JPS62284354A - フォトレジスト並びに該フォトレジストを有する製品の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、一般に感光性組成物、放射線に敏感なポジ型
フォトレジヌト組成物、殊にノボラック樹脂又はポリビ
ニルフェノール樹脂とナフトキノ°ンジアジｒ増感剤と
を一緒に含有して成る組成物に関する。

従来の技術 尚業界では、米国特許第５６６６１１７３号明細書、四
ｍ４１１５１２８号明ａ書、同第４１７３ａ７０号四細
書及び同 第４５５００６９号明細書に記載されている二うなポジ
型フォトレジスト調剤金生成することは十分に知られて
いる。こ７Ｌらはアルカリ可溶性ノボラック樹脂と感光
性材料、通常置換ナフトキノンジアジド化合物とｔ−緒
に含有する０〆樹脂及び増感剤τ有機溶剤又は浴剤混合
物中に溶解しかつ望ましい有利な用途に好適である基材
に薄いフィルム又はコーチングとして施す。

これらのフォトレジスト調剤のノボラック又はポリビニ
ルフェノール樹脂成分はアルカリ往水ｍ液中で可溶性で
あるが、ナフトキノン増感剤はａ１脂に関して俗解速度
抑制剤として作用する。しかし被覆し九基材の選択区域
を化学線に露光する際に、増感剤は放射線に二り構造的
に変換されかつコーチングの露光区域は未露光区域より
も可溶性にぢれる。基材ｔアルカリ性現１＃！液中に浸
漬する場合に、溶解速度におけるこの差異がフォトレジ
ストの露光区域？溶解させ、他方未露光区域は殆んど作
用を受けない＝５にし、それ故基村上にポジ型レリーフ
１象が生成される。

ｔいていの場合、露光しかつ現像しｔ基材を基材エツチ
ング溶液に工す処理する。フォトレジストコーチングは
基材の被覆区域をエツチング剤から保通し、それ故エツ
チング剤は基材の被覆されていない区域（ポジ型フォト
レジストの場合には化学線に暴露されｔ区域に相当する
）だけ全エツチングすることができる。従って、マスク
、ステンシル、テンプレート等のパターンに相応してエ
ツチングされｔパターンが基材上に形成され、即ち現像
に先立って被覆されている基材上に選択的な露光パター
ンを形成することになる。

前記方法にニジ製造し九基材上のフォトレジストのレリ
ーフパターンは、例えば小型集積電子素子の製造に使わ
れる工うな露光マスク又はパターンを含めて種々の用途
に有用である。

市場で重要であるフォトレジスト組成物の特性には、レ
ジストの感光速度、現像コントラスト、レジスト解１象
性及びレジスト接着性が含まれる。

感光速度はフォトレジストにとって重要であり、殊に多
数回露光する必要のある用途、例えばプロセスを繰返す
ことにニジ分割パターン全形成する場合、あるいは光が
一連のレンズ及び単色光フィルターを通過する投影露光
法における工うに低減し九強さの光を使用する用途にお
いて重要である。それ故、殊に感光速度が高められると
いうことは、基材上にマスク又は一連の回路パターンを
製造するために多くの分割露光が行なわれるプロセスで
使用されるレジスト組成物にとって重要である。

現像コントラストは、現像の露光区域におけるフィルム
損失率と未露光区域のフィルム損失率の比較である。一
般に、露光されたレジスト被覆され九基材の現像は、露
光区域の皮膜が実質的に完全に溶解除去されるまで行な
われるので、現像コントラストは、露光区域全完全に除
去しｔ際に未露光区域におけるフィルム損失率を測定す
ることに工夛簡単に計測することができる。

レジスト解像性とは、露光の際に使用するマスクの、最
も接近し九平行の２線とその間の間隔と全現像し加除に
高度の画像境界部の尖鋭さをもって再現するレジストシ
ステムの能力である。

多くの産業上での通用、特に小型化され７ｔ’Ｔｌ子素
子の生産において、フォトレジストは非常に小さな線及
び区域幅０ミクロン又はそれ以下の単位）に関する高度
の解像性を提供することが要求される。

ミクロン又はそれ以下の単位の非常に小さい寸法上再現
するレジストの能力はシリコンチップ及び類似の素子上
に大型集積回路を製造する際に者しく重要である。その
工うなチップ上の回路密度は、写真平版技術全利用する
場合、レジストの解像能が増大する際にのみ増大可能で
ある。

所望の感度及びコントラストｔ−達成するｔめに、現像
の間未露光レジストの溶解を防ぐ丸めにフォトレジスト
中に十分に高濃度の感光性成分が含まれていることが必
要である。光増感剤の高濃度はフォトレジスト溶液中に
易溶性及び難溶性増感剤の混合物全溶解することに工す
、又はフォトレジスト溶液を光増感剤で過飽和にするこ
とに＝り達成可能である。

しかしながら、光増感剤の飽和に近い濃度の溶液は、溶
液の不安定性及び製品を便用する前又は便用中での光増
感剤の沈殿に二り短かい保存寿命に導ひくことがある。

この現象は米国特許第４３９７９３７号及び同第４５２
６８５６号明細書中に記載されている。

重要な光増感剤のグループは１．２−ナフトキノンジア
ジｒ−４−スルホン酸と芳香族ジオール及びポリオール
との縮合生成物である。これらの化合物は、フォトレジ
スト組成物に調製される場合、光スペクトルの紫外線中
部域での優れた感光速度及びコントラスト金示す傾向が
ある。しかしながら、これらの光増感剤は低い溶解性及
び溶液安定性を有する傾向もある。

クレカツク（Ｃ１θｃａｋ）等は米国特許明細書第４３
９７９３７号明細書中に幾何異性体及びジアステレオイ
ンマーの混合物である非対称の１級又は２級、脂肪族ジ
オールと１−オキソ−２−ジアゾナフタレンスルホン酸
の♂スエステルで増感剤として用いることに工す溶解性
を改良することを開示している。５位に酸基ｔ−有する
ジアゾナフトキノン分子と一端で、かつ４位にスルホニ
ル基金有するジアゾナフトキノン分子と他の一端で脂肪
族ジオール全エステル化スることは開示されている。し
かしながら、紡記特許明細書は発明を非対称脂肪族ジオ
ールに限定することの重要さ全強調している。

ルイス（Ｌｓｗｉｇ　）等は米国特許第４５２６８５６
号明細書中に、増感剤の高濃度金達成する際に生じる問
題に、フォトレジスト組成物の溶剤システムを改変する
ことに二つて取りかかつ九こと全記載している。シクロ
ペンタノン、又はシクロペンタノン及びシクロヘキサノ
ンと脂肪族アルコールとからなる溶剤組成物は、一定の
臨界比でこれを使用する時良好な溶解性を示す。

発明の横取 反対に、本発明は１．２−ナフトキノンジアジＩＦ−４
−スルホン酸と芳香族ジオール及びポリオールとの縮合
生成物である光増感剤上提供する。フォトレジスト組成
物に調製する時、本発明による光増感剤組成物は優れｔ
溶解性と沈殿に対する抵抗性を示す。同様に、前記化合
物は従来公知の比較可能な光増感剤工り高い溶液濃度で
フォトレジスト組成物中に溶解可能である。本発明のフ
ォトレジスト組成物は優れ九溶液安定性と改良された保
存寿命を示す。同時に、これらは従来入手可能であった
最高の組成物に比較可能な感光性及びフントラスト特性
を保持する。

本発明は０−キノンジアジドのフェノール化合物との混
合エステルからなる新規光増感剤組成物に関する。この
感光性組成物はフェノール化合物と１．２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸及び１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸と全特別な比で縮合すること
に工り製造される。光増感剤組成物からなるフォトレジ
スト組成物も開示される。該光増感性組成物は、アルカ
リ溶解性樹脂フォトレジスト組成物に請判する時、優れ
ｍ沈殿抵抗性と溶液安定性を示す、フォトレジスト組成
物は改良され定保存寿命を有する。

本発明に工り次のものが得られる： （■）： （Ａ） Ｒ１ Ｒ。

シ、その際へはＨ，−ＯＢ、／−ロゲン又は低級ｌ −０−１−８−１−ＳＯ２−１−Ｃ−１ｎが１又は２で
あ又はＣｅ３−ｃ−ｅ日３であり、ＲｂはＨ１アルキル
、アリール、置換され几アルキル又は置換されたアリー
ルである〕、 （Ｂ） Ｒ１ は−Ｈｌ−ＯＢであり、但しＲ８の少なくとも２個は−
ＯＨである〕及び （Ｃ） ｃ式中ｇ、ｕｎ、アルキル、アリール、置換され九アル
キル又は置換され窺アリールである〕工り成る群類から
選択されたフェノール性化合物、 （Ｉ［］］１．２−ナフトキノンジアジ−４−スルホン
酸（ジアゾ１）及び （１）１．２−ナフトキノンジアジＰ−５−スルホン酸
（ジアゾ２） からの縮合生成物全含有し、その際反応するジアゾ１量
と反応するジアゾ２Ｊｊｋとのモル比が範囲約１：１〜
約３９：１である光増感剤組成物。

本発明に工り次のものが得られる： ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、前記光
増感剤組成物及び溶剤からなるフォトレジスト組成物。

本発明に１９次の方法が提供される： （Ａ） ａ す、その際ＢユはＨｌ−０日、ハロゲン又は低級アルギ
ルであシ、但しＦｌａの少なくとも２個及び６個以下が
一０ｆ（ｆあυ、ＸはＣ−ＣＬＩ結合、−〇−１−Ｓ−
１−８Ｏ２−１−Ｃ−１ｎが１又は２である又は０日、
−ｃ−０日、であり、Ｆｔｂは８１アルキル、アリール
、置換されｍアルギル又は置換され九アリールである〕
、 （Ｂ） Ｉ ＩＣ は−日、−ＯＨであり、但しＢ。の少なくとも２個は−
ＯＢである〕及び （Ｃ） 〔式中ＲｄはＨ、アルキル、アリール、置換されｍアル
ギル又は置換されたアリールである〕＝９放る群類から
選択され九フェノール性化合物に１．２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸（ジアゾ１）及び１．２−ナ
フトキノンジアジ「−５−スルホン酸（ジアゾ２）と縮
合させ、その際ジアゾ１ｆｔとジアゾ２ｉとのモル比が
範囲約１＝１〜約６９：１である光増感剤組成物の與法
。

本発明に工す次の方法が得られる： ノボラツク樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、溶剤及
び前記光増感剤組成物からなるフォトレジストｇ成物を
基材上に塗布し、画像に相応して該組成物全十分な紫外
線に露光して、この画像に相応して露光された区域を実
質的にアルカリ性水溶液中に可溶性であるようにし、か
つその後で露光され窺組成物区域を前記基材から水性ア
ルカリ性現像液を用いて除去する゛ことからなる物品の
製法。

本発明はフォトレゾスト調剤の増感剤沈Ｉ！ｉ１１！！
！液の不安定性及び短かい保存寿命に関する問題をフォ
トレジスト組成物の光増感剤組成物を化学的に改変する
ことにより克復する。生にフェノール化合物の１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホニルエステルからな
る光壇成削組収吻において１，２−ナフトキノンジアシ
ド−４−スルホニル基（ジアゾ１）の１都を１゜２−ナ
フトキノン−ジアジド−５−スルホニル基（ジアゾ２）
に代えることにより、新規ン昆合エステル光増感剤組成
物が得られるということが判明した。こりジアゾ１／ジ
アゾ２混合エステルをポジ型アルカリ俗解性ノボラック
又にポリビニルフェノール・哨脂゛フォトレジスト組成
吻にすることができ、この組成′＋ｙｌＪは改良された
憬存寿命及び貯蔵安定性を示し、一方改変されていない
ジアゾ１エステルの尤瑣ノ楢斧１組ｂｙ吻と共に調製さ
れたフォトレジスト組成物に比較可能な元感注及び現１
鮫コントラスト特性を法灯している。

該光増感剤組成物にフェノール性化合物とジアゾ１及び
ジアゾ２酸との縮合によって得ることができる。混合物
中のジアゾ１の菫とジアゾ２の量とのモル比は約に１〜
約３９：Ｌ有利に約４コ１〜約１１Ｌ又はより有利に約
９６：７〜約８５：１５のＩｔｌ！囲であってよい。

例χケ、トリヒドロキシベンゾフェノン１モルをジアゾ
１の２．７モル及びジアゾ２の０６６モルの９：１混合
物と縮合すると、式： 〔式中、Ｒ，、Ｒ２及びＲ３け独立して１，２−ナフト
キノンジアジド−４−スルホニル（ジアゾ１）又は１，
２−ナフトキノンジアシド−５−スルホニル（ジアゾ２
〕でりってよい〕の化合物からなる光増感剤組成物が得
られる。

ジアゾ１／ソアゾ２混合吻は有利Ｖこヒドロキシ基珠有
化合物と化字折陶楡で反応することかムＩＤである。し
かしながら、フェノール性化合物は完全にエステル化ち
れる必賛になく、ジアゾ１及びジアゾ２化合物の化学皺
瑚菫より少殿のものかフェノール江化合物と縮合してよ
い。

フェノール性化合物と反応するジアゾ１及びジアゾ２の
ａｔはアルカリ司浴性粥脂のｄ解速度を抑制することの
できる光増感剤組成物を製匂するために十分でめるべき
である。

ジアゾ１／ジアゾ２混合物と縮合することかでさるフェ
ノール性化合物は一般式（Ａ）　、（Ｂ）及び（Ｃ）に
より表わすことが可能である：バａ あシ、そのｌ＃ＡＲａはＨ，−ＯＨ，ハロケ９ン又は１
炊級アルキルであり、有利に低級アルキルは版木原子数
１〜４でろ９、但しＲａの少なくとも２１固及び６個以
下が−ＯＨｒリシ、ＸはＣ−Ｃ単結合、１ｌ −ｏ−、’　−ｓ−、−５ｏ２−、−ｃ−１ｎが１又は
２で如る一Ｃ−１．ＣＨ２）。−１−ＣＨ２−Ｃ−（Ｃ
Ｈ２，）。−１−Ｃ−０−、−Ｃ−０−一ル、＆侠され
たアルキル又は置換されたアリールであシ、有オリにア
ルキルは炭素原子数１〜２０、より有利には炭素原子数
１〜１２であり、有利にアリールはフェニル又はナフチ
ルであｐ１アルキル又はアリールは炭素原子数１〜４の
低級アルキル、炭素原子数１〜４の欧歎アルコキン、又
ｑ　ハＯデノ原子、有；＋ｌＩ　Ｋ　Ｃ１文ｉＢｒであ
る〕；Ｒ】 −Ｈ、−○Ｈ′″Ｃあり、但しＲ８の少なくとも２個に
−ＯＨでるる〕；及び 〔式中ＲｄはＨｌ　アルキル、アリール、ｔＩｔ洟され
次アルキル又はＴＩＩＬｙ８されたアリールであシ、ア
ルキル基Ｒｄは直頚又げ分枝鎖であってよく、ハロゲン
原子又は炭素原子数１〜４の低級アルコキシで置換され
ていてよく、有利にアルキル基は炭素原子数１〜２０で
めυ、アリール基Ｒｄは有利に単核であジ、かつ炭素原
子数１〜４の低級アルキル又はアルコキシ基で、又にハ
ロゲン原子でＩ！侯されていてよく、有利ＶＣアリール
基は炭素原子数１〜１０でめ！＋、Ｒａがアリール基で
ろる化合物は丑に１利であり、かつアリール基がフェニ
ル基でりる化合物がＷＶこ有利テるる〕。

一般式（１）によって表わされるフェノール性化合？６
には久のものが包含きれる：ヒドロキシル基保有ベンゼ
ン化合物、例えば１．２−ゾヒドロキシベンセ９ン、１
．３−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ゾヒドロキシベ
ンセ９ン、１，２゜６−トリヒドロキシベンゼン、１，
２．４−トリヒドロキシベンゼン、１，３１５−ト１：
）’ロキシベンセ９ン及びｆＡ似の化合物；ジヒドロキ
シベンゾフェノン、例えば２　、２’−ジヒドロキシベ
ンゾフェノン、２．３’−ジヒドロキシベンゾフェノン
、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２　、４’−
ジヒドロキシベン１／ｈフエノン、２．５−ジヒドロキ
シベンゾフェノン、５．５’−ジヒドロキシベンデフエ
ノン、４．４’−ゾヒドロキシペ／・７フエノン及び用
似の化せ物ニトリヒトａキシベンゾフェノン、ｆｌ’Ｊ
λ［２，２’。

６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２．３゜４−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン、２，４゜４’−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、２，４゜６−トリヒドロキシベノ
・戸フェノン、３，４゜５−トリヒドロキシベンゾフェ
ノン及び類似の化合物；テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、例えは２．２’、３．４−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、２．２’、４．４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、２．２’、４．６’−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、２．２’、５．６’−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン、２．３’、４．４’−テトラヒドロキ
シベンゾフエノン、２１３’１４．６−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン、２゜４．４’、６−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン、３．３’、４．４’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン及び類似の化合物；ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン：ヘキサヒドロキシベンデフエノン；
ジヒドロキシ−及びトリヒドロキシ−フェニルアルキル
ケトン、例えは２，４−ゾヒドロ゛キシフェニルアルキ
ルケトン、２．！：ｌ−ゾヒドロキシフェニルアルキル
ケトン、３，４−シヒドロキシフェニルアルキルケトノ
、３．５−ゾヒドロキシフェニルアルキルケトノ、２，
３．４−トリヒドロキシフェニルアルキルケトン、６゜
４．５−トリヒドロキシフェニルアルキルケトン、２，
４．６−ト！Ｊヒドロキシフエニルアルキルケトン及び
類似の化合物、有オリなアルキルは炭素原子数１〜１２
のもの、例えばメチル、エチル、メチル、ローヘキシル
、ヘプチル、デシル、ドデシル及び類似のもの；ジヒド
ロキシフェニルアルアルキルケトンニトリヒドロキシフ
ェニルアルアルキルケトン；ジヒドロキシジフェニル；
トリヒドロキシジフェニル、ｍＬｔＵ２．２’、４−ト
リヒドロキシジフェニル；テトラヒドロキシジフェニル
、例えｆｆ２．２’、４゜４′−テトラヒドロキシジフ
ェニル；ゾヒドロキシジフェニルオキシド；ゾヒドコキ
シゾペンゾルオ■シト；ジヒドコギシソフェニルアルカ
ン、有利に低級アル刀ン、例えばメタン、エクノ、プロ
パ／又は類似りもの；ジヒドロキシ女息合敵；トリヒド
ロキシ安忌合酸；ソヒドロキシー及びトリヒドロキシ−
女、獣合面アルキルエステル、アルキルは有利に灰朶原
子叙１〜１２りもの、例えは２，４−１２，５−１６，
４−及び６．５−ジヒドロキシ安恩査鍍ｎ−ブチル、２
゜４−ジヒドロキシ安息合酸２，４．４−トリメチルペ
ンチル及び類似のものニジヒドロキシ−及ヒドリヒドロ
キシ安息”ｆ２フェニルエステル；ジヒドロキシ−、ト
リヒドロキシ−及びテトラヒドロキシ−ジフェニルスル
フィト、例えＵ４゜４′−ジヒドロキシジフェニルスル
フィド：ジヒドロキシジフェニルスルホン；及びソヒド
ロキシー及ヒドリヒドロキシ−フェニルナフチルケトン
、例えば２，３．４−トリヒドロキシフェニルナフチル
ケト／及び類似のもの。

少なくとも１つのＲａ基がハロケ９ン又げ低級アルやル
である一般式（Ｉ）の化合物の１＋１１に２゜４−ジヒ
ドロキシ−３，５−ゾプロモベン・７フエノン；５−ブ
ロム−２，４−ソヒドロキシ安息査酸及びエステル、２
，４．２’、４’−テトラヒドロキシ−３，！：）、３
’、！：）’−テトラブロモゾフェニル；　４　、４’
−ジヒドロキシ−２，２’−ジメチル−５，５′−ジー
ｔｅｒｔ−ブチルジフェニル；　４　、４’−ジヒドロ
キシ−２，２′−ツメチル−５、５’−シーｔａｒｔ−
プチルゾフェニルスルフイド；　２　、４　、２’　、
　４’−テトラ上１０キシ−６゜５＋３’＋５’−テｈ
ラプロモゾフェニルスルホン及び類似の化合物全包含す
る。

一般式ＣＩ）の有利なフェノール化合物群はヒドロキシ
ル基保鳴ベンゾフェノンであシ、時に有第１」な化合物
ニトリヒドロキシベンゾフェノンである。

一般式（ＩＩ）によって表わされるフェノール性化合物
は次のような・ものである：ジヒドロキシナフタレン、
例えは１，２−ジヒドロキシナフメレ／、１．４−ジヒ
ドロキシナフタレン、１゜５−ジヒドロキシナフタレン
、１．６−ジヒドロキシナフタレン、１．７−ジヒドロ
キシナフタレン、１．８−ジヒドロキシナフタレン、２
゜６−ジヒドロキシナフチレン、２．６−ソヒドロキシ
ナフタレ／、２．７−ソヒドロギンナフタレ／及び類似
り１じ合吻；ゾヒドロキシゾナフチルメメ／、例χげ２
，２′−ゾヒドａキ／ゾナフチルメタノ及び類似り化合
物。ジヒドロキシナフチレンは有利である。ジヒドロキ
シナフチレンのヒドロキシル基はナフタレン部の同じ核
上にりっても、典なつ７ｃ核上にろっでもよい。

式（１〕によって表わされるフェノール性化合物にビス
−（３−ベンゾイル−４，５，６−トリヒドロキシフエ
ニル）−メタン；ビス−（６−アセチル−４，５，６−
トリヒドロキシフエニル）−メタン；ビス−（３−７°
ロピオニル−ａ、ｓ、６−トリヒドロキシフエニル）−
メタン；ビス−（６−プチリルー４．５．６−トリヒド
ロギシフエニル）−メタン：ビス−（３−ヘキサノイル
−４，５，６−トリヒドロキシフエニル）−メタン；ビ
ス−（５−ヘプタノイル−４，５，６−トリヒドロキシ
フエニル）−メタン；ビス−（６−ゾカノイルー４，５
．６−トリヒドコキシフエニル）−メタン；ビス−（６
−オクタゾカノイルー４．ｂ、６−トリヒドロキシフエ
ニルつ−メタ／；及び類似り化合物である。

夷画例 次に実施例につき、不発明の詳細な説明するが、本発明
はこれに限定されるものではなく、これらの方法の多く
の変法も本発明に包含葛れる。

光増感剤組成物の製法 ナフトキノンジアジド光増感剤の製造は米国特！＋第３
０４６１１８号、同第３１０６６４５号及び同第４３９
７９３７号明細誉中に記載されている。本発明の光増感
剤組成？！ｌはナフトキノンジアジドスルホニルクロリ
ドであるジアゾ１及びシア・７２とヒトミキシル基１つ
以上を有するフェノール注化合物と金掃酸納の存在で縮
合することにより得ることかできる。所望の場合、寿ら
ｎた光増感剤組成物を精製する。

反応のための、６剤はアセトン、ｐ−ソオキサン、テト
ラヒドロフラン、塩化メチレン、ピリジノ又μ類似のも
りｔ包含丁ゐが、こ扛に限定さｎない。

掃酸剤は無機の、例えは炭酸ナトリウム又は類似のもの
、又―有機の、例えば弱酸のナトリウム塩、四級アミン
、列えはトリエチルアミ／又はピリジン又は類似の化合
物である。

例　　１ １０モル優ゾアゾ２−変注２．３．４−トリヒドロキシ
ベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアシド−４−
スルホン酸トリエステルを製造する。

２．３．４−トリヒドロキシベンゾフェノ／２３．０　
ｇ及び１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル
クロリド（シアーＪｈ１）７２．６ｙをアセトン３５０
　ｍｌ中で一緒に攪拌する。１゜２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホニルクロリド（ジアゾ２　）　８．０
６．９を奈加する。トリエチルアミン６６．４νを内部
扇度約３０　’Ｕを床付しつつゆっくりと部下する。反
応７昆−ｆ６′？！Ｊを≦１５°Ｃに冷却し、木炭及び
珪礫土で処理し、弛過し、アセトン６５０　ｍｌで洗伊
し、１Ｎ嘔酸６．５石中に江ぐ。生成吻ｔ＃過し、水で
洸伊し、空気ｒ中で≦４０゛Ｃで乾珠する。膠解ぼ９２
．６Ｉで、こ扛に席崗埴のゾ９．６遁でろゐ。

所望の場合、得られた生ｂｙ、物を梢表する。

この実施例中に記載した合成法はこのような光増感剤組
成＠を＃造するための唯一の方法ではなく、この分野の
専門家は単に浴削、塩基又に反応粂往を変えることによ
シ同等の生成物を侍ることができる。いくつかの他の例
にソア°デ１対ジアゾ２のモル比をかえてギＩ記方法と
１町休に製造した。これに関しては表１汲ひ表２に示し
た。

比較例 いくつかの比較例を２　、３　、４−　）　ＩＪヒドロ
キシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアゾドー
４−スルホニルクロリドとをモル比１：６で縮合するこ
とにより！１５竜する。

ポジ型フォトレジストシステムの製造 フォトレソスト＃１１戊吻を、不ざ」へ明Ｖこよる光増
感剤組成物とアル刀１）　ｃ＝Ｊ浴庄耐脂、ｄ削及び所
望でりれは他のＣ加削とから調表丁０ことＶ（よ−９装
Ｊ宜Ｔることかでさる。１す用”Ｊ　ｉ＋１：なアル刀
す９俗性側側は、レリえはノボラック４４．ｆ脂、ホリ
ビニルフェノール叫Ｂ？！及び類似の賀脂を包含する。

慾光注組成物を裂這するために車用可能なアル刀す可溶
性ノボラック側ＨＦＩは文献分類でめる。

その製法なケミストリー・アンド・アプリケイジョン・
オプ・フェノ−リック・レゾンズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ
　　ａｎｄ　　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　　ｏｆ　　ｐ
ｈｅｎｏｌｉｃＲｅｓｉｎｓ　）　；　Ａ、クノツｆ　
（Ｋｎｏｐ）、Ｗ、シャイブ（Ｓｃ、ｈｅｉｂ、）　著
、スプリンガー出版（５ｐｒｉ＋１ｇ６１ｒＶｅｒｌａ
ｇ）、ニューヨーク、１９７９年、Ｍ４ｊｋに記載式れ
ている。

本発明のフォトレジスト組成物に前記ノボラック留脂又
げポリビニルフェノール側脂及び本発明の光増感剤Ｍ放
物を俗剤中に浴かすことにより製造される。この目的の
１こめの好飛な６剤は、例えば、メロビレ／グリコール
メチルエーテルアセテート及び類似の化合物；グリコー
ルエーテル、ｍｌ、ｃｎエチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコール七ノエチルエーテル及び
類似の１ｒ合吻；セロソルデアセテート、例えばメチル
セロンルブアセテート、エテルセロソルブアセテート及
び類似のもの；エステル、例えは酢酸エチル、酢酸ブチ
ル及び類似のもの；ケトン、例えはメチルエチルケトン
、シクロペンタノン、シクロヘキサノン及び類似のもの
：及び芳合族炭化水素、例えはトルエン、キシレン及び
類似のものである。これらのｅ合物を使用することも口
」能である。浴か１又は浴介り混合物の塔択は予廼した
盃布法、層厚、乾魚粂汗、成分の俗解任の考慮、基材上
にフォトレジスト組成物を塗布した後の浴剤の蒸発速度
の考慮寺により決まる。

フォトレゾストｍ放物を基材上に塗布する前に、−盆に
より、旭・色剤、染料、防しわ剤、町ψ倉り、定庸削、
感度増８βｊのような帝加Ａｌｌ及び非イオ／介１用活
誓介ＩＩり工′）な界囲茫丁王斧ｊヶフォトレシストｗ
戟？Ａ甲に加えることがでさる０有利な実廁、四様ＶＣ
Ｒいては、フォトレジスト組渡り画坏姉、丁なわちノボ
ラック賀脂又なホリビニルフェノールバインダー函脂及
ヒｉ　項／％削ｍｌ戟吻Ｖこ２いて、有利に７ボラツク
又はポリビニルフェノールバインダー倒瓶は１５★〜約
９９％の範囲であり、光種感剤組成物は約１饅〜約８５
％の範囲でろる。バインダー偵子刀ａのよシ有利な軛ｖ
５は、レゾスト固体部分に対して約５０〜約９７Ｘｈｋ
％でりシ、更に有利には約６５〜約９６夏普％でめる。

光増感創粕戟吻の有利な範囲に、レゾスト固体部分に対
して約３〜約５０に童％でめり、更に有利にに約７〜約
３５Ｍ！％である。レゾスト組成物の製造において、バ
イ／ダーヂ脂及び光増感剤組成′、＠を躬剤と、浴剤が
全レゾスト＃ｉ放物に対して約４０〜約９０重童％の準
で存在するようＶＣ混合する。

より有利な範囲は全シソスト組成物に対して約６０〜約
８５重喰慢、史ＶＣ自利に約６５〜約８０頁薫％である
。

本発明のフォトレゾスト峨戟物と一埼°、６に１申用司
りｒな染料茄加吻り倹」ぼメチル・バイ万レット２　Ｂ
　（Ｃ，工、　／亀４２５３り）、クリスタル・バイオ
レット（Ｃ，１，ｙｔｔｒ４２５５５　）、マラカイト
・グリーン（Ｃ，Ｌ　／／６４２０口０）、ビクトリア
・ブルー−Ｂ’（Ｃ，工、／１６４４０４５　）及びナ
チュラル・レッー（Ｃ，１，／ｋｉ５００４０）であり
、ノボラック及び増感剤の合し７ｃ査量に対して１〜１
０Ｍシチで使用する。染料冷加′＋ｙｌＪは基材刀・ら
の尤彼方散乱を阻止することに工って解塚性を種火させ
る。

防しわ剤ｔノボラック及び増感剤の合した■簾に対して
５Ｊｔ％］−％ｒでの程度で使用することがＯＪ口ρで
ある。

使用可Ｈシ２よム」塑創は、例えば燐酸トリー（β−ク
ロルエチル）−エステル、ステアリン酸、ジカンファー
、ポリプロピレン、アセタール僧（情、フェノキシ樹脂
及びアルキル樹脂であり、ノボラック及び増感剤の会し
た中年を基礎として１〜１０重餡−重相−反用ｏｌ　ｉ
虎でのる。Ｏｊｗ剤征加！？Ｉｖ誌材料の立布好？ご良
し、なめらρ・で必るフィルムの及び基材へり均賞な、
厚ひの１Ｌ＾１用〒ｈＪ睦とする。

便用口Ｊ　Ｄ＠であ７）定庸剤は、レリえば、＆−（３
゜４−エボキシーンクロヘキシル〕−エチルトリメトキ
シシラン、ｐ−メチル−ジシランメチルメタクリレート
、ビニルトリクロルシラン及びｒ−アミノ−プロピルト
リエトキシシランであり、ノボラック及び増感剤の合し
ｍ重量を基礎として４％まででるる。

便用町ｎヒなＩｌｔ！＆度増強Ｉ創は、例えはピクリン
ば、ニコチン酸又はニトロ珪皮酸を包含し、ノボラック
及び瑠ポ剤の合した重重を基礎として量 ２０価ｌでのＭノで使用する。これらの増強削は膳元及
び末路光域の両方においてフォトレジスト破復のＯＴ浴
注を増大させるブ墳向にめり、こうしてこれらの０１１
＋げ、ある程度のフントラストを俵牲にしても現像のス
ピードがポ挟である場合に適用される；丁なわちフント
ラスト破覆の蕗光城が現像液ＶＣよって史に迅１実にＣ
符解丁ゐ一方、感度壇９剤は禾露光域からフォトレシス
Ｉｌの大きな狽失γも引き起こア。

便用可能な非イ万ン界囲ｒｔｓ注卸Ｉは、世ｊえはノニ
ルフェノキシ小り（エチレンオキシ）エタノール、オク
チルフェノキシ（エチレンオキシ）エタノール及びゾノ
ニルフエノキシボリ（エチレンオキシ）エタノールを包
含し、ノボラックとｐｅＩ感創との会したム皺を基礎と
して１０軍甘せ１で使用できる。

浴欣女定江 フォトレジスト組ＩＪ３を物を前記耽略方法に１よシ製
造した。例からの光増感剤組成物をノボラック＆（月＆
２４．０％及びプロピレングリコールメチルエーテルア
セテ−）、　（ＰＣ）ＭＥＡ）　７６　％のあらかじめ
濾過した浴液中に浴かす。レジスト組成物を成長３７７
　ｒｌｍで増感剤吸光度１　、ＯＪ３　／　ｇｍ憫にあ
わせる。例えば、アセト／１．．８１中の２，６゜４−
トリヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホ／酸トリエステルのす／７″′ル
３　Ｑ　ｍｙか３７７ｎｍＴ″到定した時に０．７３１
の吸光厚？−￥４】心ならば、レジスト組成物は仄のよ
うに８ノ貨了る： 光増感剤組成粉　　　　　　　４．１％ノボラツクイ１
（脂　　　　　　　２６．０慢ＰＯＭＥＡ　　　　　　
　　　　　　　７２．９％こりようにして製塩したフォ
トレゾストテスト谷欣をエルテル（Ｅｒｔｅｌ）フィル
ターパッド、グレード８を介して、久いて０．２〜０．
５μｍのフルオロボールフィルター（Ｆｌｕｏｒｏｐｏ
ｒｅ　ｆｌｌｔｓｒ；Ｍｌｌｌｌｐｏｒｅ　Ｃｏｒｐｏ
ｒａｔｉｏｎから入手０１’　熊）　’ｅ介して濾過す
る。テスト＃液を光蛛から株覆し、５日間５０℃で空気
Ｐ中一定幌度で貯威し、次いで’ＩＴ仇の沈Ｉ！ｉを調
べる。テストｍ仮中で沈殿がＯＴ祝でるる場合、該サン
プルは谷孜安定注テスト不曾裕である。いくつかの変性
及び非変性光増感剤組成物に関する浴孜安定性テストか
らの結果を表１に表わす。

表　　１ 窒 Ａ　　　　　　　　なし　　　　　不合格Ｂ　　　　　
　　　なし　　　　　不合格Ｃなし　　　　　不合格 Ｄ　　　　　２．５　　　　合格 ２２・５　　　　合格 Ｆ　　　　　５　　　　　合格 ０　　　　５　　　　　合格 Ｈ１０合格 Ｉ　　　　　　　　　　１０　　　　　　　　付俗Ｊ　
　　　　　１０　　　　　合格 Ｌ　　　　　　　　　　２０　　　　　　　　τ俗Ｍ　
　　　　　　　　　２０　　　　　　　　せ裕１テスト
サンプルの光種感剤組成物ｈ２＋３゜４−トリヒドロキ
シベンゾフェノント１じ学ψ論賞のシア７″′１／ゾア
デ２混合吻との反応Ｖこより＃遺した。こり個の数字龜
ぜ昆せ吻甲のジアゾ２のバーセンテーゾ勿ボす。斐在全
竹なわなかつたサンプルにおいてな、２＋６１４−トリ
ヒドロキシベンゾフェノンをジアゾ１とのみ桶合し変性
した光増感網組成物は非変注光増感網組放物より改良さ
れた浴漱安定性を示す。

沫；Ｆｌ−特命 ％＝２のサンプルフォトレゾスト想成物に関する至謳で
の保存寿命の測定は時間がかかり、かつ非実用的である
。前記の４液安定荘テストは％足の光増感鋒ｊ組成物か
ら製造されたレゾスト組成物に予期される比保存層砧を
子側するために有利である。しかしなから、実際の時ｊ
ｉ］に関する保存＃命テストをフォトレジスト組成物の
いくつかの例に関して行なった。サンプルを至扇に貯威
し、短期的に口ｊ祝の院版？調べる。−坂に非変性ジア
ゾ１光増感１ｌＩｒ′１６週ｉ４４μス内にてし−こほ
ぼ？Ｐ；ｖＣ５ケ月以内ンζ浣戒うゐ、６ケ月り庁戚後
りサノグルリテストデーメを辰２甲に記載する。

表　　２ Ｂ　　　　　　なし　　　　不合格 Ｎ　　　　　　なし　　　　不合格 Ｋ　　　　　　なし　　　　不合格 １　　　　　　１０％　　　　合格 Ｊ　　　　　　　１０％　　　　合格 Ｌ　　　　　　　２０％　　　　合格 Ｍ　　　　　　　２０％　　　　合格 １テストサンプルの光瑠惑削組成物を２，６゜４−トリ
ヒドロキシベンゾフェノンと化学着論針のジアゾ１／シ
ア・７２畳合物との反応により製造した。この欄の叡字
は准合物中のシア゛１２のパーセンテージ金示す。変性
を何なわなかった丈ンノルにおいてぼ、２，３．４−１
リヒドロキシベンソゝフエノンをジアゾ１とのみ尉・・
合した０ ２す／グル全６ケ月浚に試験した。°不合格“は可視の
沈殿が敢祭され、′合格“ば５Ｊ祝の沈殿が蜆祭δれな
かった。

このデータは非変性ジアゾ１光Ｎ感網に比較して変性し
た本発明の元壇感匍甜成物が沈殿に対する抵抗性を増し
、結果として、これから調製されたフォトレゾスト組成
物は長い保存寿命を鈎することを示している。

感光度、コントラスト及び禾蕗光フィルム偵失製造した
レジスト浴液は浸漬、噴精、旋回及びスピンコーチング
を包含する、フォトレジスト分野で使用される丁べての
慣用法によって基材に通用することかできる。例えはス
ピンコーチングの場合、所望の身、さの被覆を得心ため
にレゾスト各孜を固体含有率についで、使用したスビン
ニング装置のタイプ及びスビンニング工程に与えられた
全時間によって調用）′３“ることかできる。好適な基
切に珪系、アルミニウム又にポリマー樹脂、二酸化珪素
、ドープニ改化斥素、呈化珪素、メンタル、Ａ４、ポリ
シリコ／、セラミック及びアルミニウム／鋼混台吻を包
ざする。

前記方法により表遣ジｎたフォトレジストは府にマイク
ｌ：１７Ｉ″ａ七ツサ及び他の小型果償回路系子の生殖
に用いられるＳ成長迂、に／二酸化珪素板積ウェファ−
に通用するために好適でりる。

アルミニウム／酸化アルミニウムウェファ−にも同僚に
便用可能でめる。基材は憔々リボリマ−［刀斤、待にポ
リエステルのような透明なポリマーからなっているのが
よい。

レジスト組成物蔭液を基材上に蜜布した後、該基材上は
ぼすべての溶剤が蒸発し、厚δにおいてミクロン率ぜの
フォトレゾスト組成物の博い仮積の与が基材上に残るＩ
で約８０°〜１０５°Ｃで焼付ける。板積された基材全
化学恰照射、特に゛ｆ外紛艙打し、ｙ子Ｍ凌なマスク、
ネ〃テイプ、ステンシル、テンプレート等金便用するこ
とにより１！８！竹されたｔｔ意の樹頃の４元パターン
にすること刀１でさる。

次に、４光しジスト扱噴基材ケアルカリ現像液中で十分
２ｃ反磨する。剥；４’すｖｃ　、朕谷牧ｔレリえげ簡
素を塘丁ことにより攪拌する。

レゾスト板ｌ決の〕ベニ、文にほぼ７′べてが蕗元城か
ら俗解するｌで木材？現像液中に保持しておく。

現４１！４液から板慎ウェファ−を取ｐ出した俊、後現
渾加熱処理又は焼付けを模膜の何漕注及びエツチング浴
液及び他の吻實への化字的抵抗注を檀ｔたのに行なう。

故現像加熱処理に板挾軟化点より低温での被膜及び基材
のオーブン焼付けからなっていてよい。腫東士の通用に
２いては、特に珪素／二ば化珪素型基材上のマイクロ回
路素子の製造に２いては、現像された基材を緩貢した弗
化水素散ペースエッチ／グ浴孜で処理丁ゐことかできる
。本発明のレジスト組成物は駿ベースエツチッグ各孜に
対して億抗１午であり、基材の未露光レジスト浴液に関
して幼果的な保護かＩＷられる。

久り時短の列は本発明の組成物り製青法及び便用広を町
〔こホ丁。しかしながら、本発明はこγＬらの例に眠′
＃、るれ々ものでμなく、こ（Ｌらの例は本発明ｒ夫迦
丁々罠のにもっばら使用されなけ１しはならない一５Ｆ
！汗、パラメーター又は販を示しているのではない。

例　　２ レジスト膨剤を本発明の光増感列組成物で製造し、ｅＥ
ｋ６７７１１１ｍで０−７６−ｅ／ｒｌ！９−ｃｍ＊０
．０２５の増感剤吸光度に、／１節する。試験すべき増
感剤をノボラック樹脂２４．０％及びノロピレンクリコ
ールメチルエーテルアセテ−）７６チの予めダぼ過され
之貯Ｒ俗液中に溶解する。次いで、レジスト溶？ｉｌエ
ルテル・フィルターパッド・グレード８を介して濾過す
る。

２．０μｍの乾燥レジストフィルムＮｆＩを得るために
あらかじめ決定した一足のスピンスピードでいくつかの
珪素ウェファ−上にフォトレジスト組成物をスピン被覆
する。次いでウェファ−と９０°Ｃで３０分間熱処理す
る。

レジスト被膜の最初のフィルムの厚さをルドルフ・フィ
ルム・シック不ス・モニター（ＲｕｄｏＬｆ　Ｆｉｌｍ
　Ｔｈ１ｃｋｎｅｓｓ　Ｍｏｎ１ｔｏｒ、）で測定する
。

次いで、ウェファ−を貧化させたＵＶ光エネルギー甘せ
５５〕〜４５００ｍ　）に露光する。レゾストを２５℃
で１分間、脱イオン水で１：３に希釈したＡＺ４００に
アルカリ現像液（Ａｍｅｒｉｃａｎ　　Ｈｏｅｃｈｓｔ
　　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　　社、　　Ｓｏｍｅｒｌ
ｌｌｅＮｅｗ　Ｊｅｒａｅ７在から入手可能〕を用いて
現像する。この現像液の強さで、１１１ｆ浸蝕率又は未
露光レジスト膜の現像率は一般に０．００５〜０．［］
１５μｍ／分（５０〜１５０λ／分〕の範囲内に床付さ
れ＾。仄いで洩ったフィルムの厚さをルドルフ・フィル
ム・シックネス・モニターにより褥び測定し、特定のエ
ネルギー量に関するフィルム損失を決定する。

感光度はＲ，Ｗ、ウェイタ（Ｗａｋｅ）及びＭ、Ｃ，フ
ラニガン（Ｆｌａｎｉ、ｇａｎ）　著”　７・レビュー
・オプ・コントラスト・イン・ボゾテイブ・フォトレジ
スト（人Ｒｅｖ１ｅｗ　ｏｆ　Ｃｏｎｔｒａｓｔ　ｉｎ
　Ｐｏ５ｉｔｉｖｅＰｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｓ　戸５Ｐ
ＩＥ　Ｖｏｌ、　５３９、アトパンシス・イン・レゾス
ト・チクノロデー・アンド・プロセッシング（Ａａｖａ
ｎｃｅＳ　ｉｎ　Ｒｅ５ｉｓｔ　Ｔｅｃｈｎｏ−１ｏｇ
ｙ　ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）　ＩＩ　％　　１
９８５年、第２９１頁に記載されているように、１分間
の堝像俊フィルムの厚さの償失全ＵＶ嬉光景の対数に対
してプロットすることによシ、ｔ￥ｆ倣的な聞綴ｔつく
ることによシ創定する。フィルム損失１．０μｍにこの
プロット’を補間することによシ感光度（ｍＪ　／　Ｃ
ｍ”　）が得られる。プロットの線状部分の勾配はコン
トラストである。

本発明の光増感剤ｍｉ物で製造したいくつかのフォトレ
ジスト組成物の感光度、コントラスト及び暗８！！蝕率
テストの精米を表６に記載し、非変注光瑠感剤組ｂｙ：
物で製造したフォトレゾストと比較する。統計上のスタ
ンダードは非変性２．３．４−トリヒトａキシベンゾフ
ェノン−１，２１−ストキノンジアジド−４−スルホン
！！！２（ジアゾ１〕トリエステルを含有する調合され
たレジストの６つのサンプルをテストすることによシ確
立された。各サンプルを感光度及びコントラストに関し
て３回、４ｆ面し、こうして９組のデータを作る。平均
感光度からの感光度（ｍＪ　／　ｃｍ２）の偏差の部１
２１Ｉｌｌハ±１０襲でめった。

高感光度値と低感光度値とり絶対差に低い値の２０％で
めった。同僚に、平均コントラスＨ直からのコントラス
ト１直の偏差の範囲は１０価でめジ、高コントラスト１
直と低フントラスト（直との１司の絶対左は低いイ直の
２４％でのった。

表　　　６ Ｄ　　　　　２．５％　　　　０．７７５　　　　Ｑ、
ｉ］０６Ｆ　　　　　　　　　５　％　　　　　０．７
７５　　　　０．口０７８　　　　　１０　　％　　　
　　０．７５７　　　　０．００４Ｉ　　　　　　　１
０　　％　　　　　０．７７５　　　０．００３Ｊ　　
　　　　　　１０　　％　　　　　　ＣＬ７６８　　　
　　０．口０８Ｌ　　　　２０チ　　　０．７７７　　
０．００９Ｍ　　　　　　２０　チ　　　　０．７７３
　　　０．００７＋７＋４ ＋７＋４ −１１　　　　　　　　　＋１８ −７＋８ ＋２０ ＋５＋９ １スタンダード、２．３．４−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸トリエステルの代表的感光度、 ４０５　ａｍで測定した３　５０〜４５１］　ａｍ広１
層バンド蕗露光　１８．９　ｍＪ　／ｃ！ｎ”、３６５
０で副足し之６６５０ｍ挟幅バンド蕗尤＝２０．６　ｍ
Ｊ　／　ｃ！ｎ” ２スタンダード、２，３．４−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン
酸トリエステルの代表的感光度、 ４０５　ａｍで測定し７ｔ　３５０〜４５０　ａｍ広幅
バンド露光＝　３．０９ ６６５０ｍで測定し７ｃ３６５ｎｍ狭ｒ隔バンド露光＝
２．４３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、 （ I ）： （Ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中ＲはＨ、−Ｘ−Ｒ＿ｂ又は▲数式、化学式、表等
   があります▼であり、その際Ｒ＿ａはＨ、−ＯＨ、ハロ
   ゲン又は低級アルキルであり、但しＲ＿ａの少なくとも
   ２個及び６個以下が−ＯＨであり、ＸはＣ−Ｃ単結合、
   −Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ＿２−、−Ｃ−、ｎが１又は２
   である▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、−（ＣＨ＿２）＿ｎ− 又は▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｒ＿ｂ
   はＨ、アルキル、アリール、置換されたアルキル又は置
   換されたアリールである〕、 （Ｂ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１はＨ又は▲数式、化学式、表等があります
   ▼であり、Ｒ＿ｃは−Ｈ、−ＯＨであり、但しＲ＿ｃの
   少なくとも２個は−ＯＨである〕及び （Ｃ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿ｄはＨ、アルキル、アリール、置換されたア
   ルキル又は置換されたアリールである〕 より成る群類から選択されたフェノール性化合物、 （II）１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
   （ジアゾ１）及び （III）１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
   酸（ジアゾ２） からの縮合生成物を含有し、その際反応するジアゾ１量
   と反応するジアゾ２量とのモル比が範囲約１：１〜約３
   ９：１である光増感剤組成物。 ２、反応するジアゾ１量と反応するジアゾ２量との比が
   範囲約４：１〜約１９：１である特許請求の範囲第１項
   記載の組成物。 ３、反応するジアゾ１量と反応するジアゾ２量との比が
   範囲約９３：７〜約８５：１５である特許請求の範囲第
   １項記載の組成物。 ４、フェノール性化合物がジヒドロキシベンゾフェノン
   、トリヒドロキシベンゾフェノン又はテトラヒドロキシ
   ベンゾフェノンである特許請求の範囲第１項記載の組成
   物。 ５、フェノール性化合物がジヒドロキシベンゾフェノン
   、トリヒドロキシベンゾフェノン又はテトラヒドロキシ
   ベンゾフェノンである特許請求の範囲第２項記載の組成
   物。 ６、フェノール性化合物がジヒドロキシベンゾフェノン
   、トリヒドロキシベンゾフェノン又はテトラヒドロキシ
   ベンゾフェノンである特許請求の範囲第３項記載の組成
   物。 ７、フェノール性化合物が２，３，４−トリヒドロキシ
   ベンゾフェノンである特許請求の範囲第１項記載の組成
   物。 ８、フェノール性化合物が２，３，４−トリヒドロキシ
   ベンゾフェノンである特許請求の範囲第２項記載の組成
   物。 ９、フェノール性化合物が２，３，４−トリヒドロキシ
   ベンゾフェノンである特許請求の範囲第３項記載の組成
   物。 １０、（Ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中ＲはＨ、−Ｘ−Ｒ＿ｂ又は▲数式、化学式、表等
   があります▼で あり、その際Ｒ＿ａはＨ、−ＯＨ、ハロゲン又は低級ア
   ルキルであり、但しＲ＿ａの少なくとも２個及び６個以
   下が−ＯＨであり、ＸはＣ−Ｃ単結合、−Ｏ−、−Ｓ−
   、−ＳＯ＿２−、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ｎが１又は２である▲数式、化学式、表等があります▼
   、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
   、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 −（ＣＨ＿２）＿ｎ−又は▲数式、化学式、表等があり
   ます▼であり、Ｒ＿ｂはＨ、アルキル、アリール、置換
   されたアルキル又は置換されたアリールである〕 （Ｂ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１はＨ又は▲数式、化学式、表等があります
   ▼であり、Ｒ＿ｃは−Ｈ、−ＯＨであり、但しＲ＿ｃの
   少なくとも２個は−ＯＨである〕及び （Ｃ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿ｄはＨ、アルキル、アリール、置換されたア
   ルキル又は置換されたアリールである〕 より成る群類から選択されたフェノール性化合物を１，
   ２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸（ジアゾ１
   ）及び１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸
   （ジアゾ２）と縮合させ、その際ジアゾ１量とジアゾ２
   量とのモル比が範囲約１：１〜約３９：１である光増感
   剤組成物の製法。 １、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、溶
   剤及び （ I ）： （Ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中ＲはＨ、−Ｘ−Ｒ＿ｂ又は▲数式、化学式、表等
   があります▼であり、その際Ｒ＿ａはＨ、−ＯＨ、ハロ
   ゲン又は低級アルキルであり、但しＲ＿ａの少なくとも
   ２個及び６個以下が−ＯＨであり、ＸはＣ−Ｃ単結合、
   −Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ＿２−、▲数式、化学式、表等
   があります▼、ｎが１又は２である▲数式、化学式、表
   等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、
   ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、−（ＣＨ＿２）＿ｎ− 又は▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｒ＿ｂ
   はＨ、アルキル、アリール、置換されたアルキル又は置
   換されたアリールである〕、 （Ｂ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１はＨ又は▲数式、化学式、表等があります
   ▼であり、Ｒ＿ｃは−Ｈ、−ＯＨであり、但しＲ＿ｃの
   少なくとも２個は−ＯＨである〕及び ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿ｄはＨ、アルキル、アリール、置換されたア
   ルキル又は置換されたアリールである〕 より成る群類から選択されたフェノール性化合物 （II）１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
   （ジアゾ１）及び （III）１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
   酸（ジアゾ２） からの縮合生成物を含有し、その際反応するジアゾ１量
   と反応するジアゾ２量とのモル比が範囲約１：１〜約３
   ９：１である光増感剤組成物を混合して成るフォトレジ
   スト組成物。 １２、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、
   溶剤及び特許請求の範囲第２項記載の光増感剤組成物を
   混合してなる特許請求の範囲１１項記載の組成物。 １３、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、
   溶剤及び特許請求の範囲第３項記載の光増感剤組成物を
   混合して成る特許請求の範囲第１１項記載の組成物。 １４、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、
   溶剤及び特許請求の範囲第４項記載の光増感剤組成物を
   混合して成る特許請求の範囲第１１項記載の組成物。 １５、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、
   溶剤及び特許請求の範囲第５項記載の光増感剤組成物を
   混合して成る特許請求の範囲第１１項記載の組成物。 １６、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、
   溶剤及び特許請求の範囲第６項記載の光増感剤組成物を
   混合して成る特許請求の範囲第１１項記載の組成物。 １７、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、
   溶剤及び特許請求の範囲第７項記載の光増感剤組成物を
   混合して成る特許請求の範囲第１１項記載の組成物。 １８、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、
   溶剤及び特許請求の範囲第８項記載の光増感剤組成物を
   混合して成る特許請求の範囲第１１項記載の組成物。 １９、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、
   溶剤及び特許請求の範囲第９項記載の光増感剤組成物を
   混合して成る特許請求の範囲第１１項記載の組成物。 ２０、溶剤がプロピレングリコールメチルエーテルアセ
   テートである特許請求の範囲第１１項記載の組成物。 ２１、溶剤がプロピレングリコールメチルエーテルアセ
   テートである特許請求の範囲第１２項記載の組成物。 ２２、溶剤がプロピレングリコールメチルエーテルアセ
   テートである特許請求の範囲第１３項記載の組成物。 ２３、溶剤がプロピレングリコールメチルエーテルアセ
   テートである特許請求の範囲第１４項記載の組成物。 ２４、溶剤がプロピレングリコールメチルエーテルアセ
   テートである特許請求の範囲第１５項記載の組成物。 ２５、溶剤がプロピレングリコールメチルエーテルアセ
   テートである特許請求の範囲第１６項記載の組成物。 ２６、溶剤がプロピレングリコールメチルエーテルアセ
   テートである特許請求の範囲第１７項記載の組成物。 ２７、溶剤がプロピレングリコールメチルエーテルアセ
   テートである特許請求の範囲第１８項記載の組成物。 ２８、溶剤がプロピレングリコールメチルエーテルアセ
   テートである特許請求の範囲第１９項記載の組成物。 ２９、ノボラック樹脂又はポリビニルフェノール樹脂、
   溶剤及び （ I ）： （Ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中ＲはＨ、−Ｘ−Ｒ＿ｂ又は▲数式、化学式、表等
   があります▼ であり、その際Ｒ＿ａはＨ、−ＯＨ、ハロゲン又は低級
   アルキルであり、但しＲ＿ａの少なくとも２個及び６個
   以下が−ＯＨであり、ＸはＣ−Ｃ単結合、−Ｏ−、−Ｓ
   −、−ＳＯ＿２−、▲数式、化学式、表等があります▼
   、ｎが１又は２である▲数式、化学式、表等があります
   ▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼、−（ＣＨ＿２）＿
   ｎ−又は ▲数式、化学式、表等があります▼であり、Ｒ＿ｂはＨ
   、アルキル、ア リール、置換されたアルキル又は置換されたアリールで
   ある〕、 （Ｂ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１はＨ又は▲数式、化学式、表等があります
   ▼であり、Ｒ＿ｃは−Ｈ、−ＯＨであり、但しＲ＿ｃの
   少なくとも２個は−ＯＨである〕及び （Ｃ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿ｄはＨ、アルキル、アリール、置換されたア
   ルキル又は置換されたアリールである〕 より成る群類から選択されたフェノール性化合物、 （II）１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
   （ジアゾ１）及び （III）１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
   酸（ジアゾ２） からの縮合生成物を含有し、その際反応するジアゾ１量
   と反応するジアゾ２量とのモル比が範囲約１：１〜約３
   ９：１である感光性組成物を混合して成るフォトレジス
   ト組成物を基材上に塗布し、画像に相応して該組成物を
   十分な紫外線に露光して、この画像に相応して露光され
   た区域を実質的にアルカリ性水溶液中に可溶性であるよ
   うにし、かつその後で露光された組成物区域を前記基材
   から水性アルカリ性現像液を用いて除去することを特徴
   とする物品の製法。