KR920000010A - 방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물 - Google Patents

방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR920000010A
KR920000010A KR1019910002978A KR910002978A KR920000010A KR 920000010 A KR920000010 A KR 920000010A KR 1019910002978 A KR1019910002978 A KR 1019910002978A KR 910002978 A KR910002978 A KR 910002978A KR 920000010 A KR920000010 A KR 920000010A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
resist composition
positive resist
less
molecular weight
Prior art date
Application number
KR1019910002978A
Other languages
English (en)
Inventor
다께시 히오끼
세이꼬 구리오
야스노리 우에따니
야스노리 도이
Original Assignee
모리 히데오
스미또모가가꾸고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리 히데오, 스미또모가가꾸고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 모리 히데오
Publication of KR920000010A publication Critical patent/KR920000010A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G8/00Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08G8/04Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
    • C08G8/08Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
    • C08G8/24Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ with mixtures of two or more phenols which are not covered by only one of the groups C08G8/10 - C08G8/20

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 2-t-부틸-4-메틸페놀과 2-t-부틸-6-메틸페놀로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 화합물 및 m-크레졸을 함유하는 페놀 혼합물과 알데히드의 축합 반응에 의해 수득 가능한 수지(Ⅰ)을 함유하는 알칼리 용해성 수지, 및 1,2-퀴논 디아지드 화합물을 함유하는 포지티브 레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 수지(Ⅰ)이 m-크레졸 및 2-t부틸-6-메틸페놀의 90:10~40:60 몰비의 혼합물과 알데히드의 축합 생성물인 포지티브 레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 수지(Ⅰ)이 m-크레졸 및 2-t부틸-6-메틸페놀의 90:10~40:60 몰비의 혼합물과 알데히드의 축합 생성물인 포지티브 레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 수지(Ⅰ)이 폴리스티렌으로 환산한 분자량이 6000이하인 범위의 GPC면적 비율이 65%이하이고, 폴리스티렌으로 환산한 분자량이 900이하인 범위의 GPC면적 비율이 30%이하인 것을 특징으로 하고, 알칼리 용해성 수지가 수지(Ⅰ)과 하기식(Ⅱ)의 화합물을 함유하는 포지티브 레지스트 조성물.
    (식중, R1,R2및 R3는 동일 또는 상이하고 각각 C1~C5알킬기 또는 C1~C5알콕시기이며; R'은 수소원자 또는 C1~C3알킬기이고; k,m 및 n은 각각 0~3의 정수이다.)
  5. 제4항에 있어서, 식(Ⅱ)의 R1및 R2가 모두 메틸기이고, R1은 수소원자이며, m 및 n은 각각 2이고 k는 0포지티브 레지스트 조성물.
  6. 제4항에 있어서, 화합물(Ⅱ)의 함량이 알칼리 용해성수지 총중량 100중량부 당4~50중량부인 포지티브 레지스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 수지(Ⅰ)이 폴리스티렌으로 환산한 분자량이 6000이하인 범위의 GPC면적 비율이 65%이하이고, 폴리스티렌으로 환산한 분자량이 900 이하인 범위의 GPC 면적 비율이 30%이하인 것을 특징으로 하고; 알칼리 용해성 수지가 수지; (Ⅰ)과, 폴리스티렌으로 환산할때 GPC에 의해 측정한 중량 평균 분자량이 2000~200인 저분자량 노블락 수지(Ⅲ)를 함유하는 포지티브 레지스트 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 노블락 수지(Ⅲ)의 함량이 알칼리 용해성 수지 총중량 100중량부당 4~50 중량부인 포지티브 레지스트 조성물.
  9. 제7항에 있어서, 노블락 수지(Ⅲ)가 폴리스티렌으로 환산할때 GPC로 측정한 중량 평균 분자량이 1000~200인 포지티브 레지스트 조성물.
  10. 제7항에 있어서, 노블락 수지(Ⅲ)가 크레졸과 포르말린의 축합 생성물인 포지티브 레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910002978A 1990-02-23 1991-02-23 방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물 KR920000010A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4393490 1990-02-23
JP43934/90 1990-02-23
JP050089190 1990-02-28
JP5008990 1990-02-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920000010A true KR920000010A (ko) 1992-01-10

Family

ID=26383767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910002978A KR920000010A (ko) 1990-02-23 1991-02-23 방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5403696A (ko)
EP (1) EP0443607B1 (ko)
KR (1) KR920000010A (ko)
CA (1) CA2036812A1 (ko)
DE (1) DE69121739T2 (ko)
TW (1) TW202504B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000033760A (ko) * 1998-11-25 2000-06-15 유현식 고압 전력선 절연카바용 난연성 폴리올레핀 수지 조성물
KR20200107131A (ko) * 2019-03-06 2020-09-16 (주)삼일씨앤에프 난연도료 및 그의 제조방법

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3391471B2 (ja) * 1992-02-25 2003-03-31 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP3329026B2 (ja) * 1993-10-19 2002-09-30 住友化学工業株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
US5750632A (en) * 1994-12-30 1998-05-12 Clariant Finance (Bvi) Limited Isolation of novolak resin by low temperature sub surface forced steam distillation
JPH0990622A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
TW442710B (en) * 1995-12-07 2001-06-23 Clariant Finance Bvi Ltd Isolation of novolak resin without high temperature distillation and photoresist composition therefrom
JP3562673B2 (ja) * 1996-01-22 2004-09-08 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP4006815B2 (ja) 1997-06-11 2007-11-14 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP4150834B2 (ja) * 1999-03-04 2008-09-17 Jsr株式会社 感光性樹脂組成物、感光性樹脂膜およびこれらを用いたバンプ形成方法
US6733949B2 (en) * 2002-04-11 2004-05-11 Clariant Finance (Bvi) Limited Novolak resin mixtures and photosensitive compositions comprising the same

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5723253B2 (ko) * 1974-03-25 1982-05-18
US4123279A (en) * 1974-03-25 1978-10-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive o-quinonediazide containing planographic printing plate
CH621416A5 (ko) * 1975-03-27 1981-01-30 Hoechst Ag
EP0054258B1 (en) * 1980-12-17 1986-03-05 Konica Corporation Photosensitive compositions
US4460674A (en) * 1981-01-16 1984-07-17 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Posi-type quinone diazide photosensitive composition with sensitizer therefor
US4499171A (en) * 1982-04-20 1985-02-12 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Positive type photosensitive resin composition with at least two o-quinone diazides
US4551409A (en) * 1983-11-07 1985-11-05 Shipley Company Inc. Photoresist composition of cocondensed naphthol and phenol with formaldehyde in admixture with positive o-quinone diazide or negative azide
JPS616647A (ja) * 1984-06-20 1986-01-13 Konishiroku Photo Ind Co Ltd ポジ型感光性平版印刷版用感光性組成物
US4626492A (en) * 1985-06-04 1986-12-02 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Positive-working o-quinone diazide photoresist composition containing a dye and a trihydroxybenzophenone compound
JPH0654384B2 (ja) * 1985-08-09 1994-07-20 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
DE3751743T2 (de) * 1986-03-28 1996-11-14 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Positiv arbeitende photoempfindliche Kunststoffzusammensetzung
JPH0656487B2 (ja) * 1986-05-02 1994-07-27 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト用組成物
US4871644A (en) * 1986-10-01 1989-10-03 Ciba-Geigy Corporation Photoresist compositions with a bis-benzotriazole
JP2590342B2 (ja) * 1986-11-08 1997-03-12 住友化学工業株式会社 ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂及びそれを含有するポジ型フォトレジスト組成物
JPH01180535A (ja) * 1988-01-12 1989-07-18 Konica Corp 感光性組成物
US4920028A (en) * 1988-03-31 1990-04-24 Morton Thiokol, Inc. High contrast high thermal stability positive photoresists with mixed cresol and hydroxybenzaldehyde prepared novolak and photosensitive diazoquinone
JPH063544B2 (ja) * 1988-07-07 1994-01-12 住友化学工業株式会社 ポジ型感放射線性レジスト組成物
US5001040A (en) * 1988-07-11 1991-03-19 Olin Hunt Specialty Products Inc. Process of forming resist image in positive photoresist with thermally stable phenolic resin
US5215856A (en) * 1989-09-19 1993-06-01 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Tris-(hydroxyphenyl) lower alkane compounds as sensitivity enhancers for o-quinonediazide containing radiation-sensitive compositions and elements

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000033760A (ko) * 1998-11-25 2000-06-15 유현식 고압 전력선 절연카바용 난연성 폴리올레핀 수지 조성물
KR20200107131A (ko) * 2019-03-06 2020-09-16 (주)삼일씨앤에프 난연도료 및 그의 제조방법
WO2020180148A3 (ko) * 2019-03-06 2020-10-29 주식회사 삼일씨엔에프 난연도료 및 그의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE69121739D1 (de) 1996-10-10
EP0443607A2 (en) 1991-08-28
TW202504B (ko) 1993-03-21
EP0443607B1 (en) 1996-09-04
EP0443607A3 (en) 1991-10-30
DE69121739T2 (de) 1997-03-13
US5403696A (en) 1995-04-04
CA2036812A1 (en) 1991-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910005098A (ko) 방사선 민감성 포지티브 레지스트 조성물
KR900002123A (ko) 감방사선성 양성 내식막 조성물
KR890005563A (ko) 포지티브 감광성내식막용 노볼락 수지
KR920006803A (ko) 양성 포토레지스트 조성물
KR960008428A (ko) 화학적으로 증폭된 방사선-민감성 조성물
KR930013869A (ko) 양화 내성 조성물
KR920000010A (ko) 방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물
KR880009291A (ko) 포지티브-작용성 감광성 내식막 조성물
AU585898B2 (en) Photosensitive composition
KR880000824A (ko) 포지티브형 감광성조성물
KR930024120A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
KR970022549A (ko) 포지티브 내식막 조성물 및 감광제
KR880011623A (ko) 감광 조성물
KR920001243A (ko) 포지티브 감 방사선성 레지스트 조성물
KR870007446A (ko) 감광성 조성물
KR930010615A (ko) 포지티브형 감방사선 레지스트 조성물
KR910012818A (ko) 방사선-민감성 포지티브 레지스트 조성물
KR940704014A (ko) 선택된 노볼락 수지 및 선택된 방사선 민감성 조성물(Selected novolak resins and selected radiation-sensitive compositions)
KR930023767A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
KR930020225A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
KR900002125A (ko) 내식막 조성물
KR970016804A (ko) 포지티브형 포토레지스트 조성물
KR930022147A (ko) 네가티브형 감광성 내식막 조성물
KR930004806A (ko) 포지티브 레지스트 조성물
KR910006779A (ko) 감방사선성 포지티브 레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application