JPH01276131A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は特定のアルカリ可饅性ノボラック樹脂と１．！
−キノンジアジド化合物とからなる、紫外線、遠紫外線
、Ｘ？ｆＭ、電子線、分子線、ｒ線、ジンクロトロン放
射線等の輻射線に感応するポジ型フォトレジスト組成物
であり、Ｆｊｌｌ像力、感度、耐熱性、現像性に優れ次
微細加工用フォトレジスト組成物に関するものである。

本発明によるポジ型フォトレジストは牛４体’７エハー
、またはカラス、セラミックス、金属等の基板上にスピ
ン塗布法またはローラー塗布法で０゜３〜３μｍの厚み
に塗布される。その後、加熱、乾燥し、′ｊａ、元マス
クを介して回路、ｅターン等ケ紫外線照射などにより焼
き付け、現像してポジ画像が得られる。更にこのポジｌ
ａ像全マスクとしてエツチングする事により基板にパタ
ーン状の加工を施す事ができる。代表的な応用分野はＩ
Ｃなどの半導体製造工程、液晶、サーマルヘッドなどの
回ｗｒ基板の製造、史にその他の７オトフアプリケーシ
ヨンエ程である。

〈従来技術〉 ポジ型フォトレジスト組成物としては、一般にアルカリ
可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化合
物とを含む組成物が用いられている。例えば、［ノボラ
ック型フェノール側脂／ナフトキノンジアジドを撲化合
物」として（ＪＳＰ−３Ａ６６弘７３号、ＵＳＰ−≠／
ｉＪ１，２１／号及びＵＳＰ４−／７３≠７０号等に、
また最も典型的な組成物として［クレゾール−ホルムア
ルデヒドより成るノボラ°ンク衛月旨／トリヒドロキン
ヘンシフエノン−７、／−ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸エステル」の例がトンプソン「イントロダクション
・トワー・マイクロリソグラフィー」（Ｌ、Ｆ、Ｔｈｏ
ｍｐｓｏｎ　［１ｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　ｔ。

ＭｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙＪ　）　　（ＡＣ８
出版、屑１）７号、ｐ／　１，！〜／２／）に記載され
ている。

結合剤としての７ポラツク樹脂は、１彫潤することなく
アルカリ水溶液にｄｗ＃可能であり、また生成した画像
をエツチングのマスクとして使用する際に待にプラズマ
エツチングに対して篩い耐性ケ与えるが故に本用途に特
に有用である。また、感光物に用いるナフトキノンジア
ジド化合物は、それ自身ノボラック樹脂のアルカリ溶解
性を低下せしめる溶解阻止剤として作用するが、光照射
を受けて分解するとアルカリ可溶性物質を生じてむしろ
ノボラック樹脂のアルカリ浴解度を高める働きケする点
で特異であり、この元に対する大きな性質変化の故にポ
ジ型フォトレジストの感光物として特に有用である。

これまで、かかる観点からノボラック但（脂とナフトキ
ノンジアジド系感光物？含有する叙多くのポジ型フォト
レジストが開発、実用化され、／。

５μｍ　−，２μｍ程度までの線幅加工に於ては光分な
成果をおきめてきた。

〈本発明が解決しようとする問題点〉 しかし、累積回路はその累積度を益々烏めており、超Ｌ
ＳＩなどの半導体基板の製造に於ては７μｍ以下の線幅
から成る超微細パターンの加工が必要とされる様になっ
てきている。かかる用途に於ては、特に高い解像力、露
光マスクの形状を正確に岑しとる高い、ｅターン形状再
現Ｎ度及び高生産性の観点からの高感度を有するフォト
レジストが要求されている。

また、集積回路の集積度を高めるために、エツチング方
式が従来のウェットエツチング方式からドライエツチン
グ方式に移行しているが、ドライエツチングの際にはレ
ジストの温度が上昇するため熱変形等奮起こさないよう
、レジストには尚い耐熱性が要求されている。レジスト
の耐熱性’に改善するために重量平均分子量が２０００
以下の成分金倉まない樹脂音用いる（特開昭Ａ０−７７
３≠７）こと、及びモノマーからトリマーまでの含量合
計が１０重ｔ％以下の樹ＪＩｌｉｒ金用いる（％開昭６
０−／ざり７３り）ことが公開されている。ところが、
上記の低分子量成分を除去あるいは減少させ友樹脂を用
いた場合、通常、感度が低下し、さらにシリコン基板に
対する密着性が悪化するという欠点を有していた。

一方、現像によって本来除去されるべき耳元部が十分除
去されずにわずかに残渣が生じたり、未露光部の微細な
レジストパターンの表１−はがれが生じた場合には、現
像不良が起こる３、この現像不良のあるレジストパター
ンを有する基板をエツチングすると、本来エツチングさ
れるべき箇所がエツチングされないことになり、その結
果１枚のウェハー内での全チップ数に対する不良チップ
の割合が鍋まる。また特にパターンの間にこのような残
渣が生すると実質的な解像力が低下することになり、机
像不艮盆起こさないレジストが同時に要求されてき九が
、これらの要求に対して、従来のポジ型フォトレジスト
では十分対応できないのが笑１＃である。

従って、本発明の目的は、特に半導体デバイスの装造に
おいて、 第一に１４光部でのレジスト残渣及びスカム金主じない
ポジ型フォトレジストｆ４１ＪｊＸ物？提供することに
ある。

第二に高い解像カケ有するポジ型フォトレジスト組成物
を提供することにめる。

第三に高感度で、耐熱性に優れ次レジスト像が得うれる
ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。

〈問題点を解決するための手段〉 本発明者等は、上記緒特性に留意し、鋭意検討しり結果
、キノンジアジド化＠９勿及びアルカリ町浴性ノボラッ
ク樹脂會含むポジ型感光性（創面組成’ａｖｃおいて、
該ノボラック樹脂のダイマー言置がＯｆｆの範囲になる
ようコントロールすることにより現像不良を無くシ、茜
″Ｍ１水力紮得るのにＡ相であること紮見いだし本発明
ケなすにいたった。

史に、本発明者等に、該特定なノボラック切崩に特定な
キノンジアジド化＠物ケ配合するとこの効果が特に顕著
であることを見いだした。

卵ち、本発明の目的は、 キノンジアジド化合物及びアルカリ０′Ｔ溶性ノボラッ
ク樹脂ケ含む感光性樹脂組成物にふ′いて、該アルカリ
０ＪｉＷ性ノホ゛う′ンク倒月旨に含有されるダイマー
ｔがノボラック樹月旨の−〜り重１ｔ％の範囲であるこ
と？特徴とするポジ型フォトレジスト組成吻により−ｉ
！成された。

以下に本発明の詳細な説明する。

本発明に用いるカルカリ可溶性／ホラツク倒脂は、フェ
ノール類１モルに対してアルデヒド類０゜ｊ〜７．０モ
ルを酸性触媒下付加縮合した後、ダイマー成分を一部除
去することによって得られる。

フェノール類トしては、フエ／−ル、ｍ−クロルフェノ
ール、ｐ−りａルフェノール、０−りａルフエ／−ル、
ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、０−クレゾール、エ
チルフェノール、キシレノール、レゾルシノール、ナフ
トール等’ｉｓ独または、２ｏ１以上の組み合わせで使
用することができる。

また、アルデヒド類としては、ポルムアルデヒド、パラ
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、フルフラール等
を、酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシュ
ウ酸等全使用することができる。

こうして得られ九ノボラック樹脂の重量平均分子Ｍｉｄ
、２０００〜３００００の範囲であることが好ましい。

２ｏｏｏ未満では未露光部の現像後の膜減りが太き（，
３００００’５（越えると現像速度が小さくなってしま
う。特に好適なのは６ｏ。

Ｏ〜、２ｏｏｏｏの範囲である。

ここで、重量平均分子量はゲルパーミェーションクロマ
トグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される
。

ダイマー成分を調整する方法としては、例えば、常法に
従ってノボラック樹脂金＠成した後メタノール、エタノ
ール、アセトン、メチルエチルケトン、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン等の極性溶媒に溶解し、次いで水又は
水−極性俗媒混合物に入れて［ａ（脂分を沈澱させる方
法がある。別の方法としては、アルカリ可溶性側面の合
成の際、所定時間反応波、通常は／ｊＯ℃〜２００℃で
減圧留去を行って水、未反応の七ツマ−、ホルムアルデ
ヒド、シュウ酸を除いているのに対し、−３０℃以上、
好ましくは２３０℃以上で１０ｍｍＪ−１ｇ以下の減圧
留去全行うことにより、ダイマー成分を効率良く留去す
ることができる。

本発明で用いるノボラック樹脂のダイマー含１は樹脂全
体の２〜り重ｔ％の軸回にあり、史に好ましくは２〜６
重債チの範囲にある。夕”イマーの含憤が少ない方が現
像不良をなくシ、解像カゲ尚める上で好ましいが、２９
ｂ未満に減少させるとアルカリ水溶液への溶解性が悪化
して感度が低下するのみならず、本発明の主目的の一つ
である解像力も低下してしまう。更にシリコン基板との
密層性が悪くなるという欠点を生じ、好ましくない。

ダイマー含−冴がなせフォトレジストの解（１カー？現
像性と関係するのかは定かではないが、ノボラック樹脂
中の他の低分子量成分、即ち残存モノマーやトリマーの
ｔ全調節しても同様な効果は得られないことから、これ
はダイマーに特有な効果であるものと推定される。

本発明の効果を発現する上で、ノボラック樹脂の原料と
なるフェノール性化合物は既述のようにその棟頽ヲ問わ
ないが、その取分の一つにｐ−クレゾールが含まれてい
ることが好ましい。

本発明に用いられるｌ、！−キノンジアジド化合物とし
ては、ｌ、２−ナフトキノンジアジド−ｊ−スルホンＭ
、１，、！−ナフトキノンジアジドーグ＝スルホン醒或
いは／１．２−ベンゾキノンジアジド−≠−スルホン酸
とポリヒトミキシ芳香族化合物とのエステルが用いられ
る。

該ポリヒトＯキシ芳香族化合物としては、例えば！、３
，４Ｌ−トリヒドロキシベンゾフェノン、！、≠、≠′
−トリヒドロキシヘンシフエノン１．２，４Ｚ、、４−
トリヒドロキンヘンシフエノン、！。

３．１．≠′−テトラヒドロキシベンゾフェノン１．２
．．２’　　、４Ｃ，ｌ−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノン、２．’ｌ−、６．３’　　、≠′　、ｊ′−へキ
サヒト０キシベンゾフエノン、２．３．４Ｌ、３’　　
。

≠′　、ｊ′−へキサヒドロキシベンゾフェノン、等の
ポリヒト０キ７ペンゾフエノンｆＡ、２．３゜≠−トリ
ヒトａキシアセトフェノン、　２．ｊ、ＩＡ−トリヒト
０キシフエニルヘキシル々トン等のポリヒドロキシフェ
ニルアルキルケトン類、ビス（２，≠−ジヒドロキシフ
ェニル）メタン、ビス（２，３，ＩＩ−トリヒトＱキ／
フェニル）メタン、ビス（ｙ、４ｃｍジヒドＯキシフェ
ニル）ブａパン−１，等のビス（（ポリ）ヒトミキシフ
ェニル）アルカン類、３．≠、ｊ−トリヒドロキシ安息
香酸プロピル、　　３，４ｔ、Ｊ−トリヒトＯキシ安息
香酸フェニル等のポリヒドロキシ安息香１駿エステル類
、ビス（ｊ、３．ｌＡ−トリヒドロキシベンゾイル）メ
タン、ビス（２，３，≠−トリヒトＯキシベンゾイル）
ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシベンゾイル）アルカ
ンまたはビス（ポリヒドロキシベンゾイル）アリール類
、エナレンクリコールージ（３，ｊ−ジヒドロキシベン
ゾエート）等のアルキレンージ（ポリヒトミキシベンゾ
エート）類、３．！；、３’　　、Ｊ’　−ビフェニル
テトロール１．２．≠、ｄ′、弘′−ビフェニルテトロ
ール、λ。

≠、６．３’、！’−ビフェニルベントール、！。

≠、６．２′　、≠′　１６′−ビフェニルヘキソール
等のポリヒドロキシビフェニル類、≠、≠′　。

３′　、≠′−テトラヒドロキシー３．３．３’。

ｊ′−テトラメチルトリフェニルメタン、≠、≠′。

Ｊ’　　、３’　　、４”−ペンタヒトＯキシ−３，５
゜３’、３’−テトラメチルトリフェニルメタン、２．
３．≠＋　Ｊ　’　　１　ｊ　’　　１≠ｒ、３Ｎ　、
μ′−オクタヒトａキシー３．ｊ′−ジアセチルトリフ
ェニルメタン等のポリヒドロキシトリフェニルメタン類
、３，３．３’、３’−テトラメチル−７゜ｌ′−スピ
ロビーインダン−Ｊ、ｌ、、！’、Ａ’−子トロール、
３，３．３’　　、３’−テトラメチル−７，／′−ス
ピＯビーインダンーＪ　、　６，７゜ｊ’　　、Ａ’　
　、７’−へキソオール、３　、３　、３’。

３′−テトラメチル−／Ｉ／′−スピロビーインダンー
≠、ｊ、Ａ、４４’　　、４／　　＋６’−へキソオー
ル、３，３．３’　　、ｊ’−テトラメチル−／。

７′−スピロビインダンー≠、！、１．，３’　　、ｆ
り’。

７′−へキソオール等のポリヒドロキンスピロビーイン
ダン＠あるいはケルセチン、ルチン等のフラボノ色素類
等ケ用いることができる。

これらの中で待に１分子中に５個以上の芳香族水酸基を
有するポリヒドロキシ化合物の１，！−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルから成る感光剤を感光剤の一
部または全部に用いることによって、本発明の効果は一
層顕著となるのであって、このような態様がより好まし
い。

このようなポリヒドロキシ化合物の例としては前記の感
光剤例示化合物のうちペンタヒドロキシベンゾフェノン
類、ヘキサヒドロキンベンゾフェノン類、ビス（トリヒ
トＱキシフェニル）メタン類、ヒス（トリヒドロキシベ
ンゾイル）メタン類、及び同ベンゼン類、ビフェニルペ
ントール及び同ヘキソール類、ｋフタヒドロキシトリフ
ェニルメタン類、ヘキサヒトＯキシトリフェニルメタン
類、オクタヒドロキシトリフェニルメタン類、スピロビ
インダンへキンオール類、一部のフラボノ色素類などｔ
あげることができる。

本発明における感光物とアルカリ可ｍ性ノボラック樹脂
の使用比率は、ノボラック樹脂１００重を都に対し感光
？！１３〜／θ０重量部、好１しくは／θ〜ｔＯ＊を都
である。この使用比率が３重量部以下では残膜率が著し
く低下し、また７００重量部を超えると感度及び溶剤へ
の済屏性が低下する。

本発明には史に現像液への溶解促進のために、ポリヒド
ロキシ化合物を含有させることができる。

好ましいポリヒドロキシ化合物にはフェノール類、レゾ
ルシン、７０口グルシン、２，３．４ｔ−トリヒドロキ
シベンゾフェノン、２．３．≠、４ｔ’　−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、アセトン−ピロガロール縮合樹
脂、７０口グルシドなどが含まれる。

本発明の感光物及びアルカリ可溶性ノボラック樹脂を溶
解させる溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン等のケトン類、エチレンクリコールモノメチル
エーテル、エチレンクリコールモノエチルエーテル等の
アルコールエーテル類、ジオキサン、エチレングリコー
ルジメチルエーテル等のエーテル類、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソル
ブエステル類、酢ヤプチル、乳酸メチル、乳酸エチルな
どの脂肪酸エステル類、１，１，、２−トＩＪクロロエ
チレン等のハロゲン化炭化水素類、ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ−メチルビａリドン、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド等の高極性溶剤を例示することがで
きる。これら溶剤は単独で、あるいは複数の溶剤を混合
して使用することもできる。

本発明のポジ型フォトレジスト用組成物には、必要に応
じ染料、可塑剤、接着助剤及び界面活性剤等を配合する
ことができる。その具体例上挙げるならば、メチルバイ
オレット、クリスタルバイオレット、マラカイトグリー
ン等の染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フェノキ
シ樹脂、アルキッド樹脂等の可塑剤、ヘキサメチルジシ
ラザン、クロロメチルシラン等の接着助剤及びノニルフ
ェノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール、オクナル
７工ｌキシポリ（エチレンオキシ）エタノール等の界面
活性剤がある。

上記ポジ型フォトレジスト組成物を梢警集噴回路素子の
製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シ
リコン被覆）上にスピンナー、コーター等の過半な塗布
方法により塗布佐、所定のマスクｔｉＭｉして露光し、
現像することにより良好なレジストを得ることができる
。

本発明のポジ型フォトレジスト用組成物の現像液として
は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモ
ニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−ブａピ
ルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−
ブチルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミ
ン類、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド等の第≠級アンモニウ
ム堪、ビロール、ビベ＋）’）７８の環状アミン類等の
アルカリ類の水溶液′ｋｉ史用することができる。史に
、上記アルカリ類の水溶液にアルコール類、界面活性剤
を過当曖添加して使用することもできる。

〈発明の効果〉 本発明のポジ型フォトレジストは、ｗ４像力、現像性に
特に優れ露光部にスカム等の現像残渣を残さず、また優
れた耐熱性を有し、微細加工用７オトレジストとして好
適に用いられるものである。

〈実施例〉 以下、本発明ケ実施例に基づいて説明するが、これらに
限定されるものではない。なお、チは他に指定のない限
り重ｔチを示す。また、重量平均分子量及び七ツマ−、
ダイマー、もしくはトリマーの含量は矢の様にして測定
した。

ケルパーミェーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）ｉ
用い、≠θ℃、流速／ｍ／ｍｉｎ、Ｔ）ｉＦ′Ｆ６媒、
検出波長、２１２　ｎ　ｍ　Ｋ　テｆｆ１ｌｌ定１．ｆ
ｃ。

用いたカラムは東洋痩達工業製Ｔ　Ｓ　Ｋ　ｇ　ｅ　Ｉ
ＧＭＨＸＬ　、Ｕ４Ｌθ０θ）ｌｘＬ、Ｕ３０００Ｈｘ
Ｌ。

Ｇ２００θＨｘｘ、　ｋそれぞれ各／不ずつ接続し、単
分散ポリスチレンを標準とする重量平均分子１七算出し
た。

七ツマ−〜トリマーの金塗も同様の条件で測定、算出し
た。

実施例／〜３ （１１ノボラック樹脂ｔａｌの合成 ＋ｏ　−（Ｈ ｍ−クレゾール６０〕、ｐ−クレゾール≠０７．３７チ
ホルマリン水溶０３３９及びシュウ酸０゜／ｙ全三ツロ
フラスコに仕込み攪拌しながら７００℃まで昇温し、／
ｊ時間反応させた。その後温度ｆ、２００℃まで上げ徐
々にｊｍｍＨｇまで減圧にして、水、未反応のモノマー
、ホルムアルデヒド、シュウ酸等を留去した。次いで溶
融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂ケ室温に民して回
収した。

得られたノボラック樹脂は重量平均分子量／１０００（
ポリスチレンＩＦＮ）であり、モノマー、ダイマー、ト
リマーの含１は、各々０．３％、／３゜≠チ、６．７％
（計ｌθ、了優）であった。

（１１−（ｉｉｌ （１）−ｔ＋）で得られたノボラック樹脂２０ｙ？メタ
ノール６λノに完全に浴着しｆｃ＠、これに水！ざｙを
攪拌しながら徐々に加え樹脂分を沈殿させた。

上ｊ―ヲデカンテーションにより除去し沈殿した樹脂分
を回収し、≠０℃に加熱し減圧下で２≠時間乾燥させて
目的とするアルカリ可溶性／ボラック樹脂（ａｌｔ−得
た。得られたノボラック樹脂は重量平均分子量ｌ弘３０
０（ポリスチレン換１りであり、七ツマ−、ダイマー、
トリマーの含量は各々０％、７．０俤、≠、θ％（計／
／６０チ）であった。

（２）　　ノボラック樹脂（ｂｌの合成ｍ−クレゾール
ｌ１ｔ０ｙ１　ｐ−フレジーｋＡＯり、３７チホルマリ
ン水溶液４ｔ７）及びシュウ酸Ｏ０／９に三ツロフラス
コに仕込み、攪拌しなから１００℃まで！＋温し、ｌｊ
時間反応させた。その後温度を２３０″Ｇまで上げ徐々
に７　ｍｒｎＨｇ　′！で減圧にして、水、未反応のモ
ノマー、ホルムアルデヒド、シュウ酸、およびダイマー
成分等？留去した。

次いで溶融したアルカリ可溶性／ボラック樹脂を室温に
戻して回収した。得られたノボラック樹脂は重量平均分
子量７’７００（ポリスチレン換算）であり、七ツマ−
、ダイマー、トリマーの含量は各々０％、ｊｏ、２％、
ざ、１％（計７３．３％）であった。

（３）　　ノボラック樹脂（Ｃ１の＠成ｎ１−クレゾー
ル２！）、ｐ−フレジーｘＪＯｐ。

！、ｊ−キシレノール２ｒｙ、３７％ホルマリン水溶液
３３ノ及びシュウ酸０．／り全三ツロフラスコに仕込み
、攪拌しなから１００℃まで昇温し／ｊ時間反応させ友
。その後温度全２！；０℃まで上げ徐々に／ｍｍ）ｉｇ
まで減圧にして、水、未反応のモノマー、ホルムアルデ
ヒド、シュウ酸、およびダイマー成分等を留去した。次
いで溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂を室温に戻
して回収した。得られたノボラック樹脂は′ｌＫ量平均
分子量４ｔｇｏｏ（ポリスチレンｍＷ）であり、七ツマ
−、ダイマー、トリマーの含量は各々０．３％、ｊ。

タチ、７．０％（計／ｊ、μ％）であった。

（４）　　感光物の合成 ２．３．≠、弘′−テトラヒド口キシベンゾフエノンタ
、ｌ’、／１．２−ナフトキノンジアジド−ｊ−スルホ
ニルクロライド１ｇ、Ｏｙ及びアセトン、２７０肩ｌを
三ツロフラスコに仕込み、撹拌下均−に溶解した。次い
でトリエチルアミン／／。

／９に徐々に′＃Ｉ下し、室温下７時間反応させた。

反応終了後、内容？！ｌ′ｋ１％塩酸水溶液中に滴下し
、生じ友沈殿物を戸別し、メタノールで洗浄後乾燥して
ノ、３．≠、≠′−テトラヒドロキシベンゾフェノンの
エステル化合物を得友。

（５）　　ポジ型フォトレジスト組成吻の調製と評価（
４）で得られ友感光物１，３０ノ及び（１）〜（３）で
侍られ友ノボラック粒（脂（ａ）、（ｂｌ及びｔｅｌそ
れぞれ３Ｐケエチルセロソルブアセテー）／　ｊｌｌに
溶解し、０．２μｍのミクロフィルターを用いて濾過し
、フォトレジスト組成物を調製し友。このフォトレジス
ト組成物をスピンナー音用いてシリコンウェハーに塗布
し、窒素雰囲気下の対流オーブンで２０℃、３０分間乾
燥して膜厚１，３μｍのレジスト腺勿得た。この膜に縮
小投影露光装置を用い露光しり鎌、２．３１％のテトラ
メチルアンモニウムヒトミオキシド水溶液で１分間現像
し、３０秒間水洗して乾燥し友。このようにして得られ
たシリコンウェハーのレジストパターン金走査型寛子顕
微鏡で観察し、レジストを評価した。その結果全下記表
−７に示す。感ｆＶｉ２．０μｍのマスクパターンをｐ
＋境する露光量の逆数金もって定義し、比較例１の感度
の相対値で示した。解像力は一１０μｍのマスクパター
ンを再現するｌｔ元賃における限界解像力を表わす。耐
熱性はレジストがパターン形成されたシリコンウェハー
を対流オーブンで３０分間ベークし、そのパターンの変
形が起こらない温度を示した。現像性は、レジストパタ
ーンを走査型電子顕微鏡で観察し、露光部でのレジスト
残渣及びスカムの有無’Ｉ−Ｖ４べた。その結果をノボ
ラック樹脂（８１〜（ＣＩにつき、実施例／〜３として
表７に示した。

これかられかるように本発明のポジ型フォトレジストは
、解像力、耐熱性、規律性のいずれも優れていた。

表　　　／ ＊）密着性不良 実施例μ〜７ 上記１１）　（２＞で合成し次ノボラック団脂を用い、
下記表−−記載の各感光物を（４）と同様の方法で合成
し、（５）と同様にしてレジスト組成物音評価した。

その結果ヲ表７に示した。

これかられかるように本発明のポジ型フォトレジストは
解像力、耐熱性、現像性のいずれも漬れていた。

また特にこれらの実施例に於ては、実施例ノ、３との比
較で明らかなように、きわ立って浚れた解像力が得られ
ており、特足の感光剤との組み合わせが、本発明の効果
を更にきわ立たせるものである事が理解されよう。

−（１）と同様の方法で合成した。このノボラック１対
脂３１と上記（４）で得られた／ｆｅｃｊ’ｅ’ｍ／　
、　３０　ｙ　′ｋｘチルセａソルブアセテートｌｊＰ
に溶解し、実施例と同様にしてレジスト組成’＊を評価
した。その結果を表７に示し友。実施例に比奴し、感度
、屏ｉｌｌ力、耐熱性および現像性が劣るものであった
。

比較例３ 下記表３記載の７ボラツク樹脂（ｆ）を上１己（２）と
同様の方法で合成した。この際ダイマー留去時間を延長
することにより、ダイマー含ＩＣ０３％にまで減少させ
た。このノボラック樹脂３１と上記（４）で得られた感
光物７．３０夕をエチルセロソルブアセテート／３９に
溶解し、実施例と同様にしてレジスト組成物を評価した
。その結果ヲ表／に示した。実施例に比較し、Ｉｆ＆度
、解像力に劣り、パターンの密考性も悪いものであった
。

比較例≠ 比較例１で用いたノボラック樹脂ｊｐと実施例ｊで用い
た感光物７．３ノをエチルセａソルプアセテート／ｓｙ
Ｋｍ解し実施例と同様にしてレジスト組成物の評価をし
、結果を表７に示し次。

比較例ｊ 比較例λで用いにノボラック樹脂ｓｙと実施例６で用い
た感光物７．３１をエチルセａソルプアセテートｉｊ’
ｐに溶解し実施例と同様にしてレジスト組成物の評価を
し、結果を表７に示した。

これら比較例μ、ｊは、いずれも実施例に比べて解像力
、耐熱性、現像性が劣るものであった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、キノンジアジド化合物及びアルカリ可溶性ノボラッ
   ク樹脂を含む感光性樹脂組成物において、該アルカリ可
   溶性ノボラック樹脂に含有されるダイマー量がノボラッ
   ク樹脂の２〜９重量％の範囲であることを特徴とするポ
   ジ型フォトレジスト組成物。 ２、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂のダイマー量が２
   〜６％の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の
   ポジ型フォトレジスト組成物。 ３、該キノンジアジド化合物として、１分子内に５個以
   上の芳香族水酸基を有するポリヒドロキシ化合物の１，
   ２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを含有す
   ることを特徴とする請求項１に記載のポジ型フォトレジ
   スト組成物。