KR910020496A - 포지티브 레지스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 알칼리-용해성 수지, 감방사선 성분으로서의 퀴논 디아지드 화합물 및 하기식 (Ⅰ)의 화합물을 함유하는 포지티브 레지스트 조성물.〔식중 R1∼R9는 동일하거나 상이하며 각각 수소원자, 알킬기, 할로겐 원자 또는 히드록실기이다. 단 R1∼R9중 하나 이상은 히드록시기이다.〕
- 제1항에 있어서, 전술한 알칼리-용해성 수지가, 분자량을 UV광(254nm)검출기를 가진 GPC로 측정할 때 폴리스티렌으로 환산된 분자량이 900이하인 범위의 면적비가 전체 GPC패턴 면적의 25%를 초과하지 않는 포지티브 레지스트 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13650190 | 1990-05-24 | ||
| JP136501/1990 | 1990-05-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910020496A true KR910020496A (ko) | 1991-12-20 |
Family
ID=15176643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910008126A KR910020496A (ko) | 1990-05-24 | 1991-05-18 | 포지티브 레지스트 조성물 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5130225A (ko) |
| EP (1) | EP0461388B1 (ko) |
| KR (1) | KR910020496A (ko) |
| CA (1) | CA2042807A1 (ko) |
| DE (1) | DE69121790T2 (ko) |
| MX (1) | MX174089B (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2711590B2 (ja) † | 1990-09-13 | 1998-02-10 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JP3039048B2 (ja) * | 1991-11-01 | 2000-05-08 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型感放射線性レジスト組成物 |
| JPH0692909A (ja) * | 1992-04-10 | 1994-04-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | 炭酸エステル環状化合物、その製造方法及びそれを用いてなるポジ型フォトレジスト組成物 |
| JP2935223B2 (ja) * | 1992-04-14 | 1999-08-16 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成用材料の製造方法及びタンタルのパターン形成方法 |
| US5876895A (en) * | 1992-12-24 | 1999-03-02 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photosensitive resin composition for color filter |
| US5275911A (en) * | 1993-02-01 | 1994-01-04 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Sesamol/aldehyde condensation products as sensitivity enhancers for radiation sensitive mixtures |
| JP3329026B2 (ja) * | 1993-10-19 | 2002-09-30 | 住友化学工業株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| US5703197A (en) * | 1997-02-13 | 1997-12-30 | Molecular Optoelectronics Corporation | Indane polycarbonates |
| EP1482494A3 (en) * | 2003-05-28 | 2007-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing master for optical information recording media |
| JP4647241B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2011-03-09 | シャープ株式会社 | 光記録媒体原盤の製造方法、光記録媒体スタンパの製造方法、及び光記録媒体の製造方法 |
| KR101737798B1 (ko) * | 2010-03-24 | 2017-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3288864A (en) * | 1962-05-11 | 1966-11-29 | Union Carbide Corp | Reaction products of isopropenyl phenols and of linear dimers thereof |
| JPS5814410B2 (ja) * | 1978-08-14 | 1983-03-18 | 三井東圧化学株式会社 | ジフエニロ−ルアルカンの開裂方法 |
| US4366328A (en) * | 1979-11-26 | 1982-12-28 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Indene compound and novel process for producing indene compounds |
| JPS57143329A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photosensitive resin and its production |
| JPS58205147A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-11-30 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| US4626492A (en) * | 1985-06-04 | 1986-12-02 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Positive-working o-quinone diazide photoresist composition containing a dye and a trihydroxybenzophenone compound |
| JP2501850B2 (ja) * | 1987-05-06 | 1996-05-29 | 富士電機株式会社 | 硬貨選別装置 |
-
1991
- 1991-05-06 DE DE69121790T patent/DE69121790T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-06 US US07/696,083 patent/US5130225A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-06 EP EP91107339A patent/EP0461388B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-07 MX MX025683A patent/MX174089B/es unknown
- 1991-05-16 CA CA002042807A patent/CA2042807A1/en not_active Abandoned
- 1991-05-18 KR KR1019910008126A patent/KR910020496A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69121790T2 (de) | 1997-04-10 |
| EP0461388A1 (en) | 1991-12-18 |
| CA2042807A1 (en) | 1991-11-25 |
| DE69121790D1 (de) | 1996-10-10 |
| EP0461388B1 (en) | 1996-09-04 |
| US5130225A (en) | 1992-07-14 |
| MX174089B (es) | 1994-04-20 |
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|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |