KR910020501A - 음화 작용 사진 요소 및 이의 제조방법 - Google Patents

음화 작용 사진 요소 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR910020501A
KR910020501A KR1019910008533A KR910008533A KR910020501A KR 910020501 A KR910020501 A KR 910020501A KR 1019910008533 A KR1019910008533 A KR 1019910008533A KR 910008533 A KR910008533 A KR 910008533A KR 910020501 A KR910020501 A KR 910020501A
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에스 스파크 마아크
메머토 도널드
듀어햄 데이나
제인 생야
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윌리엄 비이 해리스
획스트 세라니이즈 코포레이션
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Abstract

내용 없음

Description

음화 작용 사진 요소 및 이의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (31)

  1. 하기의 a)-f)순서로 구성되는 음화작용의 사진 요소 제조방법: a)하기의 ⅰ)-ⅳ)를 혼합하여 구성되는 조성물을 형성하고;ⅰ)하기의 일반식 (1), (2) 또는 (3)으로 표시되는 감광성 화합물 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 1%내지 약 25%:
    (식에서, R은 H, -X-Rb또는이고;X는 단일C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, (CCH3이고, n은 1또는 2이고, Ra는 H, -OH, -OY, -OZ, 할로겐 또는 저급 알킬이며 적어도 하나의 Ra 라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나는 -OZ이며, Rb는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된) 아릴임;
    (식에서, R1은 H, 또는이고, Rc는 H, -OH, -OY 또는 -OZ이며, 적어도 하나의 Rc라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나는 -OZ임);
    (식에서, R2는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아킬이고, Rd는 -OH, -OY, 또는 -OZ이고 적어도 하나의 Rd 라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나는 -OZ이며; 식에서 Y는 1, 2-나프토퀴론디아지드 - 4 -술포닐이고 Z는 1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐 또는 -W-R3-로 이때, W는또는 -SO2- 이고, R3는 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 알릴임); ⅱ)노볼락 및/또는 폴리비닐 페놀 수지 조성물의 고형물 부분중량을 기준으로 약 75% 내지 약99%; 및ⅲ)가교 화합물 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 0.5%내지 약 20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 단계(e)의 가열조건의 적용 하에서 상기 수지를 가교할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식
    R1O-CHR3)n-A-(CHR4-OR2)m
    (식에서, A는 일반식 B또는 B-Y-B를 가지며, 이때 B는 치환된 또는 비치환된 단핵 또는 융합된 다핵 방향족 탄화수소 또는 산소 또는 황 함유 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시(이들의 사슬은 산소원자들의 의해 차단될수 있음), -O-, -S-, -SO2-, -CO-, CO2-, -CONH-또는 페닐렌 디옥시이고, R1과 R2는 H, C1-C6알킬 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 아릴, 알카릴 또는 아실이고; R3, R4는 독립적으로 H, C1-C4-알킬 또는 치환된 또는 비치환된 페닐이고 n은 1내지 3범위이고 m은 0-3범위이되, 단 n+m은 1이상임)을 가짐;ⅳ)전술한 조성물 성분을 응해시키기 충분한 용매; 및 b)상기 조성물을 지지체 상에 피복하고; c)상기의 피복된 지지체를, 상기 용매의 실질적으로 전부가 건조될때까지 약 20℃ 내지 약 100℃온도에서 가열하고; d)상기 조성물을 화학, 전자 비임, 이온 비임 또는 X선 복사에 상형성 방식으로 노출시키고; e)상기의 피복된 지지체를 적어도 약95℃내지 약 160℃온도에서 약 10초 이상 가열하여 상기 수지를 가교한 다음; 임의적으로 조성물 전부를 약 200내지 약 500nm범위의 화학선에 상기 피복을 반응시키기에 충분한 양으로 일광노출시키고; f)상기 조성물의 복사에 노출안된 상아닌 영역을 현상제로 제거한다.
  2. 제1항에 있어서, 가교 화합물은 일반식
    (식에서, R1, R4, R5, R6는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴, 아릴알킬 또는 OR2이고; R2, R3는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴 또는 아릴알킬이다)을 갖는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가교제는 디메틸을 파라크레졸 또는 메틸 메록시 디페닐 에테르인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 가교제화합물은 벤젠, 1-메록시-2, 6-비스(히드록시메틸-4-메틸-ⅰ페놀, 2, 6-비스(메톡시메틸)-4-메틸-ⅰ 및 벤젠, 1-메톡시-2, 6-비스(메톡시메틸)-4-메틸-로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 용매는 프로필렌글리콜 에테르 아세테이트인 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 지지체는 실리콘, 알루미늄 또는 중합체 수지, 이산화 실리콘, 도우프 이산화 실리콘, 질화 실리콘, 탄탈, 구리, 폴리실리콘 세라믹 알루미늄/구리 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 착색제, 염료, 항줄무늬제, 균전제, 가소제, 부착 향상제, 속도 증진제, 및 계면활성제로 구성도는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물을 부가적으로 함유하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 현상제는 수성 알칼리 용액인 방법.
  9. 제1항에 있어서, 단계(e)후에 상기의 피복된 지지체는 약200내지 약500nm의 화학선에 전부 노출되는 방법.
  10. 제1항의 방법에 따라 제조되는 사진 요소.
  11. 다음의 ⅰ)-ⅳ)를 혼합하는 구성되는 사진 조성물; ⅰ)일반식(1) (2)또는 (3)으로 표시되는 감광성 화합물 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약1%내지 약 25%;
    (식에서, R은 H, -X-RD 또는이고; X는 단일 C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, (CH2)n-, 또는이고, n은 1또는 2이고, Ra는 H, -OH, -OY, -OZ, 할로겐 또는 저급 알킬이며 적어도 하나의 Ra 라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나의 -OZ이며, Rb는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임);
    (식에서, R1은 H, 또는이고, Rc는 H, -OH, -OY 또는 -OZ이며, 적어도 하나의 Rc라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나는 -OZ임); 및
    (식에서, R2는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴이고, Rd는 -OH, -OY또는 -OZ이고 적어도 하나의 Rd 라디칼은 -OY이고 그의 적어도 하나는 -OZ이고; 식에서 Y는 1, 2-나프토퀴논디아지드-4-술포닐이고 Z는 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술포닐 또는 -W-R3로 이때, W는또는 -SO2-이고, R3는 알킬, 아릴 치환된 알킬 또는 치환된 아릴임);ⅱ)노볼락 및/또는 폴리비닐 페놀 수지 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약75%내지 약 99%; 및 ⅲ)가교 화합물의 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 1.5%내지 약 20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 단계(e)의 가열 조건의 적용하에서 상기 수지를 가교 할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식
    (R1O-CHR3)n-A-(CHR4-OR2)m
    (식에서, A는 일반식 B또는 B-Y-B를 가지며, 이때 B는 치환된 또는 비치환된 단핵 또는 융합된 다핵 방향족 탄화수소 또는 산소 또는 황 함유 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시(이들의 사슬은 산소원자들에 의해 차단될 수 있음), -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -CO2,-O-CO2-,-CONH-또는 페닐렌디옥시이고, R1과 R2는 H, C1-C6-알킬, 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 아릴, 알카릴 또는 아실이고; R3, R4는 독립적으로 H, C1-C4-알킬 또는 치환된 또는 비치환된 페닐이고 n은 1내지 3범위이고 m은 0-3 범위이되, 단 n + m은 1이상임)을 가지며; ⅳ)전술한 성분을 용해시키기에 충분한 용매.
  12. 제11항에 있어서, 가교화합물을 일반식
    (식에서, R1, R4, R5, R6는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시크로알킬, 아릴, 아릴알킬 또는 OR2이고; R2, R3는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴 또는 아릴알킬임)을 갖는 조성물.
  13. 제11항에 있어서, 상기 가교제는 디메틸을 파라크레졸 또는 메틸 메톡시 디페닐 에테르 조성물.
  14. 제11항에 있어서, 상기 가교 화합물은 벤젠, 1-메톡시-2, 6-비스(히드록시메틸-4-메틸-;페놀, 2, 6-비스(메톡시메틸)-4-메틸-; 및 벤젠, 1-메톡시-2, 6-비스(메톡시메틸)-4-메틸-로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물인 조성물.
  15. 제11항에 있어서, 상기 용매는 프로필렌글리콜 알킬 에테르 아세테이트인 조성물.
  16. 제11항에 있어서, 상기 조성물은 착색제, 염료, 항줄무늬제, 균전제, 가소제, 부착향상제, 속도 증진제, 및 계면활성제로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물을 부가적으로 함유하는 조성물.
  17. 지지체와 상기 지지체 상에 처리된 제11항의 조성물로 구성되는 사진 요소.
  18. 제17항에 있어서, 상기 지지체는 실리콘, 알루미늄 또는 중합체수지, 이산화 실리콘, 도우프 이산화 실리콘, 질화 실리콘, 탄탈, 구리, 폴리실리콘, 세라믹 및 알루미늄/구리 혼합물로 구성되는 군으로 선택되는 요소.
  19. 제17항에 있어서, 가교 화합물은 일반식
    (식에서, R1, R4, R5, R6는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시크로알킬, 아릴, 아릴알킬 또는 OR2이고; R2, R3는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴 또는 아릴알킬임)을 갖는 요소.
  20. 제17항에 있어서, 상기 가교 화합물은 디메틸을 파라크레졸 또는 메틸 메록시 디페닐에테르인 효소.
  21. 하기의 a)-f) 순서로 구성되는 음화 작용의 사진 요소 제조 방법; a)하기의 ⅰ)-ⅳ)를 혼합하여 구성되는 조성물을 형성하고; ⅰ)하기의 (Ⅰ), (Ⅱ), (Ⅲ)의 축합 생성물로 구성되는 감광성 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약1%내지 약25%; (Ⅰ)하기의 (A), (B) 및 (C)로 구성되는 군으로부터 선택되는 페놀 화합물;
    (식에서 R은 H, 또는 -X-Rb이고; Rb는 H, -OH, 할로겐 또는 저급 알킬이고, 적어도 2개내지 6개 이하이 Ra 라디칼은 -OH이고, X는 단일 C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, 이고, n은 1또는 2이고, Rb는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아릴임);
    (식에서, R1은 H, 또는이고 Rc는 H또는 -OH이고 적어도 2개의 Rc 라디칼은 -OH임); 및
    (식에서, R2는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임); (Ⅱ)1, 2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산(디아조 1); 및 (Ⅲ) 1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산(디아조2); 및/또는 일반식:
    W-R3
    (식에서, W는또는 -SO2-V이고, V는 할로겐이고, R3는 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임)으로 표시되는 유기산 할라이드로, 이때 반응하는 디아조 1의 양 대 반응하는 디아조 2 및/또는 유기산의 양의 몰비는 약 1 : 1 내지 약 39 : 1임; ⅱ) 노볼락 수지 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 75%내지 약 99%; 및 ⅲ)가교 화합물의 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 0.5%내지 약20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 단계(e)의 가열 조건의 적용하에서 상기 수지를 가교할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식
    (R1O-CHR3)n-A-(CHR4-OR2)m
    (식에서, A는 일반식 B또는 B-Y-B를 가지며, 이때 B는 치환된 또는 비치환된 단핵 또는 융합된 다핵 방향족 탄화수소 또는 산소 또는 황 함유 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시(이들의 사슬은 산소원자들에 의해 차단될 수 있음), -O-, -S-, -SO2-, -CO-, CO2, -O-CO2-, -CONH-또는 페닐렌디옥시이고, R1과 R2는 H, C1-C6-알킬, 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 아릴, 알카릴 또는 아실이고; R3, R4는 독립적으로 H, C1-C4-알킬, 또는 치환된 또는 비치환된 페닐이고 n은 1내지 3범위이고 m 은 0-3위이되, 단 n + m은 1이상임)을 가지며;ⅳ)전술한 조성물 성분을 용해시키기 충분한 용매; b)상기 조성물을 지지체 상에 피복하고; c)상기의 피복된 지지체를, 상기 용매의 실질적으로 전부가 건조될때까지 약 20℃내지 약 100℃온도에서 가열하고; d)상기 조성물을 화학, 전자 비임, 이온 비임 또는 X선 복사에 상형성 방식으로 노출시키고; e)상기의 피복된 지지체를 적어도 약 95℃내지 약160℃의 온도에서 약 10초 이상 가열하여 상기 수지를 가교한 다음; 임의적으로 조성물 전부를 약 200내지 약500nm 범위의 화학선에 상기 피복을 반응시키기에 충분한 일광 노출시키고; f)상기 조성물의 복사에 노출안된 상아닌 영역을 현상제로 제기한다.
  22. 제21항의 방법에 따라 제조되는 사진 요소.
  23. 하기의 ⅰ) -ⅳ)를 혼합하여 구성되는 사진 조성물: ⅰ)하기의 (Ⅰ), (Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 축합 생성물로 구성되는 감광제조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 1%내지 약 25%: (Ⅰ)하기의 (A), (B) 및 (C)로 구성도는 군으로부터 선택되는 페놀 화합물:
    (식에서, R은 H, -X-Rb또는
    Ra는 H, -OH, 할로겐 또는 저급 알킬이고 적어도 2개 내지 6개 이하의 Ra 라디칼은 -OH이고, X는 단일 C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, 이고, n은 1또는 2이고, Rb는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아릴임);
    (식에서, R1은 H, 또는이고, Rc는 H또는 -OH이고 적어도 2개의 Rc 라디칼은 -OH임); 및
    (식에서, R2는 H, 알킬, 아릴, 치환돈 알킬, 또는 치환된 아릴임); (Ⅱ) 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산(디아조 1); 및 (Ⅲ) 1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산(다아조 2; 및/또는 일반식:
    W-R3
    (식에서, W는또는 ―SO2―V이고, V는 할로겐이고, R3는 알킬, 아릴, 또는 치환된 알릴임)으로 표시되는 유기산 할라이드로, 이때 반응하는 디아조 1의 양 대반응하는 디아조 2 및/또는 유기산의 양의 몰비는 약 1：1 내지 약 39：1임;ⅱ) 노볼락 및 또는 폴리비닐/페놀 수지 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 75%내지 약 99%;및ⅲ)가교 화합물의 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 0.5%내지 약20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 가열 적용하에서, 가열 적용하에서 상기 수지를 가교할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식
    (R1O―CHR3)n―A―(CHR4―OR2)m
    (식에서,A는 일반식 B또는 B-Y-B를 가지며, 이때 B는 치환된 또는 비치환된 단핵 또는 융합된 다핵 방향족 탄화수소 또는 산소 또는 황 함유 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시 (이들의 사슬은 산소원자들에 의해 차단될 수 있음), -O-, -S-, -SO2-, -CO-, CO2, -O-CO2-, -CONH-또는 페닐렌디옥시이고, R1과 R2는 H, C1-C6-알킬, 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 아릴, 알카릴 또는 아실이고; R3, R4는 독립적으로 H, C1-C4-알킬 또는 치환된 또는 비치환된 페닐이고 n은 1내지 3범위이고 m은 0-3위이되, 단 n + m 은 1이상임)을 가지며; ⅳ)전술한 성분을 용해시키기 충분한 용매.
  24. 지지체와 상기 지지체상에 처리되는 제23항의 조성물로 구성되는 사진 요소.
  25. 제24항에 있어서, 상기 지지체는 실리콘, 알루미늄 또는 중합체 수지, 이산화 실리콘, 도우프 이산화 실리콘, 질화 실리콘, 탄탈, 구리, 폴리실리콘, 세라믹 및 알루미늄/구리 혼합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 요소.
  26. 제24항에 있어서, 가교 화합물은 일반식
    (식에서, R1, R4, R5, R6는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시크로알킬, 아릴, 아릴알킬 또는 OR2이고; R2, R3는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴 또는 아릴알킬임)을 갖는 요소.
  27. 제17항에 있어서, 상기 가교 화합물은 디메틸을 파라크레졸 또는 메틸 메록시 디페닐에테르인 요소.
  28. 하기의 a)-f) 순서로 구성되는 음화 작용의 사진 요소 제조 방법; a)하기의ⅰ)-ⅳ)구성되는 조성물을 형성하고; ⅰ)하기의 (Ⅰ), (Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 축합 생성물로 구성되는 감광성 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약1%내지 약 25%; (Ⅰ)하기의 (A), (B) 및 (C)로 구성되는 군으로부터 선택되는 페놀 화합물;
    (식에서, R은 H, -X-Rb또는이고,
    Ra는 H, -OH, 할로겐 또는 저급 알킬이고 적어도 2개 내지 6개 이하의 Ra 라디칼은 -OH이고, X는 단일 C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, 이고, n은 1또는 2이고, Rb는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬 또는 치환된 아릴임);
    (식에서, R1은 H, 또는이고, Rc는 H또는 -OH이고 적어도 2개의 Rc 라디칼은 -OH임); 및
    (식에서, R2는 H, 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임); (Ⅱ) 1, 2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산(디아조 1); 및 (Ⅲ)1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산(디아조2); 및/또는 일반식:
    W-R3
    (식에서, W는또는 -SO2-V이고, V는 할로겐이고, R3는 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임)으로 표시되는 유기산 할라이드로, 이때 반응하는 디아조 1의 양 대 반응하는 디아조2 및/또는 유기산의 양의 몰비는 약1 : 1 내지 약 39 : 1임; ⅱ)노볼락 수지 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 75%내지 약 99%; 및 ⅲ)가교 화합물의 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 0.5%내지 약20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 단계(e)의 가열조건의 적용하에서 상기 수지를 가교할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식
    (R1O-CHR3)n-A-(CHR4-OR2)m
    (식에서, A는 일반식 B또는 B-Y-B를 가지며, 이때 B는 치환된 또는 비치환된 단핵 또는 융합된 다핵 방향족 탄화수소 또는 산소 또는 황 함유 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시(이들의 사슬은 산소원자들에 의해 차단될 수 있음), -O-, -S-, -SO2-, -CO-, CO2, -O-CO2-, CONH-또는 페닐렌디옥시이고, R1과 R2는 H, C1-C6-알킬, 시클로알킬, 치환된 또는 비치환된 아릴, 알카릴 또는 아실이고; R3, R4는 독립적으로 H, C1-C4-알킬 또는 치환된 또는 비치환된 페닐이고 n은 1내지 3범위이고 m은 0-3위이되, 단 n + m은 1이상임)을 가지며;ⅳ)전술한 조성물 성분을 용해시키기 충분한 용매; b)상기 조성물을 지지체 상에 피복하고; c)상기의 피복된 지지체를 , 상기 용매의 실질적으로 전부가 건조될때까지 약 20℃내지 약 100℃온도에서 가열하고; d)상기 조성물을 화학, 전자 비임, 이온 비임 또는 X선 복상에 상형성 방식으로 노출시키고; e)상기의 피복된 지지체를 적어도 약 95℃내지 약 160℃의 온도에서 약 10초 이상 가열하여 상기 수지를 가교한 다음; 임의적으로 조성물 전부를 약 200내지 약 500nm 범위의 화학선에 상기 피복을 반응시키기에 충분한 일광 노출시키고; f)상기 조성물의 복사에 노출안된 상아닌 영역을 적당한 현상제로 제거한다.
  29. 제28항의 방법에 따라 제조되는 사진 요소.
  30. 하기의 a) -f)순서로 구성되는 음화 작용의 사진 요소 제조 및 사용 방법; a)하기의 ⅰ) -ⅳ)를 혼합하여 구성되는 조성물을 형성하고: ⅰ)하기의 (Ⅰ), (Ⅱ) 및 (Ⅲ)의 축합 생성물로 구성되는 감광성 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 1%내지 약 25%:
    Ⅰ. 일반식:
    을 갖는 페놀 화합물 (식에서, Ra는 H, -OH, 할로겐 또는 저급 알킬이고, 적어도 2개 내지 6개 이하의 Ra 라디칼은 OH이고, X는 단일 C-C 결합, -O-, -S-, -SO2-, 또는이고, n은 1또는 2임); (Ⅱ) 1, 2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산(디아조 Ⅰ); 및 (Ⅲ) 1, 2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산(디아조 Ⅱ) ; 또는 일반식
    W - R3의 유기산
    (식에서, W는또는 -SO2-V 이고, V는 할로겐이고, R3는 알킬, 아릴, 치환된 알킬, 또는 치환된 아릴임)으로 표시되는 유기산 할라이드로, 이때 반응하는 디아조 Ⅰ의 양 대 반응하는 디아조 Ⅱ 및/또는 유기산의 양의 몰비는 약 1 : 1 내지 약 39 : 1임;ⅱ) 노볼락 수지 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 75%내지 약 99%; 및 ⅲ)가교 화합물의 조성물의 고형물 부분 중량을 기준으로 약 0.5%내지 약20%, 이때 가교 화합물은 상기 디아지드가 화학선에 노출될 때 발생되는 산의 양과 강도의 존재하에서, 단계(e)의 가열조건의 적용하에서 상기 수지를 가교할 수 있을 때, 상기 가교 화합물은 일반식
    (식에서, R1, R4, R5, R6는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시크로알킬, 아릴, 아릴알킬 또는 OR2이고; R2, R3는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴 또는 아릴알킬임); ⅳ)전술한 조성물 성분을 용해시키기 충분한 용매; b)상기 조성물을 지지체 상에 피복하고; c)상기의 피복된 지지체를, 상기 용매의 실질적으로 전부가 건조될때까지 약 20℃내지 약 100℃온도에서 가열하고; d) 상기 조성물을 화학, 전자 비임, 이온 비임 또는 X선 복상에 상형성 방식으로 노출시키고; e)상기의 피복된 지지체를 적어도 약 95℃내지 약160℃의 온도에서 약 10초 이상 가열하여 상기 수지를 가교한 다음; 임의적으로 조성물 전부를 약 200내지 약 500nm범위의 화학선에 상기 피복을 반응시키기에 충분한 양으로 일광 노출시키고; f)상기 조성물의 노출안된 상아닌 영역을 현상제로 제거한다.
  31. 제30항의 방법에 따라 제조되는 사진 요소.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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