JP2811124B2 - パターン形成方法およびフォトマスクの製造方法 - Google Patents
パターン形成方法およびフォトマスクの製造方法Info
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般に、レジストパ
ターンの形成方法に関するものであり、より特定的に
は、波長の短い紫外線や、あるいは電子線、Ｘ線等の高
エネルギ線を用いても、感度が高く、かつ良好なパター
ンができるように改良された、レジストパターンの形成
方法に関する。この発明は、さらに、そのような方法を
用いる、フォトマスクの製造方法に関する。
ターンの形成方法に関するものであり、より特定的に
は、波長の短い紫外線や、あるいは電子線、Ｘ線等の高
エネルギ線を用いても、感度が高く、かつ良好なパター
ンができるように改良された、レジストパターンの形成
方法に関する。この発明は、さらに、そのような方法を
用いる、フォトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＥＳＩＲＥ（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｅ
ｎｈａｎｃｅｄ ｓｉｌｙｌａｔｉｎｇ ｒｅｓｉｓ
ｔ）プロセスは、クープマンとローランドによって１９
８６年に発表されたドライ現像レジストプロセスであ
る。図１０（ａ）〜（ｅ）は、ＤＥＳＩＲＥプロセスの
プロセスフロー図である。
ｎｈａｎｃｅｄ ｓｉｌｙｌａｔｉｎｇ ｒｅｓｉｓ
ｔ）プロセスは、クープマンとローランドによって１９
８６年に発表されたドライ現像レジストプロセスであ
る。図１０（ａ）〜（ｅ）は、ＤＥＳＩＲＥプロセスの
プロセスフロー図である。
【０００３】図１０（ａ）を参照して、基板１の上に膜
２を形成する。膜２の上にドライ現像レジスト３を形成
する。ドライ現像レジスト３は、たとえば日本合成ゴム
株式会社製ＰＬＡＳＭＡＳＫR レジストである。ＰＬＡ
ＳＭＡＳＫの成分の詳細は明らかではないが、このレジ
ストは、図１１（ａ）に示すノボラック樹脂と図１１
（ｂ）に示すキノンジアジドを主成分に含む。
２を形成する。膜２の上にドライ現像レジスト３を形成
する。ドライ現像レジスト３は、たとえば日本合成ゴム
株式会社製ＰＬＡＳＭＡＳＫR レジストである。ＰＬＡ
ＳＭＡＳＫの成分の詳細は明らかではないが、このレジ
ストは、図１１（ａ）に示すノボラック樹脂と図１１
（ｂ）に示すキノンジアジドを主成分に含む。
【０００４】図１０（ａ）を再び参照して、マスク４を
用いて、波長２４８〜４３６ｎｍの紫外線５をレジスト
３に向けて、選択的に照射する。この紫外線５の選択的
照射によって、図１０（ｂ）を参照して、レジスト３は
露光部３ａと未露光部３ｂに区分される。露光部３ａで
は、キノンジアジドが図１３に示す反応式に従って分解
する。
用いて、波長２４８〜４３６ｎｍの紫外線５をレジスト
３に向けて、選択的に照射する。この紫外線５の選択的
照射によって、図１０（ｂ）を参照して、レジスト３は
露光部３ａと未露光部３ｂに区分される。露光部３ａで
は、キノンジアジドが図１３に示す反応式に従って分解
する。
【０００５】図１０（ｃ）を参照して、基板１を１２０
〜２００℃に加熱しながら、基板１上にヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）ガスと窒素ガスとの混合ガスを吹
き付ける。この処理は、シリル化処理と呼ばれている。
ＨＭＤＳガスと窒素ガスとの混合ガスは、ＨＭＤＳ液に
窒素をバブリングすることによって作られる。
〜２００℃に加熱しながら、基板１上にヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）ガスと窒素ガスとの混合ガスを吹
き付ける。この処理は、シリル化処理と呼ばれている。
ＨＭＤＳガスと窒素ガスとの混合ガスは、ＨＭＤＳ液に
窒素をバブリングすることによって作られる。
【０００６】このシリル化処理によって、ＨＭＤＳはレ
ジスト３の露光部３ａに選択的に拡散し、レジスト３中
のノボラック樹脂と反応して、シリル化層３ｃを形成す
る。シリル化層３は、図１２に示すようなシリル化化合
物を含む。
ジスト３の露光部３ａに選択的に拡散し、レジスト３中
のノボラック樹脂と反応して、シリル化層３ｃを形成す
る。シリル化層３は、図１２に示すようなシリル化化合
物を含む。
【０００７】選択性が生じるのは、次の理由による。す
なわち、レジスト３の露光部３ａでは、光により、キノ
ンジアジドがインデンカルボン酸誘導体に分解する。イ
ンデンカルボン酸の影響により、ＨＭＤＳは、キノンジ
アジドがそのまま残っている未露光部３ｂよりも、露光
部３ａの方に拡散しやすくなる。
なわち、レジスト３の露光部３ａでは、光により、キノ
ンジアジドがインデンカルボン酸誘導体に分解する。イ
ンデンカルボン酸の影響により、ＨＭＤＳは、キノンジ
アジドがそのまま残っている未露光部３ｂよりも、露光
部３ａの方に拡散しやすくなる。
【０００８】図１０（ｄ）を参照して、基板１をＯ2 プ
ラズマにさらすと、シリル化層３ｃは、シリコン酸化物
（ＳｉＯ2 ）６になる。このシリコン酸化物６は、Ｏ2
プラズマに対して耐性が強いために、シリコン酸化物６
が形成されている部分の直下部分においてはエッチング
が進行しない。一方、ＨＭＤＳが拡散しなかった部分に
おいては、図１０（ｅ）に示すように、エッチングが進
行する。なぜなら、この部分のレジストは、Ｃ，Ｈ，
Ｎ，Ｏ等の、酸化により揮発する物質のみで構成されて
いるためである。
ラズマにさらすと、シリル化層３ｃは、シリコン酸化物
（ＳｉＯ2 ）６になる。このシリコン酸化物６は、Ｏ2
プラズマに対して耐性が強いために、シリコン酸化物６
が形成されている部分の直下部分においてはエッチング
が進行しない。一方、ＨＭＤＳが拡散しなかった部分に
おいては、図１０（ｅ）に示すように、エッチングが進
行する。なぜなら、この部分のレジストは、Ｃ，Ｈ，
Ｎ，Ｏ等の、酸化により揮発する物質のみで構成されて
いるためである。
【０００９】この選択的エッチングにより、露光された
部分のみにパターンが残り、ネガ型のレジストパターン
が形成される。
部分のみにパターンが残り、ネガ型のレジストパターン
が形成される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したとおり、
ＰＬＡＳＭＡＳＫをレジストに用いた従来のＤＥＳＩＲ
Ｅプロセスにおいては、露光中にレジスト中のキノンジ
アジドがカルボン酸に変化することが必要である。
ＰＬＡＳＭＡＳＫをレジストに用いた従来のＤＥＳＩＲ
Ｅプロセスにおいては、露光中にレジスト中のキノンジ
アジドがカルボン酸に変化することが必要である。
【００１１】ところで、より微細なパターンを作製する
ためには、より短波長の光（波長２５０ｎｍ以下）、電
子線，Ｘ線等の高エネルギ線を用いなければならない。
ためには、より短波長の光（波長２５０ｎｍ以下）、電
子線，Ｘ線等の高エネルギ線を用いなければならない。
【００１２】しかし、これらの高エネルギ線を用いた場
合には、レジスト中のキノンジアジドがカルボン酸に変
化するという、図１３に示す反応が効率よく進まないと
いう問題点があった。また、これらの高エネルギ線を用
いた場合には、ノボラック樹脂の架橋等の副反応が生
じ、パターン形成がうまくいかないという問題点があっ
た。さらに、感度が非常に低いという問題点もあった。
合には、レジスト中のキノンジアジドがカルボン酸に変
化するという、図１３に示す反応が効率よく進まないと
いう問題点があった。また、これらの高エネルギ線を用
いた場合には、ノボラック樹脂の架橋等の副反応が生
じ、パターン形成がうまくいかないという問題点があっ
た。さらに、感度が非常に低いという問題点もあった。
【００１３】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、短波長の光、又は電子線、Ｘ
線などの高エネルギ線を用いても、感度が高く、かつ良
好なパターン形状を与える、レジストパターンの形成方
法を提供することにある。
るためになされたもので、短波長の光、又は電子線、Ｘ
線などの高エネルギ線を用いても、感度が高く、かつ良
好なパターン形状を与える、レジストパターンの形成方
法を提供することにある。
【００１４】この発明のさらに他の目的は、良好なパタ
ーン形状を有するフォトマスクの製造方法を提供するこ
とにある。
ーン形状を有するフォトマスクの製造方法を提供するこ
とにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に従うレジストパターン形成方法において
は、まず最初に、水酸基を含むベース樹脂と、放射線の
照射を受けることによってスルホン酸を発生する酸発生
剤であるトリフェニルスルフォニウムトリフレートと、
上記スルホン酸のプロトンの触媒作用により、上記ベー
ス樹脂の水酸基と反応し、それによって該ベース樹脂を
架橋させる架橋剤と、を含むレジストを準備する。上記
レジストを基板の上に塗布する。上記レジストに向け
て、選択的に放射線を照射し、それによって、該レジス
トを露光部と未露光部に分け、かつ露光部のレジスト中
に上記スルホン酸を発生させる。上記レジストを第１の
温度に加熱し、スルホン酸のプロトンを触媒にして、上
記ベース樹脂の水酸基と上記架橋剤とを反応させて、そ
れによって、該ベース樹脂の露光部を架橋させる。上記
レジストを１００℃〜１３０℃に加熱し、かつシリル化
剤の雰囲気に晒すことによって、上記レジストの未露光
部の表面をシリル化する。上記レジストを酸素プラズマ
によりドライ現像し、それによってポジ型レジストパタ
ーンを形成する。
に、この発明に従うレジストパターン形成方法において
は、まず最初に、水酸基を含むベース樹脂と、放射線の
照射を受けることによってスルホン酸を発生する酸発生
剤であるトリフェニルスルフォニウムトリフレートと、
上記スルホン酸のプロトンの触媒作用により、上記ベー
ス樹脂の水酸基と反応し、それによって該ベース樹脂を
架橋させる架橋剤と、を含むレジストを準備する。上記
レジストを基板の上に塗布する。上記レジストに向け
て、選択的に放射線を照射し、それによって、該レジス
トを露光部と未露光部に分け、かつ露光部のレジスト中
に上記スルホン酸を発生させる。上記レジストを第１の
温度に加熱し、スルホン酸のプロトンを触媒にして、上
記ベース樹脂の水酸基と上記架橋剤とを反応させて、そ
れによって、該ベース樹脂の露光部を架橋させる。上記
レジストを１００℃〜１３０℃に加熱し、かつシリル化
剤の雰囲気に晒すことによって、上記レジストの未露光
部の表面をシリル化する。上記レジストを酸素プラズマ
によりドライ現像し、それによってポジ型レジストパタ
ーンを形成する。
【００１６】この発明の、好ましい実施態様によれば、
上記酸発生剤には、トリフェニルスルホニウムトリフレ
ートが用いられる。
上記酸発生剤には、トリフェニルスルホニウムトリフレ
ートが用いられる。
【００１７】また、上記架橋剤には、ヘキサメチロール
メラミンヘキサメチルエーテルが好ましく用いられる。
メラミンヘキサメチルエーテルが好ましく用いられる。
【００１８】さらに、上記第２の温度は上記第１の温度
よりも低いのが好ましい。
よりも低いのが好ましい。
【００１９】この発明の他の局面に従うフォトマスクの
製造方法においては、まず、ガラス基板の上にメタル層
を形成する。水酸基を含むベース樹脂と、放射線の照射
を受けることによってスルホン酸を発生する酸発生剤で
あるトリフェニルスルフォニウムトリフレートと、上記
スルホン酸のプロトンの触媒作用により、上記ベース樹
脂の水酸基と反応し、それによって該ベース樹脂を架橋
させる架橋剤と、を含むレジストを準備する。上記メタ
ル層の上に上記レジストを塗布する。上記レジストに向
けて選択的に放射線を照射し、それによって該レジスト
を露光部と未露光部に分け、かつ露光部のレジスト中に
上記スルホン酸を発生させる。上記スルホン酸のプロト
ンを触媒にして、上記ベース樹脂の水酸基と上記架橋剤
とを反応させて、それによって上記ベース樹脂の露光部
を架橋させるために、上記レジストを第１の温度に加熱
する。上記レジストを１００℃〜１３０℃に加熱し、か
つシリル剤の雰囲気に晒すことによって、上記レジスト
の未露光部の表面を選択的にシリル化する。上記レジス
トを酸素プラズマによりドライ現像し、それによって、
上記露光部が除去されたポジ型レジストパターンを形成
する。上記ポジ型レジストパターンをマスクに用いて、
上記メタル層を選択的にエッチングする。その後、上記
ポジ型レジストパターンを除去する。
製造方法においては、まず、ガラス基板の上にメタル層
を形成する。水酸基を含むベース樹脂と、放射線の照射
を受けることによってスルホン酸を発生する酸発生剤で
あるトリフェニルスルフォニウムトリフレートと、上記
スルホン酸のプロトンの触媒作用により、上記ベース樹
脂の水酸基と反応し、それによって該ベース樹脂を架橋
させる架橋剤と、を含むレジストを準備する。上記メタ
ル層の上に上記レジストを塗布する。上記レジストに向
けて選択的に放射線を照射し、それによって該レジスト
を露光部と未露光部に分け、かつ露光部のレジスト中に
上記スルホン酸を発生させる。上記スルホン酸のプロト
ンを触媒にして、上記ベース樹脂の水酸基と上記架橋剤
とを反応させて、それによって上記ベース樹脂の露光部
を架橋させるために、上記レジストを第１の温度に加熱
する。上記レジストを１００℃〜１３０℃に加熱し、か
つシリル剤の雰囲気に晒すことによって、上記レジスト
の未露光部の表面を選択的にシリル化する。上記レジス
トを酸素プラズマによりドライ現像し、それによって、
上記露光部が除去されたポジ型レジストパターンを形成
する。上記ポジ型レジストパターンをマスクに用いて、
上記メタル層を選択的にエッチングする。その後、上記
ポジ型レジストパターンを除去する。
【００２０】
【作用】この発明によれば、レジストの露光部にスルホ
ン酸が発生する。このスルホン酸のプロトンの触媒作用
と熱によって、露光部において、ベース樹脂の水酸基と
架橋剤とが反応し、ベース樹脂が架橋する。ベース樹脂
が架橋したレジストの露光部は、ガラス転位点が上昇
し、またその密度も上昇する。
ン酸が発生する。このスルホン酸のプロトンの触媒作用
と熱によって、露光部において、ベース樹脂の水酸基と
架橋剤とが反応し、ベース樹脂が架橋する。ベース樹脂
が架橋したレジストの露光部は、ガラス転位点が上昇
し、またその密度も上昇する。
【００２１】それゆえに、次のシリル化処理時におい
て、露光部が第２の温度に加熱されても、その部分にお
いては、樹脂が緩みにくくなる。その結果、露光部に
は、シリル化剤が浸透しにくくなる。一方、未露光部
は、ベース樹脂が架橋していないので、第２の温度に加
熱されたとき、樹脂がゆるみ、シリル化剤が容易に浸透
する。これにより、未露光部の表面に選択的にシリル化
層が形成される。
て、露光部が第２の温度に加熱されても、その部分にお
いては、樹脂が緩みにくくなる。その結果、露光部に
は、シリル化剤が浸透しにくくなる。一方、未露光部
は、ベース樹脂が架橋していないので、第２の温度に加
熱されたとき、樹脂がゆるみ、シリル化剤が容易に浸透
する。これにより、未露光部の表面に選択的にシリル化
層が形成される。
【００２２】シリル化層は酸素プラズマを用いる現像時
に、ＳｉＯ2 層に変化し、ひいては、ＳｉＯ２層の直下
部分はドライエッチングされにくくなる。一方、露光部
のレジストは、Ｃ，Ｈ，Ｎ，Ｏ等の酸化により揮発する
物質のみで構成されているため、露光部において、ドラ
イエッチングが進行する。こうして、ポジ型のレジスト
パターンが得られる。
に、ＳｉＯ2 層に変化し、ひいては、ＳｉＯ２層の直下
部分はドライエッチングされにくくなる。一方、露光部
のレジストは、Ｃ，Ｈ，Ｎ，Ｏ等の酸化により揮発する
物質のみで構成されているため、露光部において、ドラ
イエッチングが進行する。こうして、ポジ型のレジスト
パターンが得られる。
【００２３】この方法によれば、短波長の光、又は電子
線，Ｘ線などの高エネルギ線を用いても、高感度でかつ
良好な形状を有するレジストパターンが得られる。
線，Ｘ線などの高エネルギ線を用いても、高感度でかつ
良好な形状を有するレジストパターンが得られる。
【００２４】また、この発明によれば、レジスト中のノ
ボラック樹脂の架橋が、露光時に発生した酸が触媒とな
って、連鎖的に進む。連鎖反応によって架橋が進む結
果、露光に使用される放射線の照射量は少なくて済み、
ひいては高感度が達成できる。さらに、照射量が少ない
ことにより、パターン形成において、不都合な副反応は
生じない。その結果、良好なパターン形成が可能とな
る。
ボラック樹脂の架橋が、露光時に発生した酸が触媒とな
って、連鎖的に進む。連鎖反応によって架橋が進む結
果、露光に使用される放射線の照射量は少なくて済み、
ひいては高感度が達成できる。さらに、照射量が少ない
ことにより、パターン形成において、不都合な副反応は
生じない。その結果、良好なパターン形成が可能とな
る。
【００２５】また、この発明にかかるフォトマスクの製
造方法によれば、上述した方法でレジストパターンを形
成し、その後、このレジストパターンを用いてメタル層
をエッチングする。レジストパターンの精度が高いの
で、精度の高いフォトマスクが得られる。
造方法によれば、上述した方法でレジストパターンを形
成し、その後、このレジストパターンを用いてメタル層
をエッチングする。レジストパターンの精度が高いの
で、精度の高いフォトマスクが得られる。
【００２６】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。
る。
【００２７】図１（ａ）〜（ｅ）は、この発明の一実施
例に従った製造方法の順序の各工程における半導体装置
の部分断面図である。
例に従った製造方法の順序の各工程における半導体装置
の部分断面図である。
【００２８】図１（ａ）を参照して、基板１の上にレジ
スト７を塗布する。レジスト７は、水酸基を含むベース
樹脂と、放射線の照射を受けることによってスルホン酸
を発生する酸発生剤と、スルホン酸のプロトンの触媒作
用により、ベース樹脂の水酸基と反応し、それによって
ベース樹脂を架橋させる架橋剤とを含む。具体的には、
ベース樹脂には、図２（ａ）に示すノボラック樹脂を用
い、架橋剤には、図２（ｂ）に示すヘキサメチロールメ
ラミンヘキサメチルエーテルを用い、酸発生剤には、図
２（ｃ）に示すトリフェニルスルホニウムトリフレート
を用いた。上記３つの成分の重量比は、ベース樹脂：架
橋剤：酸発生剤＝１００：２０：１０であった。なお、
好ましい配合割合は、ベース樹脂１００に対して、架橋
剤５〜３０重量％、酸発生剤３〜１５重量％である。上
記３成分を、メチルセロソルブアセテート２に溶解し、
レジストの溶液を作った。このレジストの溶液を瀘過
し、スピンコーティング法により、基板１上に塗布し
た。その後、ホットプレート上で、８５℃，１分間のプ
リベークを行なって、基板１の上に厚さ１．２μｍの均
一なレジスト膜７を形成した。なお、レジスト膜７の膜
厚は、０．５〜２μｍの範囲が好ましい。
スト７を塗布する。レジスト７は、水酸基を含むベース
樹脂と、放射線の照射を受けることによってスルホン酸
を発生する酸発生剤と、スルホン酸のプロトンの触媒作
用により、ベース樹脂の水酸基と反応し、それによって
ベース樹脂を架橋させる架橋剤とを含む。具体的には、
ベース樹脂には、図２（ａ）に示すノボラック樹脂を用
い、架橋剤には、図２（ｂ）に示すヘキサメチロールメ
ラミンヘキサメチルエーテルを用い、酸発生剤には、図
２（ｃ）に示すトリフェニルスルホニウムトリフレート
を用いた。上記３つの成分の重量比は、ベース樹脂：架
橋剤：酸発生剤＝１００：２０：１０であった。なお、
好ましい配合割合は、ベース樹脂１００に対して、架橋
剤５〜３０重量％、酸発生剤３〜１５重量％である。上
記３成分を、メチルセロソルブアセテート２に溶解し、
レジストの溶液を作った。このレジストの溶液を瀘過
し、スピンコーティング法により、基板１上に塗布し
た。その後、ホットプレート上で、８５℃，１分間のプ
リベークを行なって、基板１の上に厚さ１．２μｍの均
一なレジスト膜７を形成した。なお、レジスト膜７の膜
厚は、０．５〜２μｍの範囲が好ましい。
【００２９】図１（ｂ）を参照して、レジスト膜７に向
けて、エネルギ２０ＫｅＶの電子線を、露光量１〜１０
×１０-6Ｃ／ｃｍ2 の条件下で、選択的に照射し、レジ
スト７を露光部５１と未露光部５０に区分した。レジス
ト膜７の露光部では、図３に示す反応式のように、トリ
フェニルスルフォニムトリフレートが分解し、強酸であ
るトリフルオロメタンスルホン酸が発生する。
けて、エネルギ２０ＫｅＶの電子線を、露光量１〜１０
×１０-6Ｃ／ｃｍ2 の条件下で、選択的に照射し、レジ
スト７を露光部５１と未露光部５０に区分した。レジス
ト膜７の露光部では、図３に示す反応式のように、トリ
フェニルスルフォニムトリフレートが分解し、強酸であ
るトリフルオロメタンスルホン酸が発生する。
【００３０】図１（ｃ）を参照して、５０〜１５０℃好
ましくは１００〜１３０℃で、２分間、露光後のベーキ
ングを行なった。このべーキング時による、ベース樹脂
７の露光部における架橋の様子を、図４を用いて説明す
る。
ましくは１００〜１３０℃で、２分間、露光後のベーキ
ングを行なった。このべーキング時による、ベース樹脂
７の露光部における架橋の様子を、図４を用いて説明す
る。
【００３１】図４（ａ）は、レジスト７に放射線を照射
している様子を示している。レジスト７に放射線が照射
されると、図４（ｂ）を参照して、トリフェニルスルホ
ニウムトリフレートが分解して、酸（Ｈ+ ）が発生す
る。図４（ｃ）を参照して、レジストをベークすると、
酸（Ｈ+ ）を触媒にして、ベース樹脂の１つが架橋し、
このとき酸（Ｈ+ ）が副生する。図４（ｄ）を参照し
て、副生した酸（Ｈ+ ）を触媒にして、次々と、連鎖反
応的に、ベース樹脂が架橋していく。図４（ｅ）を参照
して、上述の連鎖反応によって、ベース樹脂が網目状に
架橋する。上述の連鎖反応は、図５に示す反応式によっ
て表わされる。
している様子を示している。レジスト７に放射線が照射
されると、図４（ｂ）を参照して、トリフェニルスルホ
ニウムトリフレートが分解して、酸（Ｈ+ ）が発生す
る。図４（ｃ）を参照して、レジストをベークすると、
酸（Ｈ+ ）を触媒にして、ベース樹脂の１つが架橋し、
このとき酸（Ｈ+ ）が副生する。図４（ｄ）を参照し
て、副生した酸（Ｈ+ ）を触媒にして、次々と、連鎖反
応的に、ベース樹脂が架橋していく。図４（ｅ）を参照
して、上述の連鎖反応によって、ベース樹脂が網目状に
架橋する。上述の連鎖反応は、図５に示す反応式によっ
て表わされる。
【００３２】図１（ｃ）に戻って、レジスト７のベーキ
ングによって、レジスト７は架橋部分７ａと未架橋部分
７ｂに区分される。
ングによって、レジスト７は架橋部分７ａと未架橋部分
７ｂに区分される。
【００３３】図１（ｄ）を参照して、シリル化反応によ
り、レジスト７の未架橋部分７ｂの表面にシリル化層８
を形成する。
り、レジスト７の未架橋部分７ｂの表面にシリル化層８
を形成する。
【００３４】シリル化反応は、以下のようにして行なわ
れる。
れる。
【００３５】図６は、シリル化反応に使用される装置の
概念図である。シリル化装置は、真空チャンバ１５を備
えている。真空チャンバ１５は排気口１６を備えてい
る。真空チャンバ１５内には、基板７を加熱するための
加熱手段１２が設置されている。真空チャンバ５の上部
には、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）ガスを真空
チャンバ１５内に導くためのＨＭＤＳ導入管１７の一端
が接続されている。ＨＭＤＳ導入管１７の他端は、ＨＭ
ＤＳ液１３を蓄えるＨＭＤＳタンク１８に接続されてい
る。ＨＭＤＳタンク１８には、該タンク内に蓄えられた
ＨＭＤＳ液中に窒素ガスをバブリングするための窒素ガ
ス導入管１９が設けられている。ヒータ２０は、ＨＭＤ
Ｓタンク１８内に蓄えられたＨＭＤＳ液を加熱するため
のものである。
概念図である。シリル化装置は、真空チャンバ１５を備
えている。真空チャンバ１５は排気口１６を備えてい
る。真空チャンバ１５内には、基板７を加熱するための
加熱手段１２が設置されている。真空チャンバ５の上部
には、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）ガスを真空
チャンバ１５内に導くためのＨＭＤＳ導入管１７の一端
が接続されている。ＨＭＤＳ導入管１７の他端は、ＨＭ
ＤＳ液１３を蓄えるＨＭＤＳタンク１８に接続されてい
る。ＨＭＤＳタンク１８には、該タンク内に蓄えられた
ＨＭＤＳ液中に窒素ガスをバブリングするための窒素ガ
ス導入管１９が設けられている。ヒータ２０は、ＨＭＤ
Ｓタンク１８内に蓄えられたＨＭＤＳ液を加熱するため
のものである。
【００３６】次に、動作について説明する。
【００３７】加熱手段１２の上に、図１（ｃ）に示す、
熱処理の終わった基板７を、置く。基板７を加熱手段１
２により、露光後ベーキングの温度と同じか、またはそ
れ以下の温度、たとえば４０〜１４０℃好ましくは１０
０〜１３０℃に加熱する。窒素ガス導入管１９より、窒
素ガスをＨＭＤＳタンク１８内に導入する。窒素ガスは
ＨＭＤＳ液１３中にバブリングされる。窒素ガスのバブ
リングによって、ＨＭＤＳガスと窒素ガスの混合ガス
が、ＨＭＤＳ管１７を通って、真空容器１５内に導入さ
れる。真空管１５内に導入されたＨＭＤＳガスによっ
て、レジストがシリル化される。このシリル化反応は、
２分〜１０分間行なった。
熱処理の終わった基板７を、置く。基板７を加熱手段１
２により、露光後ベーキングの温度と同じか、またはそ
れ以下の温度、たとえば４０〜１４０℃好ましくは１０
０〜１３０℃に加熱する。窒素ガス導入管１９より、窒
素ガスをＨＭＤＳタンク１８内に導入する。窒素ガスは
ＨＭＤＳ液１３中にバブリングされる。窒素ガスのバブ
リングによって、ＨＭＤＳガスと窒素ガスの混合ガス
が、ＨＭＤＳ管１７を通って、真空容器１５内に導入さ
れる。真空管１５内に導入されたＨＭＤＳガスによっ
て、レジストがシリル化される。このシリル化反応は、
２分〜１０分間行なった。
【００３８】シリル化層８の化学構造は、図７に示すよ
うに、フェノール樹脂の水酸基とＨＭＤＳとが結合した
構造となっている。
うに、フェノール樹脂の水酸基とＨＭＤＳとが結合した
構造となっている。
【００３９】未架橋部分７ｂにのみ選択的にシリル化層
８が形成されるのは、次の理由による。
８が形成されるのは、次の理由による。
【００４０】すなわち、架橋部分７ａは、架橋によっ
て、樹脂のガラス転位温度が上がっている。したがっ
て、レジスト７を上述の１００〜１３０℃の温度に加熱
しても、架橋部分７ａにおいては、樹脂が緩まなくなっ
ている。樹脂が緩まないので、ＨＭＤＳが浸透できな
い。
て、樹脂のガラス転位温度が上がっている。したがっ
て、レジスト７を上述の１００〜１３０℃の温度に加熱
しても、架橋部分７ａにおいては、樹脂が緩まなくなっ
ている。樹脂が緩まないので、ＨＭＤＳが浸透できな
い。
【００４１】一方、未架橋部分７ｂにおいては、架橋さ
れていないので、樹脂は１００〜１３０℃に加熱される
とゆるみ、ＨＭＤＳは容易に浸透できる。よって、未架
橋部分７ｂにのみ、シリル化層８が形成されるのであ
る。
れていないので、樹脂は１００〜１３０℃に加熱される
とゆるみ、ＨＭＤＳは容易に浸透できる。よって、未架
橋部分７ｂにのみ、シリル化層８が形成されるのであ
る。
【００４２】図１（ｄ）および（ｅ）を参照して、Ｏ2
プラズマにより、ドライ現像を行なう。すると、シリル
化層８はＳｉＯ2 層９に変化し、該ＳｉＯ2 層９の下の
部分すなわち、未露光部５０のマスクとなり、該未露光
部５０がエッチングされるのを防止する。一方、露光部
分５０（架橋部分７ａ）は、Ｏ2 プラズマによりエッチ
ング除去され、ポジ型のレジストパターンが形成され
る。
プラズマにより、ドライ現像を行なう。すると、シリル
化層８はＳｉＯ2 層９に変化し、該ＳｉＯ2 層９の下の
部分すなわち、未露光部５０のマスクとなり、該未露光
部５０がエッチングされるのを防止する。一方、露光部
分５０（架橋部分７ａ）は、Ｏ2 プラズマによりエッチ
ング除去され、ポジ型のレジストパターンが形成され
る。
【００４３】ドライ現像装置には、平行平板型の反応性
イオンエッチング装置またはマグネトロンエッチング装
置のいずれも使用し得る。Ｏ2 ガスの供給条件は、流量
７０ＳＣＣＭ、真空度４ｍＴｏｒｒであった。
イオンエッチング装置またはマグネトロンエッチング装
置のいずれも使用し得る。Ｏ2 ガスの供給条件は、流量
７０ＳＣＣＭ、真空度４ｍＴｏｒｒであった。
【００４４】図８は、本実施例にかかるレジストパター
ン形成方法の、感度を定量化した図である。
ン形成方法の、感度を定量化した図である。
【００４５】横軸は、図１（ｂ）に示す工程において照
射される、放射線の露光量を示している。縦軸は、図１
（ｅ）に示すドライ現像工程において、露光部のレジス
トの残膜率を示している。ドライ現像後、露光部が完全
に除去されたとき、残膜率はゼロとなる。
射される、放射線の露光量を示している。縦軸は、図１
（ｅ）に示すドライ現像工程において、露光部のレジス
トの残膜率を示している。ドライ現像後、露光部が完全
に除去されたとき、残膜率はゼロとなる。
【００４６】図８を参照して、残膜率がゼロになる点の
露光量は、４μＣ／ｃｍ2 である。この値は、従来より
知られている，代表的なポジ型レジストである、ポリメ
チルメタポリレートと比較すると、１桁から２桁低い。
すなわち、本実施例においては、従来品のポリメチルメ
タポリレートレジストに比べて、感度が１桁から２桁高
い。
露光量は、４μＣ／ｃｍ2 である。この値は、従来より
知られている，代表的なポジ型レジストである、ポリメ
チルメタポリレートと比較すると、１桁から２桁低い。
すなわち、本実施例においては、従来品のポリメチルメ
タポリレートレジストに比べて、感度が１桁から２桁高
い。
【００４７】また、本実施例によれば、露光量６μＣ／
ｃｍ2 で、１μｍ以下のライン＆スペースを有するレジ
ストパターンの形成が可能であった。
ｃｍ2 で、１μｍ以下のライン＆スペースを有するレジ
ストパターンの形成が可能であった。
【００４８】図９は、上述のレジストパターンの形成方
法を応用した、フォトマスクの製造工程図である。
法を応用した、フォトマスクの製造工程図である。
【００４９】図９（ａ）を参照して、石英ガラス２１の
上に、Ｃｒ，ＭｏＳｉ等のメタル層２２を形成する。
上に、Ｃｒ，ＭｏＳｉ等のメタル層２２を形成する。
【００５０】図９（ｂ）を参照して、メタル層２２の上
に、水酸基を含むベース樹脂と、トリフェニルスルホニ
ウムトリフレートと、ヘキルメチロールメラミンヘキサ
メチルエーテルと、を含む電子ビーム用レジスト２３を
塗布する。
に、水酸基を含むベース樹脂と、トリフェニルスルホニ
ウムトリフレートと、ヘキルメチロールメラミンヘキサ
メチルエーテルと、を含む電子ビーム用レジスト２３を
塗布する。
【００５１】その後、レジスト２３に向けて選択的に電
子ビームを照射し、それによって、該レジスト２３を露
光部分と未露光部分に分け、かつ露光部分のレジスト２
３中にスルホン酸を発生させる。
子ビームを照射し、それによって、該レジスト２３を露
光部分と未露光部分に分け、かつ露光部分のレジスト２
３中にスルホン酸を発生させる。
【００５２】図９（ｃ）を参照して、レジスト２３を５
０〜１５０℃にベークする。このベークによって、レジ
スト２３の露光部分が架橋し、架橋部分２４と未架橋部
分２５と区分される。
０〜１５０℃にベークする。このベークによって、レジ
スト２３の露光部分が架橋し、架橋部分２４と未架橋部
分２５と区分される。
【００５３】図９（ｄ）を参照して、レジスト２３を、
４０〜１４０℃の温度で、ＨＭＤＳの雰囲気にさらすこ
とによって、レジスト２３の未架橋部分２５の表面を、
選択的にシリル化し、シリル化層２６を形成する。
４０〜１４０℃の温度で、ＨＭＤＳの雰囲気にさらすこ
とによって、レジスト２３の未架橋部分２５の表面を、
選択的にシリル化し、シリル化層２６を形成する。
【００５４】図９（ｄ）を参照して、レジスト２３を酸
素プラズマによりドライ現像すると、架橋部分２４が除
去されたポジ型レジストパターン２７が形成される。
素プラズマによりドライ現像すると、架橋部分２４が除
去されたポジ型レジストパターン２７が形成される。
【００５５】図９（ｅ）および（ｆ）を参照して、ポジ
型レジストパターン２７をマスクに用いて、メタル層２
２を反応性イオンエッチング法によって、選択的にエッ
チングする。
型レジストパターン２７をマスクに用いて、メタル層２
２を反応性イオンエッチング法によって、選択的にエッ
チングする。
【００５６】図９（ｇ）を参照して、その後、ポジ型レ
ジストパターンを除去すると、所望の画像が形成され
た、フォトマスクが得られる。
ジストパターンを除去すると、所望の画像が形成され
た、フォトマスクが得られる。
【００５７】このフォトマスクの製造方法によれば、図
９（ｄ）を参照して、レジストパターン２７の精度が高
いので、メタル層２２は非常に正確にエッチングされ
る。その結果、精度の高いフォトマスクが得られる。
９（ｄ）を参照して、レジストパターン２７の精度が高
いので、メタル層２２は非常に正確にエッチングされ
る。その結果、精度の高いフォトマスクが得られる。
【００５８】なお、上記実施例ではノボラック樹脂とし
て、図２（ａ）に示したような樹脂を用いたが、図２
（ｄ）に示す一般式を有する樹脂を用いてもよい。たと
えば、ｍ−クレゾール・ｐ−クレゾール・フォルムアル
デヒド・ノボラック樹脂，フェノール・ｍ−クレゾール
・フォルムアルデヒド・ノボラック樹脂，ｍ−クレゾー
ル・フォルムアルデヒド・ノボラック樹脂等が好ましく
使用できる。
て、図２（ａ）に示したような樹脂を用いたが、図２
（ｄ）に示す一般式を有する樹脂を用いてもよい。たと
えば、ｍ−クレゾール・ｐ−クレゾール・フォルムアル
デヒド・ノボラック樹脂，フェノール・ｍ−クレゾール
・フォルムアルデヒド・ノボラック樹脂，ｍ−クレゾー
ル・フォルムアルデヒド・ノボラック樹脂等が好ましく
使用できる。
【００５９】また、上記実施例ではシリル化剤としてヘ
キサメチルジシラザンを用いる場合を例にしたが、この
発明はこれに限られるものではなく、１，３−ジクロロ
テトラメチルジシロキサン，１，１，３，３，５，５−
ヘキサメチルシクロトリシラザン、１，１，３，３−テ
トラメチルジシラザン、２，２，５，５−テトラメチル
−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタノンを用いて
も、実施例と同様の効果を実現する。
キサメチルジシラザンを用いる場合を例にしたが、この
発明はこれに限られるものではなく、１，３−ジクロロ
テトラメチルジシロキサン，１，１，３，３，５，５−
ヘキサメチルシクロトリシラザン、１，１，３，３−テ
トラメチルジシラザン、２，２，５，５−テトラメチル
−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタノンを用いて
も、実施例と同様の効果を実現する。
【００６０】また、上記実施例では放射線として、エネ
ルギ１−１００ｋｅＶの電子ビームを用いる場合を例示
したが、この発明はこれに限られるものでなく、波長２
５０ｍｍ以下の光、波長４３６ｎｍの水銀ランプｇ線、
波長３６５ｎｍの水銀ランプｉ線、波長２４８ｎｍのＫ
ｒＦエキシマレーザ、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマ
レーザ、エネルギ５〜５００ｋｅＶのイオンビーム、波
長４〜２０ｎｍのＸ線も好ましく使用できる。
ルギ１−１００ｋｅＶの電子ビームを用いる場合を例示
したが、この発明はこれに限られるものでなく、波長２
５０ｍｍ以下の光、波長４３６ｎｍの水銀ランプｇ線、
波長３６５ｎｍの水銀ランプｉ線、波長２４８ｎｍのＫ
ｒＦエキシマレーザ、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマ
レーザ、エネルギ５〜５００ｋｅＶのイオンビーム、波
長４〜２０ｎｍのＸ線も好ましく使用できる。
【００６１】
【発明の効果】以上説明したとおり、この発明によれ
ば、レジスト中のノボラック樹脂の架橋が、露光時に発
生した酸が触媒となって、連鎖的に進む。連鎖反応によ
って架橋が進む結果、露光に使用される放射線の照射量
は少なくてすみ、ひいては高感度が達成できる。また、
照射量が少ないことにより、パターン形成において、不
都合な副反応は生じない。その結果、良好なパターン形
成が可能となる。
ば、レジスト中のノボラック樹脂の架橋が、露光時に発
生した酸が触媒となって、連鎖的に進む。連鎖反応によ
って架橋が進む結果、露光に使用される放射線の照射量
は少なくてすみ、ひいては高感度が達成できる。また、
照射量が少ないことにより、パターン形成において、不
都合な副反応は生じない。その結果、良好なパターン形
成が可能となる。
【００６２】また、この発明のフォトマスクの製造方法
によれば、上述した良好なパターンを有するレジストを
用いて画像を形成するので、精度の高いフォトマスクが
得られるという効果を奏する。
によれば、上述した良好なパターンを有するレジストを
用いて画像を形成するので、精度の高いフォトマスクが
得られるという効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例に係るレジストパターンの形
成方法の順序の各工程における半導体装置の断面図であ
る。
成方法の順序の各工程における半導体装置の断面図であ
る。
【図２】本発明に使用されるレジストに含まれる、ベー
ス樹脂と架橋剤と酸発生剤の化学構造図である。
ス樹脂と架橋剤と酸発生剤の化学構造図である。
【図３】本発明に使用されるトリフェニルスルホニウム
トリフレートの分解の反応式である。
トリフレートの分解の反応式である。
【図４】ベース樹脂の架橋の様子を示した図である。
【図５】ベース樹脂の架橋反応の反応式である
【図６】本発明に使用するシリル化装置の概念図であ
る。
る。
【図７】シリル化された樹脂の化学構造式である。
【図８】露光量と残膜率との関係を示す図である。
【図９】フォトマスクの製造方法の順序の各工程におけ
る基板の断面図である。
る基板の断面図である。
【図１０】従来のＤＥＳＩＲＥプロセスの順序の各工程
における半導体装置の断面図である。
における半導体装置の断面図である。
【図１１】従来のＤＥＳＩＲＥプロセスに使用する樹脂
と感光剤の化学構造式である。
と感光剤の化学構造式である。
【図１２】従来のＤＥＳＩＲＥプロセスにおいて得られ
る、ノボラック樹脂とシリル化剤との結合物の化学構造
式である。
る、ノボラック樹脂とシリル化剤との結合物の化学構造
式である。
【図１３】従来のＤＥＳＩＲＥプロセスにおける、ナフ
トキノンジアジドの分解を化学反応式で示した図であ
る。
トキノンジアジドの分解を化学反応式で示した図であ
る。
１ 基板 ７ レジスト ７ａ 架橋部分 ７ｂ 未架橋部分 ８ シリル化層 ９ ＳｉＯ2 層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｐ ５６２ (56)参考文献 特開 平３−21956（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−83063（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−238458（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−257140（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−63114（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−231442（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−293339（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−154266（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/38,7/36,7/004
Claims (5)
- 【請求項１】 水酸基を含むベース樹脂と、放射線の照
射を受けることによってスルホン酸を発生する酸発生剤
であるトリフェニルスルフォニウムトリフレートと、前
記スルホン酸のプロトンの触媒作用により、前記ベース
樹脂の水酸基と反応し、それによって該ベース樹脂を架
橋させる架橋剤と、を含むレジストを準備する工程と、 前記レジストを基板の上に塗布する工程と、 前記レジストに向けて選択的に放射線を照射し、それに
よって該レジストを露光部と未露光部に分け、かつ露光
部のレジスト中に前記スルホン酸を発生させる工程と、 前記レジストを第１の温度に加熱し、前記スルホン酸の
プロトンを触媒にして、前記ベース樹脂の水酸基と前記
架橋剤とを反応させて、それによって、前記ベース樹脂
の露光部を架橋させる工程と、 前記レジストを１００℃〜１３０℃に加熱し、かつシリ
ル化剤の雰囲気に晒すことによって、前記レジストの未
露光部の表面をシリル化する工程と、 前記レジストを酸素プラズマによりドライ現像し、それ
によってポジ型レジストパターンを形成する工程と、を
備えるパターン形成方法。 - 【請求項２】 ガラス基板の上にメタル層を形成する工
程と、 水酸基を含むベース樹脂と、放射線の照射を受けること
によってスルホン酸を発生する酸発生剤であるトリフェ
ニルスルフォニウムトリフレートと、前記スルホン酸の
プロトンの触媒作用により、前記ベース樹脂の水酸基と
反応し、それによって該ベース樹脂を架橋させる架橋剤
と、を含むレジストを準備する工程と、 前記レジストを前記メタル層の上に塗布する工程と、 前記レジストに向けて選択的に放射線を照射し、それに
よって該レジストを露光部と未露光部に分け、かつ露光
部のレジスト中に前記スルホン酸を発生させる工程と、 前記レジストを第１の温度に加熱し、前記スルホン酸の
プロトンを触媒にして、前記ベース樹脂の水酸基と前記
架橋剤とを反応させて、それによって、前記ベース樹脂
の露光部を架橋させる工程と、 前記レジストを１００℃〜１３０℃に加熱し、かつシリ
ル化剤の雰囲気にさらすことによって、前記レジストの
未露光部の表面を選択的にシリル化する工程と、 前記レジストを酸素プラズマによりドライ現像し、それ
によって、露光部が除去されたポジ型レジストパターン
を形成する工程と、 前記ポジ型レジストパターンをマスクに用いて、前記メ
タル層を選択的にエッチングする工程と、 前記ポジ型レジストパターンを除去する工程と、を備え
た、フォトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記ベース樹脂として、下記一般式で示
される樹脂を用いることを特徴とする、請求項１に記載
のパターン形成方法。 【化１】 （式中、Ｒ1 はＣ1 〜Ｃ4 のアルキル基、Ｒ2 はＨまた
はＣＨ3 を表わす） - 【請求項４】 前記シリル化剤として、ヘキサメチルジ
シラザン、１，３−ジクロロテトラメチルジシロキサ
ン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルシクロトリ
シラザン、１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、
２，２，５，５−テトラメチル−２，５−ジシラ−１−
アザシクロペンタノンを用いることを特徴とする、請求
項１に記載のパターン形成方法。 - 【請求項５】 前記架橋剤として、ヘキサメチロールメ
ラミンヘキサメチルエーテルを用いることを特徴とする
請求項１に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5167491A JP2811124B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | パターン形成方法およびフォトマスクの製造方法 |
| US07/849,602 US5266424A (en) | 1991-03-15 | 1992-03-12 | Method of forming pattern and method of manufacturing photomask using such method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5167491A JP2811124B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | パターン形成方法およびフォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04287047A JPH04287047A (ja) | 1992-10-12 |
| JP2811124B2 true JP2811124B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=12893431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5167491A Expired - Fee Related JP2811124B2 (ja) | 1991-03-15 | 1991-03-15 | パターン形成方法およびフォトマスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5266424A (ja) |
| JP (1) | JP2811124B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2586692B2 (ja) * | 1990-05-24 | 1997-03-05 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| JPH07201700A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR0174316B1 (ko) * | 1994-07-05 | 1999-04-01 | 모리시다 요이치 | 미세패턴 형성방법 |
| US6323287B1 (en) | 1999-03-12 | 2001-11-27 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Hydroxy-amino thermally cured undercoat for 193 NM lithography |
| KR100520670B1 (ko) | 1999-05-06 | 2005-10-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 패턴의 형성방법 |
| DE10120675B4 (de) * | 2001-04-27 | 2005-07-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
| DE10120660B8 (de) * | 2001-04-27 | 2006-09-28 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
| DE10120674B4 (de) * | 2001-04-27 | 2005-06-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
| DE10120676B4 (de) * | 2001-04-27 | 2005-06-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht |
| US20040145030A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-07-29 | Meagley Robert P. | Forming semiconductor structures |
| US20050221222A1 (en) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive resin composition, resist pattern forming method, substrate processing method, and device manufacturing method |
| JP4579728B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2010-11-10 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスク用ブランクの製造方法とフォトマスク用ブランクおよびフォトマスクの製造方法とフォトマスク |
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