KR930023767A - 포지티브형 레지스트 조성물 - Google Patents

포지티브형 레지스트 조성물 Download PDF

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KR930023767A
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하루요시 오사끼
히로시 모리우마
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모리히데오
스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins

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Abstract

본 발명에 의하면, 하기 일반식(I)로 표시되는 적어도 1종의 페놀화합물과,
(단, 상기식에서, R1,R2및 R3는 상호 독립하여 각각 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알칼리 또는 알콕시기를 나타내고, K는 1또는 2이다.) 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 적어도 1종의 폴리페놀화합물.
(단, 상기식에서, R4',R5' 및 R6'는 상호 독립하여 각각 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알칼기 또는 알콕시기를 나타내고, n은 1또는 2이다.) 및 알데히드화합물을 축합반응시켜 얻어지는, 수지(A)를 함유하는 알칼리-용해성 수지와 퀴논디아지드 화합물을 포함하여 이루어지는 포지티브형 레지스트 조성물이 제공된다.
상기 조성물은 형상, 해상력, 내열성 등의 여러 특성이 우수하면서 스컴이 거의 완전하게 제거된 포지티브형 레지스트 조성물이다.

Description

포지티브형 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (16)

  1. 하기 일반식(I)로 표시되는 적어도 1종의 페놀화합물과,
    (단, 상기식에서, R1,R2및 R3는 상호 독립하여 각각 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알칼리 또는 알콕시기를 나타내고, K는 1또는 2이다.) 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 적어도 1종의 폴리페노로화합물.
    (단, 상기식에서, R4',R5' 및 R6'는 상호 독립하여 각각 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알칼기 또는 알콕시기를 나타내고, n은 1또는 2이다.) 및 알데히드화합물을 축합반응시켜 얻어지는, 수지(A)를 함유하는 알칼리-용해성 수지와 퀴논디아지드 화합물을 포함하여 이루어지는 포지티브형 레지스트 조성물이 제공된다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리페놀화합물이 하기 식으로 표시되는 화합물.
    (단, 상기식에서, m은 0,1,2 또는 3이다.)인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리페놀화합물이 하기 식으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 일반식(I)로 표시되는 폴리페놀화합물 m-크레졸, p-크레졸, 3,5-크실레놀, 2,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 6-3차-부틸-3-메틸페놀 및 2-3차-부틸-5-메틸페놀인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 일반식(I)로 표시되는 폴리페놀화합물과 상기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 폴리페놀 화합물과 축합반응에 있어서의 몰비가 60:40~99.5:0.5인것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 수지(A)의 GPC 패턴에 있어서의 폴리스티렌으로 환산한 분자량이 1,000이하인 범위의 면적비가, 미반응 페놀화합물의 패턴면적을 제외한 전 패턴면적에 대해 30%이하인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 수지(A)의 GPC 패턴에 있어서의 폴리스티렌으로 환산한 분자량이 6,000이하인 범위의 면적비가, 미반응 페놀화합물의 패턴면적을 제외한 전 패턴면적에 대해 15 내지 65% 범위인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 수지(A)의 GPC 패턴에 있어서, 폴리스티렌으로 환산한 분자량이 2,000 ~ 20,000인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 알칼리-용해성 수지가, GPC 패턴에 있어서의 폴리스티렌으로 환산한 분자량이 200 ~ 2,000인 저분자량의 노볼락 수지(B)를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 상기한 저분자량의 노볼락 수지(B)는 크레졸 노볼락 수지인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  11. 제9항에 있어서, 상기한 저분자량의 노볼락 수지(B)의 GPC에 있어서의 폴리스티렌으로 환산한 평균 분자량이 200 ~ 1,000인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  12. 제9항에 있어서, 상기한 저분자량의 노볼락 수지(B)의 함량이 알칼리-용해성 수지의 전체량 100중량부에 대하여 4 ~ 50 중량부인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 상기 조성물은, 하기 일반식(Ⅲ)
    (단, 상기식에서 R4,R5,R6,R7,R8및 R9은 상호 독립하여 각각 수소원자 또는 탄소수 1~4의 알킬기 또는 알콕시기를 나타내며; R10은 수소원자, 탄소수 1~4의 알킬기 또는 아릴기를 나타내고; p,q 및 r은 상호 독립하여 각각 0,1 또는 2이다.)으로 표시되는 화합물을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  14. 제13항에 있어서, 상기 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물이, 하기식으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    또는
  15. 제13항에 있어서, 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물이 하기식으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    또는
  16. 제13항에 있어서, 상기 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물의 함량이, 알칼리-용해성 수지의 전체량 100중량부에 대하여 4~40중량부인 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930008879A 1992-05-27 1993-05-22 포지티브형 레지스트 조성물 KR100255879B1 (ko)

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