JPS63190853A - 4’−ヒドロキシビフエニル−4−カルボン酸の製造方法 - Google Patents
4’−ヒドロキシビフエニル−4−カルボン酸の製造方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は4′−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸
の新規な製造方法に関する。
の新規な製造方法に関する。
4°−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸は、ポリ
マー原料及び液晶化合物中間体として掻めて有用な化合
物である。
マー原料及び液晶化合物中間体として掻めて有用な化合
物である。
(従来の技術)
4゛−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸の製造法
として提案されている方法は少なく、次の3通りの方法
が知られているに過ぎない。
として提案されている方法は少なく、次の3通りの方法
が知られているに過ぎない。
(イ)p−フェニルフェノールをp−メトキシビフェニ
ルとしたのち、フリーデルタラット反応によって4−メ
トキシ−4゛−アセトビフェニルを合成し、引続き酸化
して4−メトキシ−4”−カルボキシビフェニルとし、
臭化水素酸で処理して目的物を得る方法〔ジャーナル
オブ アメリカンケミカル ソサイアティ(J、A、C
,S、、58.1738))。
ルとしたのち、フリーデルタラット反応によって4−メ
トキシ−4゛−アセトビフェニルを合成し、引続き酸化
して4−メトキシ−4”−カルボキシビフェニルとし、
臭化水素酸で処理して目的物を得る方法〔ジャーナル
オブ アメリカンケミカル ソサイアティ(J、A、C
,S、、58.1738))。
C口)p−ヨード安息香酸メチルエステルとp −ヨー
ドアニソールとを反応させ、4−メトキシ−4゛−カル
ボキシビフェニルを得、引続き(イ)と同様に処理して
目的物を得る方法〔ブリチン オプ ザ ケミカル ソ
サイアティ オブ ジ中パン(Bull、Chem、S
oc、Japan、30,508〜13.1957))
。
ドアニソールとを反応させ、4−メトキシ−4゛−カル
ボキシビフェニルを得、引続き(イ)と同様に処理して
目的物を得る方法〔ブリチン オプ ザ ケミカル ソ
サイアティ オブ ジ中パン(Bull、Chem、S
oc、Japan、30,508〜13.1957))
。
(ハ)4′−アミノビフェニル−4−カルボン酸のジア
ゾ化、加水分解により目的物を得る方法(F。
ゾ化、加水分解により目的物を得る方法(F。
P、735.846 )などが知られている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記のような従来法においてはどの方法
も高価な原料を必要とする。比較的安価なp−フェニル
フェノールを出発原料とする(イ)の方法でも、多工程
を要し、且つ、各工程で使用する原料が高価であり、さ
らに排水処理等の面からも多くの問題点を有する。従っ
て必然的に得らてる4′−ヒドロキシビフェニル−4−
カルボン酸は極めて高価なものとならざるを得す、工業
的な製造方法はいまだ提案されていないと言っても過言
ではない。
も高価な原料を必要とする。比較的安価なp−フェニル
フェノールを出発原料とする(イ)の方法でも、多工程
を要し、且つ、各工程で使用する原料が高価であり、さ
らに排水処理等の面からも多くの問題点を有する。従っ
て必然的に得らてる4′−ヒドロキシビフェニル−4−
カルボン酸は極めて高価なものとならざるを得す、工業
的な製造方法はいまだ提案されていないと言っても過言
ではない。
本発明者等は前述従来法の欠点を改良すべく鋭意検討し
た結果、新規な製造法を見出し、本発明に到達した。即
ち本発明は一般式(1)(式中、Rは水素原子または低
級アルキル基を表す、)で示される4−ヒドロキシ安息
香酸類を2級アルコールまたは3級アルコール溶媒中で
接触水素化反応させて一般式(II) (式中、Rは式(1)のRと同一、)で示されるシクロ
ヘキサノン−4−カルボン酸類を含有する反応混合物を
得、酸触媒の存在下、これをフェノールと反応させて一
般式(III) (式中、Rは式(1)のRと同一、)で示される4、4
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカ
ルボン酸類エステル及び4.4−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−シクロヘキサンカルボン酸の混合物を得、
引続きこの混合物を塩基および脱水素触媒の存在下、分
解・脱水素反応させ、4−ヒドロキシ安息香酸類より4
゛−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸を得る一連
の工業的製造方法である。
た結果、新規な製造法を見出し、本発明に到達した。即
ち本発明は一般式(1)(式中、Rは水素原子または低
級アルキル基を表す、)で示される4−ヒドロキシ安息
香酸類を2級アルコールまたは3級アルコール溶媒中で
接触水素化反応させて一般式(II) (式中、Rは式(1)のRと同一、)で示されるシクロ
ヘキサノン−4−カルボン酸類を含有する反応混合物を
得、酸触媒の存在下、これをフェノールと反応させて一
般式(III) (式中、Rは式(1)のRと同一、)で示される4、4
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカ
ルボン酸類エステル及び4.4−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−シクロヘキサンカルボン酸の混合物を得、
引続きこの混合物を塩基および脱水素触媒の存在下、分
解・脱水素反応させ、4−ヒドロキシ安息香酸類より4
゛−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸を得る一連
の工業的製造方法である。
本発明方法において、目的生成物の4゛−ヒドロキシビ
フェニル−4−カルボン酸の前駆体である一般式(II
I) で示される4、4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
シクロヘキサンカルボン酸エステルおよび4.4−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン
酸は新規化合物であり、先に出願した。
フェニル−4−カルボン酸の前駆体である一般式(II
I) で示される4、4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−
シクロヘキサンカルボン酸エステルおよび4.4−ビス
(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン
酸は新規化合物であり、先に出願した。
また、シクロヘキサノン−4−カルボン酸類をフェノー
ルと反応させたのち分解・脱水素反応させて4°−ヒド
ロキシビフェニル−4−カルボン酸を合成する反応も全
く新規な反応であり、先に出願した。
ルと反応させたのち分解・脱水素反応させて4°−ヒド
ロキシビフェニル−4−カルボン酸を合成する反応も全
く新規な反応であり、先に出願した。
さらに本発明者らは、原料となる式(夏)化合物の4−
ヒドロキシ安息香酸類を、接触水素化反応させた場合、
過水素化物であるシクロへキサノール−4−カルボン酸
類が無視できない程の比較的多量副生するが、シクロヘ
キサノール−4−カルボン酸類は加熱により水またはア
ルコールを脱離して容易にラクトン体化合物となること
がわかった。
ヒドロキシ安息香酸類を、接触水素化反応させた場合、
過水素化物であるシクロへキサノール−4−カルボン酸
類が無視できない程の比較的多量副生するが、シクロヘ
キサノール−4−カルボン酸類は加熱により水またはア
ルコールを脱離して容易にラクトン体化合物となること
がわかった。
特に原料となる一般式(I)化合物が、エステルの場合
は水素化反応では高収率で相応の式(■)化合物が得ら
れるものの、例えば副生成物のシクロヘキサノール−4
−カルボン酸メチルは加熱により容易に脱メタノールし
て2−オキサビシクロ(2,2,2)オクタン−3−オ
ンとなる。このラクトン体の沸点と式(II)で示され
るシクロヘキサノン−4−カルボン酸メチルの沸点とは
、その差が小さく、蒸留により両者を分離するには非常
に大きな理論段数と遺留比を必要とし、分離の際の式(
II)化合物のロスも少なくない。
は水素化反応では高収率で相応の式(■)化合物が得ら
れるものの、例えば副生成物のシクロヘキサノール−4
−カルボン酸メチルは加熱により容易に脱メタノールし
て2−オキサビシクロ(2,2,2)オクタン−3−オ
ンとなる。このラクトン体の沸点と式(II)で示され
るシクロヘキサノン−4−カルボン酸メチルの沸点とは
、その差が小さく、蒸留により両者を分離するには非常
に大きな理論段数と遺留比を必要とし、分離の際の式(
II)化合物のロスも少なくない。
したがって、式(1)化合物の接触水素化反応において
は、出来得る限りシクロヘキサノール−4−カルボンM
Hの副生を抑制する必要があり、本発明においては、2
級または3級アルコール溶媒中で接触水素化反応を行う
ことにより、シクロへキサノール−4−カルボン酸類な
どの副生物が低く抑制されて速やかに高収率でシクロへ
キサノン−4−カルボン酸類を得ることができる。また
、本発明においては得られたシクロヘキサノン−4−カ
ルボン酸類とフェノールとの縮合反応は100℃以下、
通常40〜70℃の比較的低い温度の液相で実施できる
ので、副生の過水素化物のシクロヘキサノール−4−カ
ルボン酸類が混入していても反応速度には影響せず、ラ
クトン体に転化することもない。
は、出来得る限りシクロヘキサノール−4−カルボンM
Hの副生を抑制する必要があり、本発明においては、2
級または3級アルコール溶媒中で接触水素化反応を行う
ことにより、シクロへキサノール−4−カルボン酸類な
どの副生物が低く抑制されて速やかに高収率でシクロへ
キサノン−4−カルボン酸類を得ることができる。また
、本発明においては得られたシクロヘキサノン−4−カ
ルボン酸類とフェノールとの縮合反応は100℃以下、
通常40〜70℃の比較的低い温度の液相で実施できる
ので、副生の過水素化物のシクロヘキサノール−4−カ
ルボン酸類が混入していても反応速度には影響せず、ラ
クトン体に転化することもない。
このため、本発明のフェノールとの縮合反応においては
、反応混合液のまま反応に供することが出来、縮合反応
で得られた式(I[[)化合物の前駆体は、固体沈澱物
として生成するので、混入していた過水素化物のシクロ
へキサノール−4−カルボン酸は固液分離により容易に
分離できる。
、反応混合液のまま反応に供することが出来、縮合反応
で得られた式(I[[)化合物の前駆体は、固体沈澱物
として生成するので、混入していた過水素化物のシクロ
へキサノール−4−カルボン酸は固液分離により容易に
分離できる。
本発明はこれらの知見に基づき発明されたちのであり、
式(1)化合物を2級または3級アルコール溶媒中で接
触水素化反応を行い、引続き過水素化物を含有する反応
マスのままフェノールと反応させ得られた式(III)
化合物を分解脱水素反応させれば目的の4″−ヒドロキ
シビフェニル−4−カルボン酸を一連の工程で高収率で
工業的に得ることができるものである。
式(1)化合物を2級または3級アルコール溶媒中で接
触水素化反応を行い、引続き過水素化物を含有する反応
マスのままフェノールと反応させ得られた式(III)
化合物を分解脱水素反応させれば目的の4″−ヒドロキ
シビフェニル−4−カルボン酸を一連の工程で高収率で
工業的に得ることができるものである。
本発明の好ましいい態様は以下のとおりである。
本発明において反応に使用しうる2級アルコールまたは
3級アルコールとしては、実施される反応温度で液体で
あり、反応条件下で水添を受けない化合物が選ばれる0
例えば、イソプロピルアルコール、5ee−ブチルアル
コール、5ee−アミルアルコール、ジエチルカルビノ
ール、メチルイソブチルカルビノール、3−ヘプタツー
ル、メチルアミルカルビノール等の脂肪族2級アルコー
ル、1−ブチルアルコール、t−アミルアルコール、1
−メチルシクロヘキサノール等の3級アルコールが挙げ
られる。
3級アルコールとしては、実施される反応温度で液体で
あり、反応条件下で水添を受けない化合物が選ばれる0
例えば、イソプロピルアルコール、5ee−ブチルアル
コール、5ee−アミルアルコール、ジエチルカルビノ
ール、メチルイソブチルカルビノール、3−ヘプタツー
ル、メチルアミルカルビノール等の脂肪族2級アルコー
ル、1−ブチルアルコール、t−アミルアルコール、1
−メチルシクロヘキサノール等の3級アルコールが挙げ
られる。
これらの溶媒の中では、過水素化合物の抑制効果や価格
、反応後の分離、回収率等を考慮した場合、イソプロピ
ルアルコールは最も好ましい溶媒の一つである。
、反応後の分離、回収率等を考慮した場合、イソプロピ
ルアルコールは最も好ましい溶媒の一つである。
その使用量は、前記一般式(1)で表されるヒドロキシ
安息香酸R1重量部に対し通常0.5〜5重量部、好ま
しくは1〜3重量部がよい。
安息香酸R1重量部に対し通常0.5〜5重量部、好ま
しくは1〜3重量部がよい。
また本発明に用いることのできる式(1)化合物として
はp−ヒドロキシ安息香酸およびそのエステル、即ちp
−ヒドロキシ安息香酸メチル、p−ヒドロキシ安息香酸
エチル、p−ヒドロキシ安息香酸プロピルまたはp−ヒ
ドロキシ安息香酸ブチルが挙げられる。
はp−ヒドロキシ安息香酸およびそのエステル、即ちp
−ヒドロキシ安息香酸メチル、p−ヒドロキシ安息香酸
エチル、p−ヒドロキシ安息香酸プロピルまたはp−ヒ
ドロキシ安息香酸ブチルが挙げられる。
また接触水素化反応において使用しうる触媒としては、
公知の水添触媒なら特に限定されないが、例えば、ラニ
ーニッケル、還元ニッケル、ニッケル珪素土、アルミナ
、軽石、シリカゲル、酸性白土などの種々の担体に担持
したニッケル担体触媒、ラネーコバルト、還元コバルト
、コバルト−担体触媒などのコバルト触媒、ラネー銅、
還元銅、銅−担体触媒などの銅触媒、パラジウム黒、酸
化パラジウム、コロイドパラジウム、パラジウム−炭素
、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−酸化マグネ
シウム、パラジウム−アルミナなどのパラジウム触媒、
白金黒、コロイド白金、酸化白金、硫化白金、白金−炭
素などの白金−担体触媒等の白・金触媒、コロイドロジ
ウム、ロジウム−炭素、酸化ロジウムなどのロジウム触
媒、ルテニウム触媒などの白金族触媒、七酸化ニレニウ
ム、レニウム−炭素などのレニウム触媒、銅クロム酸化
物触媒、酸化モリブデン触媒、酸化バナジウム触媒、酸
化タングステン触媒、銀触媒などが挙げられる。
公知の水添触媒なら特に限定されないが、例えば、ラニ
ーニッケル、還元ニッケル、ニッケル珪素土、アルミナ
、軽石、シリカゲル、酸性白土などの種々の担体に担持
したニッケル担体触媒、ラネーコバルト、還元コバルト
、コバルト−担体触媒などのコバルト触媒、ラネー銅、
還元銅、銅−担体触媒などの銅触媒、パラジウム黒、酸
化パラジウム、コロイドパラジウム、パラジウム−炭素
、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−酸化マグネ
シウム、パラジウム−アルミナなどのパラジウム触媒、
白金黒、コロイド白金、酸化白金、硫化白金、白金−炭
素などの白金−担体触媒等の白・金触媒、コロイドロジ
ウム、ロジウム−炭素、酸化ロジウムなどのロジウム触
媒、ルテニウム触媒などの白金族触媒、七酸化ニレニウ
ム、レニウム−炭素などのレニウム触媒、銅クロム酸化
物触媒、酸化モリブデン触媒、酸化バナジウム触媒、酸
化タングステン触媒、銀触媒などが挙げられる。
これらの触媒の内ではパラジウム触媒等の白金属触媒、
ニッケル触媒が好ましい、さらに好ましくはパラジウム
触媒である。パラジウム−炭素は最も好ましい触媒のひ
とつである。その使用量は原料の4−ヒドロキシ安息香
酸111モルに対し、パラジウム原子として通常o、o
ooi〜0.2グラム原子、好ましくは0.0003〜
0.01グラム原子の範囲である。
ニッケル触媒が好ましい、さらに好ましくはパラジウム
触媒である。パラジウム−炭素は最も好ましい触媒のひ
とつである。その使用量は原料の4−ヒドロキシ安息香
酸111モルに対し、パラジウム原子として通常o、o
ooi〜0.2グラム原子、好ましくは0.0003〜
0.01グラム原子の範囲である。
また水素の圧力は通常1〜50kg/c−d、好ましく
は2〜30 kg / c−の範囲である。圧力が高い
と副生物が増えるので得策ではない。
は2〜30 kg / c−の範囲である。圧力が高い
と副生物が増えるので得策ではない。
また反応温度は触媒量、溶媒種別により異なるが、通常
80〜200℃の範囲である。
80〜200℃の範囲である。
このようにして水添反応工程で得られた粗シクロへキサ
ノン−4−カルボン酸類は、溶媒を留去した反応マスの
まま次の工程に付されるが、縮合工程においてフェノー
ルと反応させても4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸およびそのエステルに
は前記の不純物は含まれない。
ノン−4−カルボン酸類は、溶媒を留去した反応マスの
まま次の工程に付されるが、縮合工程においてフェノー
ルと反応させても4,4−ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸およびそのエステルに
は前記の不純物は含まれない。
式(II)化合物のシクロへキサノン−4−カルボン酸
類とフェノールとの反応においては酸性触媒の存在下に
反応させて、相応の式(I[[)化合物である4、4−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンカルボ
ン酸類を得る。この時一部が酸触媒使用により加水分解
を受けて4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シ
クロヘキサンカルボン酸となる。
類とフェノールとの反応においては酸性触媒の存在下に
反応させて、相応の式(I[[)化合物である4、4−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサンカルボ
ン酸類を得る。この時一部が酸触媒使用により加水分解
を受けて4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シ
クロヘキサンカルボン酸となる。
勿論、式(II)中でRが水素原子の場合は、4.4−
ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカル
ボン酸のみが得られる。
ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカル
ボン酸のみが得られる。
式(n)化合物とフェノールとの縮合反応に使用される
酸触媒としては塩酸のほか、硫酸、リン酸、トルエンス
ルフォン酸、Rh 、ZnCfz 、AICj! 3
、SnCj! 4及び移動酸性基を有する陽イオン交換
樹脂などが挙げられる。これらの触媒の使用量は式(I
I)のシクロヘキサノン−4−カルボン酸類100重量
部あたり0.1〜3帽1部の範囲である。
酸触媒としては塩酸のほか、硫酸、リン酸、トルエンス
ルフォン酸、Rh 、ZnCfz 、AICj! 3
、SnCj! 4及び移動酸性基を有する陽イオン交換
樹脂などが挙げられる。これらの触媒の使用量は式(I
I)のシクロヘキサノン−4−カルボン酸類100重量
部あたり0.1〜3帽1部の範囲である。
また、助触媒の添加により反応速度を高めることも可能
であり、メチルメルカプタン、エチルメルカプタン、n
−プロピルメルカプタン、イソプロピルメルカプタン、
n−ブチルメルカプタン、イソブチルメルカプタン、t
−ブチルメルカプタンの如きアルキルメルカプタン叉は
高分子量アルキルメルカプタンなどが活性な助触媒であ
る。
であり、メチルメルカプタン、エチルメルカプタン、n
−プロピルメルカプタン、イソプロピルメルカプタン、
n−ブチルメルカプタン、イソブチルメルカプタン、t
−ブチルメルカプタンの如きアルキルメルカプタン叉は
高分子量アルキルメルカプタンなどが活性な助触媒であ
る。
また硫化水素、チオフェノール、チオアルコール、チオ
酸、重合体チオアセトン、ジアルキルスルフィドの如き
他のイオウ化合物やこれらと類似のセレン化合物もまた
用いることができる。
酸、重合体チオアセトン、ジアルキルスルフィドの如き
他のイオウ化合物やこれらと類似のセレン化合物もまた
用いることができる。
反応においては、芳香族炭化水素、塩素化脂肪族炭化水
素、氷酢酸などの反応に悪影響を及ぼさない溶媒を用い
て行うこともできる。しかしながら、生成物の収率を高
め、かつ副反応を最少にするには過剰量のフェノールを
溶媒とするのが望ましい、使用するフェノールの量は、
シクロへキサノン−4−カルボン酸類1重量部あたり2
重量部から1帽1部が適当である。
素、氷酢酸などの反応に悪影響を及ぼさない溶媒を用い
て行うこともできる。しかしながら、生成物の収率を高
め、かつ副反応を最少にするには過剰量のフェノールを
溶媒とするのが望ましい、使用するフェノールの量は、
シクロへキサノン−4−カルボン酸類1重量部あたり2
重量部から1帽1部が適当である。
また、本縮合反応における反応温度は30″Cから10
0°Cの範囲、好ましくは40℃から70°Cの範囲で
ある0反応温度が高いと副生物が増え、収率が低下する
ので好ましくない。
0°Cの範囲、好ましくは40℃から70°Cの範囲で
ある0反応温度が高いと副生物が増え、収率が低下する
ので好ましくない。
このようにして生成した前駆体4.4−ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸エステル
及び副生成の酸は、例えばヘンセ゛ンなどのようなこれ
らの化合物を溶解し難い溶媒に、反応マスを排出し、冷
却晶出させて固液分離し、分解脱水素反応に供される。
ロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸エステル
及び副生成の酸は、例えばヘンセ゛ンなどのようなこれ
らの化合物を溶解し難い溶媒に、反応マスを排出し、冷
却晶出させて固液分離し、分解脱水素反応に供される。
水添反応の際の前記の副生物はフェノールとの反応を受
けず液相側に分離される。また過剰に使用したフェノー
ルは、中和して晶出した塩を濾別するか、あるいは減圧
下で蒸留するなどの方法によって回収、再使用すること
ができる。
けず液相側に分離される。また過剰に使用したフェノー
ルは、中和して晶出した塩を濾別するか、あるいは減圧
下で蒸留するなどの方法によって回収、再使用すること
ができる。
加水分解により副生ずる4、4−ビス(4−ヒドロキシ
フェニル)−シクロヘキサンカルボン酸は、通常の条件
下では式([[)化合物に対して、10〜30重量%程
度であり、これは分離することな(、混合物のまま分解
・脱水素反応に供される。勿論分離しても何ら差し支え
ない。
フェニル)−シクロヘキサンカルボン酸は、通常の条件
下では式([[)化合物に対して、10〜30重量%程
度であり、これは分離することな(、混合物のまま分解
・脱水素反応に供される。勿論分離しても何ら差し支え
ない。
本発明の分解脱水素反応は、分解反応と脱水素反応とを
別工程として実施することも可能であるが、本発明にお
いては一工程で実施するのが効率的である。
別工程として実施することも可能であるが、本発明にお
いては一工程で実施するのが効率的である。
分解反応においては塩基性触媒が使用される。
効率的な分解用塩基性触媒は、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウム等の如きアルカリ金属水酸
化物、水酸化マグネシウム、水酸化バリウム等の如きア
ルカリ土類金属水酸化物、炭酸塩、酢酸塩、フェノキシ
ト、有機弱酸の塩を包含する。
化カリウム、水酸化リチウム等の如きアルカリ金属水酸
化物、水酸化マグネシウム、水酸化バリウム等の如きア
ルカリ土類金属水酸化物、炭酸塩、酢酸塩、フェノキシ
ト、有機弱酸の塩を包含する。
これらの触媒の中では、水酸化ナトリウム等強塩基性触
媒が好ましく、通常、式(III)の4.4−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸エ
ステル及び相応の酸に対し2〜40重置%、好ましくは
5〜20重量%の範囲で使用される。
媒が好ましく、通常、式(III)の4.4−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸エ
ステル及び相応の酸に対し2〜40重置%、好ましくは
5〜20重量%の範囲で使用される。
本発明の分解脱水素工程においては、このように塩基性
触媒を使用することにより、式(III)化合物のエス
テル基は容易に加水分解されて遊離カルボン酸となり、
高収率で目的生成物が得られる。
触媒を使用することにより、式(III)化合物のエス
テル基は容易に加水分解されて遊離カルボン酸となり、
高収率で目的生成物が得られる。
また、脱水素反応は通常触媒の存在下に実施される。触
媒は公知の脱水素触媒なら特に限定されないが、例えば
、ラネーニッケル、還元ニッケル、ニッケルを珪素土、
アルミナ、軽石、シリカゲル、酸性白土などの種々の担
体に担持したニッケル担体触媒、ラネーコバルト、還元
コバルト、コバルト−担体触媒などのコバルト触媒、ラ
ネー銅、還元銅、銅−担体触媒などの銅触媒、パラジウ
ム黒、酸化パラジウム、コロイドパラジウム、パラジウ
ム−炭素、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−酸
化マグネシウム、パラジウム−酸化カルシウム、パラジ
ウム−アルミナなどのパラジウム触媒、白金黒、コロイ
ド白金、酸化白金、硫酸白金、白金−炭素などの白金−
担体触媒等の白金触媒、コロイドロジウム、ロジウム−
炭素、酸化ロジウムなどのロジウム触媒、ルテニウム触
媒などの白金族触媒、七酸化ニレニウム、レニウム−炭
素などのレニウム触媒、銅クロム酸化物触媒、酸化モリ
ブデン触媒、酸化バナジウム触媒、酸化タングステン触
媒、銀触媒などが挙げられる。
媒は公知の脱水素触媒なら特に限定されないが、例えば
、ラネーニッケル、還元ニッケル、ニッケルを珪素土、
アルミナ、軽石、シリカゲル、酸性白土などの種々の担
体に担持したニッケル担体触媒、ラネーコバルト、還元
コバルト、コバルト−担体触媒などのコバルト触媒、ラ
ネー銅、還元銅、銅−担体触媒などの銅触媒、パラジウ
ム黒、酸化パラジウム、コロイドパラジウム、パラジウ
ム−炭素、パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−酸
化マグネシウム、パラジウム−酸化カルシウム、パラジ
ウム−アルミナなどのパラジウム触媒、白金黒、コロイ
ド白金、酸化白金、硫酸白金、白金−炭素などの白金−
担体触媒等の白金触媒、コロイドロジウム、ロジウム−
炭素、酸化ロジウムなどのロジウム触媒、ルテニウム触
媒などの白金族触媒、七酸化ニレニウム、レニウム−炭
素などのレニウム触媒、銅クロム酸化物触媒、酸化モリ
ブデン触媒、酸化バナジウム触媒、酸化タングステン触
媒、銀触媒などが挙げられる。
これらの触媒の内では、パラジウム触媒等白金族触媒が
好ましい、これらの脱水素触媒の使用割合は、前記一般
式(III)で表れる4、4−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロヘキサンカルボン酸エステル及び酸1
モルに対し、前記脱水素触媒の金属原子として通常0.
001〜0.2グラム原子、好ましくは0.004〜0
.1グラム原子の範囲である。
好ましい、これらの脱水素触媒の使用割合は、前記一般
式(III)で表れる4、4−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−シクロヘキサンカルボン酸エステル及び酸1
モルに対し、前記脱水素触媒の金属原子として通常0.
001〜0.2グラム原子、好ましくは0.004〜0
.1グラム原子の範囲である。
本発明方法は水素受容体なしでも実施できるが、水素受
容体を共存させることにより、より高収率で実施できる
。
容体を共存させることにより、より高収率で実施できる
。
水素受容体は特に限定する必要はないが、いくつかの型
の化合物が挙げられる0例えば、エチレン、プロピレン
等の如きエチレン性不飽和を含有する有機化合物、アセ
チレン、メチルアセチレン等のようなアセチレン性不飽
和を含有する有機化合物、アゾベンゼン等の如きアゾ基
を含有する有機化合物、ニトロまたはカルボニル化合物
、もしくはフェノール化合物などが挙げられる。
の化合物が挙げられる0例えば、エチレン、プロピレン
等の如きエチレン性不飽和を含有する有機化合物、アセ
チレン、メチルアセチレン等のようなアセチレン性不飽
和を含有する有機化合物、アゾベンゼン等の如きアゾ基
を含有する有機化合物、ニトロまたはカルボニル化合物
、もしくはフェノール化合物などが挙げられる。
この中で好ましい水素受容体は、α−メチルスチレン等
スチレン類、ニトロベンゼン、無水マレイン酸、メチル
アセチレン、クロトン酸等の如き共役二重結合を含有す
る有機化合物である。さらに、これらの水素受容体は高
活性であるばかりでなく、水素添加された後の生成物、
例えばα−メチルスチレンの場合はクメンといった有用
なものだなる様に選択するのが良い。
スチレン類、ニトロベンゼン、無水マレイン酸、メチル
アセチレン、クロトン酸等の如き共役二重結合を含有す
る有機化合物である。さらに、これらの水素受容体は高
活性であるばかりでなく、水素添加された後の生成物、
例えばα−メチルスチレンの場合はクメンといった有用
なものだなる様に選択するのが良い。
反応温度は100〜400″C1好ましくは180〜3
00℃の範囲で実施するのが良い0反応温度が低い場合
は反応速度が小さく、高い場合は副反応が起こり得策で
はない。
00℃の範囲で実施するのが良い0反応温度が低い場合
は反応速度が小さく、高い場合は副反応が起こり得策で
はない。
分解脱水素反応は気相でも実施することができるが、原
料や生成物の沸点が高いので、気相反応の場合は300
°C以上の高温を必要とし、収率、操作性、省エネルギ
ー等の面から液相で実施するのが好ましい、その際、溶
媒の存在下に実施するのが良く、具体的には水のほかエ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジプロ
ピルエーテル、ジフェニルエーテル等のエーテル、エタ
ノール、イソプロパツール、エチレングリコール、ジエ
チレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレ
ングリコール等のアルコール、アセトニトリル、プロピ
オニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル、ベンゼン、
トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ク
メン等の芳香族炭化水素などが挙げれる。さらに、前記
水素受容体を溶媒として使用することも可能であこのよ
うにして生成した4゛−ヒドロキシビフェニル−4−カ
ルボン酸は、反応終了後の混合物より触媒を分離し、引
続き晶析等の方法で取り出すことにより、高純度の目的
生成物を高収率で得ることができる。
料や生成物の沸点が高いので、気相反応の場合は300
°C以上の高温を必要とし、収率、操作性、省エネルギ
ー等の面から液相で実施するのが好ましい、その際、溶
媒の存在下に実施するのが良く、具体的には水のほかエ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジプロ
ピルエーテル、ジフェニルエーテル等のエーテル、エタ
ノール、イソプロパツール、エチレングリコール、ジエ
チレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレ
ングリコール等のアルコール、アセトニトリル、プロピ
オニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル、ベンゼン、
トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ク
メン等の芳香族炭化水素などが挙げれる。さらに、前記
水素受容体を溶媒として使用することも可能であこのよ
うにして生成した4゛−ヒドロキシビフェニル−4−カ
ルボン酸は、反応終了後の混合物より触媒を分離し、引
続き晶析等の方法で取り出すことにより、高純度の目的
生成物を高収率で得ることができる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
〔実施例−1〕
p−ヒドロキシ安息香酸メチル45.6g(0,30モ
ル)、5%パラジウム−炭素0.23g 、 2−プロ
ピルアルコール100Idを300dステンレス製オー
トクレイプに仕込、内部を窒素ガスで置換したのち、温
度180℃、ゲージ圧20kg/cd170時間で0.
6モルの水素を吸収させた。冷却後、触媒を濾過したの
ち、溶媒を留去して47.0.の液体を得た。ガスクロ
マトグラフィーによるシクロへキサノン−4−カルボン
酸メチルの収率77.6%、シクロへキサノール−4−
カルボン酸メチルの収率15.0%であった。
ル)、5%パラジウム−炭素0.23g 、 2−プロ
ピルアルコール100Idを300dステンレス製オー
トクレイプに仕込、内部を窒素ガスで置換したのち、温
度180℃、ゲージ圧20kg/cd170時間で0.
6モルの水素を吸収させた。冷却後、触媒を濾過したの
ち、溶媒を留去して47.0.の液体を得た。ガスクロ
マトグラフィーによるシクロへキサノン−4−カルボン
酸メチルの収率77.6%、シクロへキサノール−4−
カルボン酸メチルの収率15.0%であった。
次にこの液体全量をフェノール110.0g、 36%
塩酸10jfと共に300 m反応フラスコに仕込60
℃で5時間反応させた0反応終了後、反応マスをベンゼ
ン300 mに排出し、常温で3時間撹拌した。晶出し
た結晶を濾過、洗浄、乾燥して白色結晶65.0gを得
た。分析の結果、シクロヘキサノール−4−カルボン酸
メチルは結晶には全く含まれず、濾液へ移行しているこ
とが確認させた。
塩酸10jfと共に300 m反応フラスコに仕込60
℃で5時間反応させた0反応終了後、反応マスをベンゼ
ン300 mに排出し、常温で3時間撹拌した。晶出し
た結晶を濾過、洗浄、乾燥して白色結晶65.0gを得
た。分析の結果、シクロヘキサノール−4−カルボン酸
メチルは結晶には全く含まれず、濾液へ移行しているこ
とが確認させた。
次に、この白色結晶全量を苛性ソーダ8.2g、 5%
パラジウム炭素1.2g、α−メチルスチレン6G、O
g、水300 mと共に500dステンレス製オートク
レイプに仕込、内部を窒素ガスで置換したのち250℃
で4時間反応させた0反応終了後、冷却した所、一部結
晶が析出していたため、20%苛性ソーダ水溶液100
.0gを添加して結晶を溶解した後、濾過して触媒を分
解した。濾液からベンゼン300IIlでα−メチルス
チレン、クメンを抽出回収したのち塩酸水を加え、4°
−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸を酸析させた
。
パラジウム炭素1.2g、α−メチルスチレン6G、O
g、水300 mと共に500dステンレス製オートク
レイプに仕込、内部を窒素ガスで置換したのち250℃
で4時間反応させた0反応終了後、冷却した所、一部結
晶が析出していたため、20%苛性ソーダ水溶液100
.0gを添加して結晶を溶解した後、濾過して触媒を分
解した。濾液からベンゼン300IIlでα−メチルス
チレン、クメンを抽出回収したのち塩酸水を加え、4°
−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸を酸析させた
。
結晶を濾過し、水洗、乾燥して4゛−ヒドロキシビフェ
ニル−4−カルボン酸42.4gを得た。液体クロマト
グラフィーによる純度91.2%、p−ヒドロキシ安息
香酸メチルよりの収率60.2%であった。
ニル−4−カルボン酸42.4gを得た。液体クロマト
グラフィーによる純度91.2%、p−ヒドロキシ安息
香酸メチルよりの収率60.2%であった。
〔実施例−2〕
p−ヒドロキシ安息香酸41.4g(0,30モル)、
5%パラジウム炭素2.1g、イソプロピルアルコール
100 dをステンレス製オートクレイプ中に仕込、内
部を窒素ガスで置換したのち、温度120℃、ゲージ圧
20kg/cdで0.60モルの水素を吸収させた。
5%パラジウム炭素2.1g、イソプロピルアルコール
100 dをステンレス製オートクレイプ中に仕込、内
部を窒素ガスで置換したのち、温度120℃、ゲージ圧
20kg/cdで0.60モルの水素を吸収させた。
冷却後、触媒を濾過したのち、溶媒を留去して42.8
gの白色結晶を得た。ガスクロマトグラフィーによるシ
クロヘキサノン−4−カルボン酸の収率40.3%、シ
クロへキサノール−4−カルボン酸の収率20.4%で
あった。
gの白色結晶を得た。ガスクロマトグラフィーによるシ
クロヘキサノン−4−カルボン酸の収率40.3%、シ
クロへキサノール−4−カルボン酸の収率20.4%で
あった。
次に、この結晶全量をフェノール140g、 36%塩
酸15dと共に300 m反応フラスコに仕込、45℃
で6時間反応させた。
酸15dと共に300 m反応フラスコに仕込、45℃
で6時間反応させた。
反応終了後、500mのトルエンと100mの水の混合
液に排出し20°Cで1時間撹拌した。結晶を濾別、乾
燥して白色結晶31.0gを得た。シクロへキサノン−
4−カルボン酸よりの純度換算収率78%であった。
液に排出し20°Cで1時間撹拌した。結晶を濾別、乾
燥して白色結晶31.0gを得た。シクロへキサノン−
4−カルボン酸よりの純度換算収率78%であった。
酸よりの純度換算収率78%であった。
次にこの白色結晶全量を5%パラジウム炭素1゜18g
、苛性ソーダ4.5g、フェノール150gと共に50
0111ステンレス製オートクレイブに仕込、内部を窒
素ガスで置換したのち200℃で6時間反応させた0反
応終了後、反応マスに晶出した結晶を濾過し、次に10
%苛性ソーダ水溶液200 dに溶解して不溶の触媒を
濾別回収した。濾液に塩酸水をPHが1になるまで加え
、4゛−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸を酸析
させた。
、苛性ソーダ4.5g、フェノール150gと共に50
0111ステンレス製オートクレイブに仕込、内部を窒
素ガスで置換したのち200℃で6時間反応させた0反
応終了後、反応マスに晶出した結晶を濾過し、次に10
%苛性ソーダ水溶液200 dに溶解して不溶の触媒を
濾別回収した。濾液に塩酸水をPHが1になるまで加え
、4゛−ヒドロキシビフェニル−4−カルボン酸を酸析
させた。
結晶を濾過、水洗、乾燥し、純度99.5%の4゛−ヒ
ドロキシビフェニル−4−カルボン酸の白色結晶18.
6gを得た。4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
シクロヘキサンカルボン酸よりの純度換算収率92%で
あった。
ドロキシビフェニル−4−カルボン酸の白色結晶18.
6gを得た。4.4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)
シクロヘキサンカルボン酸よりの純度換算収率92%で
あった。
(参考例)
Claims (1)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Rは水素原子または低級アルキル基を表す。)
で示される4−ヒドロキシ安息香酸類を2級アルコール
または3級アルコール溶媒中で接触水素化反応させて一
般式(II) (II) (式中、Rは式( I )のRと同一。)で示されるシク
ロヘシサノン−4−カルボン酸類を含有する反応混合物
を得、引続き酸触媒の存在下、これをフェノールと反応
させて一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) (式中、Rは式( I )のRと同一。)で示させれる4
,4−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサ
ンカルボン酸エステル及び4,4−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)−シクロヘキサンカルボン酸の混合物を得
、次にこの混合物を塩基および脱水素触媒の存在下に分
解・脱水素反応させることを特徴とする4′−ヒドロキ
シビフェニル−4−カルボン酸の製造方法。
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
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JPH0692342B2 JPH0692342B2 (ja) | 1994-11-16 |
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ID=16805294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62071814A Expired - Fee Related JPH0692342B2 (ja) | 1986-09-24 | 1987-03-27 | 4’−ヒドロキシビフエニル−4−カルボン酸の製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH0692342B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5867404B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2016-02-24 | 宇部興産株式会社 | 3,4−ジアルキルビフェニルジカルボン酸化合物、3,4−ジカルボアルコキシビフェニル−3’,4’−ジカルボン酸及び相当する酸無水物、並びにこれらの製造方法 |
JP5979140B2 (ja) * | 2011-05-18 | 2016-08-24 | 宇部興産株式会社 | 3,3’,4,4’−テトラアルキルシクロヘキシルベンゼン及びその製造方法 |
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CN108367535A (zh) | 2015-10-16 | 2018-08-03 | 塔吉特Gdl公司 | 包含聚乙烯醇缩丁醛的装饰性多层表面覆盖物 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62071814A patent/JPH0692342B2/ja not_active Expired - Fee Related
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