JPS6045238A - ポジ型レジスト材料とその製造方法 - Google Patents
ポジ型レジスト材料とその製造方法Info
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- JPS6045238A JPS6045238A JP15363783A JP15363783A JPS6045238A JP S6045238 A JPS6045238 A JP S6045238A JP 15363783 A JP15363783 A JP 15363783A JP 15363783 A JP15363783 A JP 15363783A JP S6045238 A JPS6045238 A JP S6045238A
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- JP
- Japan
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- alkali
- resin
- resist material
- soluble phenolic
- phenolic resin
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/06—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein with non-macromolecular additives
- G03C1/08—Sensitivity-increasing substances
- G03C1/10—Organic substances
- G03C1/12—Methine and polymethine dyes
- G03C1/22—Methine and polymethine dyes with an even number of CH groups
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１１発明の技術分野
本発明は、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線。
イオンビーム等の放射線を用いたリノグラフィ技術にお
いて使用されるレジスト材料に関する。更に詳しくは、
放射線の照射された部分がアルカリ性水溶液に可溶とな
るポジ型レジスト材料に関する。
いて使用されるレジスト材料に関する。更に詳しくは、
放射線の照射された部分がアルカリ性水溶液に可溶とな
るポジ型レジスト材料に関する。
（２） 技術の背景
これまでにポジ型レジストとしてアルカリ可溶性フェノ
ール樹脂にキノンジアジド化合物、ポリメチルペンテン
スルホン等のアルカリ溶解抑制御を添加した系が用いら
れていることは周知の事実して平均分子量が５０００の
ものを用いた例が報告されている。
ール樹脂にキノンジアジド化合物、ポリメチルペンテン
スルホン等のアルカリ溶解抑制御を添加した系が用いら
れていることは周知の事実して平均分子量が５０００の
ものを用いた例が報告されている。
（３）従来技術と問題点
従来アルカリ可溶性フェノール樹脂の分子量。
分散度によっては、形成したレジストパターンの表面が
凹凸となったりパターンエツジが荒れ、該レジストパタ
ーンをエツチング時のマスクとして用いることが困難で
あったり、所望のパターン精度が得られないという問題
があることが明らかになった。
凹凸となったりパターンエツジが荒れ、該レジストパタ
ーンをエツチング時のマスクとして用いることが困難で
あったり、所望のパターン精度が得られないという問題
があることが明らかになった。
（４）発明の目的
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決した信頼
性の高いポジ型レジスト材料を提供することにある。
性の高いポジ型レジスト材料を提供することにある。
（５）発明の構成
本発明は、
（１）アルカリ可溶性フェノール樹蹄と少なくとも１種
のアルカリ溶解 司ｊからなる４４翌にオん五佳社にお
いて、前記アルカリ可溶性フェノール樹脂の分子量分布
を表わす分散度（重量平均分子量／数平均分子量）が３
以下であることを特徴とするポジ型レジスト材料及び、 （２）前記分散度のアルカリ可溶性フェノール樹脂が分
別方により得られたことを特徴とするポジ型レジスト材
料により達成される。
のアルカリ溶解 司ｊからなる４４翌にオん五佳社にお
いて、前記アルカリ可溶性フェノール樹脂の分子量分布
を表わす分散度（重量平均分子量／数平均分子量）が３
以下であることを特徴とするポジ型レジスト材料及び、 （２）前記分散度のアルカリ可溶性フェノール樹脂が分
別方により得られたことを特徴とするポジ型レジスト材
料により達成される。
本発明は、前記目的を達成するため鋭意検討した結実用
いるアルカリ可溶性フェノール樹脂の分散度を狭くする
ことにより前記の問題が生じないことを見出しこれを応
用したものである。又そのための製造方法として分別法
が適することを見出したものである。
いるアルカリ可溶性フェノール樹脂の分散度を狭くする
ことにより前記の問題が生じないことを見出しこれを応
用したものである。又そのための製造方法として分別法
が適することを見出したものである。
本発明で用いることのできるアルカリ可溶性フェノール
樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、タレゾール
ノボランク樹脂、プロビルフェノールノボランク樹脂、
プチルフェノールノラソク樹脂、フェニルフェノールノ
ボラック樹脂、オワチルフェノールノボラック樹脂等の
各種置換基のついたフェノール誘導体からなるノボラッ
ク樹脂がある。又その平均分子量は３００〜２００００
が好ましい。
樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、タレゾール
ノボランク樹脂、プロビルフェノールノボランク樹脂、
プチルフェノールノラソク樹脂、フェニルフェノールノ
ボラック樹脂、オワチルフェノールノボラック樹脂等の
各種置換基のついたフェノール誘導体からなるノボラッ
ク樹脂がある。又その平均分子量は３００〜２００００
が好ましい。
３００より小では成膜性に劣る。
２００００より大ではアルカリ現像液に対する熔解性が
低下し、感度が悪くなる。
低下し、感度が悪くなる。
分別法としては、分別沈澱法あるいは分別溶解法いずれ
も用いることが可能である。
も用いることが可能である。
（６）発明の実施例
実施例１
ｍ−タレゾールノボラック樹脂（Ｍｎ＝４４０゜Ｍｗ＝
１９００．Ｍｗ／Ｍｎ＝４．３）３６ ｇをメチルエ
チルケトン４８０ｇに溶解し、これにシクロヘキサン１
５００ｍｌを加え、６０℃に加温後冷却して２０℃で２
０時間放置し沈澱した樹脂を乾燥し回収した。収量は９
．８ｇであった。この分別した樹脂の分子量１分散度は
、Ｍｒ＝１７００゜Ｍｗ＝４３００．Ｍｗ／Ｍｎが２．
５であった。次にこの分別した樹脂１ｇとビスフェノー
ルＡにナフトキノンシアシトを縮合させた化合物０．３
ｇをシクロへキサノン３．６ｇに熔解しレジスト溶液を
調製した。次にこのレジスト溶液をＳｌ基板上に滴下し
、スピンコード法により該基板上にレジスト膜を形成し
た。更にこの試料を８０℃、３０分間プリベイクした後
、加速電圧２０ＫＶの電子線を照射し、シプレー社製Ｍ
Ｆ３１２現像液を脱イオン水で希釈した現像液（ＭＦ３
１２／水−３／１）で現像し、レジストパターンを形成
した。レジストパターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
で比較のため分別しないものとのｒｎ−クレゾールノボ
ラック樹脂に同様にしてナフトキノンジアジド化合物を
添加し、電子線を照射し現像してレジストパターンを形
成し、ＳＥＭで観察したところパターン表面には、凹部
があり又エツジも荒れていることがわかった。
１９００．Ｍｗ／Ｍｎ＝４．３）３６ ｇをメチルエ
チルケトン４８０ｇに溶解し、これにシクロヘキサン１
５００ｍｌを加え、６０℃に加温後冷却して２０℃で２
０時間放置し沈澱した樹脂を乾燥し回収した。収量は９
．８ｇであった。この分別した樹脂の分子量１分散度は
、Ｍｒ＝１７００゜Ｍｗ＝４３００．Ｍｗ／Ｍｎが２．
５であった。次にこの分別した樹脂１ｇとビスフェノー
ルＡにナフトキノンシアシトを縮合させた化合物０．３
ｇをシクロへキサノン３．６ｇに熔解しレジスト溶液を
調製した。次にこのレジスト溶液をＳｌ基板上に滴下し
、スピンコード法により該基板上にレジスト膜を形成し
た。更にこの試料を８０℃、３０分間プリベイクした後
、加速電圧２０ＫＶの電子線を照射し、シプレー社製Ｍ
Ｆ３１２現像液を脱イオン水で希釈した現像液（ＭＦ３
１２／水−３／１）で現像し、レジストパターンを形成
した。レジストパターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
で比較のため分別しないものとのｒｎ−クレゾールノボ
ラック樹脂に同様にしてナフトキノンジアジド化合物を
添加し、電子線を照射し現像してレジストパターンを形
成し、ＳＥＭで観察したところパターン表面には、凹部
があり又エツジも荒れていることがわかった。
パターン表面の凹部の深さを大きい面積のパターンにつ
いて触針式表面あらさ計で測定したところ最 ２０００
人であることがわかった。なお、分別試料より形成した
パターンではその聚瓦悲司は 工 あらさ−七では測定
できなかった。
いて触針式表面あらさ計で測定したところ最 ２０００
人であることがわかった。なお、分別試料より形成した
パターンではその聚瓦悲司は 工 あらさ−七では測定
できなかった。
実施例２
″実施例１で用いた分別した試料及び分別していない試
料につき、実施例１と同様にしてレジスト膜を形成し、
紫外線を露光量３ ｍ Ｊ ／ ｃＪで照射し、レジス
トパターンを形成し、ＳＥＭで観察したところ、実施例
１と同様に分別して分散度を小さくした試料の方で平滑
な表面とエツジをもったパターンを形成できることがわ
かった。
料につき、実施例１と同様にしてレジスト膜を形成し、
紫外線を露光量３ ｍ Ｊ ／ ｃＪで照射し、レジス
トパターンを形成し、ＳＥＭで観察したところ、実施例
１と同様に分別して分散度を小さくした試料の方で平滑
な表面とエツジをもったパターンを形成できることがわ
かった。
実施例３
常法に従いＰ・フェニルフェノールとホルムアルデヒッ
ド水溶液からＰ−フェニルフェノールノボラック樹脂を
合成した。その分子量は、Ｍｎ−３５０、Ｍｗ＝６００
．Ｍｗ／Ｍｎ＝１．７であった。該樹脂１ｇとトリヒド
ロキンベンゾフエノンにナフトキノンジアジドを縮合さ
・Ｕた化合物０．２５ｇをシクロヘキサノン３．１．ｇ
に溶解しレジスト溶液を調製した。実施例１と同様にし
てＳｔ基板上にレジスト膜を形成し、電子線を用いてパ
ターンを描画し現像しレジストパターンを形成した。
ド水溶液からＰ−フェニルフェノールノボラック樹脂を
合成した。その分子量は、Ｍｎ−３５０、Ｍｗ＝６００
．Ｍｗ／Ｍｎ＝１．７であった。該樹脂１ｇとトリヒド
ロキンベンゾフエノンにナフトキノンジアジドを縮合さ
・Ｕた化合物０．２５ｇをシクロヘキサノン３．１．ｇ
に溶解しレジスト溶液を調製した。実施例１と同様にし
てＳｔ基板上にレジスト膜を形成し、電子線を用いてパ
ターンを描画し現像しレジストパターンを形成した。
但し現像液にはシブレー社ＭＦ ３１２／脱イオン水＝
２／１を用いた。ＳＥＭでレジストパターンを観察した
ところ、平滑な表面とエツジを有するパターンが形成さ
れていることが明らかになった。
２／１を用いた。ＳＥＭでレジストパターンを観察した
ところ、平滑な表面とエツジを有するパターンが形成さ
れていることが明らかになった。
（７） 発明の効果
本発明によれば平滑な表面とエツジを有した高品質のレ
ジストパターンを形成できるのでリングラフィ技術を用
いて製造する半導体集積回路等の歩留りが向上する効果
がある。
ジストパターンを形成できるのでリングラフィ技術を用
いて製造する半導体集積回路等の歩留りが向上する効果
がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 アルカリ可溶性フェノール樹脂と少なくとも１種
のアルカリ熔解抑制剤からなるポジ型レジスト材料にお
いて、前記アルカリ可溶性フェノール樹脂の分子量分布
をＩ表わす分子ｌ＆度（重量平均分子量／数平均分子量
）が３以下であることを特徴とするポジ型レジスト材料
。 ２、 前記分散度のアルカリ可溶性フェノール樹脂が分
別刃により得られたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のポジ型レジスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15363783A JPS6045238A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | ポジ型レジスト材料とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15363783A JPS6045238A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | ポジ型レジスト材料とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045238A true JPS6045238A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15566864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15363783A Pending JPS6045238A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | ポジ型レジスト材料とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045238A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60189739A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JPS62270951A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-25 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト用クレゾールノボラック樹脂 |
| JPS6343134A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS63271253A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-11-09 | Toppan Printing Co Ltd | 高解像度ポジ型放射線感応性レジスト |
| JPS63291052A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPS63291053A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH01276131A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| US5019479A (en) * | 1986-03-28 | 1991-05-28 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Positive type radiation-sensitive resin composition comprising a photosensitizer and a novolak resin |
| JPH03208055A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JPH04122938A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| US5132376A (en) * | 1989-09-08 | 1992-07-21 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Process for selective removal of dimeric species from phenolic polymers |
| US5151339A (en) * | 1989-09-08 | 1992-09-29 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Photoresist composition containing diazoquinone photosensitizer and novalak resin characterized by the complete and selective removal of dimeric species from the novolak resin |
| EP0786699A1 (en) | 1996-01-22 | 1997-07-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP15363783A patent/JPS6045238A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342657B2 (ja) * | 1984-03-09 | 1991-06-27 | ||
| JPS60189739A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| US5019479A (en) * | 1986-03-28 | 1991-05-28 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Positive type radiation-sensitive resin composition comprising a photosensitizer and a novolak resin |
| JPS62270951A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-25 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型フォトレジスト用クレゾールノボラック樹脂 |
| JPS6343134A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-24 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS63271253A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-11-09 | Toppan Printing Co Ltd | 高解像度ポジ型放射線感応性レジスト |
| JPS63291052A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPS63291053A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-28 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| JPH01276131A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| US5132376A (en) * | 1989-09-08 | 1992-07-21 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Process for selective removal of dimeric species from phenolic polymers |
| US5151339A (en) * | 1989-09-08 | 1992-09-29 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Photoresist composition containing diazoquinone photosensitizer and novalak resin characterized by the complete and selective removal of dimeric species from the novolak resin |
| JPH03208055A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JPH04122938A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| EP0786699A1 (en) | 1996-01-22 | 1997-07-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
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