JPH04287047A

JPH04287047A - パターン形成方法およびフォトマスクの製造方法

Info

Publication number: JPH04287047A
Application number: JP3051674A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Fujino; 毅藤野; Yaichiro Watakabe; 渡壁　弥一郎
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1991-03-15
Filing date: 1991-03-15
Publication date: 1992-10-12
Anticipated expiration: 2013-10-15
Also published as: US5266424A; JP2811124B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、一般に、レジストパ
ターンの形成方法に関するものであり、より特定的には
、波長の短い紫外線や、あるいは電子線、Ｘ線等の高エ
ネルギ線を用いても、感度が高く、かつ良好なパターン
ができるように改良された、レジストパターンの形成方
法に関する。この発明は、さらに、そのような方法を用
いる、フォトマスクの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＤＥＳＩＲＥ（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　　
ｅｎｈａｎｃｅｄ　　ｓｉｌｙｌａｔｉｎｇ　　ｒｅｓ
ｉｓｔ）プロセスは、クープマンとローランドによって
１９８６年に発表されたドライ現像レジストプロセスで
ある。図１０（ａ）〜（ｅ）は、ＤＥＳＩＲＥプロセス
のプロセスフロー図である。

【０００３】図１０（ａ）を参照して、基板１の上に膜
２を形成する。膜２の上にドライ現像レジスト３を形成
する。ドライ現像レジスト３は、たとえば日本合成ゴム
株式会社製ＰＬＡＳＭＡＳＫＲ　レジストである。ＰＬ
ＡＳＭＡＳＫの成分の詳細は明らかではないが、このレ
ジストは、図１１（ａ）に示すノボラック樹脂と図１１
（ｂ）に示すキノンジアジドを主成分に含む。

【０００４】図１０（ａ）を再び参照して、マスク４を
用いて、波長２４８〜４３６ｎｍの紫外線５をレジスト
３に向けて、選択的に照射する。この紫外線５の選択的
照射によって、図１０（ｂ）を参照して、レジスト３は
露光部３ａと未露光部３ｂに区分される。露光部３ａで
は、キノンジアジドが図１３に示す反応式に従って分解
する。

【０００５】図１０（ｃ）を参照して、基板１を１２０
〜２００℃に加熱しながら、基板１上にヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）ガスと窒素ガスとの混合ガスを吹
き付ける。この処理は、シリル化処理と呼ばれている。ＨＭＤＳガスと窒素ガスとの混合ガスは、ＨＭＤＳ液に
窒素をバブリングすることによって作られる。

【０００６】このシリル化処理によって、ＨＭＤＳはレ
ジスト３の露光部３ａに選択的に拡散し、レジスト３中
のノボラック樹脂と反応して、シリル化層３ｃを形成す
る。シリル化層３は、図１２に示すようなシリル化化合
物を含む。

【０００７】選択性が生じるのは、次の理由による。す
なわち、レジスト３の露光部３ａでは、光により、キノ
ンジアジドがインデンカルボン酸誘導体に分解する。イ
ンデンカルボン酸の影響により、ＨＭＤＳは、キノンジ
アジドがそのまま残っている未露光部３ｂよりも、露光
部３ａの方に拡散しやすくなる。

【０００８】図１０（ｄ）を参照して、基板１をＯ２　
プラズマにさらすと、シリル化層３ｃは、シリコン酸化
物（ＳｉＯ２　）６になる。このシリコン酸化物６は、
Ｏ２　プラズマに対して耐性が強いために、シリコン酸
化物６が形成されている部分の直下部分においてはエッ
チングが進行しない。一方、ＨＭＤＳが拡散しなかった
部分においては、図１０（ｅ）に示すように、エッチン
グが進行する。なぜなら、この部分のレジストは、Ｃ，
Ｈ，Ｎ，Ｏ等の、酸化により揮発する物質のみで構成さ
れているためである。

【０００９】この選択的エッチングにより、露光された
部分のみにパターンが残り、ネガ型のレジストパターン
が形成される。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したとおり、
ＰＬＡＳＭＡＳＫをレジストに用いた従来のＤＥＳＩＲ
Ｅプロセスにおいては、露光中にレジスト中のキノンジ
アジドがカルボン酸に変化することが必要である。

【００１１】ところで、より微細なパターンを作製する
ためには、より短波長の光（波長２５０ｎｍ以下）、電
子線，Ｘ線等の高エネルギ線を用いなければならない。

【００１２】しかし、これらの高エネルギ線を用いた場
合には、レジスト中のキノンジアジドがカルボン酸に変
化するという、図１３に示す反応が効率よく進まないと
いう問題点があった。また、これらの高エネルギ線を用
いた場合には、ノボラック樹脂の架橋等の副反応が生じ
、パターン形成がうまくいかないという問題点があった
。さらに、感度が非常に低いという問題点もあった。

【００１３】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、短波長の光、又は電子線、Ｘ
線などの高エネルギ線を用いても、感度が高く、かつ良
好なパターン形状を与える、レジストパターンの形成方
法を提供することにある。

【００１４】この発明のさらに他の目的は、良好なパタ
ーン形状を有するフォトマスクの製造方法を提供するこ
とにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に従うレジストパターン形成方法において
は、まず最初に、水酸基を含むベース樹脂と、放射線の
照射を受けることによってスルホン酸を発生する酸発生
剤と、上記スルホン酸のプロトンの触媒作用により、上
記ベース樹脂の水酸基と反応し、それによって該ベース
樹脂を架橋させる架橋剤と、を含むレジストを基板の上
に塗布する。上記レジストに向けて、選択的に放射線を
照射し、それによって、該レジストを露光部と未露光部
に分け、かつ露光部のレジスト中に上記スルホン酸を発
生させる。スルホン酸のプロトンを触媒にして、上記ベ
ース樹脂の水酸基と上記架橋剤とを反応させて、それに
よって、該ベース樹脂の露光部を架橋させるために、上
記レジストを第１の温度に加熱する。上記レジストを第
２の温度に加熱し、かつシリル化剤の雰囲気に晒すこと
によって、上記レジストの未露光部の表面をシリル化す
る。上記レジストを酸素プラズマによりドライ現像する
。

【００１６】この発明の、好ましい実施態様によれば、
上記酸発生剤には、トリフェニルスルホニウムトリフレ
ートが用いられる。

【００１７】また、上記架橋剤には、ヘキサメチロール
メラミンヘキサメチルエーテルが好ましく用いられる。

【００１８】さらに、上記第２の温度は上記第１の温度
よりも低いのが好ましい。

【００１９】この発明の他の局面に従うフォトマスクの
製造方法においては、まず、ガラス基板の上にメタル層
を形成する。上記メタル層の上に、水酸基を含むベース
樹脂と、放射線の照射を受けることによってスルホン酸
を発生する酸発生剤と、上記スルホン酸のプロトンの触
媒作用により、上記ベース樹脂の水酸基と反応し、それ
によって該ベース樹脂を架橋させる架橋剤と、を含むレ
ジストを塗布する。上記レジストに向けて選択的に放射
線を照射し、それによって該レジストを露光部と未露光
部に分け、かつ露光部のレジスト中に上記スルホン酸を
発生させる。上記スルホン酸のプロトンを触媒にして、
上記ベース樹脂の水酸基と上記架橋剤とを反応させて、
それによって上記ベース樹脂の露光部を架橋させるため
に、上記レジストを第１の温度に加熱する。上記レジス
トを第２の温度に加熱し、かつシリル剤の雰囲気に晒す
ことによって、上記レジストの未露光部の表面を選択的
にシリル化する。上記レジストを酸素プラズマによりド
ライ現像し、それによって、上記露光部が除去されたポ
ジ型レジストパターンを形成する。上記ポジ型レジスト
パターンをマスクに用いて、上記メタル層を選択的にエ
ッチングする。その後、上記ポジ型レジストパターンを
除去する。

【００２０】

【作用】この発明によれば、レジストの露光部にスルホ
ン酸が発生する。このスルホン酸のプロトンの触媒作用
と熱によって、露光部において、ベース樹脂の水酸基と
架橋剤とが反応し、ベース樹脂が架橋する。ベース樹脂
が架橋したレジストの露光部は、ガラス転位点が上昇し
、またその密度も上昇する。

【００２１】それゆえに、次のシリル化処理時において
、露光部が第２の温度に加熱されても、その部分におい
ては、樹脂が緩みにくくなる。その結果、露光部には、
シリル化剤が浸透しにくくなる。一方、未露光部は、ベ
ース樹脂が架橋していないので、第２の温度に加熱され
たとき、樹脂がゆるみ、シリル化剤が容易に浸透する。これにより、未露光部の表面に選択的にシリル化層が形
成される。

【００２２】シリル化層は酸素プラズマを用いる現像時
に、ＳｉＯ２　層に変化し、ひいては、ＳｉＯ２層の直
下部分はドライエッチングされにくくなる。一方、露光
部のレジストは、Ｃ，Ｈ，Ｎ，Ｏ等の酸化により揮発す
る物質のみで構成されているため、露光部において、ド
ライエッチングが進行する。こうして、ポジ型のレジス
トパターンが得られる。

【００２３】この方法によれば、短波長の光、又は電子
線，Ｘ線などの高エネルギ線を用いても、高感度でかつ
良好な形状を有するレジストパターンが得られる。

【００２４】また、この発明によれば、レジスト中のノ
ボラック樹脂の架橋が、露光時に発生した酸が触媒とな
って、連鎖的に進む。連鎖反応によって架橋が進む結果
、露光に使用される放射線の照射量は少なくて済み、ひ
いては高感度が達成できる。さらに、照射量が少ないこ
とにより、パターン形成において、不都合な副反応は生
じない。その結果、良好なパターン形成が可能となる。

【００２５】また、この発明にかかるフォトマスクの製
造方法によれば、上述した方法でレジストパターンを形
成し、その後、このレジストパターンを用いてメタル層
をエッチングする。レジストパターンの精度が高いので
、精度の高いフォトマスクが得られる。

【００２６】

【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。

【００２７】図１（ａ）〜（ｅ）は、この発明の一実施
例に従った製造方法の順序の各工程における半導体装置
の部分断面図である。

【００２８】図１（ａ）を参照して、基板１の上にレジ
スト７を塗布する。レジスト７は、水酸基を含むベース
樹脂と、放射線の照射を受けることによってスルホン酸
を発生する酸発生剤と、スルホン酸のプロトンの触媒作
用により、ベース樹脂の水酸基と反応し、それによって
ベース樹脂を架橋させる架橋剤とを含む。具体的には、
ベース樹脂には、図２（ａ）に示すノボラック樹脂を用
い、架橋剤には、図２（ｂ）に示すヘキサメチロールメ
ラミンヘキルメチルエーテルを用い、酸発生剤には、図
２（ｃ）に示すトリフェニルスルホニウムトリフレート
を用いた。上記３つの成分の重量比は、ベース樹脂：架
橋剤：酸発生剤＝１００：２０：１０であった。なお、
好ましい配合割合は、ベース樹脂１００に対して、架橋
剤５〜３０重量％、酸発生剤３〜１５重量％である。上
記３成分を、メチルセロソルブアセテート２に溶解し、
レジストの溶液を作った。このレジストの溶液を瀘過し
、スピンコーティング法により、基板１上に塗布した。その後、ホットプレート上で、８５℃，１分間のプリベ
ークを行なって、基板１の上に厚さ１．２μｍの均一な
レジスト膜７を形成した。なお、レジスト膜７の膜厚は
、０．５〜２μｍの範囲が好ましい。

【００２９】図１（ｂ）を参照して、レジスト膜７に向
けて、エネルギ２０ＫｅＶの電子線を、露光量１〜１０
×１０−６Ｃ／ｃｍ２　の条件下で、選択的に照射し、
レジスト７を露光部５１と未露光部５０に区分した。レ
ジスト膜７の露光部では、図３に示す反応式のように、
トリフェニルスルフォニムトリフレートが分解し、強酸
であるトリフルオロメタンスルホン酸が発生する。

【００３０】図１（ｃ）を参照して、５０〜１５０℃好
ましくは１００〜１３０℃で、２分間、露光後のベーキ
ングを行なった。このべーキング時による、ベース樹脂
７の露光部における架橋の様子を、図４を用いて説明す
る。

【００３１】図４（ａ）は、レジスト７に放射線を照射
している様子を示している。レジスト７に放射線が照射
されると、図４（ｂ）を参照して、トリフェニルスルホ
ニウムトリフェートが分解して、酸（Ｈ＋　）が発生す
る。図４（ｃ）を参照して、レジストをベークすると、
酸（Ｈ＋　）を触媒にして、ベース樹脂の１つが架橋し
、このとき酸（Ｈ＋　）が副生する。図４（ｄ）を参照
して、副生した酸（Ｈ＋　）を触媒にして、次々と、連
鎖反応的に、ベース樹脂が架橋していく。図４（ｅ）を
参照して、上述の連鎖反応によって、ベース樹脂が網目
状に架橋する。上述の連鎖反応は、図５に示す反応式に
よって表わされる。

【００３２】図１（ｃ）に戻って、レジスト７のベーキ
ングによって、レジスト７は架橋部分７ａと未架橋部分
７ｂに区分される。

【００３３】図１（ｄ）を参照して、シリル化反応によ
り、レジスト７の未架橋部分７ｂの表面にシリル化層８
を形成する。

【００３４】シリル化反応は、以下のようにして行なわ
れる。

【００３５】図６は、シリル化反応に使用される装置の
概念図である。シリル化装置は、真空チャンバ１５を備
えている。真空チャンバ１５は排気口１６を備えている
。真空チャンバ１５内には、基板７を加熱するための加
熱手段１２が設置されている。真空チャンバ５の上部に
は、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）ガスを真空チ
ャンバ１５内に導くためのＨＭＤＳ導入管１７の一端が
接続されている。ＨＭＤＳ導入管１７の他端は、ＨＭＤ
Ｓ液１３を蓄えるＨＭＤＳタンク１８に接続されている
。ＨＭＤＳタンク１８には、該タンク内に蓄えられたＨ
ＭＤＳ液中に窒素ガスをバブリングするための窒素ガス
導入管１９が設けられている。ヒータ２０は、ＨＭＤＳ
タンク１８内に蓄えられたＨＭＤＳ液を加熱するための
ものである。

【００３６】次に、動作について説明する。

【００３７】加熱手段１２の上に、図１（ｃ）に示す、
熱処理の終わった基板７を、置く。基板７を加熱手段１
２により、露光後ベーキングの温度と同じか、またはそ
れ以下の温度、たとえば４０〜１４０℃好ましくは１０
０〜１３０℃に加熱する。窒素ガス導入管１９より、窒
素ガスをＨＭＤＳタンク１８内に導入する。窒素ガスは
ＨＭＤＳ液１３中にバブリングされる。窒素ガスのバブ
リングによって、ＨＭＤＳガスと窒素ガスの混合ガスが
、ＨＭＤＳ管１７を通って、真空容器１５内に導入され
る。真空管１５内に導入されたＨＭＤＳガスによって、
レジストがシリル化される。このシリル化反応は、２分
〜１０分間行なった。

【００３８】シリル化層８の化学構造は、図７に示すよ
うに、フェノール樹脂の水酸基とＨＭＤＳとが結合した
構造となっている。

【００３９】未架橋部分７ｂにのみ選択的にシリル化層
８が形成されるのは、次の理由による。

【００４０】すなわち、架橋部分７ａは、架橋によって
、樹脂のガラス転位温度が上がっている。したがって、
レジスト７を上述の１００〜１３０℃の温度に加熱して
も、架橋部分７ａにおいては、樹脂が緩まなくなってい
る。樹脂が緩まないので、ＨＭＤＳが浸透できない。

【００４１】一方、未架橋部分７ｂにおいては、架橋さ
れていないので、樹脂は１００〜１３０℃に加熱される
とゆるみ、ＨＭＤＳは容易に浸透できる。よって、未架
橋部分７ｂにのみ、シリル化層８が形成されるのである
。

【００４２】図１（ｄ）および（ｅ）を参照して、Ｏ２
　プラズマにより、ドライ現像を行なう。すると、シリ
ル化層８はＳｉＯ２　層９に変化し、該ＳｉＯ２　層９
の下の部分すなわち、未露光部５０のマスクとなり、該
未露光部５０がエッチングされるのを防止する。一方、
露光部分５０（架橋部分７ａ）は、Ｏ２　プラズマによ
りエッチング除去され、ポジ型のレジストパターンが形
成される。

【００４３】ドライ現像装置には、平行平板型の反応性
イオンエッチング装置またはマグネトロンエッチング装
置のいずれも使用し得る。Ｏ２　ガスの供給条件は、流
量７０ＳＣＣＭ、真空度４ｍＴｏｒｒであった。

【００４４】図８は、本実施例にかかるレジストパター
ン形成方法の、感度を定量化した図である。

【００４５】横軸は、図１（ｂ）に示す工程において照
射される、放射線の露光量を示している。縦軸は、図１
（ｅ）に示すドライ現像工程において、露光部のレジス
トの残膜率を示している。ドライ現像後、露光部が完全
に除去されたとき、残膜率はゼロとなる。

【００４６】図８を参照して、残膜率がゼロになる点の
露光量は、４μＣ／ｃｍ２　である。この値は、従来よ
り知られている，代表的なポジ型レジストである、ポリ
メチルメタポリレートと比較すると、１桁から２桁低い
。すなわち、本実施例においては、従来品のポリメチルメ
タポリレートレジストに比べて、感度が１桁から２桁高
い。

【００４７】また、本実施例によれば、露光量６μＣ／
ｃｍ２　で、１μｍ以下のライン＆スペースを有するレ
ジストパターンの形成が可能であった。

【００４８】図９は、上述のレジストパターンの形成方
法を応用した、フォトマスクの製造工程図である。

【００４９】図９（ａ）を参照して、石英ガラス２１の
上に、Ｃｒ，ＭｏＳｉ等のメタル層２２を形成する。

【００５０】図９（ｂ）を参照して、メタル層２２の上
に、水酸基を含むベース樹脂と、トリフェニルスルホニ
ウムトリフレートと、ヘキルメチロールメラミンヘキサ
メチルエーテルと、を含む電子ビーム用レジスト２３を
塗布する。

【００５１】その後、レジスト２３に向けて選択的に電
子ビームを照射し、それによって、該レジスト２３を露
光部分と未露光部分に分け、かつ露光部分のレジスト２
３中にスルホン酸を発生させる。

【００５２】図９（ｃ）を参照して、レジスト２３を５
０〜１５０℃にベークする。このベークによって、レジ
スト２３の露光部分が架橋し、架橋部分２４と未架橋部
分２５と区分される。

【００５３】図９（ｄ）を参照して、レジスト２３を、
４０〜１４０℃の温度で、ＨＭＤＳの雰囲気にさらすこ
とによって、レジスト２３の未架橋部分２５の表面を、
選択的にシリル化し、シリル化層２６を形成する。

【００５４】図９（ｄ）を参照して、レジスト２３を酸
素プラズマによりドライ現像すると、架橋部分２４が除
去されたポジ型レジストパターン２７が形成される。

【００５５】図９（ｅ）および（ｆ）を参照して、ポジ
型レジストパターン２７をマスクに用いて、メタル層２
２を反応性イオンエッチング法によって、選択的にエッ
チングする。

【００５６】図９（ｇ）を参照して、その後、ポジ型レ
ジストパターンを除去すると、所望の画像が形成された
、フォトマスクが得られる。

【００５７】このフォトマスクの製造方法によれば、図
９（ｄ）を参照して、レジストパターン２７の精度が高
いので、メタル層２２は非常に正確にエッチングされる
。その結果、精度の高いフォトマスクが得られる。

【００５８】なお、上記実施例ではノボラック樹脂とし
て、図２（ａ）に示したような樹脂を用いたが、図２（
ｄ）に示す一般式を有する樹脂を用いてもよい。たとえ
ば、ｍ−クレゾール・ｐ−クレゾール・フォルムアルデ
ヒド・ノボラック樹脂，フェノール・ｍ−クレゾール・
フォルムアルデヒド・ノボラック樹脂，ｍ−クレゾール
・フォルムアルデヒド・ノボラック樹脂等が好ましく使
用できる。

【００５９】また、上記実施例ではシリル化剤としてヘ
キサメチルジシラザンを用いる場合を例にしたが、この
発明はこれに限られるものではなく、１，３−ジクロロ
テトラメチルジシロキサン，１，１，３，３，５，５−
ヘキサメチルシクロトリシラザン、１，１，３，３−テ
トラメチルジシラザン、２，２，５，５−テトラメチル
−２，５−ジシラ−１−アザシクロペンタノンを用いて
も、実施例と同様の効果を実現する。

【００６０】また、上記実施例では放射線として、エネ
ルギ１−１００ｋｅＶの電子ビームを用いる場合を例示
したが、この発明はこれに限られるものでなく、波長２
５０ｍｍ以下の光、波長４３６ｎｍの水銀ランプｇ線、
波長３６５ｎｍの水銀ランプｉ線、波長２４８ｎｍのＫ
ｒＦエキシマレーザ、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマ
レーザ、エネルギ５〜５００ｋｅＶのイオンビーム、波
長４〜２０ｎｍのＸ線も好ましく使用できる。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したとおり、この発明によれば
、レジスト中のノボラック樹脂の架橋が、露光時に発生
した酸が触媒となって、連鎖的に進む。連鎖反応によっ
て架橋が進む結果、露光に使用される放射線の照射量は
少なくてすみ、ひいては高感度が達成できる。また、照
射量が少ないことにより、パターン形成において、不都
合な副反応は生じない。その結果、良好なパターン形成
が可能となる。

【００６２】また、この発明のフォトマスクの製造方法
によれば、上述した良好なパターンを有するレジストを
用いて画像を形成するので、精度の高いフォトマスクが
得られるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係るレジストパターンの形
成方法の順序の各工程における半導体装置の断面図であ
る。

【図２】本発明に使用されるレジストに含まれる、ベー
ス樹脂と架橋剤と酸発生剤の化学構造図である。

【図３】本発明に使用されるトリフェニルスルホニウム
トリフレートの分解の反応式である。

【図４】ベース樹脂の架橋の様子を示した図である。

【図５】ベース樹脂の架橋反応の反応式である

【図６】
本発明に使用するシリル化装置の概念図である。

【図７】シリル化された樹脂の化学構造式である。

【図８】露光量と残膜率との関係を示す図である。

【図９】フォトマスクの製造方法の順序の各工程におけ
る基板の断面図である。

【図１０】従来のＤＥＳＩＲＥプロセスの順序の各工程
における半導体装置の断面図である。

【図１１】従来のＤＥＳＩＲＥプロセスに使用する樹脂
と感光剤の化学構造式である。

【図１２】従来のＤＥＳＩＲＥプロセスにおいて得られ
る、ノボラック樹脂とシリル化剤との結合物の化学構造
式である。

【図１３】従来のＤＥＳＩＲＥプロセスにおける、ナフ
トキノンジアジドの分解を化学反応式で示した図である
。

【符号の説明】

１　　基板７　　レジスト７ａ　　架橋部分７ｂ　　未架橋部分８　　シリル化層９　　ＳｉＯ２　層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　水酸基を含むベース樹脂と、放射線の
照射を受けることによってスルホン酸を発生する酸発生
剤と、前記スルホン酸のプロトンの触媒作用により、前
記ベース樹脂の水酸基と反応し、それによって該ベース
樹脂を架橋させる架橋剤と、を含むレジストを基板の上
に塗布する工程と、前記レジストに向けて選択的に放射
線を照射し、それによって該レジストを露光部と未露光
部に分け、かつ露光部のレジスト中に前記スルホン酸を
発生させる工程と、前記スルホン酸のプロトンを触媒に
して、前記ベース樹脂の水酸基と前記架橋剤とを反応さ
せて、それによって、前記ベース樹脂の露光部を架橋さ
せるために、前記レジストを第１の温度に加熱する工程
と、前記レジストを第２の温度に加熱し、かつシリル化
剤の雰囲気に晒すことによって、前記レジストの未露光
部の表面をシリル化する工程と、前記レジストを酸素プ
ラズマによりドライ現像する工程と、を備えるパターン
形成方法。
【請求項２】　　ガラス基板の上にメタル層を形成する
工程と、前記メタル層の上に、水酸基を含むベース樹脂
と、放射線の照射を受けることによってスルホン酸を発
生する酸発生剤と、前記スルホン酸のプロトンの触媒作
用により、前記ベース樹脂の水酸基と反応し、それによ
って該ベース樹脂を架橋させる架橋剤と、を含むレジス
トを塗布する工程と、前記レジストに向けて選択的に放
射線を照射し、それによって該レジストを露光部と未露
光部に分け、かつ露光部のレジスト中に前記スルホン酸
を発生させる工程と、前記スルホン酸のプロトンを触媒
にして、前記ベース樹脂の水酸基と前記架橋剤とを反応
させて、それによって、前記ベース樹脂の露光部を架橋
させるために、前記レジストを第１の温度に加熱する工
程と、前記レジストを第２の温度に加熱し、かつシリル
化剤の雰囲気にさらすことによって、前記レジストの未
露光部の表面を選択的にシリル化する工程と、前記レジ
ストを酸素プラズマによりドライ現像し、それによって
、露光部が除去されたポジ型レジストパターンを形成す
る工程と、前記ポジ型レジストパターンをマスクに用い
て、前記メタル層を選択的にエッチングする工程と、前
記ポジ型レジストパターンを除去する工程と、を備えた
、フォトマスクの製造方法。