KR910006779A - 감방사선성 포지티브 레지스트 조성물 - Google Patents

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KR910006779A
KR910006779A KR1019900014008A KR900014008A KR910006779A KR 910006779 A KR910006779 A KR 910006779A KR 1019900014008 A KR1019900014008 A KR 1019900014008A KR 900014008 A KR900014008 A KR 900014008A KR 910006779 A KR910006779 A KR 910006779A
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KR
South Korea
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positive resist
compound
radiation
sensitive positive
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KR1019900014008A
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하루요시 오오사끼
야스노리 우에따니
Original Assignee
모리 히데오
스미또모 가가꾸고오교 가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

Abstract

내용 없음

Description

감방사선성 포지티브 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (4)

1,2-퀴논 디아지트 화합물 및 하기 일반식(I)의 폴리페놀 화합물을 함유하는 알칼리-가용성 수지로 구성된 포지티브 레지스트 조성물.
상기식에서, R은 C1~C5알킬기 또는 C1~C5알콕시이고, n은 0~3임.)
제1항에 있어서, 폴리페놀 화합물(I)이 하기식(II)의 화합물인 포지티브 레지스트 조성물.
제1 또는 2항에 있어서, 폴리페놀 화합물(I)의 함량은 전체의 알칼리-가용성 수지 100중량부당 4~40중량부인 포지티브 레지스트 조성물.
제1 내지 3항중 어느 한 항에 있어서, 노볼락 수지는 폴리스티렌으로 환산된 분자량이 900 이하의 범위인 GPC에서의 면적 비율이 25%를 초과하지 않는 포지티브 레지스트 조성물.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900014008A 1989-09-05 1990-09-05 감방사선성 포지티브 레지스트 조성물 KR910006779A (ko)

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