JPH07120914A - ポジ型ホトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型ホトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPH07120914A JPH07120914A JP5263890A JP26389093A JPH07120914A JP H07120914 A JPH07120914 A JP H07120914A JP 5263890 A JP5263890 A JP 5263890A JP 26389093 A JP26389093 A JP 26389093A JP H07120914 A JPH07120914 A JP H07120914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive photoresist
- photoresist composition
- carbon atoms
- group
- compounds
- Prior art date
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 各種基板、特にＩＴＯ基板に対する密着性の
優れたポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 【構成】 ノボラック樹脂およびナフトキノンジアジド
スルホン酸エステルを主成分とする感光剤と、メラミン
誘導体またはグアナミン誘導体とを含有することを特徴
とする、ポジ型ホトレジスト組成物。
優れたポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 【構成】 ノボラック樹脂およびナフトキノンジアジド
スルホン酸エステルを主成分とする感光剤と、メラミン
誘導体またはグアナミン誘導体とを含有することを特徴
とする、ポジ型ホトレジスト組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポジ型ホトレジスト組
成物に関し、特に下地基板に対する密着性を向上させた
ポジ型ホトレジスト組成物に関するものである。
成物に関し、特に下地基板に対する密着性を向上させた
ポジ型ホトレジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、ポジ型ホトレジストは半導体集積
回路、プリント配線板、液晶表示素子等の精密加工に利
用されている。このポジ型ホトレジストの重要な特性と
して下地基板との密着性が挙げられる。通常のポジ型ホ
トレジストではウェットエッチングのプロセスにおいて
膜はがれやアンダーカットが起こることがあり、これが
問題点の１つになっている。
回路、プリント配線板、液晶表示素子等の精密加工に利
用されている。このポジ型ホトレジストの重要な特性と
して下地基板との密着性が挙げられる。通常のポジ型ホ
トレジストではウェットエッチングのプロセスにおいて
膜はがれやアンダーカットが起こることがあり、これが
問題点の１つになっている。
【０００３】そこで、現像後の加熱処理によるプロセス
上の対策やヘキサメチルジシラザン等による基板表面処
理の対策が行われているが、いずれの方法によっても十
分な効果が得られていない。
上の対策やヘキサメチルジシラザン等による基板表面処
理の対策が行われているが、いずれの方法によっても十
分な効果が得られていない。
【０００４】ポジ型ホトレジストに対して下地基板との
密着性増強剤として添加剤を加える方法には、たとえば
特公昭51-47574、特開昭59-172643 、特開昭62-262043
、特開平1-108543、特開平2-84654 、特開昭2-262660
の各公報に開示されたものがある。しかし、実際問題と
して基板の種類も多くそれに伴ってエッチング液の種類
や条件の違いがあり、またレジストとの密着性が各基板
によって異なるため、より優れた密着性増強剤の開発が
望まれていた。
密着性増強剤として添加剤を加える方法には、たとえば
特公昭51-47574、特開昭59-172643 、特開昭62-262043
、特開平1-108543、特開平2-84654 、特開昭2-262660
の各公報に開示されたものがある。しかし、実際問題と
して基板の種類も多くそれに伴ってエッチング液の種類
や条件の違いがあり、またレジストとの密着性が各基板
によって異なるため、より優れた密着性増強剤の開発が
望まれていた。
【０００５】本発明は、各種基板、特にＩＴＯ基板に対
する密着性の優れたポジ型ホトレジスト組成物を提供す
ることを目的とする。
する密着性の優れたポジ型ホトレジスト組成物を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【発明の概要】本発明は、ノボラック樹脂と、ナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステルを主成分とする感光剤
とからなるポジ型ホトレジスト組成物に、基板に対する
密着増強剤を添加することにより、上記課題を有効に解
決できるとの知見に基づいてなされたものである。
ノンジアジドスルホン酸エステルを主成分とする感光剤
とからなるポジ型ホトレジスト組成物に、基板に対する
密着増強剤を添加することにより、上記課題を有効に解
決できるとの知見に基づいてなされたものである。
【０００７】すなわち、本発明の目的は、ノボラック樹
脂と、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを主成
分とする感光剤と、メラミン誘導体および／またはグア
ナミン誘導体からなる密着増強剤とを含有してなること
を特徴とする、ポジ型ホトレジスト組成物により達成さ
れる。
脂と、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを主成
分とする感光剤と、メラミン誘導体および／またはグア
ナミン誘導体からなる密着増強剤とを含有してなること
を特徴とする、ポジ型ホトレジスト組成物により達成さ
れる。
【０００８】上記密着増強剤の好ましい例は、下記の化
学式（１）で示される化合物である。
学式（１）で示される化合物である。
【０００９】
【化２】 式中、Ｘは−ＮＲ5 Ｒ6 、置換もしくは未置換のフェニ
ル基または炭素数１〜８の炭化水素基を示し、Ｒ1 〜Ｒ
6 はそれぞれ独立して−Ｈ、−ＣＨ2 ＯＨまたはＣＨ2
ＯＲ7 を示し、Ｒ7 は炭素数１〜６の直鎖状もしくは分
枝した炭化水素基または−Ｒ8 ＯＣＯＣＲ9 ＝ＣＲ10Ｒ
11を示し、Ｒ8 は炭素数１〜４の直鎖状もしくは分枝し
たアルキレン基を示し、Ｒ9 〜Ｒ11はそれぞれ独立して
−Ｈまたは炭素数１〜４の直鎖状または分枝したアルキ
ル基を示す。
ル基または炭素数１〜８の炭化水素基を示し、Ｒ1 〜Ｒ
6 はそれぞれ独立して−Ｈ、−ＣＨ2 ＯＨまたはＣＨ2
ＯＲ7 を示し、Ｒ7 は炭素数１〜６の直鎖状もしくは分
枝した炭化水素基または−Ｒ8 ＯＣＯＣＲ9 ＝ＣＲ10Ｒ
11を示し、Ｒ8 は炭素数１〜４の直鎖状もしくは分枝し
たアルキレン基を示し、Ｒ9 〜Ｒ11はそれぞれ独立して
−Ｈまたは炭素数１〜４の直鎖状または分枝したアルキ
ル基を示す。
【００１０】さらに、本発明においては、化学式（１）
の化合物に加え、この化合物の２量体、３量体その他の
オリゴマーを含むものを密着増強剤として用いることも
できる。
の化合物に加え、この化合物の２量体、３量体その他の
オリゴマーを含むものを密着増強剤として用いることも
できる。
【００１１】本発明のメラミン誘導体中のアミノ基の１
〜６個の置換基およびグアナミン誘導体中のアミノ基の
１〜４個の置換基の具体例としては、たとえば、- ＣＨ
2 ＯＨ、- ＣＨ2 ＯＣＨ3 、- ＣＨ2 ＯＣ2 Ｈ5 、- Ｃ
Ｈ2 ＯＣ3 Ｈ7 、- ＣＨ2 ＯＣ4 Ｈ9 、- ＣＨ2 ＯＣ5
Ｈ11、- ＣＨ2 ＯＣ6 Ｈ13、- ＣＨ2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣ
Ｈ＝ＣＨ2 、- ＣＨ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＯＣＨＣＨ2 、-
ＣＨ2 ＯＣ3 Ｈ6 ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ2、- ＣＨ2 ＯＣ4
Ｈ8 ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ2 、- ＣＨ2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣＨ
2 ＣＨ＝ＣＨ2 、- ＣＨ2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣ2 Ｈ4 ＣＨ
＝ＣＨ2 、- ＣＨ2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣ3 Ｈ6 ＣＨ＝ＣＨ
2 、- ＣＨ2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣＨ＝ＣＨＣＨ3 、- ＣＨ
2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣＨ＝ＣＨＣ2 Ｈ5 、- ＣＨ2 ＯＣＨ
2 ＯＣＯＣＨ＝ＣＨＣ3 Ｈ7 が挙げられる。
〜６個の置換基およびグアナミン誘導体中のアミノ基の
１〜４個の置換基の具体例としては、たとえば、- ＣＨ
2 ＯＨ、- ＣＨ2 ＯＣＨ3 、- ＣＨ2 ＯＣ2 Ｈ5 、- Ｃ
Ｈ2 ＯＣ3 Ｈ7 、- ＣＨ2 ＯＣ4 Ｈ9 、- ＣＨ2 ＯＣ5
Ｈ11、- ＣＨ2 ＯＣ6 Ｈ13、- ＣＨ2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣ
Ｈ＝ＣＨ2 、- ＣＨ2 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＯＣＨＣＨ2 、-
ＣＨ2 ＯＣ3 Ｈ6 ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ2、- ＣＨ2 ＯＣ4
Ｈ8 ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ2 、- ＣＨ2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣＨ
2 ＣＨ＝ＣＨ2 、- ＣＨ2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣ2 Ｈ4 ＣＨ
＝ＣＨ2 、- ＣＨ2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣ3 Ｈ6 ＣＨ＝ＣＨ
2 、- ＣＨ2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣＨ＝ＣＨＣＨ3 、- ＣＨ
2 ＯＣＨ2 ＯＣＯＣＨ＝ＣＨＣ2 Ｈ5 、- ＣＨ2 ＯＣＨ
2 ＯＣＯＣＨ＝ＣＨＣ3 Ｈ7 が挙げられる。
【００１２】本発明のメラミン誘導体の例としては、モ
ノメチロールメラミン、ジメチロールメラミン、トリメ
チロールメラミン、テトラメチロールメラミン、ペンタ
メチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミン、ヘキ
サメトキシメチロールメラミン、ヘキサエトキシメチロ
ールメラミン、ヘキサプロポキシメチロールメラミン、
ヘキサブトキシメチロールメラミン、ヘキサペントキシ
メチロールメラミン、ヘキサヘキソキシメチロールメラ
ミン、混合エーテル化したものとしてジメトキシテトラ
ブトキシメチロールメラミン等が挙げられる。
ノメチロールメラミン、ジメチロールメラミン、トリメ
チロールメラミン、テトラメチロールメラミン、ペンタ
メチロールメラミン、ヘキサメチロールメラミン、ヘキ
サメトキシメチロールメラミン、ヘキサエトキシメチロ
ールメラミン、ヘキサプロポキシメチロールメラミン、
ヘキサブトキシメチロールメラミン、ヘキサペントキシ
メチロールメラミン、ヘキサヘキソキシメチロールメラ
ミン、混合エーテル化したものとしてジメトキシテトラ
ブトキシメチロールメラミン等が挙げられる。
【００１３】上記で示される化合物として一般に市販さ
れている物を使用することも可能であり、たとえば、サ
イメル（登録商標）３００、３０３（以上、三井サイア
ミッド社製）、ニカラックＭＷ−３０ＭＨ、ＭＷ−３
０、ＭＳ−１１、ＭＳ−００１、ＭＸ−７５０、ＭＸ−
７０６（メチル化メラミン樹脂) 、ＭＸ−４０（混合エ
ーテル化メラミン樹脂）、ＭＸ−３０２（アクリルメラ
ミン樹脂）、ＢＸ−４０００（ベンゾグアナミン系）
（以上、三和ケミカル社製）などが挙げられる。本発明
による組成物には、これらの化合物を単独で、または、
複数組み合わせて用いることもできる。さらに、他の密
着増強剤の成分として、たとえば、不飽和ポリエステ
ル、無水マレイン酸およびトリエチレングリコール、イ
ソフタル酸およびトリエチレングリコール、ベンゾトリ
アゾールカルボン酸類、１−ヒドロキシエチル−２−ア
ルキルイミダゾリン、尿素化合物、チオ尿素化合物、ア
リールアミン化合物ならびにトリフェニルメタン化合物
の単独または任意の組合せの混合物を含むことができ
る。
れている物を使用することも可能であり、たとえば、サ
イメル（登録商標）３００、３０３（以上、三井サイア
ミッド社製）、ニカラックＭＷ−３０ＭＨ、ＭＷ−３
０、ＭＳ−１１、ＭＳ−００１、ＭＸ−７５０、ＭＸ−
７０６（メチル化メラミン樹脂) 、ＭＸ−４０（混合エ
ーテル化メラミン樹脂）、ＭＸ−３０２（アクリルメラ
ミン樹脂）、ＢＸ−４０００（ベンゾグアナミン系）
（以上、三和ケミカル社製）などが挙げられる。本発明
による組成物には、これらの化合物を単独で、または、
複数組み合わせて用いることもできる。さらに、他の密
着増強剤の成分として、たとえば、不飽和ポリエステ
ル、無水マレイン酸およびトリエチレングリコール、イ
ソフタル酸およびトリエチレングリコール、ベンゾトリ
アゾールカルボン酸類、１−ヒドロキシエチル−２−ア
ルキルイミダゾリン、尿素化合物、チオ尿素化合物、ア
リールアミン化合物ならびにトリフェニルメタン化合物
の単独または任意の組合せの混合物を含むことができ
る。
【００１４】上記化合物は、ポジ型ホトレジストに対し
て０．１〜５０重量％、好ましくは、１〜１０重量％の
範囲で添加することが望ましい。添加量が極端に少なく
なると密着性の改善が見られず、また１０重量％を超え
るとホトレジストの感度の温度依存性が大きくなる傾向
が生じる。
て０．１〜５０重量％、好ましくは、１〜１０重量％の
範囲で添加することが望ましい。添加量が極端に少なく
なると密着性の改善が見られず、また１０重量％を超え
るとホトレジストの感度の温度依存性が大きくなる傾向
が生じる。
【００１５】本発明による組成物を構成するノボラック
樹脂は、ｍ−クレゾールとアルデヒド類（たとえば、ホ
ルムアルデヒド）とを縮合することによって、得られる
ものを利用することができる。本発明による好ましい態
様によれば、ｍ−クレゾールに加えて、ｐ−クレゾー
ル、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、
３，５−キシレノールからなる群から選択される一種ま
たはそれ以上のフェノール類を含有した混合物と、アル
デヒド類とを縮合することによって得られたノボラック
樹脂を利用することが好ましい。しかしながら、混合す
る割合、分子量等、一般的にホトレジストとして使用で
きるレベルであれば何等制限されることはない。
樹脂は、ｍ−クレゾールとアルデヒド類（たとえば、ホ
ルムアルデヒド）とを縮合することによって、得られる
ものを利用することができる。本発明による好ましい態
様によれば、ｍ−クレゾールに加えて、ｐ−クレゾー
ル、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、
３，５−キシレノールからなる群から選択される一種ま
たはそれ以上のフェノール類を含有した混合物と、アル
デヒド類とを縮合することによって得られたノボラック
樹脂を利用することが好ましい。しかしながら、混合す
る割合、分子量等、一般的にホトレジストとして使用で
きるレベルであれば何等制限されることはない。
【００１６】１，２ナフトキノンジアジドスルホン酸と
各種バラスト化合物からなる感光剤であって、エステル
化率、バラストの種類は、ホトレジストをそのレジスト
として使用できる限り制限されない。たとえば、バラス
ト化合物としてヒドロキシベンゾフェノン類が挙げられ
る。
各種バラスト化合物からなる感光剤であって、エステル
化率、バラストの種類は、ホトレジストをそのレジスト
として使用できる限り制限されない。たとえば、バラス
ト化合物としてヒドロキシベンゾフェノン類が挙げられ
る。
【００１７】本発明によるポジ型ホトレジスト組成物
は、前記した成分を有機溶剤に溶解して使用する。溶剤
としての有機溶剤は、前記した成分を溶解でき、かつホ
トレジストとしてそのレジストを利用することができる
限り限定されないが、好ましい有機溶剤の具体例として
は、たとえば、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエー
テル類、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ートなどのグリコールエーテルアセテート類、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、乳酸エチルなどのエステル類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン、などのケトン類、および、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族炭化水素類、さらに場合によって、アセ
トニトリル、ジメチルホルムアミド、ジオキサンなども
使用することができる。これらの溶剤は単独または混合
して使用することができる。
は、前記した成分を有機溶剤に溶解して使用する。溶剤
としての有機溶剤は、前記した成分を溶解でき、かつホ
トレジストとしてそのレジストを利用することができる
限り限定されないが、好ましい有機溶剤の具体例として
は、たとえば、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエー
テル類、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ートなどのグリコールエーテルアセテート類、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、乳酸エチルなどのエステル類、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン、などのケトン類、および、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族炭化水素類、さらに場合によって、アセ
トニトリル、ジメチルホルムアミド、ジオキサンなども
使用することができる。これらの溶剤は単独または混合
して使用することができる。
【００１８】一般的には、以上のような溶媒に対し、前
記した成分をその合計量として、約１０〜５０重量％、
好ましくは、１５〜３５重量％添加して本発明のポジ型
ホトレジスト組成物とする。
記した成分をその合計量として、約１０〜５０重量％、
好ましくは、１５〜３５重量％添加して本発明のポジ型
ホトレジスト組成物とする。
【００１９】また、従来のネガ型のホトレジストにおい
てメトキシメチロールメラミンを架橋剤として使用した
例はあるが、パターン形成プロセスにおけるメラミンの
作用機構は本発明のポジ型レジストとしては異なるもの
である。このネガ型ホトレジストの反応では酸の存在下
で加熱処理を行うことにより- ＣＨ2 ＯＣＨ3 からメタ
ノールを脱離させカルボニウムイオンを生成させる。こ
のカルボニウムイオンとフェノール系のレジンの水酸基
が反応し脱プロトンとともに架橋が起こりアルカリ可溶
であったレジンがアルカリ不溶になる反応である。しか
しながら本発明のポジ型ホトレジストではこのような反
応機構はとらず、あくまでもポジ型ホトレジストの密着
増強剤として働いている。これはポジ型とネガ型とのプ
ロセスの違いからも明かである。
てメトキシメチロールメラミンを架橋剤として使用した
例はあるが、パターン形成プロセスにおけるメラミンの
作用機構は本発明のポジ型レジストとしては異なるもの
である。このネガ型ホトレジストの反応では酸の存在下
で加熱処理を行うことにより- ＣＨ2 ＯＣＨ3 からメタ
ノールを脱離させカルボニウムイオンを生成させる。こ
のカルボニウムイオンとフェノール系のレジンの水酸基
が反応し脱プロトンとともに架橋が起こりアルカリ可溶
であったレジンがアルカリ不溶になる反応である。しか
しながら本発明のポジ型ホトレジストではこのような反
応機構はとらず、あくまでもポジ型ホトレジストの密着
増強剤として働いている。これはポジ型とネガ型とのプ
ロセスの違いからも明かである。
【００２０】本発明によるポジ型ホトレジスト組成物に
は、その効果を損なわない範囲で、第４成分を加えるこ
とができる。そのような第４成分の例として、たとえ
ば、ホトレジストコーティング時に放射線状に発生する
ストライエーションを防ぐための界面活性剤、基板から
の反射を減少させるための染料、適度に露光光を吸収さ
せるための紫外線吸収剤、感度を上げるための増感剤
（本発明による密着増強化合物自身、増感効果があ
る）、泡の発生を抑えるための消泡剤などがある。
は、その効果を損なわない範囲で、第４成分を加えるこ
とができる。そのような第４成分の例として、たとえ
ば、ホトレジストコーティング時に放射線状に発生する
ストライエーションを防ぐための界面活性剤、基板から
の反射を減少させるための染料、適度に露光光を吸収さ
せるための紫外線吸収剤、感度を上げるための増感剤
（本発明による密着増強化合物自身、増感効果があ
る）、泡の発生を抑えるための消泡剤などがある。
【００２１】本発明によるポジ型ホトレジスト組成物は
半導体素子、液晶表示装置の製造に好ましく用いられ
る。
半導体素子、液晶表示装置の製造に好ましく用いられ
る。
【００２２】以下に、実施例により本発明を説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２３】
【実施例】ベースサンプル（比較例）は、ｍ−クレゾー
ル、３，５−キシレノールからなるノボラック樹脂と、
５−ナフトキノンジアジドスルホン酸と、テトラヒドロ
キシベンゾフェノンとからなる感光剤を、１００：２
７．３の割合で混合し、ＳＦ剤として界面活性剤を上記
２成分の合計に対して３００ｐｐｍ添加して調製した。
溶剤として、ＰＧＭＥＡを使用した。
ル、３，５−キシレノールからなるノボラック樹脂と、
５−ナフトキノンジアジドスルホン酸と、テトラヒドロ
キシベンゾフェノンとからなる感光剤を、１００：２
７．３の割合で混合し、ＳＦ剤として界面活性剤を上記
２成分の合計に対して３００ｐｐｍ添加して調製した。
溶剤として、ＰＧＭＥＡを使用した。
【００２４】表１に示されるような本発明のサンプルＡ
〜Ｋは、上記比較例に表１の各添加物を、レジスト固形
分（ノボラック樹脂＋感光剤）に対して３〜５重量％添
加して調製した。これらの添加物として、三井サイアナ
ミッド社製、三和ケミカル社製の製品がそのまま使用さ
れた。
〜Ｋは、上記比較例に表１の各添加物を、レジスト固形
分（ノボラック樹脂＋感光剤）に対して３〜５重量％添
加して調製した。これらの添加物として、三井サイアナ
ミッド社製、三和ケミカル社製の製品がそのまま使用さ
れた。
【００２５】
【表１】 Ａの添加物は、三井サイアナミッド社製、Ｂ〜Ｋの添加
物は、三和ケミカル社製のものである。Ｂ〜Ｄの各添加
物には微妙な差があり、ＤからＢに向かってモノマー率
が高くなる。表１で、結合アルコールモル数が低いとい
うことは、−ＣＨ2 ＯＨが多くなるということであり、
結合アルデヒドモル数が低いということは−Ｈが多くな
るということである。なお、サンプルＩは、結合アルコ
ールとしてメタノール４ｍｏｌ、ブタノールを２ｍｏｌ
使用している。サンプルＪは、メタノール６に対して２
−ヒドロキシエチルアクリレートで３ｍｏｌ置換してい
る。サンプルＫは、ベンゾグアナミンをベースにしてい
る。 （プロセス条件）基板として４インチのガラス基板にＩ
ＴＯ膜を７００オングストローム付けたものを使用し
た。レジストを１．５μｍにスピン塗布し、９０℃で５
分ベルト式ホットプレートによりプリベークした。露光
は、ｇ−ｌｉｎｅステッパー（ＧＣＡ製）を使用した。
その後、ＡＺ３００ＭＩＦ（ヘキスト社製）を用いて、
２３℃、６０秒、パドル方式で現像した。その後、１２
０℃、５分間、ベルト式ホットプレートによりポストベ
ークした後エッチングした。エッチング液は、ＨＣｌ
（３５％）とＦｅＣｌ3 （３５％）１：１で混合したも
のを使用した。５０℃で３０秒ディップ方式とした。そ
の後、レジストを剥離した。 （評価）現像後の５ｍｍのレジスト線幅とエッチング後
のＩＴＯ線幅を測定し、その差によって各サンプルの密
着性評価をした。この値をサイドエッチ量と呼び（図１
のａ＋ａ’）、サイドエッチ量の少ないものほど、密着
性が優れていると判断した。
物は、三和ケミカル社製のものである。Ｂ〜Ｄの各添加
物には微妙な差があり、ＤからＢに向かってモノマー率
が高くなる。表１で、結合アルコールモル数が低いとい
うことは、−ＣＨ2 ＯＨが多くなるということであり、
結合アルデヒドモル数が低いということは−Ｈが多くな
るということである。なお、サンプルＩは、結合アルコ
ールとしてメタノール４ｍｏｌ、ブタノールを２ｍｏｌ
使用している。サンプルＪは、メタノール６に対して２
−ヒドロキシエチルアクリレートで３ｍｏｌ置換してい
る。サンプルＫは、ベンゾグアナミンをベースにしてい
る。 （プロセス条件）基板として４インチのガラス基板にＩ
ＴＯ膜を７００オングストローム付けたものを使用し
た。レジストを１．５μｍにスピン塗布し、９０℃で５
分ベルト式ホットプレートによりプリベークした。露光
は、ｇ−ｌｉｎｅステッパー（ＧＣＡ製）を使用した。
その後、ＡＺ３００ＭＩＦ（ヘキスト社製）を用いて、
２３℃、６０秒、パドル方式で現像した。その後、１２
０℃、５分間、ベルト式ホットプレートによりポストベ
ークした後エッチングした。エッチング液は、ＨＣｌ
（３５％）とＦｅＣｌ3 （３５％）１：１で混合したも
のを使用した。５０℃で３０秒ディップ方式とした。そ
の後、レジストを剥離した。 （評価）現像後の５ｍｍのレジスト線幅とエッチング後
のＩＴＯ線幅を測定し、その差によって各サンプルの密
着性評価をした。この値をサイドエッチ量と呼び（図１
のａ＋ａ’）、サイドエッチ量の少ないものほど、密着
性が優れていると判断した。
【００２６】 表 ２ サンプル名 サイドエッチ量（μｍ） Ａ ０．６８ Ｂ ０．８８ Ｃ ０．７２ Ｄ ０．４３ Ｅ ０．７７ Ｆ ０．６０ Ｇ ０．６８ Ｈ ０．６８ Ｉ ０．５５ Ｊ ０．７８ Ｋ １．５０ 比較例 ２．７０ （結果）結果は、表２に示した通りである。比較例がサ
イドエッチ量２．７０μｍであるのに対し、メラミン誘
導体系の添加物を加えたものは０．６〜０．８μｍ程度
となっており、約２．０μｍの改良が見られた。ベンゾ
グアナミン系を使用したサンプルＫは１．５μｍ程度と
なり比較例に比べ１．２μｍ改良されていた。
イドエッチ量２．７０μｍであるのに対し、メラミン誘
導体系の添加物を加えたものは０．６〜０．８μｍ程度
となっており、約２．０μｍの改良が見られた。ベンゾ
グアナミン系を使用したサンプルＫは１．５μｍ程度と
なり比較例に比べ１．２μｍ改良されていた。
【００２７】以上の結果より、本実施例のホトレジスト
組成物は密着性向上に極めて有効であることがわかっ
た。
組成物は密着性向上に極めて有効であることがわかっ
た。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、密着増強剤をポジ型ホ
トレジストに添加することによりウェットエッチング耐
性が向上しその結果としてレジストの膜はがれ、サイド
エッチが改良される。そのため、現在パターンの微細
化、複雑化が進む中でエッチング不良を減少させ歩留り
の向上に役立つ。また、エッチング速度を上げるために
強力なエッチング液を使用したり高温で使用する等の厳
しい条件にも耐え得るのでスループットの向上も可能で
ある。
トレジストに添加することによりウェットエッチング耐
性が向上しその結果としてレジストの膜はがれ、サイド
エッチが改良される。そのため、現在パターンの微細
化、複雑化が進む中でエッチング不良を減少させ歩留り
の向上に役立つ。また、エッチング速度を上げるために
強力なエッチング液を使用したり高温で使用する等の厳
しい条件にも耐え得るのでスループットの向上も可能で
ある。
【図１】各種ホトレジストサンプルの基板への密着性の
評価方法を示す説明図である。
評価方法を示す説明図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/022 7/039 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】ノボラック樹脂と、ナフトキノンジアジド
スルホン酸エステルを主成分とする感光剤と、メラミン
誘導体および／またはグアナミン誘導体からなる密着増
強剤とを含有してなることを特徴とする、ポジ型ホトレ
ジスト組成物。 - 【請求項２】前記密着増強剤が、下記一般式（１）で示
される化合物からなる、請求項１記載のポジ型ホトレジ
スト組成物。 【化１】 式中、Ｘは−ＮＲ5 Ｒ6 、置換もしくは未置換のフェニ
ル基または炭素数１〜８の炭化水素基を示し、Ｒ1 〜Ｒ
6 はそれぞれ独立して−Ｈ、−ＣＨ2 ＯＨまたはＣＨ2
ＯＲ7 を示し、Ｒ7 は炭素数１〜６の直鎖状もしくは分
枝した炭化水素基または−Ｒ8 ＯＣＯＣＲ9 ＝ＣＲ10Ｒ
11を示し、Ｒ8 は炭素数１〜４の直鎖状もしくは分枝し
たアルキレン基を示し、Ｒ9 〜Ｒ11はそれぞれ独立して
−Ｈまたは炭素数１〜４の直鎖状または分枝したアルキ
ル基を示す。 - 【請求項３】前記式（１）の化合物の２量体または３量
体を密着増強剤として含む、請求項１または２に記載の
ポジ型ホトレジスト組成物。 - 【請求項４】前記密着増強剤が、不飽和ポリエステル、
無水マレイン酸およびトリエチレングリコール、イソフ
タル酸およびトリエチレングリコール、ベンゾトリアゾ
ールカルボン酸類、１−ヒドロキシエチル−２−アルキ
ルイミダゾリン、尿素化合物、チオ尿素化合物、アリー
ルアミン化合物ならびにトリフェニルメタン化合物から
なる群から選択される１種以上の物質をさらに含む、請
求項１記載のポジ型ホトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5263890A JPH07120914A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5263890A JPH07120914A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07120914A true JPH07120914A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17395681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5263890A Expired - Lifetime JPH07120914A (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | ポジ型ホトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120914A (ja) |
Cited By (4)
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1993
- 1993-10-21 JP JP5263890A patent/JPH07120914A/ja not_active Expired - Lifetime
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