KR910020496A - 포지티브 레지스트 조성물 - Google Patents

포지티브 레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR910020496A
KR910020496A KR1019910008126A KR910008126A KR910020496A KR 910020496 A KR910020496 A KR 910020496A KR 1019910008126 A KR1019910008126 A KR 1019910008126A KR 910008126 A KR910008126 A KR 910008126A KR 910020496 A KR910020496 A KR 910020496A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resist composition
positive resist
molecular weight
soluble resin
gpc
Prior art date
Application number
KR1019910008126A
Other languages
English (en)
Inventor
야스노리 우에따니
Original Assignee
모리 히데로
스미또모가가꾸고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리 히데로, 스미또모가가꾸고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 모리 히데로
Publication of KR910020496A publication Critical patent/KR910020496A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

포지티브 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (2)

  1. 알칼리-용해성 수지, 감방사선 성분으로서의 퀴논 디아지드 화합물 및 하기식 (Ⅰ)의 화합물을 함유하는 포지티브 레지스트 조성물.
    〔식중 R1∼R9는 동일하거나 상이하며 각각 수소원자, 알킬기, 할로겐 원자 또는 히드록실기이다. 단 R1∼R9중 하나 이상은 히드록시기이다.〕
  2. 제1항에 있어서, 전술한 알칼리-용해성 수지가, 분자량을 UV광(254nm)검출기를 가진 GPC로 측정할 때 폴리스티렌으로 환산된 분자량이 900이하인 범위의 면적비가 전체 GPC패턴 면적의 25%를 초과하지 않는 포지티브 레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910008126A 1990-05-24 1991-05-18 포지티브 레지스트 조성물 KR910020496A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13650190 1990-05-24
JP136501/1990 1990-05-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR910020496A true KR910020496A (ko) 1991-12-20

Family

ID=15176643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910008126A KR910020496A (ko) 1990-05-24 1991-05-18 포지티브 레지스트 조성물

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5130225A (ko)
EP (1) EP0461388B1 (ko)
KR (1) KR910020496A (ko)
CA (1) CA2042807A1 (ko)
DE (1) DE69121790T2 (ko)
MX (1) MX174089B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2711590B2 (ja) 1990-09-13 1998-02-10 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP3039048B2 (ja) * 1991-11-01 2000-05-08 住友化学工業株式会社 ポジ型感放射線性レジスト組成物
JPH0692909A (ja) * 1992-04-10 1994-04-05 Sumitomo Chem Co Ltd 炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物
JP2935223B2 (ja) * 1992-04-14 1999-08-16 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成用材料の製造方法及びタンタルのパターン形成方法
US5876895A (en) * 1992-12-24 1999-03-02 Sumitomo Chemical Company, Limited Photosensitive resin composition for color filter
US5275911A (en) * 1993-02-01 1994-01-04 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Sesamol/aldehyde condensation products as sensitivity enhancers for radiation sensitive mixtures
JP3329026B2 (ja) * 1993-10-19 2002-09-30 住友化学工業株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
US5703197A (en) * 1997-02-13 1997-12-30 Molecular Optoelectronics Corporation Indane polycarbonates
EP1482494A3 (en) * 2003-05-28 2007-08-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing master for optical information recording media
JP4647241B2 (ja) * 2003-08-04 2011-03-09 シャープ株式会社 光記録媒体原盤の製造方法、光記録媒体スタンパの製造方法、及び光記録媒体の製造方法
KR101737798B1 (ko) * 2010-03-24 2017-05-30 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3288864A (en) * 1962-05-11 1966-11-29 Union Carbide Corp Reaction products of isopropenyl phenols and of linear dimers thereof
JPS5814410B2 (ja) * 1978-08-14 1983-03-18 三井東圧化学株式会社 ジフエニロ−ルアルカンの開裂方法
US4366328A (en) * 1979-11-26 1982-12-28 Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. Indene compound and novel process for producing indene compounds
JPS57143329A (en) * 1981-03-03 1982-09-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Photosensitive resin and its production
JPS58205147A (ja) * 1982-05-25 1983-11-30 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
US4626492A (en) * 1985-06-04 1986-12-02 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Positive-working o-quinone diazide photoresist composition containing a dye and a trihydroxybenzophenone compound
JP2501850B2 (ja) * 1987-05-06 1996-05-29 富士電機株式会社 硬貨選別装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE69121790T2 (de) 1997-04-10
EP0461388A1 (en) 1991-12-18
CA2042807A1 (en) 1991-11-25
DE69121790D1 (de) 1996-10-10
EP0461388B1 (en) 1996-09-04
US5130225A (en) 1992-07-14
MX174089B (es) 1994-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910006776A (ko) 포지티브-작용성 방사선-감수성 혼합물 및 이로부터 제조된 방사선-감수성 복사물질
KR910006777A (ko) 포지티브-작용성 감조사성 혼합물 및 이로부터 제조된 감조사성 복사물질
KR900002123A (ko) 감방사선성 양성 내식막 조성물
KR910020496A (ko) 포지티브 레지스트 조성물
KR950019896A (ko) 방사선 감응성 수지 조성물
ATE244904T1 (de) Polymerzusammensetzung und rezistmaterial
KR960032093A (ko) 화학 증폭형 감방사선성 수지 조성물
KR920006803A (ko) 양성 포토레지스트 조성물
KR960008428A (ko) 화학적으로 증폭된 방사선-민감성 조성물
KR960022623A (ko) 가교결합된 중합체
KR960038480A (ko) 화학적으로 증폭된 포지티브형 레지스터 조성물
KR880000824A (ko) 포지티브형 감광성조성물
KR970012008A (ko) 알카리 현상을 위한 레지스트
KR940022180A (ko) 양성 감광성 조성물
KR880011623A (ko) 감광 조성물
KR920001243A (ko) 포지티브 감 방사선성 레지스트 조성물
KR950032084A (ko) 신규술포늄염 및 화학증폭 포지형 레지스트 조성물
KR960042214A (ko) 포지티브형 내식막 조성물
KR970022549A (ko) 포지티브 내식막 조성물 및 감광제
KR930001010A (ko) 방사선-감수성 설폰산 에스테르 및 이의 용도
KR920019729A (ko) 산-분해성 화합물, 이를 함유하는 양성-작용성 방사선-감수성 혼합물 및 이 혼합물을 사용하여 제조한 방사선-감수성 기록물질
KR920000010A (ko) 방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물
KR920702890A (ko) 포지티브 레지스트 조성물
KR920018040A (ko) 다가 페놀 화합물 및 그것을 함유하는 포지티브 레지스트 조성물
KR840000626A (ko) 자외선을 차단하는 수지 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application