JP4951962B2 - アミノフェノール化合物 - Google Patents
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これらの樹脂は、半導体用の絶縁膜として用いられる場合、酸化膜等の無機絶縁膜と比較して低比誘電率であるという特徴が利用されている。そのため、特に層間絶縁膜用途においては、これらの樹脂とは異なる有機材料との混合物、樹脂構造の検討によるさらなる低比誘電率化の検討が行われている。
また絶縁膜形成用の材料としては、ポリイミド樹脂が広く知られているが(例えば、特許文献1参照。)、半導体装置の高速化、微細化、高集積化および低消費電力化などの更なる高性能化に対応するためには比誘電率がなお十分でなく、また吸湿の問題があった。
1.下記式(1)
2.前記ダイヤモンドイド構造より構成される基は、アダマンチル基、ジアマンチル基、トリアマンチル基、テトラマンチル基、ペンタマンチル基、ヘキサマンチル基、ヘプタマンチル基、オクタマンチル基、ノナマンチル基、デカマンチル基、ビアダマンチル基、トリアダマンチル基、テトラアダマンチル基、ペンタアダマンチル基、ヘキサアダマンチル基、ヘプタアダマンチル基、オクタアダマンチル基、ノナアダマンチル基およびデカアダマンチル基の中から選ばれる少なくとも1種である、第1項に記載のアミノフェノール化合物、
を提供するものである。
また、前記ダイヤモンドイド構造より構成される基として、アダマンチル基、ジアマンチル基、トリアマンチル基、テトラマンチル基、ペンタマンチル基、ヘキサマンチル基、ヘプタマンチル基、オクタマンチル基、ノナマンチル基、デカマンチル基、ビアダマンチル基、トリアダマンチル基、テトラアダマンチル基、ペンタアダマンチル基、ヘキサアダマンチル基、ヘプタアダマンチル基、オクタアダマンチル基、ノナアダマンチル基およびデカアダマンチル基などを有するアミノフェノール化合物を用いて樹脂とすることにより、耐熱性、低誘電率を発現し、更には耐湿性などを向上することができる。
一例として、ビアダマンチルテトラフェノールとフェノール性水酸基がベンジル基で保護されたハロゲン化ニトロフェノール化合物とを反応させ、フェノール性水酸基がベンジル基で保護されたニトロヒドロキシジフェニルエーテル化合物を合成する。次いで、上記で得られた化合物を、還元処理することにより、目的のアミノフェノール化合物を得ることができる。
前記エーテル化反応において、反応温度としては、50℃以上、150℃以下が好ましく、より好ましくは100℃以上、150℃以下である。また、反応時間としては、1時間以上、100時間以下が好ましく、より好ましくは、3時間以上、50時間以下である。
またフェノール性水酸基がベンジル基で保護されたフッ化ニトロフェノール化合物又は塩化ニトロフェノール化合物の使用量は、ビアダマンチルテトラフェノール1モルに対して、4〜50モルが好ましく、より好ましくは4〜10モル程度である。
(1)質量分析(MS):日本電子(株)製JMS−700型を用いてフィールド脱着(FD)法で測定した。
(2)元素分析:炭素及び水素はPERKIN ELMER社製2400型を用いて測定した。
3,3’,5,5’−テトラキス(4−(4−アミノ−3−ヒドロキシフェノキシ)フェニル)−1,1’−ビアダマンタンの合成
まず、1−ブロモアダマンタンより、ジエチルエーテル中、マグネシウムを用いたカップリング反応、それに続く、臭素化反応により、3,3’,5,5’−テトラブロモ−1,1’−ビアダマンタンを合成した(参考:IIPe051, Polymer Preprints, Japan Vol. 50, No.2(2001), p277)。次に、このテトラブロモ体とフェノールとのFeCl3によるフリーデルクラフツ反応(参考:Yaw−Terng Chern and Hann−Chyan Shiue, Macromolecules 1997, 30, 4646−4651)により、3,3’,5,5’−テトラキス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1’−ビアダマンタンを合成した。
以下に、外観、質量分析および元素分析の結果を示す。これらのデータは、得られた化合物が目的物であることを示している。
外観:茶色固体
MS(FD)(m/z):1066(M+)
元素分析:理論値(/%):C,76.52;H,6.23;N,5.25;O,11.99、実測値(/%):C,76.53;H,6.22;N,5.26;O,11.98
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