JP4692470B2 - ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた半導体装置及び表示装置 - Google Patents
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Description
ここでポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂を用いた場合のプロセスを簡略化するために、感光材のジアゾキノン化合物をこれらの樹脂と組み合わせたポジ型感光性樹脂組成物も使用されている(特許文献1)。
第一に、通常バンプを搭載する際には、フラックスを使用してリフローを通すが、この時、先のポジ型感光性樹脂の硬化膜とフラックスが直接接することになり、その際、しばしば皺やクラックがポジ型感光性樹脂の硬化膜に発生し、リフロー耐性が悪いという課題があった。
第二に、表示素子の分野においても、製造プロセスにおいて様々な薬液を用いられ、その工程中に上と同様な不具合が発生するという課題があった。
本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、その目的とするところはリフロー耐性や耐溶剤性に優れたポジ型感光性樹脂等を提供することにある。
(A)アルカリ可溶性樹脂と、
(B)ジアゾキノン化合物と、
(C)一分子中にオキセタニル基を2個以上含有する化合物と、
(D)前記(C)のオキセタニル基の開環反応を促進する触媒と、
を含有するポジ型感光性樹脂組成物
が提供される。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は特定の成分(C)を用いているため、優れたリフロ
ー耐性、耐溶剤性を得ることができる。
上記のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を基材上に塗布して樹脂層を形成する工程と、
該樹脂層の所望の部分に活性エネルギー線を照射する工程と、
活性エネルギー線照射後の該樹脂層に現像液を接触させ、次いで該樹脂層を加熱する工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法が提供される。
半導体基板と、該半導体基板に設けられた半導体素子と、該半導体素子の上部に設けられた絶縁膜とを備える半導体装置であって、
前記絶縁膜は、上記のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を塗布、乾燥して形成された膜であることを特徴とする半導体装置が提供される。
表示素子用基板と、その表面を覆う絶縁膜と、前記表示素子用基板の上部に設けられた表示素子とを備える表示装置であって、
前記絶縁膜は、上記のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を塗布、乾燥して形成された膜であることを特徴とする表示装置が提供される。
半導体チップとその表面を覆う保護膜とを備える半導装置の製造方法であって、
前記半導体チップ上にポジ型感光性樹脂組成物を塗布して樹脂層を形成する工程と、
該樹脂層の所望の部分に活性エネルギー線を照射する工程と、
活性エネルギー線照射後の該樹脂層に現像液を接触させ、次いで該樹脂層を加熱することにより前記保護膜を形成する工程と、
を含み、前記ポジ型感光性樹脂組成物が上記ポジ型感光性樹脂組成物であることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
基板と、その表面を覆う平坦化膜と、前記表示素子用基板の上部に設けられた表示素子とを備える表示装置の製造方法であって、
前記基板上にポジ型感光性樹脂組成物を塗布、乾燥して樹脂層を形成する工程と、
該樹脂層の所望の部分に活性エネルギー線を照射する工程と、
活性エネルギー線照射後の該樹脂層に現像液を接触させ、次いで該樹脂層を加熱することにより前記平坦化膜を形成する工程と、
を含み、
前記ポジ型感光性樹脂組成物が上記ポジ型感光性樹脂組成物であることを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。
以下に本発明のポジ型感光性樹脂組成物の各成分について詳細に説明する。なお下記は例示であり、本発明は何ら下記に限定されるものではない。
れかであり、同一でも異なっても良い。mは0〜2の正数、nは0〜4の正数である。R3は炭素数1〜15の有機基である。ここで、R1として水酸基がない場合、R2は少なく
とも1つはカルボキシル基でなければならない。また、R2としてカルボキシル基がない場合、R1は少なくとも1つは水酸基でなればならない。Zは−R4−Si(R6)(R7)−O−Si(R6)(R7)−R5−で表され、R4〜R7は有機基である。)
ら選ばれる1種であり、R10は炭素数1〜15のアルキル基である。X1が水酸基の場合、この水酸基はアミノ基に対してオルソ位にあり、R8およびR9は、それぞれ同じであっても異なっていても良く、R8はアルキル基、アルキルエステル基、ハロゲン原子の内から選ばれた1つを表し、それぞれ同じでも異なっていても良く、r=0〜2の正数である。また、R9は水素原子、アルキル基、アルキルエステル基、ハロゲン原子から選ばれた1つを表す。)
具体的には、例えば、Xの構造を有するジアミン或いはビス(アミノフェノール)、2,4−ジアミノフェノール等から選ばれる化合物とYの構造を有するテトラカルボン酸無水物、トリメリット酸無水物、ジカルボン酸或いはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体、ヒドロキシジカルボン酸、ヒドロキシジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応させて得られた一般式(1)で示される構造を含むポリアミド樹脂を合成した後、該ポリアミド樹脂中に含まれる末端のアミノ基をアルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含む酸無水物又は酸誘導体を用いてアミドとしてキャップすることが好ましい。
この末端封止官能基としては、例えば下記式で表されるものが挙げられる。
例えば、下記式で表される化合物が挙げられる。
−ルA、ビス(クロロエチルエ−テル)テトラクロロビスフェノ−ルA、トリス(2,3−ジブロモプロピル)イソシアヌレ−ト、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシエトキシ−3,5−ジブロモフェニル)プロパン、ジクロロジフェニルトリクロロエタン、ベンゼンヘキサクロライド、ペンタクロロフェノ−ル、2,4,6−トリクロロフェニル−4−ニトロフェニルエ−テル、2,4−ジクロロフェニル−3′−メトキシ−4′−ニトロフェニルエ−テル、2,4−ジクロロフェノキシ酢酸、4,5,6,7−テトラクロロフサライド、1,1−ビス(4−クロロフェニル)エタノ−ル、1,1−ビス(4−クロロフェニル)−2,2,2−トリクロロエタノ−ル、エチル−4,4−ジクロロベンジレ−ト、2,4,5,4′−テトラクロロジフェニルスルフィド、2,4,5,4′−テトラクロロジフェニルスルホン等も挙げられる。キノンジアジド化合物の具体例としては、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジアジド−6−スルホン酸エステル、2,1−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,1−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、2,1−ナフトキノンジアジド−6−スルホン酸エステル、その他のキノンジアジド誘導体のスルホン酸エステル、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸クロライド、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロライド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド、1,2−ナフトキノンジアジド−6−スルホン酸クロライド、2,1−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロライド、2,1−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロライド、2,1−ナフトキノンジアジド−6−スルホン酸クロライド、その他のキノンアジド誘導体のスルホン酸クロライド等のo−キノンアジド化合物が挙げられる。また、活性ケイ素化合物とアルミニウムキレート錯体を併用することによっても酸が発生することが知られている。これらの触媒として働く化合物は、単独でも2種以上混合して用いても良い。
ン、γ―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ―グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、N―β(アミノエチル)γ―アミノプロピルトリメトキシシラン、N―β(アミノエチル)γ―アミノプロピルメチルジメトキシシシラン、γ―アミノプロピルトリエトキシシラン、N―フェニル―γ―アミノプロピルトリメトキシシラン、γ―メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン、トリエトキシ(4―(トリフルオロメチル)フェニル)
シラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン
などのアルコキシシラン化合物、また、下記構造の活性ケイ素化合物も用いることができる。これらのうち、好ましくはγ―(メタクリロキシプロピル)トリメトキシシラン、下記構造の活性ケイ素化合物である。これらは単独でも複数組み合わせて用いてもよい。
活性ケイ素化合物とアルミニウム錯体化合物を樹脂組成物中に共存させることで、常温では酸を発生しないが、加熱することで酸発生し、環化促進効果を発揮するというシステムを構築させている。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、後の段落で説明するように支持体に塗布、パターニング(プリベークも含む)、アルカリ現像、環化工程等を経てパターンが形成される。ここでポジ型感光性樹脂組成物の当初から酸が存在している場合には、アルカリ現像の際に必要な酸が失活し、環化工程の環化促進効果を十分に発揮しないという問題点がある。従って環化促進剤は環化工程で初めて酸として発生することが望ましい。
波長のものが好ましい。
[ポリアミド樹脂の合成]
ジフェニルエーテル−4,4'−ジカルボン酸4.13g(0.016モル)、と1−
ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール4.32g(0.032モル)とを反応さ
せて得られたジカルボン酸誘導体の混合物(0.016モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン7.33g(0.020モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン57.0gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。次にN−メチル−2−ピロリドン7gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物1.31g(0.008モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(容積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のポリアミド樹脂(A−1)を得た。
合成したポリアミド樹脂(A−1)10g、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−1)2g、下記式(C−1)の構造を有するオキセタニル基含有化合物3g、下記式(D−1)の構造を有するケイ素化合物0.8g、下記式(E−1)の構造を有するアルミキレート0.1gをγ―ブチロラクトン20gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。
このポジ型感光性樹脂組成物を8インチのシリコンウエハーにスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分乾燥し、膜厚約10μmの塗膜を得た。得られた塗膜に凸版印刷(株)製マスク(テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、(株)ニコン製i線ステッパNSR―4425iを用いて、露光量を100mJ/cm2から10mJ/cm2ステ
ップで増やして露光を行った。次に2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に現像時の膜べりが1.5μmになるように現像時間を調整し、露光部を溶解除去した後、純水で30秒間リンスした。パターンを観察したところ、露光量350mJ/cm2で、スカムが無く良好にパターンが開口していることが確認できた。
上記パターン加工したウエハーをクリーンオーブンで150℃/30分、250℃/60分、窒素雰囲気下で熱処理を行い硬化させた。次にこのウエハーにタムラ化研(株)製フラックス、BF―30をスピンナーで500rpm/30秒+1000rpm/30秒の条件で塗布した。リフロー炉で140〜200℃/120秒(プレヒート)、250℃/60秒の条件で2回を通した。次にキシレンで10分洗浄した後、イソプロピルアルコールでリンスして乾燥させた。フラックスを除去した膜表面を金属顕微鏡で観察したところ、クラック、しわ等の発生はなく良好であった。
上記パタ−ン加工したウエハ−をクリ−ンオ−ブンにて酸素濃度1000ppm以下で、150℃/30分+250℃/60分で硬化を行った。次に室温にて東京応化製STRIPP
ER−106中に硬化後のウエハを5分間浸漬した。次に、室温のイソプロピルアルコ−ルにてリンスして乾燥させた。表面を金属顕微鏡で観察したところ、クラック、しわ、剥離などの発生はなく良好であった。
[ポリアミド樹脂の合成]
4,4'―オキシジフタル酸無水物17.06g(0.055モル)と2−メチル−2
−プロパノール8.15g(0.110モル)とピリジン10.9g(0.138モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン150gを加えて溶解させた。この反応溶液に1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール14.9g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン30gと共に滴下した後、ジシクロヘキシルカルボジイミド22.7g(0.110モル)をN−メチル−2−ピロリドン50gと共に滴下し、室温で一晩反応させた。その後、この反応溶液にジフェニルエーテル−4,4'−ジカルボン酸1
モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)27.1g(0.055モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン44.7g(0.122モル)をN−メチル−2−ピロリドン70gと共に添加し、室温で2時間攪拌した。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン20gに溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水物3.94g(0.024モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。他はNo.1と同様に、再沈、精製を行い目的とするポリアミド樹脂(A―2)を合成した。
合成したポリアミド樹脂(A−2)10g、下記構造を有する感光性ジアゾキノン(B−2)1.5g、下記式(C−2)の構造を有するオキセタニル基含有化合物3g、下記式(D−2)の構造を有するケイ素化合物0.8g、下記式(E−2)の構造を有するアルミキレート0.3gをγ―ブチロラクトン20gに溶解した後、0.2μmのフッ素樹脂製フィルターで濾過し、ポジ型感光性樹脂組成物を得た。
実施例1において、触媒(F−3)0.3gを用いてポジ型樹脂組成物を作製した。この樹脂組成物についても実施例1と同様の評価を行なった。
実施例1において、オキセタニル基を含有する化合物(C−1)無しでポジ型樹脂組成物を作製した。この樹脂組成物についても実施例1と同様の評価を行なった。
実施例1において、オキセタニル基を含有する化合物(C−1)と触媒(D−1)、(E−1)無しでポジ型樹脂組成物を作製した。この樹脂組成物についても実施例1と同様の評価を行なった。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物を半導体装置に用いた応用例の1つを、バンプを有する半導体装置への応用について図面を用いて説明する。図1は、本発明のバンプを有する半導体装置のパット部分の拡大断面図である。図1に示すように、表面に半導体素子および配線の設けられたシリコン基板1の上部に、入出力用のAlパッド2が設けられ、さらにその上にパッシベーション膜3が形成され、そのパッシベーション膜3にビアホールが形成されている。この上に本発明によるポジ型感光性組成物を塗布、乾燥し、ポジ型感光性樹脂(バッファコート膜)4を形成する。更に、金属(Cr、Ti等)膜5がAlパッド2と接続されるように形成され、その金属膜5はハンダバンプ9の周辺をエッチングして、各パッド間を絶縁する。絶縁されたパッドにはバリアメタル8とハンダバンプ9が形成される。
以上のようにして得られる半導体装置は、歩留まりが良好であり、高い信頼性を示す。
ガラス基板上にITO膜を蒸着形成した後、フォトレジストを使用した通常のフォトリソグラフィー法によってこのITO膜をストライプ状に分割した。この上に、No.1で得られたポジ型感光性樹脂組成物を塗布し、厚さ約2μmの樹脂層を形成した。次に平行露光機(光源:高圧水銀灯)を使用して露光強度25mW/cm2で10秒間ガラスマスクを介し露光を行った。その後、2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に樹脂層を20秒間浸漬現像することにより、各ストライプ上のITOの縁以外の部分を露出し、ITOの縁部とITOの除去された部分の上にのみ樹脂層が形成されるよう加工を行った。その後、樹脂層全体に露光時に用いた平行露光機を使用して、露光強度25mW/cm2で40秒間、後露光を行った後、熱風循環式乾燥器を使用して空気中250℃で1時間加熱硬化を行った。
−ジフェニル−N,N'−m−トルイル−4,4'−ジアミノ−1,1'−ビフェニル,電
子注入層としてトリス(8−キノリノレート)アルミニウムをこの順に蒸着した。さらに、この上に第二電極としてアルミニウム層を蒸着形成した後、フォトレジストを使用した通常のフォトリソグラフィー法によって、このアルミニウム層を上記ITO膜のストライプと直交をなす方向のストライプ状となるように分割した。得られた基板を減圧乾燥した後、封止用ガラス板をエポキシ系接着剤を用いて接着し、表示装置を作成した。この表示装置を80℃で200時間処理した後両電極に電圧を掛け順次駆動を行ったところ、表示装置は良好に発光した。
本実施例に係る装置は、歩留まりが良好であり、高い信頼性を示す。
2 Alパッド
3 パッシベーション膜
4 バッファコート膜
5 金属(Cr、Ti等)膜
6 配線(Al、Cu等)
7 絶縁膜
8 バリアメタル
9 ハンダバンプ
Claims (15)
- (A)アルカリ可溶性樹脂と、
(B)ジアゾキノン化合物と、
(C)一分子中にオキセタニル基を2個以上含有する化合物と、
(D)前記(C)のオキセタニル基の開環反応を促進する触媒と、
を含有するポジ型感光性樹脂組成物であって、前記(A)アルカリ可溶性樹脂が、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造、ポリイミド構造、ポリイミド前駆体構造又はポリアミド酸エステル構造を含む樹脂であるポジ型感光性樹脂組成物。 - 前記(D)成分が、酸発生剤であることを特徴とする請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- (A)アルカリ可溶性樹脂が、下記一般式(1)で表される樹脂である請求項1乃至2のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
(X、Yは有機基である。a、bはモルパーセントを示し、a+b=100で、aが60以上100以下、bが0以上〜40以下である。R 1 は水酸基又は−O−R3であり、同一でも異なっても良い。R2は水酸基、カルボキシル基、−O−R3、−COO−R3のいずれかであり、同一でも異なっても良い。m は0〜2の正数、nは0〜4の正数であ
る。R3は炭素数1〜15の有機基である。ここで、R1として水酸基がない場合、R2は少なくとも1つはカルボキシル基でなければならない。また、R2としてカルボキシル基がない場合、R1は少なくとも1つは水酸基でなければならない。Zは−R4−Si(R6)(R7)−O−Si(R6)(R7)−R5−で表され、R4〜R7は有機基である。) - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を基材上に塗布して樹
脂層を形成する工程と、
該樹脂層の所望の部分に活性エネルギー線を照射する工程と、
活性エネルギー線照射後の該樹脂層を現像する工程、次いで該樹脂層を加熱する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 半導体基板と、該半導体基板に設けられた半導体素子と、該半導体素子の上部に設けられた絶縁膜とを備える半導体装置であって、
前記絶縁膜は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を塗布、乾燥して形成された膜であることを特徴とする半導体装置。 - 表示素子用基板と、その表面を覆う絶縁膜と、前記表示素子用基板の上部に設けられた表示素子とを備える表示装置であって、
前記絶縁膜は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を塗布、乾燥して形成された膜であることを特徴とする表示装置。 - 半導体チップとその表面を覆う保護膜とを備える半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップ上に請求項1乃至3のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を塗布、乾燥して樹脂層を形成する工程と、
該樹脂層の所望の部分に活性エネルギー線を照射する工程と、
活性エネルギー線照射後の該樹脂層を現像する工程、次いで該樹脂層を加熱することに
より前記保護膜を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 基板と、その表面を覆う平坦化膜と、前記表示素子用基板の上部に設けられた表示素子とを備える表示装置の製造方法であって、
前記基板上に請求項1乃至3のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物を塗布、乾燥して樹脂層を形成する工程と、
該樹脂層の所望の部分に活性エネルギー線を照射する工程と、
活性エネルギー線照射後の該樹脂層を現像する工程、次いで該樹脂層を加熱することにより前記平坦化膜を形成する工程と、
を含む表示装置の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする保護膜。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されていることを特徴とする層間絶縁膜。
- 半導体素子又は表示素子の表面保護膜である請求項9に記載の保護膜。
- 請求項9に記載の保護膜を有していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項9に記載の保護膜を有していることを特徴とする表示素子。
- 請求項10に記載の層間絶縁膜を有していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項10に記載の層間絶縁膜を有していることを特徴とする表示素子。
Priority Applications (1)
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