸化反応は、通常、0.1〜5時間程度で完結する。
上記反応終了後、得られた反応終了混合物から目的物を精製するには、公知の方法を適宜用いることができる。例えば、反応終了混合物に水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水を加え、中和する。中和後、水層を分離除去するために必要に応じてトルエン、キシレン、メチルイソブチルケトン又はエーテル等の水と分離可能な溶媒を加え、その後、水層を分離すると共に得られた油層を水洗し、次いで、必要に応じて溶媒を溜去した後、これに適宜の晶析溶媒を添加し、晶析又は沈析させ、ろ過することによって、また、必要に応じて、前記濾別して得られた結晶に、晶析に用いた溶媒を注いで洗浄した後、目的物の結晶を得ることができる。
必要に応じてさらに精製が必要な場合は、このような再結晶を複数回繰り返しても良い。
次に、本発明による今ひとつの新規化合物であるテトラキスフェノール化合物は上記一般式2)で表される。
式中、R及びRは、各々独立して水素原子又は炭素原子数1〜8のアルキル基を示し、具体的には、メチル基、エチル基、炭素原子数3〜8の直鎖状、分岐鎖状のプロピル、ブチル、ペンチル、オクチル等のアルキル基、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル等のシクロアルキル基等が挙げられる。これらのうち好ましくは炭素原子数1〜4のアルキル基である。また、RとRの両方がアルキル基の場合少なくとも一つが1級または2級アルキル基であることが好ましい。
また、nが1のときRの置換位置は2−位が好ましく、nが2のときRの置換位置は2−位および6−位が好ましい。
従って、このような一般式(2)で表されるテトラキスフェノール化合物としては、具体的には、例えば、
1,3−ビス{1−メチル−1−[4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]エチル}ベンゼン
1,3−ビス{1−メチル−1−[4,4−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]エチル}ベンゼン
1, 3−ビス{1−メチル−1−[4,4−ビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]エチル}ベンゼン
さらに、
1,3−ビス{1−メチル−1−[4,4−ビス(3−エチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]エチル}ベンゼン、
1,3−ビス{1−メチル−1−[4,4−ビス(3−イソプロピル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]エチル}ベンゼン、
1,3−ビス{1−メチル−1−[4,4−ビス(3−sec−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]エチル}ベンゼン、
1,3−ビス{1−メチル−1−[4,4−ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]エチル}ベンゼン、
1,3−ビス{1−メチル−1−[4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルシクロヘキシル]エチル}ベンゼン、
1,3−ビス{1−メチル−1−[4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−2,5−ジメチルシクロヘキシル]エチル}ベンゼン、
1,3−ビス{1−メチル−1−[4,4−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルシクロヘキシル]エチル}ベンゼン、
1,3−ビス{[4,4−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]メチル}ベンゼン、
1,3−ビス{[4,4−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2―メチルシクロヘキシル]メチル}ベンゼン、
1,3−ビス{1−メチル−1−[4,4−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2,3,5−トリメチルシクロヘキシル]エチル}ベンゼン、
1,3−ビス{2−メチル−2−[4,4−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル]エチル}ベンゼン、
1,3−ビス{1−エチル−1−[4,4−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルシクロヘキシル]エチル}ベンゼン、
1,3−ビス{1−エチル−1−[4,4−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルシクロヘキシル]プロピル}ベンゼン、
1,3−ビス{1−イソプロピル−1−[4,4−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルシクロヘキシル]ブチル}ベンゼン、
等が挙げられる。
本発明における、新規なテトラキスフェノール化合物の製造方法としては、特に限定はされないが、工業的に容易に、高収率で、高純度品が得られる理由で、本発明の新規なビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物を原料とし、これを好ましくは溶媒中、酸触媒の存在下に、フェノール類と縮合反応させることにより製造する方法が好ましい。
従って、本発明によるテトラキスフェノール化合物の製造方法において、原料のビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物と共に用いられる原料のフェノール類としては、下記一般式(4)
一般式(4)
(式中、R及びRは、一般式(2)のそれと同じである。)
で表わされるフェノール類であり、具体的には、例えば、フェノール、o−クレゾール、2,6−キシレノール、2−イソブチルフェノール、2−シクロペンチルフェノール、2−シクロヘキシルフェノール、2−sec−ブチルフェノール、2−t−ブチルフェノール、2−イソプロピルフェノール、2−エチルフェノール、2−シクロヘキシル−6−メチルフェノール等が挙げられる。
このようなフェノール類とビス(4−オキソシクロヘキシル)との反応において、フェノール類は、ビス(4−オキソシクロヘキシル)1モル部に対して、通常、4〜20モル部の範囲、好ましくは8〜12モル部の範囲で用いられる。
フェノール類とビス(4−オキソシクロヘキシル)との反応において、反応溶媒は用いてもよく、また、用いなくてもよい。しかしながら、原料及び酸触媒が均一に溶解できない場合、又は、反応液の粘度が高い等の理由で十分攪拌できない場合は、溶媒を用いることが好ましい。反応溶媒としては、メタノール、n−ブタノール、t−ブタノール、シクロヘキサノール等の低級脂肪族アルコール類、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素類、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−ペンタン等の飽和炭化水素類を挙げることができ、これらの内では、メタノール等の炭素原子数1〜4の低級脂肪族アルコール類が好ましい。
このような溶媒は、通常、用いるフェノール類1重量部に対して、0.1〜10重量倍の範囲、好ましくは0.5〜2重量倍で用いられるが、これに限定されるものではない。
本発明において用いられる酸触媒としては、反応混合液に溶解する酸であれば特に制限はなく、例えば、塩酸、硫酸、塩化水素ガス、リン酸等の鉱酸、蟻酸、シュウ酸、p−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸があげられるが、好ましくは、塩酸、塩化水素ガスである。
このような酸触媒は、通常、ビス(4−オキソシクロヘキシル)に対して5wt%〜100wt%の範囲で用いられ、また、乾燥塩化水素ガスの場合は、好ましくは、反応系内を飽和させる量において用いられる。
上記反応に際し、反応速度が遅い又は収率が低い等の場合、反応を促進させるために、必要に応じて助触媒を用いることができる。このような助触媒としては、メチルメルカプタン、エチルメルカプタン、n−ドデカンチオール、n−オクタンチオール等のアルキルメルカプタン類を挙げることができる。このような助触媒は、ビス(4−オキソシクロヘキシル)に対して、通常、1〜10wt%の範囲で用いられる。
反応温度は、通常、0〜60℃の範囲、好ましくは10〜40℃の範囲である。このような反応条件において、反応は、通常、1〜20時間程度、好ましくは1〜10時間程度で完結する。
上記反応に際し、原料等の添加方法は特に限定されないが、フェノール類が存在してもよい酸触媒存在溶液中に、ビス(4−オキソシクロヘキシル)類とフェノール類の混合溶液を滴下する方法が好ましい。その際、反応混合物を液状に保つために溶媒を適宜使用してもよい。
反応終了後、得られた反応終了混合物から目的物を精製するには、公知の方法を適宜用いることができる。例えば、反応終了混合物に水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水を加え、中和する。中和後、水層を分離除去するために必要に応じてトルエン、キシレン、メチルイソブチルケトン又はエーテル等の水と分離可能な溶媒を加え、その後、水層を分離すると共に得られた油層を水洗し、次いで、必要に応じて溶媒や原料フェノール類を留去した後、これに適宜の晶析溶媒を添加し、晶析又は沈析させ、ろ過することによって、結晶体、又は非結晶体(アモルファス体)として目的物を得ることができる。また、テトラキスフェノール化合物によっては、フェノール類又は晶析に用いた溶媒との付加物結晶として得ることもできる。
晶析溶媒としては、具体的には、晶析条件、精製効果、経済性等を考慮して、適宜に選択されるが、例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、メタノール、ブタノール、エタノール等の脂肪族アルコール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の脂肪族ケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン等の鎖状、環状の脂肪族エステル類、n−ヘプタン、n−ヘキサン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素類、酢酸、ブタン酸等の脂肪族カルボン酸類を挙げることができる。
本発明では、得られた目的生成物の純度が低い場合等、必要なら、得られた目的生成物の性状に応じて、さらに精製をおこなってもよい。そのような精製方法としては、目的生成物が結晶体の場合は、再結晶、又は再沈を1回〜複数回行って精製してもよいし、また、晶析あるいは再結晶に使用される溶媒を、得られた結晶体又は非結晶体に注いで再度洗浄して精製してもよい。
また、得られた目的生成物が低沸点化合物(溶媒)との付加物結晶(アダクト結晶)の場合には、減圧下、100〜200℃程度で付加物結晶を熱で分解し、付加した化合物(溶媒)を除去して精製してもよい。
さらに、得られた目的生成物が結晶体又は個体状(非結晶体)として得られない場合は、上記得られた反応混合物を、蒸留等で原料フェノール類除去した後、その蒸留残渣として、目的物の粗製物を得ることができ、又は、カラム分離法等でも高純度品を得ることができる。
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。
(1,3−ビス(1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル)ベンゼンの合成);
1L容量のSUS製オートクレーブに1,3−ビス〔1−メチル−1−(4−ヒドロキシフェニル)エチル〕ベンゼン(以下BisP-Mと略称)266.0g(0.768モル)、川研ファイン製5%Pd/C(ADタイプ)2.5g、2−ブタノール400gを仕込み、オートクレーブ内部を水素で置換した後、攪拌しながら135℃に昇温した。その後、反応温度135℃、水素圧0.25MPaを保持しながら13時間反応をおこなった。
反応液をガスクロマトグラフィー分析した結果、その組成値(Area%)は、ビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物が71.8%、1−(1−メチル−1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル)−3−(1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル)ベンゼンが26.3%、1,3−ビス(1−メチル−1−(4−ヒドロキシシクロヘキシル)エチル)ベンゼンが1.5%であった。
反応終了後、触媒を濾別し、濾液を蒸留し、溶媒を留出させ、除去した。 得られた蒸留残渣267gにメチルイソブチルケトン400g、酢酸20.5gを加えて溶解させた後、室温で10%次亜塩素酸水溶液233.0gを1.5時間かけて滴下し、滴下終了後、室温で1時間、酸化反応をおこなった。
反応終了後、反応終了混合液に16%水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和し、水層を分液除去した。得られた油層に水を加えて攪拌後、水層を分液除去した。得られた油層に同様の水洗操作を2回行った。その後、溶媒を蒸留により除去した後、残渣にヘプタン266gを加えて加熱溶解して、晶析し、結晶を析出させた。
析出した結晶を濾別、乾燥して純度99%(ガスクロマトグラフィー分析法)、融点100〜101℃(DSC法)の淡黄色結晶232.0g(原料のBisP-Mに対する収率84モル%)を得た。
プロトンNMR分析及び液体クロマトグラフィー質量分析により目的物であることを確認した。
分子量 377(M+Na)(液体クロマトグラフィー質量分析法/大気圧化学イオン化法)
プロトンNMR分析結果(400MHz、溶媒:DMSO-d6、基準物質:テトラメチルシラン)
(1,3−ビス(1−メチル−1−(4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル)エチル)ベンゼンの合成);
1Lのガラス製四つ口フラスコにメタノール33.0g、ドデシルメルカプタン4.2gを仕込み、塩酸ガスでフラスコ内を置換した。その後、実施例1で得られた1,3−ビス(1−メチル−1−(4−オキソシクロヘキシル)エチル)ベンゼン(以下4H-BPMと略称)70.9g (0.200モル)に フェノール225.8g(2.40モル)とメタノール113gを加えて溶解した混合液をこの溶液に塩酸ガスの吹き込みを続けながら攪拌下1.5時間かけて滴下した。滴下中、反応液を25〜30℃に保持した。滴下終了後、塩酸ガス吹き込みを続けながら25〜30℃で1時間反応を続けたところで結晶が析出し、反応液が固化したためトルエン316gとメタノール45gを加えた。その後さらに塩酸ガス吹き込みを続けながら4時間反応を続けた。
反応終了後、反応液に16%水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和し、70℃に昇温して水層を分離した。得られた油層に水を加えて攪拌して水洗した後、水層を分離した。得られた油層から溶媒を留去した後、フェノールを減圧蒸留することにより回収し、残った蒸留残渣に酢酸エチル278gとシクロヘキサン139gの混合液を添加して加熱溶解し、晶析した。析出した結晶を濾別して粗結晶約200gを得た。
得られた粗結晶を2−プロパノールとメタノールの混合液で再晶析した後、冷却、ろ過して、減圧下、180℃で乾燥し、純度99.1%(HPLC分析法)の透明固体(非結晶体)71.0g(原料の4H-BPMに対する収率54%)を得た。液体クロマトグラフィー質量分析及びプロトンNMR分析より目的物であることを確認した。
分子量693(M−H)(液体クロマトグラフィー質量分析法/大気圧化学イオン化法)
ガラス転移温度 137.3℃(示差走査熱量計による)融点は認められなかった。
プロトンNMR分析結果(400MHz、溶媒:DMSO-d6、基準物質:テトラメチルシラン)
(1,3−ビス(1−メチル−1−(4,4−ビス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル)エチル)ベンゼンの合成);
1Lのガラス製四つ口フラスコにo−クレゾール108.0g、メタノール26.6g、ドデシルメルカプタン4.4gを仕込み、塩酸ガスでフラスコ内を置換した。その後、実施例1で得られた4H-BPM88.6g(0.250モル) にo−クレゾールを216.0g(2.00モル)とメタノール17.7gを加えて溶解した混合液を攪拌下塩酸ガスの供給を続けながら1.0時間かけて滴下した。滴下中、反応液を25〜30℃に保持した。滴下終了後、塩酸ガスの供給を続けながら25〜30℃で1.5時間反応を続けたところで結晶が析出し、反応液が固化したためメタノール44.3gを加えた。その後、さらに塩酸ガス吹き込みを続けながら4時間反応を続けた。
反応終了後、反応液に16%水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和し、78℃に昇温して水層を分離した。得られた油層にトルエン376gと水を加えて攪拌して水洗した後、水層を分離した。得られた油層から溶媒を留去した後、o−クレゾールを減圧蒸留することにより回収し、残った蒸留残渣にトルエン469gを加え、加熱溶解して晶析した。析出した結晶を濾別して粗結晶318gを得た。
この粗結晶を2−プロパノールとメタノールの混合液で溶解、再晶析した後、冷却、ろ過し、4KPa、180℃で乾燥して純度98.0%(HPLC)の透明固体(非結晶)67.0gを得た。液体クロマトグラフィー質量分析及びプロトンNMR分析より目的物であることを確認した。
収率35.4%(対4H-BPM)
分子量 749(M−H)(液体クロマトグラフィー質量分析法/大気圧化学イオン化法)
ガラス転移温度 110.6℃(示差走査熱量計による)融点は認められなかった。
プロトンNMR分析結果(400MHz、溶媒:DMSO-d6、基準物質:テトラメチルシラン)
〔比較例〕
(1,4−ビス〔1−メチル−1−(4−ヒドロキシフェニル)エチル〕ベンゼンの水素化);
1LのSUS製オートクレーブに1,4−ビス〔1−メチル−1−(4−ヒドロキシフェニル)エチル〕ベンゼンを20g(0.058モル)、川研ファイン製5%Pd/C(ADタイプ)2.0g、2−ブタノール400gを仕込み、水素置換後、攪拌しながら反応温度120℃/水素圧0.4MPaを保持しながら反応をおこなった。しかし理論吸収量の約20%で水素の吸収が停止した。このことから、1,4−結合体は、本発明の1,3−結合体と比べ水素化反応性が困難で、容易にビス(4−オキソシクロヘキシル)が得られないことが判った。
室温下、オートクレーブを開けてみると白色結晶が析出して反応液が固化していた。この白色結晶はテトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒にもまったく溶けなかった。

Claims (2)

  1. 一般式(1)
    一般式(1)
    (式中、Xは、炭素原子数1〜8の2価の飽和炭化水素基を示し、Rは、炭素原子数1〜8のアルキル基を示し、nは0〜4の整数を示す。)で表されるビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物。
  2. 一般式(2)
    一般式(2)
    (式中、R及びRは、各々独立して水素原子又は炭素原子数1〜8のアルキル基を示し、R、X及びnは、一般式(1)のそれと同じである。)で表されるテトラキスフェノール化合物。
JP2007199452A 2007-07-31 2007-07-31 ビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物及びそれから誘導されるテトラキスフェノール化合物 Active JP5127346B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007199452A JP5127346B2 (ja) 2007-07-31 2007-07-31 ビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物及びそれから誘導されるテトラキスフェノール化合物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007199452A JP5127346B2 (ja) 2007-07-31 2007-07-31 ビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物及びそれから誘導されるテトラキスフェノール化合物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009035495A JP2009035495A (ja) 2009-02-19
JP5127346B2 true JP5127346B2 (ja) 2013-01-23

Family

ID=40437740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007199452A Active JP5127346B2 (ja) 2007-07-31 2007-07-31 ビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物及びそれから誘導されるテトラキスフェノール化合物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5127346B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120066923A (ko) 2010-12-15 2012-06-25 제일모직주식회사 신규 페놀 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101423539B1 (ko) 2010-12-20 2014-07-25 삼성전자 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3830666B2 (ja) * 1998-07-15 2006-10-04 本州化学工業株式会社 新規な4核体ポリフェノール化合物
JP3797799B2 (ja) * 1998-08-19 2006-07-19 本州化学工業株式会社 新規なビスフェノール化合物
JP2000063310A (ja) * 1998-08-19 2000-02-29 Honshu Chem Ind Co Ltd 新規なビスフェノール化合物
JP2001199920A (ja) * 2000-01-19 2001-07-24 Honshu Chem Ind Co Ltd ビスシクロヘキシルアルカン類とその製造方法
JP4181791B2 (ja) * 2002-04-08 2008-11-19 本州化学工業株式会社 ヒドロキシメチル置換多官能フェノール類
JP2004004233A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Fujifilm Arch Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009035495A (ja) 2009-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7446234B2 (en) Bisphenol compound and process for preparation thereof
JP6078675B2 (ja) トリスフェノール類の製造方法
JP5127346B2 (ja) ビス(4−オキソシクロヘキシル)化合物及びそれから誘導されるテトラキスフェノール化合物
JP6181048B2 (ja) 4,4”−ジヒドロキシ−m−ターフェニル類の製造方法
KR101607717B1 (ko) 신규한 테트라키스(에테르 치환-포르밀페닐)류 및 그것으로부터 유도되는 신규한 다핵 폴리(페놀)류
JP4896536B2 (ja) ポリオルソ−メチルフェノール類の製造方法
KR900001284B1 (ko) 4,4'-비페놀의 제조방법
JP6071739B2 (ja) 1,3−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン類の製造方法
JP4041661B2 (ja) 4−(4’−(4”−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル)−1−ヒドロキシベンゼン類の製造方法
JP4067974B2 (ja) 1,3,5−トリス(4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン類及びその製造方法
JP4243448B2 (ja) 新規な4−(4’−(4”−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル)−1−ヒドロキシベンゼン類
JPS63190853A (ja) 4’−ヒドロキシビフエニル−4−カルボン酸の製造方法
JP4757281B2 (ja) 新規な4−(4’−(4”−ヒドロキシフェニル)シクロヘキシル)−1−ヒドロキシベンゼン類
JP4472063B2 (ja) ジシクロヘキサン誘導体の製造方法
JP4723943B2 (ja) 3,3’−ジアルキル−4,4’−ビフェノールの製造方法
JP4022388B2 (ja) 新規な4−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類
JP4829927B2 (ja) 4,4’’’−ジヒドロキシ−p−クォーターフェニル類及びその製造方法
JP4022387B2 (ja) 新規な4−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類
JP4786082B2 (ja) 新規な4−置換シクロヘキシルフェノール類
WO2004035513A1 (ja) 新規な4,4’−ジヒドロキシフェニル−ビシクロヘキセン類
JP2533565B2 (ja) 3―(4―ヒドロキシフェニル)―シクロヘキサンカルボン酸及び4’―ヒドロキシビフェニル―3―カルボン酸の製造方法
JP4896539B2 (ja) 3−アルキル−4,4’−ビフェノールの製造方法及び3−アルキル−4,4’−ビフェノールと3,3’−ジアルキル−4,4’−ビフェノールとの混合物の製造方法
JPH04257536A (ja) シクロヘキサン環を有するジオール化合物及びシクロヘキサン環を有するジオール化合物の製造方法
JP2005247809A (ja) 4,4’’’−ジヒドロキシ−p−クォーターフェニル類及びその製造方法
JP2019026627A (ja) 新規なビスフェノール化合物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120717

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20120914

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20120914

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121023

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121030

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5127346

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250