KR900005226A - 감광성 조성물 및 양화 상과 음화 상의 생성방법 - Google Patents

감광성 조성물 및 양화 상과 음화 상의 생성방법 Download PDF

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윌리엄 비이 해리스
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Abstract

내용 없음

Description

감광성 조성물 및 양화 상과 음화 상의 생성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (33)

  1. (a) 조성물이 기질상에 코우팅될때 조성물 성분들을 균일한 필름으로 결합시키기에 충분한 양의 가교결합되지 않은, 수성 알카리 용해성 또는 팽윤성 수지 ; (b) 충분한 활성화 에너지에 노출될때 설폰산을 방출하는, 충분한 활성화 에너지에 상형성 방식으로 노출될때 상형성방식으로 구별하기에 충분한 양으로 조성물내에 존재하는 옥심 설포네이트 에스테르 ; 및 (c) 충분한 산과 열 존재하에서 상기 수지를 가교 결합시키기에 충분한 양으로 조성물내에 존재하는 광가속화 가교결합제로 구성되며, 자유 라디칼 유도에 의해 중합될 수 있는 에틸렌형 불포화 물질이 실질적으로 없는, 활성화 에너지에 상형성방식으로 노출될 때 양화 또는 음화 상들을 교대로 형성할 수 있는 감광성 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수지가 노볼락, 폴리(히드록시스티렌) 단일중합체 및 히드록시스티렌과 C1-C4알킬 치환 히드록시스티렌의 공중합체로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분을 포함하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 옥심 설포네이트 에스테르 성분이 하기식(I) 및 (II)로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물들을 포함하는 조성물.
    상기식에서, n은 1 또는 2, R1은 -COO 알킬, -COO 아릴 또는 -CN, R2는 알킬 또는 아릴이거나 C1-C6알킬, -OH, -CN, C1-C4알콕시, 아릴옥시, -COO알킬, -COO아릴 또는 NO2로 치환된 페닐, 또는 R2와 R1은 이들이 결합된 원자와 함께 C5-C10카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하고 ; X와 Y는 독립적으로 직접적 결합, -CH2- 또는 치환되거나 치환되지 않은 C2-C5알킬렌으로 구성된 군으로 부터 선택되고, R3는 n=1일때, C1-C18-알킬 또는 치환되지 않았거나 -OH, -CN, 할로겐, C1-C12-알킬, C1-C4-알콕시 또는 NO2에 의해 치환된 페닐 ; 또는 치환되거나 치환되지 않은 나프틸이거나, R3와 R2또는 R3와 R1은 그들이 결합된 원자들과 함께 C5-C12헤테로시클릭 고리를 형성하고, R3는 n=2일때, (CH2)m기 (여기서, m은 2-8이다) 또는 치환되거나 치환되지 않은 페닐렌 또는 나프틸렌이고 ; R4는 아릴렌 ; 치환된 아릴렌, 메틸렌, C2-C6직쇄, 분자쇄 또는 고리형 알킬렌 ; R5는 시아노, 또는 -COO 알킬 또는 -COO 아릴기 ; R6는 n=1 일때, 수소원자, C1-C8알킬 또는 페닐, -OH, CN, C1-C4알콕시, 아릴옥시, -COO 알킬, -COO 아릴, NO2또는 할로겐에 의해 치환된 페닐이거나 ; R5와 R6는 그들이 결합된 원자들과 함께 C6-C12카보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하고 ; R7은 -OH, -CN, 알콕시, 할로겐 또는 C1-C5알킬로 치환되거나 치환되지 않은 페닐, 또는 치환되거나 치환되지 않은 C1-C18직쇄 또는 분지쇄 알칼 ; 또는 치환되거나 치환되지 않은 C6-C12아릴이거나, R7과 R6또는 R5와 R7이 이들이 결합된 원자들과 함께 C6-C12헤테로시클릭 고리를 형성한다.
  4. 제1항에 있어서, 성분(C)가 하기 식을 갖는 화합물을 포함하는 조성물.
    (R1O-CHR3)n-A-(CHR4-OR2)m
    상기식에서, A는 식 B 또는 B-Y-B (여기서 B는 치환되거나 치환되지 않은 단일핵 또는 융합된 다핵방향족 탄화수소, 또는 산소나 황을 함유하는 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시로서 그의 사슬들은 산소 원자 -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -CO2-, -O-CO2-, -CONH- 또는 폐닐렌디옥시에 의해 차단된다)이고, R1및 R2는 H, C1-C6-알킬, 시클로알킬, 치환되거나 치환되지 않은 아릴, 알키릴 또는 아실이고 ; R3,R4는 독립적으로 H,C1-C4-알킬 또는 치환되거나 치환되지 않은 페닐이고, n은 1-3이고 m은 0-3인데 단 n + m은 1보다 크다.
  5. 제1항에 있어서, 성분(C)가 하기 식을 갖는 조성물.
    상기식에서, R1,R4,R5,R6는 독립적으로 H,(C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴, 아릴알킬, 또는 OR2이고 ; R2,R3는 독립적으로 H, (C1-C6)알킬, (C3-C6)시클로알킬, 아릴 또는 아릴알킬이다.
  6. 제1항에 있어서, 상기 성분(C)가 디메틸을 파라크레졸 또는 메틸 메톡시 디페닐 에테르인 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 성분(C)가 벤젠, 1-메톡시, -2,6-비스(히드록시메틸)-4-메틸- ; 페놀, -2,6-비스(메톡시메틸)-4-메틸- ; 및 벤젠, 1-메톡시-2,6-비스(메톡시메틸)-4-메틸-로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물인 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 용매를 함유하는 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 상기 용매 성분이 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 및 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르 아세테이트로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분들을 함유하는 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 착색제, 염료, 주름 방지제, 평활제, 가소제, 접착성 증진제, 가속화제, 용매 및 계면활성제로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상이 성분들을 포함하는 조성물.
  11. 기질과 이 기질상에 코우팅된 제1항의 조성물로 구성되는 감광성 물품.
  12. 제11항에 있어서, 조성물이 코우팅된 상기 기질의 표면이 접착성 증진제로 처리된 물품.
  13. 제12항에 있어서, 접착성 증진제가 헥사메틸 디실라잔을 포함하는 물품.
  14. 제11항에 있어서, 상기 기질이 규소, 알루미늄, 중합체 수지, 이산화규소, 도핑된 이산화규소, 질화규소, 탄탈, 구리 폴리실리콘, 세라믹 및 알루미늄/구리 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택된 물품.
  15. I. (a) 조성물이 기질상에 코우팅될 때 조성물 성분들을 균일한 필름으로 결합시키기에 충분한 양의 가교결합되지 않은, 수성 알카리 용해성 또는 팽윤성 수지 ; (b) 충분한 활성화 에너지에 노출될때 설폰산을 방출하는, 충분한 활성화 에너지에 상형성방식으로 노출될 때 상형성방식으로 구별하기에 충분한 양으로 조성물내에 존재하는 옥심 설포네이트 에스테르 ; 및 (c) 광가속화 가교결합제가 없는 조성물에 비해 조성물의 효과적인 광속을 증가시키기에 충분한 양으로 조성물내에 존재하는 광가속화 가교결합제로 구성되며, 자유 라디칼 유도에 의해 중합될 수 있는 에틸렌형 불포화 물질이 실질적으로 없는 감광성 조성물로 표면을 코우팅시키고 Ⅱ. 상기 조성물을 충분한 상형성 에너지에 상형성방식으로 노출시켜서 상형성방식으로 구별하고 Ⅲ. 수성 알카리 용액으로 상기 조성물의 노출된 부분들을 제거하는 것으로 구성되는, 양화 상의 생산방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 수지가 노볼락, 폴리(히드록시스티렌)단일중합체 및 히드록시스티렌과 C1-C4알킬 치환 히드록시스티렌의 공중합체로 구성된 군으로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분을 포함하는 방법.
  17. 제15항에 있어서, 옥심 설포네이트 에스테르 성분이 하기 식(I) 및 (II)로 구성된 군으로 부터 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물을 포함하는 방법.
    상기식에서, n은 1 또는 2, R1은 -COO 알킬, -COO 아릴 또는 -CN, R2는 알킬 또는 아릴이거나 OH, -CN, C1-C6알킬, C1-C4알콕시, 아릴옥시, -COO아릴, -COO알킬 또는 NO2로 치환된 페닐, 또는 R2와 R1은 이들이 결합된 원자와 함께 C5-C10카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하고 ; X와 Y는 독립적으로 직접적 결합, -CH2-, 또는 치환되거나 치환되지 않은 C2-C5알킬렌으로 구성된 군으로 부터 선택되고, R3는 n=1일때, C1-C18-알킬 또는 치환되지 않았거나 -OH, -CN, 할로겐, C1-C10-알킬, C1-C4-알콕시 또는 NO2에 의해 치환된 페닐 ; 또는 치환되거나 치환되지 않은 나프틸이거나, R3와 R2또는 R3와 R1은 그들이 결합된 원자들과 함께 C5-C12헤테로시클릭 고리를 형성하고, R3는 n=2일때, (CH2)m기 (여기서, m은 2-8이다) 또는 치환되거나 치환되지 않은 페닐렌 또는 나프틸렌이고 ; R4는 아릴렌, 치환된 아릴렌, 메틸렌, C1-C6직쇄, 분자쇄 또는 고리형 알킬렌 ; R5는 시아노, 또는 -COO 알킬 또는 -COO 아릴기 ; R6는 n=1 일때, 수소원자, C1-C8알킬 또는 페닐, -OH, CN, C1-C4알콕시, 아릴옥시, -COO 알킬, -COO 아릴, NO2또는 할로겐에 의해 치환된 페닐이거나 ; R5와 R6는 그들이 결합된 원자들과 함께 C6-C12카보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하고 ; R7은 -OH, -CN, 알콕시, 할로겐 또는 C1-C5알킬로 치환되거나 치환되지 않은 페닐, 또는 치환되거나 치환되지 않은 C1-C18직쇄 또는 분지쇄 알킬 ; 또는 치환되거나 치환되지 않은 C6-C12아릴이거나, R7과 R6또는 R5와 R7이 이들이 결합된 원자들과 함께 C6-C12헤테로시클릭 고리를 형성한다.
  18. 제15항에 있어서, 성분(C)가 하기 식을 갖는 화합물을 포함하는 방법.
    (R1O-CHR3)n-A-(CHR4-OR2)m
    상기식에서, A는 식 B 또는 B-Y-B (여기서 B는 치환되거나 치환되지 않은 단일핵 또는 융합된 다핵방향족 탄화수소, 또는 산소나 황을 함유하는 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시로서 그의 사슬들은 산소 원자 -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -CO2-, -O-CO2-, -CONH- 또는 폐닐렌디옥시에 의해 차단된다)이고, R1및 R2는 H, C1-C6-알킬, 시클로알킬, 치환되거나 치환되지 않은 아릴, 알카릴 또는 아실이고 ; R3,R4는 독립적으로 H,C1-C4-알킬 또는 치환되거나 치환되지 않은 페닐이고, n은 1-3이고 m은 0-3인데 단 m-n은 1보다 크다.
  19. 제15항에 있어서, 착색제, 염료, 주름 방지제, 평활제, 가소제, 접착성 증진제, 가속화제, 용매 및 계면활성제로 구성된 군으로 부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분들을 포함하는 방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 기질이 규소, 알루미늄, 중합체 수지, 이산화규소, 도핑된 이산화규소, 질화규소, 탄탈, 구리, 폴리실리콘, 세라믹 및 알루미늄/구리 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택되는 방법.
  21. 제15항에 있어서, 단계 II가 화학선, 전자 비임, 이온 비임 또는 X-선으로 수행되는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 단계 II가 약 180nm 내지 약 300nm의 자외선으로 수행하는 방법.
  23. 제15항에 있어서, 상기 용액이 N-메틸모르폴린, 알카리금속 수산화물, 탄산염 또는 중탄산염 또는 테트라알킬암모늄 수산화물로 구성된 군으로 부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분들을 포함하는 방법.
  24. I. (a) 조성물이 기질상에 코우팅될 때 조성물 성분들을 균일한 필름으로 결합시키기에 충분한 양의 가교결합되지 않은, 수성 알카리 용해성 또는 팽윤성 수지 ; (b) 충분한 활성화 에너지에 노출될 때 설폰산을 방출하는, 충분한 활성화 에너지에 상형성방식으로 노출될 때 상형성방식으로 구별하기에 충분한 양으로 조성물내에 존재하는 옥심 설포네이트 에스테르 ; 및 (c) 충분한 산과 열 존재하에서 상기 수지를 가교결합시키기에 충분한 양으로 조성물내에 존재하는 광 가속화 가교결합제로 구성되며, 자유 라디칼 유도에 의해 중합될 수 있는 에틸렌형 불포화 물질이 실질적으로 없는 감광성 조성물로 표면을 코우팅시키고 ; Ⅱ. 상기 조성물을 충분한 상형성 에너지에 상형성방식으로 노출시켜서 상형성방식으로 구별하고 ; Ⅲ. 상형성 방식으로 노출된 지역이 산을 촉매로하여 가교결합하기에 충분한 시간동안 충분한 온도에서 상기 노출된 조성물을 가열하고 ; Ⅳ. 비-상 지역에서 조성물의 용해성을 증가시키기에 충분한 활성화 에너지에 조성물을 전체적으로 넘치게 노출시키고 ; Ⅴ. 수성 알카리 용액으로 조성물이 상형성방식이 아니게 노출된 비-상지역을 제거하는 것으로 구성되는, 음화 상의 생성 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 수지가 노볼락, 폴리(히드록시스티렌)단일중합체 및 히드록시스티렌과 C1-C4알킬 치환 히드록시스티렌의 공중합체로 구성된 군으로 부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분을 포함하는 방법.
  26. 제24항에 있어서, 옥심 설포네이트 에스테르 성분이 하기 식(I) 및 (II)로 구성된 군으로 부터 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물을 포함하는 방법.
    상기식에서, n은 1 또는 2, R1은 -COO 알킬, -COO 아릴 또는 -CN, R2는 알킬 또는 아릴이거나 OH, -CN, C1-C6알킬, C1-C4알콕시, 아릴옥시, -COO아릴, -COO알킬 또는 NO2로 치환된 페닐, 또는 R2와 R1은 이들이 결합된 원자와 함께 C5-C10카르보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하고 ; X와 Y는 독립적으로 직접적 결합, -CH2- 또는 치환되거나 치환되지 않은 C2-C5알킬렌으로 구성된 군으로 부터 선택되고, R3는 n=1일때, C1-C18-알킬 또는 치환되지 않았거나 -OH, -CN, 할로겐, C1-C12-알킬, C1-C4-알콕시 또는 NO2에 의해 치환된 페닐 ; 또는 치환되거나 치환되지 않은 나프틸이거나, R3와 R2또는 R3와 R1은 그들이 결합된 원자들과 함께 C5-C12헤테로시클릭 고리를 형성하고, R3는 n=2일때, (CH2)m기 (여기서, m은 2-8이다) 또는 치환되거나 치환되지 않은 페닐렌 또는 나프틸렌이고 ; R4는 아릴렌, 치환된 아릴렌, 메틸렌, C2-C6직쇄, 분자쇄 또는 고리형 알킬렌 ; R5는 시아노, 또는 -COO 알킬 또는 -COO 아릴기 ; R6는 n=1 일때, 수소원자, C1-C8알킬 또는 페닐, -OH, CN, C1-C4알콕시, 아릴옥시, -COO 알킬, -COO 아릴, NH2또는 할로겐에 의해 치환된 페닐이거나 ; R5와 R6는 그들이 결합된 원자들과 함께 C6-C12카보시클릭 또는 헤테로시클릭 고리를 형성하고 ; R7은 -OH, -CN, 알콕시, 할로겐 또는 C1-C5알킬로 치환되거나 치환되지 않은 페닐, 또는 치환되거나 치환되지 않은 C1-C18직쇄 또는 분지쇄 알킬 ; 또는 치환되거나 치환되지 않은 C6-C12아릴이거나, R7과 R6또는 R5와 R7이 이들이 결합된 원자들과 함께 C6-C12헤테로시클릭 고리를 형성한다.
  27. 제24항에 있어서, 성분(C)가 하기 식을 갖는 화합물을 포함하는 방법.
    (R1O-CHR3)n-A-(CHR4-OR2)m
    상기식에서, A는 식 B 또는 B-Y-B (여기서 B는 치환되거나 치환되지 않은 단일핵 또는 융합된 다핵방향족 탄화수소, 또는 산소나 황을 함유하는 헤테로시클릭 화합물이고, Y는 단일 결합, C1-C4-알킬렌 또는 -알킬렌디옥시로서 그의 사슬들은 산소원자 -O-, -S-, -SO2-, -CO-, -CO2-, -O-CO2-, -CONH- 또는 폐닐렌디옥시에의해 차단된다.) 이고, R1및 R2는 H, C1-C6-알킬, 시클로알킬, 치환되거나 치환되지 않은 아릴, 알카릴 또는 아실이고 ; R3,R4는 독립적으로 H, C1-C4-알킬 또는 치환되거나 치환되지 않은 페닐이고, n은 1-3이고 m은 0-3인데 단 n + m은 1보다 크다.
  28. 제24항에 있어서, 착색제, 염료, 주름 방지제, 평활제, 가소제, 접착성 증진제, 가속화제, 용매 및 계면활성제로 구성된 군으로 부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분들을 포함하는 방법.
  29. 제24항에 있어서, 상기 기질이 규소, 알루미늄, 중합체 수지, 이산화규소, 도핑된 이산화규소, 질화규소, 탄탈, 구리, 폴리실리콘, 세라믹 및 알루미늄/구리 혼합물로 구성된 군으로 부터 선택되는 방법.
  30. 제24항에 있어서, 단계 II 및 Ⅵ가 독립적으로 화학선, 전자비임, 이온비임 또는 X-선으로 수행되는 방법.
  31. 제30항에 있어서, 단계 II 및 Ⅵ가 독립적으로 약 180nm 내지 약 300nm의 자외선으로 수행되는 방법.
  32. 제24항에 있어서, 상기 용액이 N-메틸모르폴린, 알카리금속 수산화물, 탄산염 또는 중탄산염 또는 테트라-알킬암모늄 수산화물로 구성된 군으로 부터 선택된 하나 또는 그 이상의 성분들을 포함하는 방법.
  33. 제24항에 있어서, 상기 가열 단계 Ⅲ이 약 10- 약 90초간 약 95℃- 약 160℃의 온도에서 수행되는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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