KR930022147A - 네가티브형 감광성 내식막 조성물 - Google Patents
네가티브형 감광성 내식막 조성물 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930022147A KR930022147A KR1019930007065A KR930007065A KR930022147A KR 930022147 A KR930022147 A KR 930022147A KR 1019930007065 A KR1019930007065 A KR 1019930007065A KR 930007065 A KR930007065 A KR 930007065A KR 930022147 A KR930022147 A KR 930022147A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- negative photosensitive
- resist composition
- photosensitive resist
- novolak resin
- group
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
서브 미크론 이하의 해상도를 갖는 동시에 이상적인 장방형의 내식막 패턴을 형성할 수 있는 네가티브형 감광성 내식막을 제공한다.
(A)하기 일반식(I)의 화합물, (B) 알콕시메틸화멜라민 및 (C) 노볼락 수지를 함유하는 네가티브형 감광성 내식막 조성물.
상기식에서, R1및 R2는 서로 상이하며 각각 수소원자 또는 하기 일반식(Ⅱ)
Description
내용없음
Claims (8)
- (A) 하기 일반식(I)의 화합물, (B) 알콕시메틸화멜라민 및(C) 노볼락 수지를 함유하는 네가티브형 감광성 내식막 조성물.상기식에서, R1및 R2는 서로 상이하며 각각 수소원자 또는 하기 일반식(Ⅱ)여기서, R3및 R4는 동일하거나 상이할 수 있으며 각각 수소원자 또는 알킬기이며, R5,R6및 R7은 동일하거나 상이할 수 있으며 각각 수소원자, 할로겐원자, 치환 또는 비치환된 알킬기(여기서, 당기 알킬쇄 내의 하나 이상의 메틸렌기는 산소원자 또는 황원자로 치환될 수 있다), 사이클로 알킬기, 알케닐기, 아랄기 또는 아릴옥시기이거나 R5,R6및 R7으로서의 2개의 알킬기는 함께 5또는 6원환을 형성할 수 있다.
- 제1항에 있어서, 일반식(I)의 화합물이 R1또는 R2가 R3,R4,R5,R6및 R7이 수소원자이거나 R3,R4,R5및 R6가 수소원자인 동시에 R701 2위치의 염소원자인 일반식(Ⅱ)의 기인 화합물인 네가티브형 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 알콕시메틸멜라민이 헥사메틸올멜라민인 네가티브형 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 노볼락 수지가 m-크레졸과 알데히드류를 축합함으로써 수득된 노볼락 수지인 네가티브형 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 노볼락 수지가 m-크레졸과 p-크리졸, 2,4-크실렌올, 2,5-크실렌올 및 3,5-크실렌올로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 페놀류를 함유한 페놀류의 혼합물과, 알데히드류를 축합함으로써 수득된 노볼락 수지인 네가티브형 감광성 내식막 조성물.
- 제5항에 있어서, 페놀류와의 혼합물이 m-크레졸 85내지 35증량%와 p-크레졸, 2,4-크실렌올, 2,5-크실렌올 및 3,5-크실렌올로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 페놀류 15내지 65중량%를 함유하는 네가티브형 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 노볼락 수지의 중량 평균 분자량이 플리스티렌으로 환산하여 2,000 내지 100,000인 네가티브형 감광성 내식막 조성물.
- 제1항에 있어서, 일반식 (I)의 화합물의 양이 멜라민에 대해 증량비로 1/30 내지 1/3인 동시에 일반식(I)의 화합물과 멜라민의 합계량이 노볼락 수지에 대해 중량비로 1/20 내지 1/2인 네가티브형 감광성 내식막 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4110285A JP3016952B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | ネガ型フォトレジスト組成物 |
JP92-110285 | 1992-04-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR930022147A true KR930022147A (ko) | 1993-11-23 |
KR100251441B1 KR100251441B1 (ko) | 2000-06-01 |
Family
ID=14531822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930007065A KR100251441B1 (ko) | 1992-04-28 | 1993-04-27 | 네가티브형 감광성 내식막 조성물 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5541036A (ko) |
JP (1) | JP3016952B2 (ko) |
KR (1) | KR100251441B1 (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6190833B1 (en) * | 1997-03-30 | 2001-02-20 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
JP3974718B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2007-09-12 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
US6506534B1 (en) * | 1999-09-02 | 2003-01-14 | Fujitsu Limited | Negative resist composition, method for the formation of resist patterns and process for the production of electronic devices |
CN1208686C (zh) | 1999-10-07 | 2005-06-29 | Az电子材料(日本)株式会社 | 辐射敏感性组合物 |
KR20080057562A (ko) * | 2006-12-20 | 2008-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
CN102884479B (zh) * | 2010-05-04 | 2015-04-15 | 株式会社Lg化学 | 负性光致抗蚀剂组合物和器件的图案化方法 |
KR102378364B1 (ko) * | 2014-07-16 | 2022-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시장치용 기판의 제조방법 |
KR101598826B1 (ko) * | 2015-08-28 | 2016-03-03 | 영창케미칼 주식회사 | 에칭 내성이 우수한 i-선용 네가티브형 포토레지스트 조성물 |
SG11201908415XA (en) * | 2017-04-25 | 2019-11-28 | Merck Patent Gmbh | Negative resist formulation for producing undercut pattern profiles |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3325022A1 (de) * | 1983-07-11 | 1985-01-24 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden |
DE3337024A1 (de) * | 1983-10-12 | 1985-04-25 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Lichtempfindliche, trichlormethylgruppen aufweisende verbindungen, verfahren zu ihrer herstellung und diese verbindungen enthaltendes lichtempfindliches gemisch |
US5034304A (en) * | 1986-01-13 | 1991-07-23 | Rohm And Haas Company | Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developable negative images |
US4847314A (en) * | 1987-01-21 | 1989-07-11 | Desoto, Inc. | Polyester coatings from terephthalate polyester and hydroxy-functional linear polyester |
US5128232A (en) * | 1989-05-22 | 1992-07-07 | Shiply Company Inc. | Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units |
US5196481A (en) * | 1989-11-13 | 1993-03-23 | Glidden Company | Acrylic terpolymer surfactant for aqueous dispersed epoxy/acrylic binders |
-
1992
- 1992-04-28 JP JP4110285A patent/JP3016952B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-16 US US08/046,728 patent/US5541036A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-27 KR KR1019930007065A patent/KR100251441B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100251441B1 (ko) | 2000-06-01 |
JP3016952B2 (ja) | 2000-03-06 |
JPH05303196A (ja) | 1993-11-16 |
US5541036A (en) | 1996-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900018746A (ko) | 공중합체 결합제를 사용한 감광성 내식막 | |
KR960008428A (ko) | 화학적으로 증폭된 방사선-민감성 조성물 | |
KR930013869A (ko) | 양화 내성 조성물 | |
KR930022147A (ko) | 네가티브형 감광성 내식막 조성물 | |
KR880000824A (ko) | 포지티브형 감광성조성물 | |
KR930010622A (ko) | 네가티브형 레지스터 조성물 | |
KR910005098A (ko) | 방사선 민감성 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR930024120A (ko) | 포지티브형 레지스트 조성물 | |
KR920015158A (ko) | 네거티브 포토레지스트 조성물 | |
KR880002050A (ko) | 고내열성 포지티브형 포토레지스트 조성물 | |
KR920001243A (ko) | 포지티브 감 방사선성 레지스트 조성물 | |
KR970022549A (ko) | 포지티브 내식막 조성물 및 감광제 | |
KR930023769A (ko) | 포지티브형 레지스트 조성물 | |
KR870007446A (ko) | 감광성 조성물 | |
MX9307107A (es) | Composicion de polimeros reticulados. | |
KR920000010A (ko) | 방사선-감작 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR930001010A (ko) | 방사선-감수성 설폰산 에스테르 및 이의 용도 | |
KR940704014A (ko) | 선택된 노볼락 수지 및 선택된 방사선 민감성 조성물(Selected novolak resins and selected radiation-sensitive compositions) | |
KR920018040A (ko) | 다가 페놀 화합물 및 그것을 함유하는 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR930020225A (ko) | 포지티브형 레지스트 조성물 | |
KR930023767A (ko) | 포지티브형 레지스트 조성물 | |
KR970016804A (ko) | 포지티브형 포토레지스트 조성물 | |
KR960071390A (ko) | 착색 감광성 수지 조성물(Colored photosensitive resin composition) | |
KR910012818A (ko) | 방사선-민감성 포지티브 레지스트 조성물 | |
KR920702890A (ko) | 포지티브 레지스트 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121227 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Expiration of term |