KR900018186A - 광저항물에 있어서 다 분기(多 分岐)된 노볼랙(highly branched novolak)의 사용법 - Google Patents

광저항물에 있어서 다 분기(多 分岐)된 노볼랙(highly branched novolak)의 사용법 Download PDF

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KR900018186A
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KR
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branched
novolac
photoresist
phenol
novolac resin
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KR1019900006666A
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Inventor
에드워드 보간 2세 레오나드
앤 그래지아노 카렌
Original Assignee
윌리암 이 램버트 3세
롬 앤드 하스 컴퍼니
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable

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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

광저항물에 있어서 다 분기(多 分岐)된 노볼랙(highly branched novolak)의 사용법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (8)

  1. 노볼랙 수지 함유 광저항조성물의 석판인쇄성능을 증진시키기 위한 향상법에서, 효과적인 양의 다분기된 노볼랙 수지를 포함하는 노볼랙 수지 함유 광저항물로 제조되는 것.
  2. 제1항에 있어서, 다 분기된 노볼랙 수지의 분기의 범위가 적어도 20%인 것.
  3. 제1항에 있어서, 다 분기된 노볼랙 수지가 메틸올-반응성 페놀과 트리- 또는 테트라-메틸을 디페놀과의 산 촉매 축합반응에 의해 제조되는 것.
  4. 제1항에 있어서, 다 분기된 노볼랙이 산성 매질에서 트리스(하이드록시메틸) 페놀과 페놀과의 반응에 의해 형성되는 것.
  5. 제4항에 있어서, 다 분기된 노볼랙이 트리스(디알킬아미노 메틸) 페놀과 부가적 페놀과의 반응에 의해 형성되는 것.
  6. 제1항에 있어서, 다 분기된 노볼랙이 반응생성물의 정제에 뒤이어, 적어도 하나의 비치환된 오르토- 또는 파라- 고리위치를 갖는 페놀과 트리스나 테트라키스(디알킬아미노알킬) 페놀 또는 비스페놀과의 산 촉매 반응에 의해 형성되는 것.
  7. 제1항에 있어서, 광저항 조성물이 음의 작용 광저항물인 것.
  8. 노볼랙 수지를 함유하는 향상된 상 경화 광저항 조성물과 상술한 향상성을 가지며 노볼랙이 다 분기된 광산 생성제.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900006666A 1989-05-12 1990-05-11 광저항물에 있어서 다 분기(多 分岐)된 노볼랙(highly branched novolak)의 사용법 KR900018186A (ko)

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