KR870011502A - 감광제 조성물 - Google Patents

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KR870011502A
KR870011502A KR870004281A KR870004281A KR870011502A KR 870011502 A KR870011502 A KR 870011502A KR 870004281 A KR870004281 A KR 870004281A KR 870004281 A KR870004281 A KR 870004281A KR 870011502 A KR870011502 A KR 870011502A
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solvent
hydrogen
photoresist composition
novolac
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KR870004281A
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이. 포트빈 로버트
오. 세인트 알반 죠나스
제이. 소보다카 체스터
Original Assignee
마이클 티. 크리민스
아메리칸 훽스트 코포레이션
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

감광제 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (29)

  1. (Ⅰ) 일반식(A),(B) 및 (C)로 이루어진 그룹중에서 선택된 페놀계 화합물, (Ⅱ) 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설폰산(디아조 1) 및 (Ⅲ) 1,2-나프토퀴논 디아지드-5-설폰산(디아조 2)의 축합물을 포함하며, 이때 반응된 디아조 1의 양:반응된 디아조2의 양의 몰비가 약 1:1 내지 약39:1의 범위인 감광제 조성물.
    상기 식에서,
    R은 수소, -X-Rb또는이고,
    Ra는 수소, -OH, 할로겐 또는 저급 알킬이며, 이때 적어도 2내지 6개의 Ra라디칼은 -OH이고,
    X는 C-C단일결합,
    n은 1 또는 2이고,
    Rb는 수소, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아릴이며;
    R1은 수소 또는이고,
    Rc은 수소 또는 -OH이며, 이때 두개 이상의 Rc라디칼은 -OH이고,
    Rd는 수소, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아릴이다.
  2. 제1항에 있어서,
    반응된 디아조 1의 양:반응된 디아조 2의 양의 몰비가 약 4:1 내지 약 19:1의 범위내에 있는 감광제 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    반응된 디아조 1의 양:반응된 디아조 2의 양의 몰비가 약 93:7 내지 약 85:15의 범위내에 있는 감광제 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    페놀계 화합물이 디하이드록시 벤조페논, 트리하이드록시벤조페논 또는 테트라하이드록시벤조 페논인 감광제 조성물.
  5. 제2항에 있어서,
    폐놀계 화합물이 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논 또는 테트라하이드록시벤조 페논인 감광제 조성물.
  6. 제3항에 있어서,
    페놀계 화합물이 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논 또는 테트라하이드록시벤조 페논인 감광제 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    페놀계 화합물이 2,3,4-트리하이드록시벤조페논인 감광제 조성물.
  8. 제2항에 있어서,
    페놀계 화합물이 2,3,4-트리하이드록시벤조페논인 감광제 조성물.
  9. 제3항에 있어서,
    페놀계 화합물이 2,3,4-트리하이드록시벤조페논인 광감제 조성물.
  10. 노볼락 또는 폴리비닐 페놀 수지, 용매 및 제1항에 따른 감광제 조성물의 혼합물을 포함하는 광감성 내식막 조성물.
  11. 노볼락 또는 폴리비닐 페놀 수지, 제2항에 따른 광감제 조성물의 혼합물을 포함하는 광감성 내식막 조성물.
  12. 노볼락 또는 폴리비닐 페놀 수지, 용매 및 제3항에 따른 감광제 조성물의 혼합물을 포함하는 감광성 내식막 조성물.
  13. 노볼락 또는 폴리비닐 페놀 수지, 용매 및 제4항에 따른 감광제 조성물의 혼합물을 포함하는 감광성 내식막 조성물.
  14. 노볼락 또는 폴리비닐 페놀 수지, 용매 및 제5항에 따른 감광제 조성물의 혼합물을 포함하는 감광성 내식막 조성물.
  15. 노볼락 또는 폴리비닐 페놀 수지, 용매 및 제6항에 따른 감광제 조성물의 혼합물을 포함하는 감광성 내식막 조성물.
  16. 노볼락 또는 폴리비닐 페놀 수지, 용매 및 제7항에 따른 감광제 조성물의 혼합물을 포함하는 감광성 내식막 조성물.
  17. 노볼락 또는 폴리비닐 페놀 수지, 용매 및 제8항에 따른 감광제 조성물의 혼합물을 포함하는 감광성 내식막 조성물.
  18. 노볼락 또는 폴리비닐 페놀 수지, 용매 및 제9항에 따른 감광제 조성물의 혼합물을 포함하는 감광성 내식막 조성물.
  19. 제10항에 있어서,
    용매가 플로필렌 글리콜메틸 에테르 아세테이트인 감광성 내식막 조성물.
  20. 제11항에 있어서,
    용매가 플로필렌 글리콜메틸 에테르 아세테이트인 감광성 내식막 조성물.
  21. 제12항에 있어서,
    용매가 플로필렌 글리콜메틸 에테르 아세테이트인 감광성 내식막 조성물.
  22. 제13항에 있어서,
    용매가 플로필렌 글리콜메틸 에테르 아세테이트인 감광성 내식막 조성물.
  23. 제14항에 있어서,
    용매가 플로필렌 글리콜메틸 에테르 아세테이트인 감광성 내식막 조성물.
  24. 제15항에 있어서,
    용매가 플로필렌 글리콜메틸 에테르 아세테이트인 감광성 내식막 조성물.
  25. 제16항에 있어서,
    용매가 플로필렌 글리콜메틸 에테르 아세테이트인 감광성 내식막 조성물.
  26. 제17항에 있어서,
    용매가 플로필렌 글리콜메틸 에테르 아세테이트인 감광성 내식막 조성물.
  27. 제18항 있어서,
    용매가 플로필렌 글리콜메틸 에테르 아세테이트인 감광성 내식막 조성물.
  28. 일반식(A),(B) 및 (C)로 이루어진 그룹중에서 선택된 페놀계 화합물을 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설폰산(디아조 1) 및 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설폰산(디아조 2)와 축합시킴을 포함하며, 이때 반응된 디아조 1의 양:반응된 디아조 2의 양의 몰비가 약 1:1 내지 약 39:1의 범위인 감광제 조성물의 제조방법.
    상기 식에서,
    R은 수소, -X-Rb또는이고,
    Ra는 수소, -OH, 할로겐 또는 저급알킬이며, 이때 2 내지 6개의 Ra라디칼은 -OH이고,
    X는 C-C 단일결합,
    n은 1 또는 2이고,
    Rb는 수소, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아릴이며 ;
    R1은 수소 또는이고,
    Rc는 수소 또는 -OH이며, 이때 두개 이상의 Rc라디칼은 -OH이고 ;
    Rd는 수소, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아릴이다.
  29. 노볼락 또는 폴리비닐 페놀 수지, 용매 및 제1항에 따른 감광제 조성물을 포함하는 감광성 내식막 조성물을 기질상에 피복시키고, 상기 조성물을 충분한 자외방사선으로 영상노출시켜 수성알카리용액에 상기 영상노출된 부분을 거의 가용성으로 만든 후, 노출된 조성물 부분을 수성 알칼리 현상 용액을 사용하여 상기 기질로부터 제거함을 포함하는 물품을 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870004281A 1986-05-02 1987-05-01 감광성 조성물 KR960010424B1 (ko)

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