JPH02228359A - ポリアミド酸組成物 - Google Patents
ポリアミド酸組成物Info
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はポリアミド酸組成物に関し、さらに詳しくは銅
および銅合金に対して防錆能力を有する電子材料用ポリ
アミド酸組成物に関する。
および銅合金に対して防錆能力を有する電子材料用ポリ
アミド酸組成物に関する。
近年、ポリアミド酸を加熱処理して得られるポリイミド
樹脂は、その優れた耐熱性が注目され、電子部品の絶縁
材料や保護材料として各方面に多く用いられている。こ
のポリイミド樹脂は、前駆体としてポリアミド酸構造を
とることから硬化後もカルボキシル基を含む場合が多く
、銅および銅合金(しんちゅう等)に対して腐蝕性を有
し、また樹脂中の極性基のために吸湿性があり、腐蝕性
を助長する欠点がある。従って、ポリアミド酸を多層配
線板用層間絶縁膜等の電子材料として使用する場合、加
熱硬化する過程または硬化後にポリアミド酸と接する銅
および銅合金に青錆、黒錆等の錆が発生する問題があっ
た。
樹脂は、その優れた耐熱性が注目され、電子部品の絶縁
材料や保護材料として各方面に多く用いられている。こ
のポリイミド樹脂は、前駆体としてポリアミド酸構造を
とることから硬化後もカルボキシル基を含む場合が多く
、銅および銅合金(しんちゅう等)に対して腐蝕性を有
し、また樹脂中の極性基のために吸湿性があり、腐蝕性
を助長する欠点がある。従って、ポリアミド酸を多層配
線板用層間絶縁膜等の電子材料として使用する場合、加
熱硬化する過程または硬化後にポリアミド酸と接する銅
および銅合金に青錆、黒錆等の錆が発生する問題があっ
た。
この錆の発生は、外観上を損なうだけでなく、絶縁不良
、断線、ショート等の種々の電気関連トラブルの原因と
なる。
、断線、ショート等の種々の電気関連トラブルの原因と
なる。
防錆方法として、予め銅および銅合金表面をメツキした
り、防錆剤等で処理することが考えられるが、作業性や
経済性が劣るため、工業的に好ましくない。
り、防錆剤等で処理することが考えられるが、作業性や
経済性が劣るため、工業的に好ましくない。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、メツ
キや防錆剤等による前処理を必要とせず、銅および銅合
金に対して優れた防錆能力を有する電子材料用ポリアミ
ド酸組成物を提供することにある。
キや防錆剤等による前処理を必要とせず、銅および銅合
金に対して優れた防錆能力を有する電子材料用ポリアミ
ド酸組成物を提供することにある。
本発明は、ポリアミド酸と、ベンゾトリアゾール、l、
2.4−トリアゾールおよびその誘導体から選ばれる少
なくとも一種の化合物とを含有するポリアミド酸組成物
に関する。
2.4−トリアゾールおよびその誘導体から選ばれる少
なくとも一種の化合物とを含有するポリアミド酸組成物
に関する。
ポリアミド酸組成物中にベンゾトリアゾール、1.2.
4−トリアゾールおよびその誘導体の少なくとも1種の
化合物が存在すると、該化合物が銅および銅合金と接触
して銅表面にキレート化合物の膜を形成するため、この
キレート化合物が銅表面を保護し、銅の酸化の進行が防
止される。
4−トリアゾールおよびその誘導体の少なくとも1種の
化合物が存在すると、該化合物が銅および銅合金と接触
して銅表面にキレート化合物の膜を形成するため、この
キレート化合物が銅表面を保護し、銅の酸化の進行が防
止される。
本発明に用いられるポリアミド酸は、酸成分としてテト
ラカルボン酸無水物、アミン成分としてジアミンを用い
、無水の条件下に不活性ガス雰囲気中、有機極性溶媒中
で1〜100°Cで縮重合によって合成される。
ラカルボン酸無水物、アミン成分としてジアミンを用い
、無水の条件下に不活性ガス雰囲気中、有機極性溶媒中
で1〜100°Cで縮重合によって合成される。
前記テトラカルボン酸無水物としては、ピロメリット酸
ジ無水物、ヘンシフエノンテトラカルボン酸ジ無水物、
2,3,6.7−ナフタレンテトラカルボン酸ジ無水物
、3.3’、4.4’−ジフェニルテトラカルボン酸ジ
無水物、1,2,5゜6、−ナフタレンテトラカルボン
酸ジ無水物、2゜2’、3.3’−ジフェニルテトラカ
ルボン酸ジ無水物、2.2−ビス(3,4−ジカルボキ
シジフェニル)プロパンジm水tt、3.4,9.10
−ペリレンテトラカルボン酸ジ無水物、ビス(3゜4−
ジカルボキシジフェニル)エーテルジ無水物、エチレン
テトラカルボン酸ジ無水物、ナフタレン−1,2,4,
5−テトラカルボン酸ジ無水物、ナフタレン−1,4,
5,8−テトラカルボン酸ジ無水物、4.8−ジメチル
−1,2,3,5゜6.7−へキサヒドロナフタレン−
1,2,5゜6−テトラカルボン酸ジ無水物、2.6−
シクロロナフタレンー1.4,5.8−テトラカルボン
酸ジ無水物、2,7−シクロロナフタレンー1゜4.5
.8−テトラカルボン酸ジ無水物、2,3゜4.7−チ
トラクロロナフタレンー1.4,5゜8−テトラカルボ
ン酸ジ無水物、フェナンスレン−1,2,9,10−テ
トラカルボン酸ジ無水物、シクロペンクン−1,2,3
,4−テトラカルボン酸ジ無水物、ピロリジン−2,3
,4,5−テトラカルボン酸ジ無水物、ピラジン2,3
,5゜6−テトラカルボン酸ジ無水物、2.2−ビス(
2,5−ジカルボキシフェニル)プロパンジ無水物、1
.1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタンジ
無水物、1.1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル
)エタンジ無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニ
ル)メタンジ無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェ
ニル)メタンジ無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テ
トラカルボン酸ジ無水物、1,2,3.4−ブタンテト
ラカルボン酸ジ無水物、チオフェン−2,3゜4.5−
テトラカルボン酸ジ無水物、1,3−ビス(3,4−ジ
カルボキシフェニル)−1,1゜3.3−テトラメチル
ジシロキサンジ無水物などが用いられる。
ジ無水物、ヘンシフエノンテトラカルボン酸ジ無水物、
2,3,6.7−ナフタレンテトラカルボン酸ジ無水物
、3.3’、4.4’−ジフェニルテトラカルボン酸ジ
無水物、1,2,5゜6、−ナフタレンテトラカルボン
酸ジ無水物、2゜2’、3.3’−ジフェニルテトラカ
ルボン酸ジ無水物、2.2−ビス(3,4−ジカルボキ
シジフェニル)プロパンジm水tt、3.4,9.10
−ペリレンテトラカルボン酸ジ無水物、ビス(3゜4−
ジカルボキシジフェニル)エーテルジ無水物、エチレン
テトラカルボン酸ジ無水物、ナフタレン−1,2,4,
5−テトラカルボン酸ジ無水物、ナフタレン−1,4,
5,8−テトラカルボン酸ジ無水物、4.8−ジメチル
−1,2,3,5゜6.7−へキサヒドロナフタレン−
1,2,5゜6−テトラカルボン酸ジ無水物、2.6−
シクロロナフタレンー1.4,5.8−テトラカルボン
酸ジ無水物、2,7−シクロロナフタレンー1゜4.5
.8−テトラカルボン酸ジ無水物、2,3゜4.7−チ
トラクロロナフタレンー1.4,5゜8−テトラカルボ
ン酸ジ無水物、フェナンスレン−1,2,9,10−テ
トラカルボン酸ジ無水物、シクロペンクン−1,2,3
,4−テトラカルボン酸ジ無水物、ピロリジン−2,3
,4,5−テトラカルボン酸ジ無水物、ピラジン2,3
,5゜6−テトラカルボン酸ジ無水物、2.2−ビス(
2,5−ジカルボキシフェニル)プロパンジ無水物、1
.1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタンジ
無水物、1.1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル
)エタンジ無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニ
ル)メタンジ無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェ
ニル)メタンジ無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テ
トラカルボン酸ジ無水物、1,2,3.4−ブタンテト
ラカルボン酸ジ無水物、チオフェン−2,3゜4.5−
テトラカルボン酸ジ無水物、1,3−ビス(3,4−ジ
カルボキシフェニル)−1,1゜3.3−テトラメチル
ジシロキサンジ無水物などが用いられる。
また前記ジアミンとしては、m−フェニレンジアミン、
p−フェニレンジアミン、4.4”−ジアミノジフェニ
ルプロパン、4.4′−ジアミノジフェニルメタン、ベ
ンジジン、4.41−ジアミノジフェニルスルフィド、
4.4”−ジアミノジフェニルスルホン、3.3”−ジ
アミノジフェニルスルホン、4.4”−ジアミノジフェ
ニルエーテル、2,6−ジアミツビリジン、ビス(4−
アミノフェニル)ホスフィンオキシト、ビス(4−アミ
ノフェニル)−N−メチルアミン、1. 5−ジアミノ
ナフタリン、3,3′−ジメチル−4゜41−ジアミノ
ビフェニル、3,3t−ジメトキシベンジジン、2.4
−ビス(β−アミノ−t−ブチル)トルエン、ビス(p
−β−アミノ−t−プチルフェニル)エーテル、p−ビ
ス(2メチル−4−アミノペンチル)ベンゼン、p−ビ
ス(1゜l−ジメチル−5−アミノペンチル)ベンゼン
、m−キシリレンジアミン、p−キシリレンジアミン、
ビス(P−アミノシクロヘキシル)メタン、エチレンジ
アミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン
、ヘプタンメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン
、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3−
メチルへプタメチレンジアミン、4,4−ジメチルへブ
タメチレンジアミン、2,11−ジアミノデカン、1,
2−ビス(3−アミノプロポキシ)エタン、2.2−ジ
メチルプロピレンジアミン、3−メトキシへキサメチレ
ンジアミン、2,5−ジメチルへキサメチレンジアミン
、2,5−ジメチルノナメチレンジアミン、1.4−ジ
アミノシクロヘキサン、2゜12−ジアミノオクタデカ
ン、2,5−ジアミノ−1,3,4−オキサジアゾール
、ビスアミノフェノキシジフェニルヘキサクロロプロパ
ン、1゜3−ビス(アミノプロピル)テトラメチルジシ
ロキサンなどが用いられる。テトラカルボン酸無水物お
よびジアミンは2種以上を用いてもよい。
p−フェニレンジアミン、4.4”−ジアミノジフェニ
ルプロパン、4.4′−ジアミノジフェニルメタン、ベ
ンジジン、4.41−ジアミノジフェニルスルフィド、
4.4”−ジアミノジフェニルスルホン、3.3”−ジ
アミノジフェニルスルホン、4.4”−ジアミノジフェ
ニルエーテル、2,6−ジアミツビリジン、ビス(4−
アミノフェニル)ホスフィンオキシト、ビス(4−アミ
ノフェニル)−N−メチルアミン、1. 5−ジアミノ
ナフタリン、3,3′−ジメチル−4゜41−ジアミノ
ビフェニル、3,3t−ジメトキシベンジジン、2.4
−ビス(β−アミノ−t−ブチル)トルエン、ビス(p
−β−アミノ−t−プチルフェニル)エーテル、p−ビ
ス(2メチル−4−アミノペンチル)ベンゼン、p−ビ
ス(1゜l−ジメチル−5−アミノペンチル)ベンゼン
、m−キシリレンジアミン、p−キシリレンジアミン、
ビス(P−アミノシクロヘキシル)メタン、エチレンジ
アミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン
、ヘプタンメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン
、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、3−
メチルへプタメチレンジアミン、4,4−ジメチルへブ
タメチレンジアミン、2,11−ジアミノデカン、1,
2−ビス(3−アミノプロポキシ)エタン、2.2−ジ
メチルプロピレンジアミン、3−メトキシへキサメチレ
ンジアミン、2,5−ジメチルへキサメチレンジアミン
、2,5−ジメチルノナメチレンジアミン、1.4−ジ
アミノシクロヘキサン、2゜12−ジアミノオクタデカ
ン、2,5−ジアミノ−1,3,4−オキサジアゾール
、ビスアミノフェノキシジフェニルヘキサクロロプロパ
ン、1゜3−ビス(アミノプロピル)テトラメチルジシ
ロキサンなどが用いられる。テトラカルボン酸無水物お
よびジアミンは2種以上を用いてもよい。
前記を機種性溶媒としては、ピリジン、N、 Nジメチ
ルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、
N−ジエチルホルムアミド、NN−ジエチルアセトアミ
ド、N、N−ジメチルメトキシアセトアミド、N−メチ
ル−2−ピロリドン、ジメチルスルホン、テトラメチレ
ンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン等を用い
ることができる。
ルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N、
N−ジエチルホルムアミド、NN−ジエチルアセトアミ
ド、N、N−ジメチルメトキシアセトアミド、N−メチ
ル−2−ピロリドン、ジメチルスルホン、テトラメチレ
ンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン等を用い
ることができる。
本発明に用いられる1、2.4−トリアゾールおよびそ
の誘導体は、−数式(1) (ただし、RおよびRoは水素原子またはアミノ基であ
り、RとRoは同一でも異っていてもよい。
の誘導体は、−数式(1) (ただし、RおよびRoは水素原子またはアミノ基であ
り、RとRoは同一でも異っていてもよい。
)で表される化合物であり、例えば1,2.4−トリア
ゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3.
5−ジアミノ−1,2,4−トリアゾール等が挙げられ
る。
ゾール、3−アミノ−1,2,4−トリアゾール、3.
5−ジアミノ−1,2,4−トリアゾール等が挙げられ
る。
ポリアミド酸と、ベンゾトリアゾール、1,2゜4−ト
リアゾールおよびその誘導体から選ばれる少なくとも一
種の化合物との配合比には特に制限はな(、ポリアミド
酸組成物の成分、用途によって適宜法めることができる
が、好ましくはポリアミド酸100重量部に対してベン
ゾトリアゾール、1.2.4−トリアゾールおよびその
誘導体から選ばれる少なくとも一種の化合物が0.01
−1重量部である。該化合物が0.01重量部未満では
配合による効果が少なく、また1重量部を超えるとその
配合量に対する効果が向上しないことがある。
リアゾールおよびその誘導体から選ばれる少なくとも一
種の化合物との配合比には特に制限はな(、ポリアミド
酸組成物の成分、用途によって適宜法めることができる
が、好ましくはポリアミド酸100重量部に対してベン
ゾトリアゾール、1.2.4−トリアゾールおよびその
誘導体から選ばれる少なくとも一種の化合物が0.01
−1重量部である。該化合物が0.01重量部未満では
配合による効果が少なく、また1重量部を超えるとその
配合量に対する効果が向上しないことがある。
本発明のポリアミド酸組成物には、前述した有機極性溶
媒以外に、例えばベンゼン、ベンゾニトリル、ジオキサ
ン、ブチロラクトン、キシレン、トルエン、シクロヘキ
サン等の非極性溶媒を含んでいてもよい。
媒以外に、例えばベンゼン、ベンゾニトリル、ジオキサ
ン、ブチロラクトン、キシレン、トルエン、シクロヘキ
サン等の非極性溶媒を含んでいてもよい。
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例1〜14および比較例1〜2
第1表に示す配合量(単位:重量部)のポリアミド酸、
ベンゾトリアゾール、1.2.4−1リアゾールおよび
3−アミノ−1,2,4−t−リアゾールを用いて組成
物を作製し、錆の発生状態を次に示す試験方法で調べ、
その結果を第1表に示した。
ベンゾトリアゾール、1.2.4−1リアゾールおよび
3−アミノ−1,2,4−t−リアゾールを用いて組成
物を作製し、錆の発生状態を次に示す試験方法で調べ、
その結果を第1表に示した。
なお、第1表中のaはピロメリット酸ジ無水物、ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸ジ無水物およびジアミノジフ
ェニルエーテルを、0.510.5/1゜0(モル比)
の割合で溶媒N−メチルピロリドン中で常温下、5時間
攪拌して合成したポリアミド酸、bはピロメリット酸ジ
無水物、ビフェニルテトラカルボン酸ジ無水物およびP
−フェニレンジアミンを0.510.5/1.0 (モ
ル比)の割合で溶媒N−メチルピロリドン中で常温下、
5時間攪拌して合成したポリアミド酸を表す。
フェノンテトラカルボン酸ジ無水物およびジアミノジフ
ェニルエーテルを、0.510.5/1゜0(モル比)
の割合で溶媒N−メチルピロリドン中で常温下、5時間
攪拌して合成したポリアミド酸、bはピロメリット酸ジ
無水物、ビフェニルテトラカルボン酸ジ無水物およびP
−フェニレンジアミンを0.510.5/1.0 (モ
ル比)の割合で溶媒N−メチルピロリドン中で常温下、
5時間攪拌して合成したポリアミド酸を表す。
く試験方法〉
tA板(70闘X30m1!lX0.25鵬)にろ紙を
重ねて直径8IIII11のガラスに巻きつけ、本発明
のポリアミド酸組成物、またはポリアミド酸単独のN−
メチルピロリドン溶液(不揮発分7重量%)を含浸させ
たのち、150°Cで1時間、ついで350℃で30分
加熱して樹脂を硬化させた。その後、23℃±3°Cの
空気中に72時間放置した後、銅板とろ紙を分離して前
端の発生程度を判定した。
重ねて直径8IIII11のガラスに巻きつけ、本発明
のポリアミド酸組成物、またはポリアミド酸単独のN−
メチルピロリドン溶液(不揮発分7重量%)を含浸させ
たのち、150°Cで1時間、ついで350℃で30分
加熱して樹脂を硬化させた。その後、23℃±3°Cの
空気中に72時間放置した後、銅板とろ紙を分離して前
端の発生程度を判定した。
前端なしを◎、前端はとんどなしをO1青錆の発生が著
しいを×として表した。
しいを×として表した。
本発明のポリアミド酸組成物は、銅および銅合金に対し
て防錆能力を有し、腐蝕性がないため、今までほとんど
使用されていなかった銅と直接接する部所のポリイミド
材料による絶縁、保護等が可能となる。
て防錆能力を有し、腐蝕性がないため、今までほとんど
使用されていなかった銅と直接接する部所のポリイミド
材料による絶縁、保護等が可能となる。
Claims (1)
- 1.ポリアミド酸と、ベンゾトリアゾール、1,2,4
−トリアゾールおよびその誘導体から選ばれる少なくと
も一種の化合物とを含有するポリアミド酸組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4962789A JPH02228359A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | ポリアミド酸組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4962789A JPH02228359A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | ポリアミド酸組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02228359A true JPH02228359A (ja) | 1990-09-11 |
Family
ID=12836462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4962789A Pending JPH02228359A (ja) | 1989-03-01 | 1989-03-01 | ポリアミド酸組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02228359A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6310135B1 (en) | 1995-04-18 | 2001-10-30 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Polyimide resin composition |
JP2006184660A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物並びにそれらを用いた半導体装置及び表示素子 |
JP2009019132A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Reika O | ポリアミック酸樹脂組成物及びフレキシブル銅張積層板 |
US20090139753A1 (en) * | 2006-02-06 | 2009-06-04 | Lg Chem, Ltd. | Copper Clad Laminate for Chip on Film |
JPWO2016084860A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2017-07-27 | 富士フイルム株式会社 | 除去液、これを用いた除去方法および半導体基板製品の製造方法 |
-
1989
- 1989-03-01 JP JP4962789A patent/JPH02228359A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6310135B1 (en) | 1995-04-18 | 2001-10-30 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Polyimide resin composition |
US6734248B2 (en) | 1995-04-18 | 2004-05-11 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Pattern forming process using polyimide resin composition |
US6743851B2 (en) | 1995-04-18 | 2004-06-01 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Polyimide film |
JP2006184660A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物並びにそれらを用いた半導体装置及び表示素子 |
JP4543923B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-09-15 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物並びにそれらを用いた半導体装置及び表示素子 |
US20090139753A1 (en) * | 2006-02-06 | 2009-06-04 | Lg Chem, Ltd. | Copper Clad Laminate for Chip on Film |
JP2009019132A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Reika O | ポリアミック酸樹脂組成物及びフレキシブル銅張積層板 |
JPWO2016084860A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2017-07-27 | 富士フイルム株式会社 | 除去液、これを用いた除去方法および半導体基板製品の製造方法 |
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