JPS63110447A - ポジチブ作用写真エレメントの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、−散に照射絢感龍性のフォトレジスト組成物
及び殊に水性アルカリ可溶性の樹脂ンナフトキノンジア
ジド増感剤と共に含有する組成物に関する。

従来の技術 文献中で、ボジチブフォトレジスト処方ン得ることは公
知であり、例えは米国％ｉｖｆ第３６６６４７３号、同
第４１１５１２８号及び同第４１７３４７０号明細曹中
に記載されている。これらは、アルカリ可溶性フェノー
ルーホルムアルデヒドノざラック樹脂ケ感元性材料、通
例は、ジアゾナフトキノン化会物と一緒に含有している
。この樹脂及び増感剤に壱機俗剤又は粗剤混合物中に俗
かし、薄膜としてコーティングとして所望の特定の用途
に好適な基板に施与される。

ボジチブフォトレジストを用いる普通の方法では、この
材料の単一層に作像して基板上にマスクを与え、史にこ
れに過当なエツチング剤でエツチングするか又は、材料
例えは金輌の沈殿ン得るために使用することができる。

しかしながら、元年的作像システムの限界、に基つき、
２μ那以１の微小パターンの解像度が、特にトボグラフ
ィ（ｔｏｐｏｇｒａｐｈ７　）が基板上に存在する場合
には、制限される。Ｂ、　Ｊ、　Ｌｉｎ及びＴ、Ｈ，Ｐ
、　Ｃｈａｎｇ　ＶｃよるＪ、　ｙａｃ、３Ｃ１，’ｒ
ｅｃｈ。

１９７９．１６．１６６９頁によれば、この解像度は、
ポータプル適応マスク（ｐｏｒｔａｂｌｅｃｏｎｆｏｒ
ｍａｂｌｅ　ｍａｓｋ　）　ｚ形Ｊａｙるためにマルチ
レベルシステムを用いることにより更に改良することが
できることが発見された。

マルチレベルリングラフィにおいてハ、基板がフォトレ
ジストの平らな層で被われるように、比較的薄いフォト
レジストが使用されている。

異なる娶のフォトレジストが、ボトムＪｆ１（ｂｏｔｔ
ｏｍｌａｙｅｒ　）に比べて異なる波長で吸収するもの
をトップ上に配置する。このトップ層（ｔｏｐｌａｙｅ
ｒ　）ントップ層しジストン得るためのマスクな通して
化学線波長ン用いて作像する。この画像７過当な現像剤
ケ用いて現像する。次いでこのトップ層画像は、この糸
ケボトム層−フオドレジストの波長でのフラッド露光（
ｆｌｏｏｄｅｘｐｏｓｉ、ｎｇ　）　ＶＣよりボトム層
に像形成するためのポータプル適応マスクとして使用で
きる。このシステムに、簡単なパイレベル方式 ％式％ しかしながら、２個のフォトレジスト層の間で不所望の
内部混合又はスカミング（ｅａｕｍｉｎｇ）が認められ
る場合に、他のバリヤ層がこれらの２層の間に除加され
ていてよい。このバリヤ層にこの２層のどちらとも混じ
らない刹＠ポリマー例えはポリビニルアルコール又は無
機層例えは酸化珪素又は窒化珪素であってよい。

化学処理性の叙点から、パイレベルシステムはトリレベ
ルシステムよりもより１利であるが、トリレベルシステ
ムもこの発明で考慮される。

本発明は、第１ポジチブフオトレジストの層が基板上に
コーティングされているマルチレベルシステムに関する
。この発明にとって、フォトレジストのこのボトム層が
交叉結合の調節ｂ」能度合の１可能性であることが心安
である。米国％計出願第７６４７００号（１９８５年８
月１２日出願）、同第８８９０３２号（，１９Ｂ６年７
月２６日出願）、及び同第８９５６０９号（１９８６年
８月１１日出願）明細曹に記載されているこの組成物が
七利である。これらの組成物はｊ１元エネルキ゛−が低
く、約５〜５０　ｍＪ／ｃｍ２である場合に、ポジチブ
からネガチブへのレベル反転を受け、次いで、適当なボ
スト−露光ベークが使用される。このボスト−露光ベー
クジ反転フォトレジストの溶解特性を決定する。

ボスト−露光ベークン用いない場合は、このフォトレジ
ストハ慣用のボトムレジストと同様に作用する。架橋（
Ｏｒ０８８１：Ｌｎｋｉｎｇ　）　Ｕ、適当な架橋際加
物ン使用する際には、１（ｇ！のベークで、かつ露光な
しにも誘起でき、従ってこのシステムに、架橋Ｚ訪寺丁
ゐために元反応で形成される＋ｙスペシーズ（ｐｈｏｔ
ｏｇｅｎｅｒａｔｅａ　ａｃｉａｉｃ日ｐθｃｉｅｅ　
）ン喪求しない。本発明の目的にとって、架橋のために
使用される条件は、フォトレジストのトッ７″層が上筒
される際に笑質的にビＪ部混合が認められないことであ
る。この低レベルのレジスト娑このフィルムから大体に
おいて浴剤を除去する温度でンフトーペーキングする。

次いでこのフィルムを紫外線でフラッド露光し、この物
Ｊ：ＪＭな、フォトレジストのトップ廟が沈殿される際
の内部混合を阻止するように充分架橋させる。このフォ
トレジストに対する化学線波長は例えは３００〜４１０
　ｎｍであってよい。

基板が篩い反射性であるか又はトポグラフィを有する揚
台、ボトム層を形成するレジストに染料ン添加すること
かできる。トップｌｌ１ｌｉケ作像了るために使用する
と同じ波長でこの染料は吸収されるべきである。この粂
科の濃度は、このトップ層を作像する際に基板からの反
射７除去するのに充分であるべきである。

この架橋した低レジストのトップ上に、ボトムレジスト
の堆感剤により吸収されない波長で化学線反応性の第２
フオトレジストが沈殿される。これに、例えは３００　
ｎｍ〜４１０　ｎｍを除く任意の波長であってよい。１
つの場合に、これは４３６　ｎｍでありうる。この上方
レジストに、ボトム層に対するマスクを形成するために
使用される染料すｐち、３００　ｎｍ〜４１０　ｎｍ乞
吸収する宋狙ン添加することができる。この染料の＃度
は、欣望のフィルム厚さく０．５μｍ〜１μｒＩＬ）に
灼して、このボトムレジストのｈ元波長での伝達が有）
ｌ；１」に１％以下であるのに光分であるような濃度に
丁べきでめゐ。こ扛がトップ層を有効なマスクとして作
用させることができる。

トップ層の作像に、例えは４３６ｎｍｇ過された水銀元
火用いマスクを通して行なうことかで＠小。次いでこの
像を水性フルカリ現低剤で現像させる。この先生システ
ムを次いでボトムレジストの化学線波長での光を用いて
フラッド露光する。この元の波長は、この元がパターン
化されたトップ層中のこの染料により光分に吸収されて
、マスクされた領域での伝達率７約１チより低くするよ
うに丁べきてあゐ。この露光前に、ナフトキノン増感剤
７、予め架橋されたざトムレジストの不浴性ビ克服する
のに充分にインデンカル４ｅン酸に俊えるのに光分な量
であるべきである。約１００　ｍＪ　７ｃｍ”　〜３０
０　ｍＪ７ｃＩｎ２の露光前が充分である。次いで、こ
のボトム層を水性アルカリ現像剤で現像する。このよう
に、このマスクのｉｉｉｉｒ９ｇは、トップレジストが
ボジチブ作用をする物合に、基板にボジチブに転写され
る。

このシステムは、現像工程で有機苗列を使用する必要が
ない点で他の慣用のパイレベルシステムよりも優れた利
点ン有丁ゐ。水性アルカリ現像剤は、この多層システム
の双方の層ヲ現像するために使用下ゐことができる。こ
のボトム層は、このボトム層が部分的に架橋されている
ので、適当な速度で溶解しない。更に、これはパイレベ
ルシステムであるので、トリレベルの５のよりもｍ単で
あり、よシ少ない処理工程を螢求丁ゐ。他の任意の処理
工程なしでも、このボトム層に、部分的に架橋されてい
るので、慣用のボジチブに作ｈａれたフォトレジストよ
りも大きな熱安定性を有する。この増大された熱安定性
は、１５０℃の温度に達しつる場所のエツチングにとっ
て重要である。

本発明は、慣用のりソグラフイ処理法に対して僅かに変
形された方法で処理される際に全体的に予想外のホジテ
ブ作用パイレベルレジストシステムン生じるユニークな
部分的に架橋￥ｉ３能な化学組成物ン用いている。

特に、この極めて望ましい結果で実現される利点ｉｄ、
Ｗ光エネルギーと生じる線幅との間係の改良、現像され
た画像の解像度の改良、反射性ノツチング（ｎｏｔｃｈ
ｉｎｇ）の実質的除去及び完全に水性の現像用能なシス
テムに存在する。

発明を達成するための手段 本発明によれは、マルチレベルボジチブ作用感光性エレ
メントの！Ｍ法が得られる。これは、次の工程よりなる
：アルカリ可溶性樹脂、０−キノンジアジド化合物及び
その場で形成される酸触媒架橋剤ケ浴剤混合物中に含准
する組成物ケ形厄する。基板上にコーティング、乾燥及
びこの第１層の部分的架橋の後に、第２のポジチブ作用
１６九層を通用下ゐ。各々の感光層を異なる部分のスペ
クトルの紫外線で活性比重ゐ。トップ層７画像に応じて
露光し、現像してマスクｌ形成する。第１層ヶこのマス
フケ通してフラッド露光し、現像する。各々の現像火水
性アルカリ治液を用いて実施する。

本発明により、次の方法でのボジチブ作用写真エレメン
ト（ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉａ　ｅ１θｍｅｎｔ　）の
農法が得られる： ａ）　　次の組成： 組成物の（ロ）体成分の軍飯に対して、１〕式ｌ： Ｒり Ｃ式中Ｒ１Ｕ１．２−ベンゾキノン−２−ジアジド−４
−スルホニル、１．２−ナフトキノン−２−ジアジド−
４−スルホニル又＆−１１，２−ナフトキノン−２−ジ
アジド−４−スルホニルであジ、Ｒ２にＨ，Ｒ，、ＯＲ
３又は−Ｃ−Ｒ４であり　、Ｒ３はＨ１プルキル、アリ
ール、ブラルキルヌはＲ１であり、Ｒ４Ｕアルキル、ア
リール又はアラルキルである〕を有する感光性化付物約
１〜２５チ １１）ノボラック及び／又にポリビニルフェノール樹脂
　　　　　　　　　約７５〜９９％ｌ１１）　　ジアジ
ドが化学縁に露呈される際に発生する酸の賃及び１＃度
の存在で、（ｄ）工程の加熱条件の通用下に前記樹脂を
架橋了ることのでさる架橋化付物　　　　　　　　約０
．５〜２０％及び ｌｖ）＠ｉｉじ組成成分Ｚ俗か丁のに充分な蓋の浴剤 より成る第１感元性組成物を形成し、 ｂ）前記の第１感元性組成物ヶ適当な基板上にコーティ
ングし、 Ｃ）前記のコーティングされた基板を約２０〜（２１〕 １００°Ｃの温度で、前記溶剤を乾燥除去して、これに
非粘沿性！与えるのに充分な時間熱処理し、 ａ）前記組成物を全体的に光分な化学線に画像なしで露
呈し、前記組成物を充分に加熱して部分的に架橋させ、
その間実質的にその感光性を保持し− ｅ）前記の第１感元性組底物に０−キノンジアジド及び
ノボラック及び／又はポリビニルフェノール樹脂より取
る第２感元性ｉ取物でコーティングしくここで、別記の
第１感元性組成物と第２感元性、１１１厄物とは、実質
的に異なる波長の紫外縁に対し−て反応性である）、 ｆ）前記第２感元性紺取物を画像に応じて化学線に露呈
し、現像してイメージマスクを形成させ、 ｇ）前記第１感元性ｆ１１１瓜物を前記イメージマスク
を通して化学線に露呈し、現像して前記第１感元性組成
物の露呈部分を除去する。

本発明にニリ、医の順序よりなるボジテプ作【９つＡ 用写真エレメントの製法が得られる： ａ）次の組成： １）一般式■、■又は■： Ｒ。

であり、ＸはＣ−Ｃ−単結合、−０−１−８−１ＯＯＯ ＩＩ　　　　ＩＩ　　　　　　　　　１ｌ−Ｃ−０−１
−Ｃ−０（ＣＨ２）−１−ＣＨ２−Ｃ−０−（ＣＨ２）
ｎ−１２であり、Ｒ，ｔＢ　Ｈ、−ＯＨ、−ＯＹ　、　
　−ＯＺ　、　ハロゲン、低級アルキルであり、少なく
とも１個のＲａ基は−ＯＹであり、七の少なくとも１個
は−ＯＺ　Ｔあり、Ｒｂ　’ｒ’　”　％　７　／”Ｐ
　ル、アリール、置換アルキル又は置換アリールである
］、ｊ″Ｃ ＲｏはＨ，−ＯＨ，−ＯＹ又Ｈ−ｏｚ−’（−あり、Ｒ
ｏ基の少なくとも１個［−０Ｙであり、その少なくとも
１個に−０２である〕またに 〔式中ＲｃＩ’ｍ　Ｈ、アルキル、アリール、置換アル
キル又はｔ挨アリールであり、Ｒｌｉは一０Ｅ（。

−ＯＹ又は−ＯＺであり、Ｒａ基の少なくとも１個は−
ＯＹであり、その少なくとも１個は−Ｏ２であり、ｙｔ
ｘｌ　、２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルで
あり、Ｚ［１，２−ナフトキノン−ジアジド−５−スル
ホニル又は−Ｗ−Ｒ５であジ、Ｗは　−Ｃ−又に　一５
Ｏ２−であり、Ｒ５にアルキル、アリール、置換アルキ
ル又は置換アリールである〕で嚢わでれる感光性化合物
　約１〜２５チ（組成物の固体分の蔦童に対して） １１）ノボラック及び／又はポリビニルフェノール樹脂
　　　　　　　　　　約７５〜９９％（組成物の同体分
の１量に対して） １１１）ジアジドを化学線に露呈する際に発生する酸の
量又は濃度の存在で、（ａ）工程の熱処理条件の適用下
に前記樹脂を架橋することのできる架橋化合物　　　　
　　　　約０．５〜２０チ（？＃ｉ底物の同体分の１倉
に対して）及び Ｉｖ）　　前記組成物ン浴か丁のに光分な量の浴剤よジ
成る第１感元性組成物ン形成し、 ｂ）この第１ｍ成ｌ＠Ｗ適当な基板上にコーティングし
、 Ｃ）このコーティングされた基板ン約２０〜１００℃の
温度で、前記浴剤が乾燥除去きれて、これに非粘漂性Ｚ
与えるのに光分な時間熱処理し、 （Ｌ）　　＠記組成物ン画像なしで全体的に光分な化学
線に蕗呈し、前記組成？！Ｉ７光分加熱して部分的に架
橋させ、その間実質的にその感光性を保持し、 ｅ）　　＠Ｈ己の第１感元組成物にＯ−キノンジアジド
及びノボラック及び／又はポリビニルフェノール樹脂よ
りなる第２感元組成物をコーティングしくここで前記第
１感元組成物及び第２感元組成物は実質的に異なる波長
での紫外線に対し反応性であり）、 ｆ）前記第２感元！１１成物ン画像に応じて化学線に露
呈し、現像してイメージマスクを形成させ、ｇ）Ｗｌ記
の第１感元性組成物を前記イメージマスクを通して化学
線に露呈し、現像して前記第１感元性組成物の露呈部分
を除去する。

本発明の写真エレメントの製造の第１工程として、′＠
記の第１の感光性組成物乞適当な基板上にコーティング
し、乾燥させる。この組成物は浴剤、架橋剤、結合樹ｌ
］Ｂ及び１．２−キノンジアジド−４−スルホニル基含
有光増感剤ン含有する。この結合樹脂には、ノボラック
及びポリビニルフェノールとして公知の群か包含される
。

感光性組成物ン製造するために使用されるノボラック樹
脂の製造は、文献中に公知である。

この製造法は、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎａ　Ａｐｐｌ
ｉｃａｔｉｏｎ　０ｆｐｈｅｎｏｌｉｃ　　Ｒｅ５ｉｎ
ｓ　　、　　　Ｋｎｏｐ　　Ａ、　ａｎａ　　３ｃｈｅ
ｉｂ　　、　　’ｆＪ。

（３ｐｒｉｎｇｅｒ　　ｖｅｒｌａｇ、　　Ｎａｗ　Ｙ
ｏｒｋ、　１　９　７　９　　）第４箪中に記載されて
いる。ポリビニルフェノールは、米国特許第３８６９２
９２号及び同第４４３９５１６号明細誓中に示されてい
る。同様に、０−キノンジアジドの使用も当業渚には公
知であり、Ｌｉｇｈｔ　Ｂｅｎ５１ｔ１ｖｅ　Ｂｙｓｔ
ｅｍ日。

Ｋｏｓａｒ　、　　Ｊ、　：　Ｊｏｈｎ　Ｗｌ：ｌｅ７
　＆　３ｏｎｓ　、　ＮｅＷ　ＹＯｒｋ。

１９６５＋　　Ｃｈａｐｔｅｒ　　７−４　　に記載さ
れている。

本発明のレジスｌ−ａ成物の現成分を成している増感剤
は、有利に、文献中でポジテプフォトレジスト処方中に
慣用さｎている置換ジアゾナフトキノン増感剤の群から
選択さｎる。このような増感化合物は、例えば米国特許 第２７９７２１３号、同第５１０６４６５号、同第３１
４８９８３号、同第３１３００４７号、同第３２０１３
２９号、同第３７８５８２５号及び同第３８０２８８５
号明細書中に記載さハている。

第１の感光性組成物を得るためのこの光増感剤ハ、フェ
ノール往訪導体の１，２−キノンジアジド−４−スルホ
ン酸エステルである。融合環の数は、この発明にとって
重畳ではないが、スルホニル基の位置は重要であること
は明らかである。即ち、酸素が１位に存在し、ジアゾが
２位にかつスルホニル基が４位に存在するかぎシ、ベン
ゾキノン、ナフトキノン又はアントラキノンを使用する
ことができる。同様に、そｎに結合しているフェノール
環員も重要ではない。

例えばこｎは、米国騎許第３６４０９９２号明細書中に
示さｎている工うなりミルフェノール誘導体であってよ
いか又は、米国特許 第４４９９１７１号明細書に記載のようにモノ−、シー
又ハトリヒドロキシフェニルアルキルケトン又はベンゾ
フェノンであってよい。

第１の感光性組成物層のキノンジアジドは、次の一般式
で表わすことができる： 〔式中Ｒ１””　１　ｚ　２−ベンゾキノン−２−ジア
ジド−４−スルホニル、１．２−ナフトキノン−２−ジ
アジド−４−スルホニル又は１，２−アントラキノン−
２−ジアジド−４−スルホニル、Ｒ２関Ｈ，、Ｒ，、Ｏ
Ｒ３又は０−Ｒ４、Ｒ３−Ｈ，アルキル、アリール、ア
ラルキル又はＲ工、Ｒ４−アルキル、アリール又はアラ
ルキル〕。

有用な光増感剤には次のものが包含さｆる：フェノール
性化合物例えばヒドロキシベンゾフェノン殊ニトリヒド
ロキシベンゾフェノン特に２．３．４−トリヒドロキシ
ベンゾフェノンと縮合さｎた１、２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホニルクロリド、殊に２．３．４−トリ
ヒドロキシフェニルペンチルケトン−１，２−ナフトキ
ノン−２−ジアジド−４−スルホン酸トリスエステル又
は他のアルキルフェノン、２゜３．４−トリヒドロキシ
−６′−メトキシ゛ベンゾフェノン−１，２−ナフトキ
ノン−２−ジアジド−４−スルホン酸トリスエステル、
２，３゜４−トリヒドロキシ−６′−メチルベンゾフェ
ノン−１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スル
ホン酸トリスエステル及ヒ２．３　、４−トリヒドロキ
シベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン−２−ジアジ
ド−４−スルホン酸トリスエステル 他の有用な感光性化合物及び本発明の元増感剤紹成物は
、フェノール性化合物を１，２−すフトキノンジアジ）
４−４−スルホン酸（ジアゾ１）と１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸（ジアゾ２）及び／又は有
機酸ハロゲン化物との混合物と縮合することにょシ得る
ことができる。混合物中のジアゾ１対ジアゾ２及び／又
は有機酸ハロゲン化物の量のモル比は約１：１〜６９：
１の範囲、有オリに約４：１〜１９：１又はよシ有利に
８５：１５〜９３ニアであってよい。例えば、２．３．
４−トリヒドロキシベンプフェノン１モルをジアゾ１　
２．７モルとジアゾ２　ｏ、６モルとの９：１混合物と
縮合させ、次式： 〔式中ＲいＲ７及びＲ６は独立して１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホニル又にｌ：１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホニルであってよい〕を有する
化合物！−シなる光増感剤を得ることができる。

感光性化合物は、次の一般式■、■及び■で表わすこと
ができる： Ｒａ であシ、Ｘはｃ−ａ単結合、−０−、−３−１−ｓｏ２
−１又は０Ｈ３−０−ＯＨ３であシ、ｎは１又は２で、
ｂｐ、？ Ｒａ（ｄＨ，−ＯＨ％−ＯＹ、−ＯＺ、　ハロゲン化物
（１に０１又はＢｒ又は低級アルキル、有オ（１にＣ−
原子１〜４を有する低級アルキルであシ、少なくとも１
個のＲａ基は−ＯＹであシ、その少なくとも１個は−ｏ
ｚであ、り、Ｒ１）はＨ１アルキル、アリール、置換ア
ルキル又は置換アリール、有利に。一原子１〜２０ニジ
有オＵにＣ−原子１〜１２を有するアルキル、有牙Ｕに
７リールは、フェニル又はナフチルであ）、アルキル又
はアリールは。一原子１〜４を有する低級アルキル、Ｃ
−原子１〜４を有する低級アルコキシ又はハロゲン有利
にＣ１，又はＢｒで置換さｎてぃてよい〕、バ０ はＨ，−ＯＨ，−ＯＹ又は−ｏｚであシ、Ｒｏ基の少な
くとも１個は−ＯＹであり、その少なくとも１個は−Ｏ
２である〕及び 〔式中Ｒ８はＨ１アルキル、アリール、置換アルキル又
は直換アリールであシ、Ｒ（Ｌは−ＯＨ。

−ＯＹ又は−ｏｚであシ、少なくとも１個のＲｄ基は−
ＯＹであシ、その少なくとも１個は−Ｏ２であシ、アル
キル基Ｒ６は、直鎖又は分枝鎖であってよく、ハロゲン
原子、〇−原子数１〜４を有する低級アルコキシ基有利
にＣ−原子数１〜２０を頁するアルキル基であってよく
、アリール基Ｒ６は有利に単環であｈ、ｃ−原子数１〜
４を有する低級アルキル又はアルコキシ基で又はハロゲ
ン原子で置換さ扛ていてよく、有利にアリール基はＣ−
原子６〜１０を有する〕。

Ｒｏが７リール基である化合物が竹に有利であシ、アリ
ール基がフェニル基である化合物が峙に有利であり、Ｙ
が１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルであ
シ、ｚが１．２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ル又バーＷ−Ｒ，であシ、Ｗが 一〇−又は−ｓｏ、−であシ、Ｒ５がアルキル、アリー
ル、置換アルキル又は置換アリールであシ、アルキル基
Ｒ５は直鎖スは分枝鎖であってよく、ハロゲン原子有利
にＢｒ又はｃｌで又はＣ−原子数１〜４を有する低級ア
ルコキシ基有利にＣ−原子数１〜２０を有するアルキル
基で置換されていてよく、−アリール基Ｒ５は、単環で
あるのが有利であシ、〇−原子数１〜４を有する低級ア
ルキル又はアルコキシ基で又はハロゲン原子有利にＢｒ
又はＵ″″Ｃ″Ｃ置換ぃてよく、アリール基はＣ−原子
数６〜１０を有するのが有利であシ、フェニル基が有オ
リであシ、アルキル基が判に有利であシ、Ｃ−原子数１
〜６を有する低級アルキル基が殊に有利である。

こ扛らの感光性化合物は、例えばここに記載（３６・） の光増感剤組成物の製造のために記載さｎている方法で
１！！！造することができる。こむら化合物は所望に応
じて卑離し、精製することができる。

光増感剤組成物（判にここに記載の感光性化合物よシな
る）は、フェノール性化合物をジアゾ１、ジアゾ１とジ
アゾ２及び／又は有機酸ハログニドとの混合物と縮合さ
せることによシ得ることができる。この混合物のジアゾ
１成分及びジアゾ２及び／又は有機酸ハロｒニド成分は
引続き又は同時にフェノール性化合物と縮合させること
ができる。

ジアゾ１／ジアゾ２−有機酸ハライド混合物は、有オｌ
に、化学量論的量でヒドロキシル含有化合物と反応させ
ることができる。しかしながら、こｎらのフェノール性
化合物は、完全にエステル化さｎている必要はなく、化
学童論的な量ニジ少々いジアゾ及び有機酸ハライド化合
物も、ジアゾ１対ジアゾ２及び／又は有機酸ハライドの
モル比がここに詳述した範囲内で反応することを前提と
して縮合さセることかできる。

フェノール性化合物と反応したジアゾ１とジアゾ２及び
／又は有ｔ［ハライドとの全量は、アルカリ可溶性樹脂
の溶解速度を阻止することのできる光増感剤組成物を形
成するのに充分であるべきで、ある。

鉤に、一般式（１１）で表わさｎるエステルの製造のた
めの出発物質として用いらｊるフェノール性化合物は次
のものである：ヒドロキシルヲ有するベンゼン化合物例
えば１，２−ジヒドロキシ−ベンゼン、１．３−ジヒド
ロキシベンゼン、１．４−ジヒドロキシベンゼン、１．
２．３−トリヒＰロキシベンゼン、１ｔ２＊４−ＩＪヒ
ドロキシベンゼン、１．３．５−）ジヒドロキシベンゼ
ンｎび類ｍ物；ジヒドロキシベンシフｘ　／　ン例、ｔ
ハ、２　、２’−ジヒドロキシベンゾフェノン、２　、
、５’−ジヒドロキシベンゾフェノン、２．４−ジヒド
ロキシベンゾフェノン、２　、４’ｌヒドロキシベンゾ
フエノン、２．５−ジヒドロキシベンゾフェノン、３．
３’−ジヒドロキシベンゾフェノン、４．４’−ジヒド
ロキシベンシフエノン及び類似物；トリヒドロキシベン
ゾフェノン類例えば２　、２’　、　６−　）リヒドロ
キシベンゾフエノン、２．３．４−）リヒドロキシペン
ゾフエノン、２．４．４−）リヒドロキシペンゾフエノ
ン、２．４．６−）リヒドロキシベンゾフエノン、３，
４．５４リヒドロキシペンゾフエノン及び類似物；テト
ラヒドロキシベンゾフェノン類例えば２．２’、３．４
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２．２’、４．４
’−テトラヒドロキシペンゾフエノン、２１２’１４．
６′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２　、２’　
、　５　、６’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２
　、５’　、　４　、４’−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２．３’、４．６−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノン、２．４．４’、６−チトラヒドセキシベンゾフ
エノン、５．３’、４．４’−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン及び類似物、ペンタヒドロキシベンゾフェノン
類、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン類、ジヒドロキシ
−及ヒドリヒドロキシーフェニルアルキルケトン類例え
ば２，４−ジヒドロキシフェニルアルキルケトン類、２
．５−ジヒドロキシフェニルアルキルケトン類、３．４
−ジヒドロキシフェニルアルキルケトンｍ、３．５−ジ
ヒドロキシフェニルアルキルケトン類、２，３．４−ト
リヒドロキシアルキルケトン類、！１，４．５−トリヒ
ドロキシフェニルアルキルケトンＭ、２．４．６−トリ
ヒドロキシフェニルアルキルケトン類及び類似物有利に
、〇−原子数１〜１２を有するアルキル例えばメチル、
エチル、ブチル、ｎ−ヘキシル、ヘプチル、デシル、ド
デシル及ヒ類似物、ジヒドロキシフェニルアルキルケト
ン、トリヒドロキシフェニルアラルキルケトン類、ジヒ
ドロキシジフェニル類、トリヒドロキシジフェニル類例
えば２．２’、４−トリヒドロキシジフェニル、テトラ
ヒドロキシジフェニル類例エバ２　、２’、　４　、４
’−テトラヒドロキシジフェニル、ジヒドロキシジフェ
ニルオキシド類、ジヒドロキシジベンジルオキシド類、
ジヒドロキシジフェニルアルカン類、有利に低級アルカ
ン例えばメタン、エタン、プロパン又は類似物、ジヒド
ロキシ安息香酸類、トリヒドロキシ安息香酸類、ジヒド
ロキシ−及びトリヒドロキシ−安息香酸アルキルエステ
ル類、有利に〇−原子数１〜１２を有するアルキル例え
ばｎ−ブチル−２，４−１２，５−１３，４−及び６，
５−ジヒドロキシペンゾエート、２，４．４−トリメチ
ルペンチル−２，４−ジヒドロキシベンゾエート及び類
似物、ジヒドロキシ−及びトリヒドロキシ安息香酸フェ
ニルエステル類、ジヒドロキシ−、トリヒドロキシ−及
びテトラヒドロワキシジフェニルスルホン類及びジヒド
ロキシ−及ヒドリヒドロキシーフェニルナフチルケトｙ
ａ例えば２．３．４−　）リヒドロキシフェニルナフチ
ルケトン及び類イ以物。

一般式（１）で表わさｎ１少なくとも１個のＲａ基がハ
ロゲン又は低級アルキルであるエステルの製造のための
出発物質として使用さする化合物の例には次のものが包
含さｎる：２，４−ジヒドロキシー３．５−ジプロモペ
ンプフエノン、５−プロモー２，４−ジヒドロキシ安息
香酸及びエステル類、２，４．２’、４’−テトラヒド
ロキシ−３、５、３’　、　５’−テトラブロモジフェ
ニル、４　、４’−ジヒドロキシ−２，２′−ジメチル
−５、５’−ジ−ｔ−ブチルジフェニル、４，４′−ジ
ヒドロキシ−２，２′−ジメチル−５，５’−ジ−ｔ−
ブチルジフェニルサルファイＦ、２゜４　、２’　、　
４’−テトラヒドロキシー！ｌ　、　５　、３’　。

５′−テトラプロそジフェニルスルホン及び類イ以物。

一般式（組のフェノール性化合物の有利力群には、ヒド
ロキシルを有スるベンゾフェノン類及び殊に有利外化合
物はトリヒドロキシベンゾフェノン類である。

豹に、一般式（１）で表わさｎるエステルを製造するた
めの出発物質として用いらｎるフェノール性化合物は次
のものであるニジヒドロキシナフタリン類例えば１，２
−ジヒドロナフタリン、１．４−ジヒドロキシナフタリ
ン、１．５−ジヒドロキシナフタリン、１．６−シヒド
ロキシーナフタリン、１．７−ジヒぜロキシナフタリン
、１．８−ジヒドロキシナフタリン、２．３−ジヒドロ
キシナフタリン、２，６−ジヒドロキシナフタリン、２
．７−ジヒドロキシナフタリン及び類ａｔ物、ジヒドロ
キシジナフチルメタン類例え）ｆ　２　、２’−ジヒド
ロキシジナフチルメタン及び類（Ｕ物。ジヒドロキシナ
フチレンが有利である。ジヒドロキシナフチレンのヒド
ロキシ基は、ナフタリン基の同じ核又は異なる核上に存
在してよい。

特に、一般式（ＩＴＪで表わさｎるエステルを製造する
ための出発物質として使用さｎるフェノール性化合物は
、次のものである：ビス−（３−ベンゾイル−４，５，
６−）リヒドロキシフェニル）−メタン、ビス−（３−
アセチル−４゜５．６−ドリヒドロキシフエニル）−メ
タン、ビス＝（６−ブロピオニルー４．５．６−ドリヒ
ドロキシフエニル）−メタン、ビス−（３−ブチリル−
４・、５．６−ドリヒドロキシフエニル）−メタン、ビ
ス−（６−ヘキサノイル−４゜５．６−）リヒドロキシ
フェニル）−メタン、ビス−（６−ヘブタノイルー４．
５．６−ドリヒドロキシフエニル）−メタン、ビス−（
５−デカノイル−４，５，６−）リヒドロキシフェニル
）−メタン、ビス−（６−オクタデカノイルー４．５　
ｅ　６−　）　ｖヒドロキシフェニル）−メタン及び類
似物。

ジアゾ１工ステル化合物を変性するために使用すること
のできる有機酸ノ・ライドは次式で表わさｎる： Ｗ−Ｒ。

〔式中Ｗは−ｏ−ｖ又は−５ｏ２−ｖであシ、■は）・
ロゲン有利にはＣ１，又はＢｒであ’）、Ｒ５はアルキ
ル、アリール、置換アルキル又は置換アリールであシ、
アルキル基Ｒ５は直鎖又は分枝鎖であってよく、ノ・ロ
ゲン原子有利にＢｒ又はＣ１又はＣ−原子数１〜４を刹
する低級アルコキシ基Ｗ　％ｊ４に０原子数１〜２０を
有するアルキル基で置換さｎていてよく、アリール基Ｒ
５は、有利に単環であυ、Ｃ−原子数１〜４を有する低
級アルキル又はアルコキシ基で又は７１０デン原子有利
にＢｒ又はＣ１でＮＺ換さｎていてよく、アリール基は
〇−原子数６〜１０を有するもの、殊にフェニル基が有
利である〕、式中のＲ５がアルキル基である化合物が竹
に有利であシ、式中のアルキル基がＣ−原子数１〜６を
有する低級アルキル基である化合物が鉤に有利である。

楠に、前記式で表わさｎる有機酸ノ・ライドは次のもの
である：アルキルスルホニルノ・ライド例エバメタンス
ルホニルクロリド、エタンスルホニルクロリド、プロパ
ンスルホニルクロリド、ｎ−ｆタンスルホニルクロリド
、ドデカンスルホニルクロリド及び類倶物、アリールス
ルホニルクロリド例えばベンゼンスルホニルクロリド、
ナフタリンスルホニルクロリド及び類似物、アシルハラ
イド例えば塩化アセチル、塩化ブタノイル、塩化バレリ
ル、塩化ベンゾイル、臭化ベンゾイル、塩化ナフトイル
及び類倶物。

有利な有機酸ハライドは低級アルキルスルホニルハライ
ド及びＣ−原子数１〜６を有する低級アルキルアシルハ
ライド及びベンゼンスルホニルハライド及び塩化ベンゾ
イルである。酸ハライドは置換又は非置換であって工い
。

架橋化合物は、ジアジドを化学線に露呈する際に生じる
酸の量及び濃度の存在で前記のノボラック、パラビニル
フェノール又はポリビニルフェノール樹脂を架橋するこ
との可能な化合物である。こｎは、ＷＩＩ全架橋剤に拡
散するのに充分であるが、ジアジドを分解するよシは少
ない熱の適用時に起こる。このような化合物の一般的な
群は、前記酸及び加熱条件下にカルボニウムイオンを形
成することのできるものである。

有利な化合物は、米国橢許第４４０４２７２号明細書中
に記載のようなジメチロールパラクレゾール、メチルメ
トキシジフェニルエーテル、メラミンホルムアルデヒド
樹脂及び七ツマー単位１〜約６個を有する化合物及びア
ルキル化さ釘た類縁体例えば商品名シメル（０７ｍｅｌ
　）なる名称でアメリカン・シアナミド（Ａｍｅｒｉｃ
ａｎＯｙａｎａｍｉｃｌ　）及びレジメン（Ｒｅｓｉｍ
ｅｎｅ　）なる名称でモンサントーカンパニイ（Ｍｏｎ
５ａｎｔ　Ｃｏｍｐａｎｙから市販さ１ている典型的な
もの、例えばヘキサメチロールメラミンヘキサメチルエ
ーテル、レゾール樹脂及びエポキシクレゾールノボラッ
ク樹脂である。ある場合には、こｎらの添加物は充分に
反応性で、架橋を誘導するためには化学線への露呈は必
要でなく、熱処理が８賛なだけである。こｎは判にシメ
ル樹脂に関して認めら打ている。

レゾール樹脂は、一般式Ｖ： 〔式中ｎ　＝１〜１５である〕を有する。

エポキシクレゾールノボラック樹脂は、一般式■： 〔式中ｎ＝ｍ　１〜１０である〕を有する。

第１感光性組成物は好適な溶剤組成物中での成分の混合
によυ形成さｎる。有利な実施形で、樹脂は、有利に全
組成物頓固形物、即ち組成物の非−溶剤分の重量に対し
て約７５〜約９９％の量で存在する。樹脂のさらに好適
な範囲は、固形組成物分の約８０〜約９０重量％、さら
に有利に約８２〜約８５重量７ｏである。ジアジドは、
有利に固形物、即ち組成物の非−溶剤分の重量に対して
約１％〜約２５％の範囲の量で存在する。

このジアジドのさらに好適な範囲は固形組成物分の約１
〜約２０重量％およびさらに有利に約１０〜約１８重Ｒ
％である。架橋剤は、有利に固形物、即ち組成物の非−
清剤分に対して有利に約０．５〜約２０％の量で存在す
る。さらに好適々範囲は固形組成物分の約１〜約１０重
量％お工びさらに有利に約６〜約６Ｍ量％である。

組成物の製造で樹脂、架橋剤およびジアジドはゾロぎレ
ンクリコールアルキルエーテルアセテート、メチルアセ
テート、キシレン、エチレングリコールモノエチルエー
テルアセテート訃よびプロピレングリコールメチルエー
テルアセテ−）、７’ロ２レンゲリコールアルキルエー
テル、たとえばプロピレングリコールメチルエーテルま
たは中でも前述のものの混合物のような溶剤と混合さす
る。

添加物例えば着色剤、染料、細条防止剤（ａｎｔｉｓｔ
ｒｉａｔｉｏｎ　ａｇｅｎｔ　）、レベリング剤、可塑
剤、付着促進剤、速度増加剤、浴剤および非イオン界面
活性剤の工うな界面活性剤を溶液を基板に塗布する前に
、樹脂、増感剤、架橋剤および溶剤の溶液に添加してよ
い。

本発明のフォトレジストと一緒に使用して工い染料添加
物の例はメチル　バイオレット（Ｍｅｔｈｙｌ　Ｖｉｏ
ｌ、ｓｔ　）　２　Ｂ　（０＋工＋Ｎｏ、　４２５３５
　）、りＶス１ｋ　　バイオレット（０ｒｙｓｔａｌ　
Ｖｉｏ’ｌｅｔ　）（０，工、　ｌｔ＋　４２５５５　
）、マラカイト　グリーン（Ｍａｌａｃｈｉｔｅ　Ｇｒ
ｓｅｎ　）　（０，１，Ｎｈ　４２０００　）　、ビク
トリア　ブルー（Ｖｉｃｔｏｒｉａ　Ｂｌｕｅ　）　Ｂ
　（０，工。

Ｎｎ４４０４５　）およびニュートラル　レツＰ（Ｎｅ
ｕｔｒａｌ　Ｒｅｄ　）　（０−工、　１ｍ　５００４
０　）を組成物の固形物部分の重量に対し、１〜１０重
量％で包含する。染料添加物は基板からの光の背面散乱
を阻止することにニジ増大した解像度を生じることを助
ける。

細条防止剤は固形物の重量に対し、５重量％までで使用
してＬい。

使用しうる可塑剤は、たとえば、リン酸トリー（β−ク
ロロエチル）−エステル；ステアリン酸；ジカンファ；
ポリゾロピレン；アセタール樹脂；フェノキシ樹脂；訃
よびアルキル樹脂を固形物の重量に対し、１〜１ＯＮ量
％包含する。可塑剤添加物は材料のコーティング物性を
改良し、平滑々フィルムを均質な厚さで基板に適用する
ことを可能にする。

使用しうる付着促進剤はたとえば、β−（６゜４−エポ
キシ−シクロヘキシル）−エチルトリメトキシシラン；
ｐ−メチル−ジシラン−メチルメタクリレート：ビニル
トリクロロシラン；お工びγ−アミノープロピルトリエ
トキシシランを固形物総重量に対し４重量％まで含有す
る。

使用しうる速度増加剤はたとえばぎクリン酸、ニコチン
酸またはニトロシンナミン酸を樹脂お工び固形物の総重
量に対して２０重量％までで含有する。こｎらの増加剤
は露光３工び非露光部分の双方でフォトレジストコーテ
ィングの溶性を増大する傾向にあり、従ってこｎは現像
速度が、たとえコントラストの度合がいくらか断念され
ても圧倒的に重要である場合の連片で使用さｎ、’Ａｎ
ちフォトレジストコーティングの露光部分が現像液に↓
シさらに急速に渚解さｆ１速度増加剤はまた非露光部分
からのフォトレジストコーティングのニジ大きな損失を
起こさせ（５，１） る。

コーティング溶剤は組成物中の固形物の９５重量％まで
の量で全組成物中に存在していてよい。

使用しうる非−イオン界面活性剤はたとえば、ノニルフ
ェノキシポリ（エチレンオキシンエタノール；オクチル
フェノキシ（エチレンオキシ）エタノール；訃工びジノ
ニルフェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノールを固
形物の総重量に対し１０Ｍ量％までで包含する。

準備されたレジスト溶液は浸漬、噴霧、ホアラー塗布お
よびスピンコーティングを含むフォトレジスト種類で使
用さｎる慣用の方法で基板に適用することが）きる。ス
ぎンコーティングの場合、たとえば使用さするスピン装
置のタイプおよびスピン工程のために許さｔ″Ｌ六時開
時間えた所望の厚さのコーティングを（＃給するために
、このレジスト溶液は固形物含量のパーセンテージに適
合さｎる。好適彦基板はシリコーン、アルミニウムまた
はポリマー樹脂、二酸化珪素、ドーピングさｆた二酸化
珪素、窒化珪素、タンタル、銅、ポリシリコーン、セラ
ミック訃よびアルミニウム／銅混合物を包含する。

上記方法によシ製造されたフォトレジストコーティング
は、殊にマイクロプロセッサー訃工び他の小型化さｎた
工Ｃ成分の製造に使用さｎるような熱住長シリコーン／
二酸化珪素−塗布つエバへの適用のために好適である。

アルミニウム／酸化アルミニウムウェー・は良好に使用
できる。基板は、種々のポリマー樹脂、殊にポリエステ
ルのような澄明ポリマーから成っていてもよい。

レジスト組成物溜液を基板にコーティングした後、この
基板を約２Ｄ〜１００℃で処理する。

この熱処理は、光増感剤の重要な熱分解を起させること
力しに、フォトレジスト中の残溶剤の濃度を減少および
調節するように選択さｎる。

一般に溶剤の濃度を最低にすることが望ましく、従って
、この第１熱処理は蒸発によシレジストの溶剤濃度を減
少させるために行々わむ、かつミクロン単位の厚さのフ
ォトレジスト組成物の薄いコーティングが基板上に残る
。この処理は、通常約２０〜約１００℃の範囲で行う。

好適な実施形では、この温度は約５０〜約９０００であ
る。さらに好適な範囲は約７０〜約９０℃である。この
処理は溶剤除去の変化の割合が比較的わずかになるまで
行う。温度シエび時間の選択は、ユーザー並びに使用さ
ｎる装置お＝び商業的に所望のコーティング時間に工す
所望のレジス）Ｍ性に依存する。ホットプレート処理の
ための商業的に受容できる処理時間は約６分まで、さら
に有利には約１分までである。１つの例では、９００Ｃ
で３０秒の処理が有用である。

コーティングされた′ｌ基板はその後当業者に公知の方
法で、全体的に画像なしで化学線殊に紫外線照射にニジ
露光することができる。約５〜約４　Ｑ　ｍＪ　／　ａ
ｓｓ２、さらに有利に約２０〜約６０ｍＪ　／　ｃａｂ
”の範囲の低エネルギー露光を使用することができる。

次いでレジストを、約９０〜約１６０℃、有利に１００
〜１５０℃、さらに有利に１１５〜１３５℃の露光後第
２ベーキングまたは熱処理にかける。この熱処理はホッ
トプレート系または対流オープンで組成物の部分的な架
橋のために十分子ｘ温度および時間で行々うことができ
る。

ホットプレート系のためにこれは通常約５〜６０秒、さ
らに有利に約１０〜１５秒の範囲にある。オープンのた
めに、加熱処理は約１５分であってよい。選択される時
間は組成物成分、フォトレジスト層の厚さおよび使用さ
ｆる基板の選択に依存する。このベーキング処理は、ジ
アジドを、アルカリ水溶液に可溶性であるカルボン酸含
有化合物、たとえばインデンカルボン酸に変換する。こ
の露光／加熱工程を、組成物がその感光性のほぼ大部分
を維持するように行うことが重要である。

第１および第２熱処理温度シエび第１および第２熱処理
時間の選択は、Ｒｔ終ユーザーに所望の物性にニジ選択
さｎ１最も効果的にさｎる。

第１感光性層のトップに、感光性でポジチプ作用のＯ−
キノンジアジド、たとえばフェノール誘導体の１．２−
キノンジアジド−４−１または−５−スルホン酸エステ
ル、そｎに加えてノボラック訃よび／またはポリビニル
フェノール樹脂から成る第２感光性層が値かｎる。この
ようなキノンジアジドは文献に公卸であシ、前記のもの
を包含する。この第２感光性組成物は同様に着色剤、染
料、細条防止剤、レベリング剤、可塑剤、付着促進剤、
溶剤、速度増加剤および界面活性剤のような上記の付加
的な添加物のいずｎかを含有していてよい。構成成分の
量は、化学線に露呈さｎた後アルカリ水溶液によシ実質
的に溶解することができる感光性組成物を提供すること
ができるような量でなけｎばなら々い。しかし、第１お
よび第２感光性組成物の各々が紫外線スペクトルの実質
的に異なる分での化学線に反応性であることが重要であ
る。

こｎは異なる吸収スペクトルを有するジアジドの選択に
よるか、−力または他力の層中への染料のような添加物
の包含によシ達成さｎる。

このようにして形成さｆたバイレベルレジストを、次い
でトツ７ｃ！ｒ！！、光性層の露光さｎた部分が好適な
現像液に溶性であるが第１感光性組成物がいかなる重装
々程度にも溶性でないのに十分な量お工び波長での化学
ｆｉＩ照射にニジ画像に応じて露光する。

この露光さｎた基板を次に引続き好適な現像浴液中に浸
漬させる。現像液の濃度お工び現像時間はボトム層が認
識しうる割合で溶解し力いように選択すべきである。清
液は、たとえば窒素ガス攪拌に工す攪拌するのが有利で
ある。基板を、トップ感光性レジストコーティングの全
てまたはほぼ全てが露光さむた部分から溶解する筐で、
現像液中に残す。好適な現像液は、文献に公仰の水酸化
ナトリウムお工びテトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ドを包含するようなアルカリ水浴液を包含する。

この点で生じる製品は下部感光性層上にポータプル適合
マスクよシなる。次いでレジスト上のこのマスクに第１
ｇ光性層の露光部分が好適彦現像液中に溶性であるよう
にするのに十分な童お工び波長で化学線照射に全体的に
露光させる。ポータプル適合マスク層は、その上に当た
った光を吸収し、第１感光性層の下にある部分の露光を
妨げるような光学濃度である。現像は前記と同様である
。

この現像溶液からのコーティングさｎたウェー・基板の
除去の後に、任意の現像後熱処理またはベーキングを、
コーティングの付着およびエツチング清液お工び他の物
質への化学的抵抗を増大するために使用することができ
る。現像後熱処理はコーティングの軟化点よシ下でのコ
ーティングおよび基板のオープンベーキングより成って
いてよい。工業的適用で、殊にシリコーン／二酸化珪素
−型基板上でのマイクロ回路単位の製造時に、この現像
さｎた基板を緩衝さｎたフッ化水累酸壌基エツチング溶
液で処理するかまたは乾燥エツチング環境で処理するこ
とができる。本発明のレジスト組成物は、酸−地基エッ
チング済液に４性であり、基板の非露光しシスト−コー
ティングに関して効果的々保護を提供する。

次の実施例で本発明の組成物の製法および使用法を詳述
する。しかしながら、こｎらの例は、いず汎にせよ本発
明を限定するものではガく、本発明を実施するためにの
み使用さｆるべき条件、パラメータまたは値を提供して
いると解釈すべきではない。

実施例 例　　１ トップ層−フォトレジストは次の組成を有する： ｗ／ｗ％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　１５．７
２、．５．４−）リヒドロキシベンゾ フエノンおよび１，２−ナフトキノン −２−シアＰ）’−５−スルホニルクロリドの縮合生成
物をよ勺なる光増感剤　　　　５．２エチレ／グリコー
ルエテルエーテルア セテート　　　　　　　　　　　　　　　　　　７６．
７ピスビリジルエチレン染料２．４ ボトム層フォトレジストは次の組成を有する：ｗ／ｗ％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　２６．１
プロビレングリコールモノメチル二−テルアセテー）、
　　　　　　　　　　　　　　　　７２．９ドー４−ス
ルホン酸トリスエステル　　　　　３．０ジメチロール
ｐ−クレゾール　　　　　　　　１．０ボトム増フォト
レジストを用いて、シリコーンウェハ？２０口Ｑ　ｒｐ
ｍでコーティングし、次いで出口を有する対流オーブン
中で９０℃で６０分間ソフトベーキングする。オリール
　モデル（○ｒｉｅｌ　ｍｏｄｅｌ　）　８０８９　ｍ
光ユニット音用いて広幅帯フラッド露光を通用する。通
用蓋は６６５〜４５６　ｎｍの波長に関してＯＡＩラジ
オメーターで測定して、３０　ｍＪ　／ＣＩｎ２である
。

コーティングされたウエノ蔦を出口のめけられた対流オ
ーブン中１２５℃で１５分間露光後ベーキングする。ウ
エノ・を室温１で冷却した後、トップ層フォトレジスト
を２００　Ｏｒｐｍでボトム層フォトレゾスト上に塗布
し、次いで出口のあけられた対流オーブン中、９００Ｃ
で６０分間ソフト−ベーキングする。

解像テストパターンを有するガラスフォトマスクラ介シ
テハーキン　エルマー（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ　）　
２２０ミクラリン　アリナー（Ｍｉｃｒａｌｉｇｎａｌ
ｉｇｎｅｒ）を用いて化字腺蕗光をする。適用が・は６
６５〜４３６　ｎｍの波長のＯＡＩラジオメーターで測
定して１８０　ｍＪ／ｃｍ２である。

わずかｅこ攪拌しながら水酸化ナトリウムよシなる、１
：６の希釈度の水性−アルカリ性現像液中で９０秒の浸
漬モードでの露光されたウェハの現像後に、このウェハ
を脱イオン水ですすぎ、スピン乾燥させる。次に、この
ウェハを１００００倍の拡大走査電子顕微鏡を用いて検
査する。トップＩ−を通して２μｍのシングルスペース
およびそれよシ大きな寸法が完全に開放されていること
かはつきシと見られる。このトップ画像は今やボトム鳩
の作像のためのボータデル適合マスクとして使用できる
。ボトム層フォトレジストの化学線波長は６００〜４０
０　ｎｍである。このウェハを、３１１］ａｍの狭幅清
秋フィルターを有するオゾチカル　アプライドＬｎＣ，
ディープ　ＵＶモチゞル（０ｐｔｉｃａｌ　Ａｐｐｌ土
ｅｄＬｎｃ、　ｄｅｅｐ　［Ｊ’Ｖ　ｍｏｄ、ｅｌ）　
２９　Ｄを用いてフラッド線光する。適用釦は６１０ｎ
ｒｎＶＣ集中した波長のＯＡＩラジオメーターで測定し
て１２６　ｍＪ／ＩＺ７＋２２である。次いで、このウ
ェハを、わず〃會こ撹拌ｔｌＯ） しながらテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを有す
る現像液中で１８０秒間の浸漬モードで現像させる。こ
のウェハを直ちに脱イオン水ですすぎ、スピン乾燥させ
る。このウェハを、丹びｉ　ｏｏｏｏ倍拡大走量軍子顕
微鋭を用いて再び試験する。２μｍシングルスペースお
よびよｐ大きな寸法が完全に開放されていることが明ら
かにみてとれる。

例　　２ トップノーフォトレジストは次の組成を有する：ｗ／ｗ
％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　１５．７
リドとの縮合生成物よりなる光増感剤　　　　５．２エ
チレングリコールエチルエーテル アセテート　　　　　　　　　　　　　　　　　７６．
７ビスビリジルエチレン染料２．４ フォトレジストのボトム層は次の耐酸を有する： ｗ／ｗ％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　２６．０
４−スルホン酸トリスエステル　　　　　　　３．０２
．６−ジメチロールｐ−クレゾール　　　　１．６プロ
ピレンクリコールモノメチルエーテルアセテート７２．
７ このボトム層フォトレジストを用いて、シリコーンウェ
ハ’１ｒ２０［］０ｒｐｍでコーチインクシ次いで出口
のめけられた対流オープン中９０°Ｃで６０分間ソフト
−ベーキングする。オリールモデル（Ｏｒｅｌ　ｍｏｄ
ｅｌ）　８０８９露光ユニツトを用いて広幅帯フラッド
露光させる。適用量は３６５〜４３６　ｎｍの波長に関
してＯＡＩラジオメーターで測定して、１Ｑ　ｍＪ　７
ｃｍ”である。コーティングされたこのウェハを出口の
あけられた対流オープン中１２５℃で１５分間露光後ベ
ーキングする。ウェハを室昌に冷却した後、トップ層フ
ォトレジストを３００　Ｏｒｐｍでボトム増フォトレジ
スト上にコーティングし、次いで出口のめけられた対流
オープン中９０℃で６０分間ソフト−ベーキングする。

解像テストパターンを有するガラスフォトマスクを介し
てパーキン　エルマー２２０ミクラリン　アリナーを用
いて化学ｉ露光を適用する。

適用ｔは３６５〜４６６　ｎｍの波長のＯＡＪラジオメ
ーターで測定して２５　Ｑ　ｍＪ／ｃＩｎ２である。

わずかに攪拌しながら水酸化ナトリウムを含有する、１
：３の希釈度の水性−アルカリ性現像液中で９０秒の浸
漬モードでの露光されたウェハの現像後に、このウェハ
を脱イオン水ですすぎスピン乾燥させる。次にこのウエ
ノ・は１００００倍の拡大走査電子顕微鏡を用いて検査
する。トップ層を遇して２μｍシングルスペースおよび
それよシ大きな寸法が完全に開放されていることかはつ
きシと見られる。トップ画像は今やボトム層の作像のた
めのポータプル適合マスクとして使用できる。ボトム層
フォトレジストの化字巌波長は６００〜４００　ｎｍで
ある。このウェハを６１　ａ　ｎｍ狭幅帯状フィルタ−
を有するオプチカル　アプライド　ＩｎＣ，ディープ　
ＵＶモデル２９Ｄを用いてフラッド露光する。通用蓋は
５１０　ｎｍに集中した波長のＯＡＩラジオメーターで
測定して２０　Ｑ　ｍＪ／ｃ１１１”である。次いでこ
のウェハを、わずかに攪拌しなからテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシドを有する現像液中で１８０秒間の＆
漬モードで現像する。このウェハを直ちに脱イオン水で
すすぎ、スピン乾燥させる。このウェハを再び１０００
０倍拡大走査電子顕微鏡を用いて再び試験する。２μｍ
シングルスペースおよヒヨリ大きな寸法が完全に開放さ
れていることが明らかにみてとれる。

例　　６ トップ層フォトレジストは次の組成を有する：ｗ／ｗ％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　１２．６
生成物よりなる光増感剤　　　　　　　　　　４・１ビ
スビリゾルエチレン染Ｎ　　　　　　　　　　４．０ボ
トム層フォトレジストは次の組成を有する：ｗ／ｗ％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　２６．０
２．６−ジメチロールアークレゾール　　　　１．６ボ
トム層フォトレジストを用いて、シリコーンウェハが２
０００　ｒｐｍでコーティングし、次いで出口のあけら
れた対＋１４ｔオープン中で９０　’Ｃで３０分間ンフ
トペーキングする。オリールモテル（Ｏｒｉｅｌ　ｍｏ
ｃｌｅｌ）８０８９　Ｋ光ユニット全周いて広幅帯フラ
ッド露光を適用する。通用量は６６５〜４３６　ｎｍの
波長に関してＯＡＩラジオメーターで測定して、１（Ｊ
　ｍＪ／α２である。

このコーティングされたウエノ＼？出口のあけられた対
流オーブン中１２５℃で１５分間露光後ベーキングする
。ウェハを室温に冷＃Ｊした後、トップ層フォトレジス
トを３００　Ｏｒｐｍでボトム層フォトレジスト上にコ
ーティングし、次いで出口のめけられた対流オーブン中
９０°Ｃで６０分間ンフトーベーキングする。

解像テストパターンを有するガラスフォトマスクに介し
てパーキン　エルマー２２０ミクラリン　アリナーを用
いて化学ａ露光をする。適用量は６６５〜４６６　ｎｍ
の波長の○ＡＩラジオメーターで測定して２５０　ｍＪ
／ｌがである。

わずかに攪拌しながら水酸化ナトリウムを含有する、１
：６の希釈度の水性−アルカリ性現像液中で６０秒の浸
漬モードでの露光されたウェハの現像後に、このウェハ
を脱イオン水ですスキ、スピン乾燥させる。次いでこの
ウェハを１００００倍の拡大走査電子顕微銃を用いて検
査する。トップノーを通して２μｍシングルスペースお
よびそれよシ大きな寸法が完全に開放さ層 れていることかはつきシと見られる。トップＩＷ（ｒＬ
今ヤｅ　）ム鳩の作像のためのポータプル適合マスクと
して使用することができる。ボトム鳩フォトレジストの
化学祿鼓長は６００〜４００ｎｍでめる。このウェハｔ
６１０ｎｍ狭匍帝状フィルター？有するオノチカル　ア
プライドＩｒ１Ｃ、ディープ　［ＪＶモデル２９Ｄを用
いてフラッド露光する。通用量は、Ｓ１１］ｎｍＫ果中
した波長のＯＡＩラジオメーターで測定して６［１０ｍ
Ｊ／ｃＩｎ２である。次めで、このウェハをわずかに攪
拌しなからテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを有
する２：１の希釈度の現像液中で１８０秒間の浸漬モー
ドで現像させる。このウェハを直ちに脱イオン水ですす
ぎ、スピン乾燥させる。

このウェハを再び１００００倍拡大走査電子顕微鏡を用
いて再び試験する。２μｍシングルスペースおまひより
大きな寸法が完全に開放されていることが明らか〆こみ
てとれる。

例　　４ 米国％對第４５８８６７０号明細畳に記載されたトラｆ
層フォトレジストは次の組成を有する： ｗ／ｗ％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　１４．７
４．４′−ビスピリジルエチレン染料２．０フオトレジ
ストのボトム層は次の組成を有する： Ｗ／Ｗチ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　２６．０
ボトム層フォトレゾストを用いて、シリコー／ウェハを
２００　Ｏｒｐｍでコーティングし、次いで出口のめけ
られた対流オーブン中で９０°Ｃで６０分間ンフトベー
キングする。このコーチ１ングされたウェハを再び出口
のあけられた対流オープン中１００℃で１０分間ベーキ
ングする。ウェハを菟温まで冷却した後、トップ層フォ
トレジストｋ　２００　Ｏｒｐｍでボトムノーフォトレ
ジスト上に塗布し、次いで出口のあけられた対流オーブ
ン中９０℃で６０分間ソフト−ベーキングする。

解像テストパターンを有するガラスフォトマスクラ介シ
てバーギン　エルマー２２０ミクラリン　アリナーを用
いて化学線露光させる。適用量は６６５〜４３６　ｎｍ
の波長のＯＡＩラジオメーターで測定して１７５　ｍＪ
　７ｃｍ”である。

わずかに攪拌しながら水酸化ナトリウムを含有する、１
：６の希釈度の水性−アルカリ性現像液中で７０秒の浸
漬モードでの露光みれたウェハの現像後に、このウニノ
１を脱イオン水ですすぎ、スピン乾燥させる。次いでこ
のウニノーを１００００倍の拡犬走量電子顕微鏡を用い
て検量する。トップ層を通して２μｍシングルスペース
およびそれよシ大きな寸法が完全に開放されていること
かはつきシと見られる。トップ画像は今やボトム層の作
像のためのボータプル適合マスクとして使用できる。ボ
トム層フォトレジストの化学線波長は６００〜４００　
ｎｍである。このウェハを３１０　ｎｍ狭幅帯状フィル
ター？有するオプチカル　アプライド　ＩｎＣ，ディー
プ　ＵＶモデル（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｉ
ｎｃ、　ｄｅｅｐＵＶ　ｍｏｄｅｌ）　２９　Ｄを用い
てフラッド露光する。

適用量は３１０　ｎｍに集中した波長のＯＡエラジオメ
ーターで測定して１５０　ｍＪ／ｃＩｎ２である。

次いで、このウェハを、わずかに攪拌しながら６０秒間
の浸漬モードでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
を有する２：１の希釈度の現像液中で現像する。このウ
ェハを直ちに脱イオン水ですすぎ、スピン乾燥させる。

このウェハを再びｉ　ｏｏｏｏ倍拡大走食篭子顕微鏡を
用いて得び試験する。２μｍジノグルスペースおよびよ
シ大きな寸法が完全に開放されていることが明らかにみ
てとれる。

例　　５ 米国％粁第４５８８６７０号明細誉に記載されたトップ
層フォトレジストは次の組成を有する： ｗ／ｗ％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　１４．７４
．４′−ビスピリジルエチレン染料２．０リスエステル
　　　　　　　　　　　　　　　６．７プロピレングリ
コールモノメチルエー テルアセテート７９．６ フォトレジストのボトム層は次の組成を有する： ｗ／ｗ％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　２３．０
シノール３２５樹脂（ＡｍｅｚｉｃａｎＣｙａｎａｍｉ
ｄ）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　１．８プロピレングリコールモ
ノメチルエー テルアセテート　　　　　　　　　　　　　　７２．２
このボトム層フォトレジストを用いて、シリコーンウェ
ハ’ｆｔ：　２０　［１０ｒｐｍでコーチインクシ、次
いで出口のめけられた対流オープン中で９０℃で６０分
間ンフトベーキングする。オリールモデル８０８９露光
ユニツトを用いて広Ｉｌ！ｌ帯フラッド篇光を適用する
。適用量は３６５〜４３６ｎｍの波長に関してＯＡＩラ
ジオメーターで測定して、５ｍＪ／ｃＩｎ２である。こ
のコーティングされたウェハを出口のあけられた対流オ
ーブン中１００℃で１０分間露光後ベーキングする。ウ
ェハを室編まで冷却した後、トップ層フォトレジストｋ
　２００　Ｏｒｐｍでボトム層フォトレジスト上に塗布
し、次いで出口のりけられた対流オープン中９０′Ｃで
６０分間ソフト−ベーキングする。

解像テストパターンを有するガラスフォトマスク？介し
てバーキ／　エルマー２２０ミクラリン　アリナーを用
いて化学蕨嬉光する。通用量は６６５〜４３６　ｎｍの
波長のＯＡＩラジオメーターによシ測定して１７５　ｍ
Ｊ　７ｃｍ２である。

わずかに攪拌しながら、水酸化ナトリウムを含有する、
１：６の希釈度の水性−アルカリ性現像液中で７０秒の
浸漬モードでの露光されたウェハの現像後に、ウニ八全
脱イオン水ですすキ、スピン乾燥させる。次いでこのウ
ニノーを１００００倍の拡犬走介電子顕微鋭を用いて検
査する。トップ層を通して２μｍシングルスペースおよ
びそれよ少大きな寸法が完全に開放されていることがは
っきりと見られる。トップ画像は今やボトム層の作像の
ためのポータプル適合マスクとして使用できる。ボトム
層フォトレジストの化学線波長￥１６００〜４００　ｆ
ｌｍである。ウェハを、３１０ｎｍ狭幅帯状フィルター
を有するオプチカル　アプライド　１’ＪＩＣ，ディー
ジ　ＵＶモデル２９Ｄを用いてフラッド露光させる。適
）＋Ｕｆは６１０ｎｍに集中した波長のＯＡエラジオメ
ーターで測定した２０口ｍＪ／Ｃ７ｎ２でめる。次いで
、このウェハｔわずかに攪拌しながら、テトラメチルア
ンモニウムヒト・Ｊキシドを有する２：１の希釈度の現
１駅液中で５分間の浸漬モードで現像させる。このウェ
ハを直ちに脱イオン水ですすぎ、スピン乾燥させる。ウ
ェハを再び１００００倍拡大走葺電子細微鏡を用いて丹
び試験する。２μｍシングルスペースおよびより大きな
寸法が完全に開放されていることが明らかにみてとれる
。

例　　６ 米国特粁第４５８８６７０号明Ｍ書に記載されたトップ
層フォトレジストは次の組成を有する： ｗ／ｗ％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　１４．７
４　、４’−ビスピリジルエチレン染料２．０エステル
　　　　　　　　　　　　　　　　　　６．７フォトレ
ゾストのボトム層は次の組成を有する： ｗ／ｗ％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　２６．０
エステル　　　　　　　　　　　　　　　　　６．０エ
ーテルアセテート　　　　　　　　　　　　７２．２ボ
トム増フオトレジストを用いて、シリコーンウェハｋ　
２００　Ｏｒｐｍでコーティングし、次いで出口のりけ
られた対流オーブン中で９０°Ｃで６０分間ソフトベー
キングする。オリールモデル８０８９露光ユニツトを用
いて広幅帯フラッド露光を適用する。適用址は３６５〜
４６６ａｍの波長に関するＯＡエラジ万万一−ター測定
して、５ｍＪ々２でるる。コーティングされたウェハを
出口のｔ！りけられた対流オーブン中１００°Ｃで１０
分分間光後ベーキノグする。こりウェハを峯温ｌで冷却
した俊に、トップ層フォトレジストｋ　２００　Ｏｒｐ
ｍでボトム増フォトレジスト上に塗布し、次いで出口の
めけられた対流オーブン中９０℃で３０分間ソフト−ベ
ーキングする。

解像テストパターンを有するガラスフォトマスクを介し
てパーキン　エルマー２２０　ミクラリン　アリナーを
用いて化学線露光する。適用貸は３６５〜４６６　ｎｍ
の波長のＯＡＩラジオメーターで測定して１７５　ｍＪ
　７ｃｍ２である。

わずかに攪拌しながら、水酸化ナトリウムを含有する、
１：３の希釈度の水性−アルカリ性現像液中で７０秒の
浸漬モー　ドでの露光されたウェハの現像後に、このウ
ェハを脱イオン水ですすぎ、スピン乾燥させる。次いで
このウェハｅ１ｏｏｏ、ｏ倍の拡大走査′祇子顕微続を
用いてｔｆｆｆする。トップ層を逍して２μｍシングル
スペースおよびそれより大きな寸法が完全に開放さ７し
ていることかはつさｐと児らｎる。トップ画像は今やｙ
トムノーの作像のためのホータプル適合マスクとして使
用できる。ボトム層フォトレジスト用の化学ｍＷ長は６
００〜４００　ｎｍでろる。ウェハを３１０　ｎｍ狭１
陥帝状フィルターに有するオノチカル　アプライド　Ｉ
ｎＣ，ディープ　ＵＶモデル２９Ｄ？ｒ：用いてフラッ
ド線光塾せる。通用量は６１０　ｎｍに集中した波長の
ＯＡＩラジオメーターで測定して２７０ｍＪ／ｃｆであ
る。次いでウェハを、わずかに攪拌しながラナトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシドを有する２：１の希釈度の
現像液中で６０秒間の浸漬モードで現像させる。こりウ
ェハを直ちに脱イ万ン水ですすぎ、スピン乾燥させる。

このウェハを丹び１００００倍拡大走葺冨子細微鯨を用
いて試験する。２μｍシングルスペースおよびよシ大き
な寸法が完全に開放されていることか明らかにみてとれ
る。

例　　７ トップ層フォトレジストは次の組成を有する：ｗ／ｗ％ クレゾールノボラック切崩　　　　　　　　１５・７２
．３．４−トリヒドロキシベンゾフエ合生成物よりなる
光増感剤　　　　　　　　　５．２エチレンクリコール
エチルエーテル アセテ−）　　　　　　　　　　　　　　　　　　７６
．７ビスビリジルエチレン９Ｎ　　　　　　　　　　２
・４ボトム層フォトレジストは次の組成を有する：ｗ／
ｗ％ クレゾールノボラック樹脂　　　　　　　　　２６．１
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７
２．０ ２　＋　３＋　４−　）　！Ｊヒドロギシベンゾフエノ
ン、！＝１．２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホニルクロリドおよび 金物との縮合生成物　　　　　　　　　　　　３．０ジ
メチロールｐ−クレゾール　　　　　　　　１．０ボト
ムノーフオトレジストを用いて、シリコーンウェハを２
０００　ｒｐｍでコーティングし、次いで出口のめけら
れた対匠λ−プ／中で９０℃で３０分間ソフトベベーキ
ングる。万リールモデル（Ｏｒｉｅｌ　ｍｏｄｅｌ）　
８０８９１ｇ光ユニツトを用いて広１ＷＡＶ７フラツド
嬉光を適用する。通用量は６６５〜４３６　ｎｍの波長
に関するＯＡＩラジオメーターで測定して、３０ｍＪ／
ｃＩｎ２である。

このコーティングされたウェハを出口のろけらｎたＸ町
流オーブン中１２０℃で１５分間露光後ベーキングする
。このウェハを室温まで冷却した後、トップ層フォトレ
ジストを２０００　ｒｐｍでボトム鳩フＡトレジスト上
に塗布し、次いで出口のあけられた対流オーブン中９０
℃で６０分間ソフト−ベーキングする。

解像テストパターンを有するガラスフォトマスクを介し
てＴＦ（Ｅ　Ｃ１−ラインステッパー（Ｓ　ｔｅｐｐｅ
ｒ）を用いて化字勝露光する。適用量は６００　ｍＪ／
ｃ１ｎ２である。

わずかに撹拌しなから、水酸化ナトリウムを含有する１
：６の希釈度の水性−アルカリ性現像液中で９０秒の浸
漬モードでの露光されたウェハの現像後に、ウェハを脱
イオン水ですすぎスピン乾燥させる。欠いてこのウェハ
’ｋ　１００００倍の拡大走査電子顕倣暁を用いて検査
する。トップノーを通して２μｍシングルスペースおよ
びそれよ）大きな寸法が完全に開放されていることかは
つきシと見られる。トップ画像は今やボトムＩ−の作像
のためのポータプル適合マスクとして使用できる。ボト
ム層フォトレジスト用の化学線波長は３００〜４００　
ｎｍである。ウェハを３１０　ｎｍ狭幅帯状フィルター
を有するオノチカル　アプライド　ＩｎＣ，ディープ　
ＵＶモデル２９Ｄを用いてフラッド露光させる。

逼用楡は３１０　ｎｍに集中した波長のＯＡＩラジオメ
ーノーで測定して１２０　ｍＪ／ｃＩｎ２で塾る。

次いでウェハを、わずかに攪拌しなから５：１の割合で
水で希釈されたテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
よりなる現１＆！液中で１８０秒間の浸漬モードで現像
させる。このウェハを直ちに脱イオン水ですすぎ、スピ
ン乾燥ちせる。

このウェハを再ひｉ　ｏｏｏｏ倍拡大走査電子顕倣競ヲ
用いて試験する。２μｍシングルスペースふ・よびよシ
大きな寸法が完全に開放されていることが明らかにみて
とれる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ポジチブ作用写真エレメントを製造するために、 ａ）次の組成： 組成物の固体分の重量に対して、 ｉ）式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 〔式中Ｒ＿１は１，２−ベンゾキノン−２−ジアジド−
   ４−スルホニル、１，２−ナフトキノン−２−ジアジド
   −４−スルホニル又は １，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホニル
   であり、Ｒ＿２はＨ、Ｒ＿４、ＯＲ＿３又は▲数式、化
   学式、表等があります▼であり、Ｒ＿３はＨ、アルキル
   、アリール、アラルキル又はＲ＿１であり、Ｒ＿４はア
   ルキル、アリール又はアラルキルである〕を有する感光
   性化合物 約１〜２５％ ｉｉ）ノボラック及び／又はポリビニルフェノール樹脂 約７５〜９９％ ｉｉｉ）ジアジドが化学線に露呈される際に発生する酸
   の量及び濃度の存在で、（ｄ）工程の加熱条件の通用下
   に前記樹脂を架橋することのできる架橋化合物 約０．５〜２０％ 及び ｉｖ）前記組成成分を溶かすのに充分な量の浴剤 より成る第１感光性組成物を形成し、 ｂ）前記の第１感光性組成物を適当な基板上にコーティ
   ングし、 ｃ）前記のコーティングされた基板を約２０〜１００℃
   の温度で、前記浴剤を乾燥除去して、これに非粘着性を
   与えるのに充分な時間熱処理し、 ｄ）前記組成物を全体的に充分な化学線に画像なしで露
   呈し、前記組成物を充分に加熱して部分的に架橋させ、
   その間実質的にその感光性を保持し、 ｅ）前記の第１感光性組成物に、ｏ−キノンジアジド及
   びノボラック及び／又はポリビニルフェノール樹脂より
   成る第２感光性組成物でコーティングし（ここで、前記
   の第１感光性組成物と第２感光性組成物とは、実質的に
   異なる波長の紫外線に対して反応性である）、ｆ）前記
   第２感光性組成物を画像に応じて化学線に露呈し、現像
   してイメージマスクを形成させ、 ｇ）前記第１感光性組成物を前記イメージマスクを通し
   て化学線に露呈し、現像して前記第１感光性組成物の露
   呈部分を除去する ことを特徴とするポジチブ作用写真エレメントの製法。 ２、第１感光性組成物中の光増感剤は２，３，４−トリ
   ヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノン−２
   −ジアジド−４−スルホン酸トリスエステルである、特
   許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、架橋剤はジメチロールパラクレゾールである、特許
   請求の範囲第１項記載の方法。 ４、架橋剤は、メチルメトキシジフェニルエーテルであ
   る、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５、架橋剤はメラミンホルムアルデヒド化合物又はその
   アルキル化された任意の縁縁体である、特許請求の範囲
   第１項記載の方法。 ６、架橋剤はレゾール樹脂又はエポキシクレゾールノボ
   ラック樹脂である、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ７、第１感光性組成物中の溶剤は、プロピレングリコー
   ルアルキルエーテルアセテートより成る、特許請求の範
   囲第１項記載の方法。 ８、基板は、シリコン、アルミニウム又はポリマー樹脂
   、二酸化珪素、ドーピングされた二酸化珪素、窒化珪素
   、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミック及びアルミ
   ニウム／銅混合物よりなる群から選択されている、特許
   請求の範囲第１項記載の方法。 ９、第１及び第２感光性組成物の各々は、更に、着色剤
   、染料、細条防止剤、溶剤、レベリング剤、可塑剤、付
   着促進剤、速度増加剤及び界面活性剤よりなる群から選
   択した１種以上の化合物を含有する、特許請求の範囲第
   １項記載の方法。 １０、現像剤はアルカリ水溶液である、特許請求の範囲
   第１項記載の方法。 １１、現像剤は水酸化ナトリウム及び／又はテトラメチ
   ルアンモニウムヒドロキシドである、特許請求の範囲第
   １０項記載の方法。 １２、樹脂はノボラックであり、架橋剤はジメチロール
   パラクレゾールより成り、（ｄ）の露光工程は、約５ｍ
   Ｊ／ｃｍ＾２〜４０ｍＪ／ｃｍ＾２であり、（ｄ）の熱
   処理工程は約９０〜１６０℃の温度で実施し、現像剤は
   水酸化ナトリウム及び／又はテトラメチルアンモニウム
   ヒドロキシドの水溶液より成る、特許請求の範囲第１項
   記載の方法。 １３、樹脂はノボラックであり、架橋剤はジメチロール
   パラクレゾールより成り、（ｄ）の露光工程は約５ｍＪ
   ／ｃｍ＾２〜４０ｍＪ／ｃｍ＾２であり、（ｄ）の熱処
   理工程は約９０〜１６０℃の温度で実施し、現像剤は水
   酸化ナトリウム及び／又はテトラメチルアンモニウムヒ
   ドロキシドの水溶液である、特許請求の範囲第２項記載
   の方法。 １４、（ｄ）工程中の組成物を化学線に露呈しない、特
   許請求の範囲第１項記載の方法。 １５、ポジチブ作用写真エレメントを製造するために、 ａ）次の組成： ｉ）一般式II、III又はIV： ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中Ｒ＿ＡはＨ、−Ｘ−Ｒ＿ｂ又は▲数式、化学式、
   表等があります▼であり、ＸはＣ−Ｃ−単結合、−Ｏ−
   、−Ｓ−、−ＳＯ＿２−、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼であり、ｎは１又は
   ２であり、Ｒ＿ａはＨ、−ＯＨ、−ＯＹ、−ＯＺ、ハロ
   ゲン、低級アルキルであり、少なくとも１個のＲ＿ａ基
   は−ＯＹであり、その少なくとも１個は−ＯＺであり、
   Ｒ＿ｂはＨ、アルキル、アリール、置換アルキル又は置
   換アリールである〕、 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 〔式中Ｒ＿ＢはＨ又は▲数式、化学式、表等があります
   ▼であり、 Ｒ＿ＣはＨ、−ＯＨ、−ＯＹ又は−ＯＺであり、Ｒ＿Ｃ
   基の少なくとも１個は−ＯＹであり、その少なくとも１
   個は−ＯＺである〕または ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 〔式中Ｒ＿ＣはＨ、アルキル、アリール、置換アルキル
   又は置換アリールであり、Ｒ＿ｄは−ＯＨ、−ＯＹ又は
   −ＯＺであり、Ｒ＿ｄ基の少なくとも１個は−ＯＹであ
   り、その少なくとも１個は−ＯＺであり、Ｙは１，２−
   ナフトキノンジアジド−４−スルホニルであり、Ｚは１
   ，２−ナフトキノン−ジアジド−５−スルホニル又は−
   Ｗ−Ｒ＿５であり、Ｗは ▲数式、化学式、表等があります▼又は−ＳＯ＿２−で
   あり、Ｒ＿５にアルキル、アリール、置換アルキル又は
   置換アリールである〕で表わされる感光性化合物約１〜
   ２５％（組成物の固体分の重量に対して） ｉｉ）ノボラック及び／又はポリビニルフェノール樹脂
   約７５〜９９％ （組成物の固体分の重量に対して） ｉｉｉ）ジアジドを化学線に露呈する際に、発生する酸
   の量又は濃度の存在で（ｄ）工程の熱処理条件の適用下
   に前記樹脂を架橋することのできる架橋化合物約０．５
   〜２０％ （組成物の固体分の重量に対して） 及び ｉｖ）前記組成物を溶かすのに充分な量の溶剤 より成る第１感光性組成物を形成し、 ｂ）この第１組成物を適当な基板上にコーティングし、 ｃ）このコーティングされた基板を約２０〜１００℃の
   温度で、前記溶剤が乾燥除去されて、これに非粘着性を
   与えるのに充分な時間熱処理し、 ｄ）前記組成物を画像なしで全体的に充分な化学線に露
   呈し、前記組成物を充分加熱して部分的に架橋させ、そ
   の間実質的にその 感光性を保持し、 ｅ）前記の第１感光組成物にｏ−キノンジアジド及びノ
   ボラック及び／又はポリビニルフェノール樹脂よりなる
   第２感光組成物をコーティングし（ここで前記第１感光
   組成物及び第２感光組成物は実質的に異なる波長での紫
   外線に対し反応性であり）、 ｆ）前記第２感光組成物を画像に応じて化学線に露呈し
   、現像してイメージマスクを形成させ、 ｇ）前記の第１感光性組成物を前記イメージマスクを通
   して化学線に露呈し、現像して前記第１感光性組成物の
   露呈部分を除去する ことを特徴とする、ポジチブ作用写真エレメントの製法
   。