JPS6017445A - 感光性物体 - Google Patents
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07J—STEROIDS
- C07J51/00—Normal steroids with unmodified cyclopenta(a)hydrophenanthrene skeleton not provided for in groups C07J1/00 - C07J43/00
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明t」、感光性物体(photosensitiv
e bodies)、とくにポジティブ画像を生ずる感
光性物体に関する。
e bodies)、とくにポジティブ画像を生ずる感
光性物体に関する。
感)°ら作物体tま半導体デバイスの製造を含む多くの
リンクラフイー(lithographic )プロセ
スに利用される。一般に、感光性物体は基板、たとえば
珪素ウェーハの上に適切に選ばれた感光性4J才’lを
被着させて製造される。広く用いられている4J刺の1
つとして、クレンール類とフォルムアルデヒドから作ら
れるようなノホラツク樹脂と、置換された0−ナフトキ
ノンシアシトのような不溶性の感光性抑制剤(phot
osensitive 1nhibitor )との物
理的温合物がある。ノボラック樹脂はアルカリ溶液に可
溶の点から選ばれる。抑制剤は、はじめの形はアルカリ
溶液に不溶であるが、化学作用のある放射線をうけて化
学反応を起して可溶性となるものが選ばれる。ノボラッ
ク樹脂と0−ナフトキノンシアシト抑fliII剤の場
合に、可視光照射をうけると、抑jl+tJ ?’il
lは窒素を脱離し、インデンカルボン酸を生成する。イ
ンデンカルホン酸および樹脂はともに塩基に可溶である
ため、照射された領域においては全混合物が可溶となる
。最終の画像はこの被照射領域全アルカリ性現像剤で処
理することによって形成される。
リンクラフイー(lithographic )プロセ
スに利用される。一般に、感光性物体は基板、たとえば
珪素ウェーハの上に適切に選ばれた感光性4J才’lを
被着させて製造される。広く用いられている4J刺の1
つとして、クレンール類とフォルムアルデヒドから作ら
れるようなノホラツク樹脂と、置換された0−ナフトキ
ノンシアシトのような不溶性の感光性抑制剤(phot
osensitive 1nhibitor )との物
理的温合物がある。ノボラック樹脂はアルカリ溶液に可
溶の点から選ばれる。抑制剤は、はじめの形はアルカリ
溶液に不溶であるが、化学作用のある放射線をうけて化
学反応を起して可溶性となるものが選ばれる。ノボラッ
ク樹脂と0−ナフトキノンシアシト抑fliII剤の場
合に、可視光照射をうけると、抑jl+tJ ?’il
lは窒素を脱離し、インデンカルボン酸を生成する。イ
ンデンカルホン酸および樹脂はともに塩基に可溶である
ため、照射された領域においては全混合物が可溶となる
。最終の画像はこの被照射領域全アルカリ性現像剤で処
理することによって形成される。
上に述べたこの感光材料は、きわめて有用ではあるが、
いくつかの欠点を持っている。
いくつかの欠点を持っている。
高い分解能が得られる可能性は、300nm 未満の波
長の紫外線放射のような短波長放射の使用によって与え
られる。しかしながら、ノボラック樹脂は光スペクトル
の紫外線領域のこの部分においては吸光性が大きい。し
たがって、露光のための充分な量の入射紫外線光がイΔ
イ;・1の厚さを通して底部に)FLi <のが本質的
K JQ1止−、a it、る。この月4山から、0.
5 ttrn より人きい厚さを4.1つに従来の感光
性物体にたいしては、300nrn Jニジ小さい波長
の紫外線照射によシそのノl、jさ全体にたた如露光さ
ぜるというのe↓実用的でシ、↓ない。
長の紫外線放射のような短波長放射の使用によって与え
られる。しかしながら、ノボラック樹脂は光スペクトル
の紫外線領域のこの部分においては吸光性が大きい。し
たがって、露光のための充分な量の入射紫外線光がイΔ
イ;・1の厚さを通して底部に)FLi <のが本質的
K JQ1止−、a it、る。この月4山から、0.
5 ttrn より人きい厚さを4.1つに従来の感光
性物体にたいしては、300nrn Jニジ小さい波長
の紫外線照射によシそのノl、jさ全体にたた如露光さ
ぜるというのe↓実用的でシ、↓ない。
さらVC!1iic 、抑11ノリさ−I′したノボラ
ック樹脂のコントラスト(conLloast ) I
tJ、’一般VC2,5より小さい。〔コントラストの
定義についてCよ、UVf便化二利学と技術(U V
Curing: 5cienceand ’I’ccl
+noloHy ) 、ニス、ピー、ババス編(SP、
Papp+ss 、 Ed)、 、333頁、テクノ
ロジーマーケチインク社、(1978)、を参照のこと
〕。これは多くの用途に有用ではあるが、より高い画グ
1をイ;Iるためには、もつと大きいコントラストが望
ましいことが多い。このことは短波長紫外露光照射の利
用により高度の分解能を?4)ようとするときにとくに
重要な意味がある。
ック樹脂のコントラスト(conLloast ) I
tJ、’一般VC2,5より小さい。〔コントラストの
定義についてCよ、UVf便化二利学と技術(U V
Curing: 5cienceand ’I’ccl
+noloHy ) 、ニス、ピー、ババス編(SP、
Papp+ss 、 Ed)、 、333頁、テクノ
ロジーマーケチインク社、(1978)、を参照のこと
〕。これは多くの用途に有用ではあるが、より高い画グ
1をイ;Iるためには、もつと大きいコントラストが望
ましいことが多い。このことは短波長紫外露光照射の利
用により高度の分解能を?4)ようとするときにとくに
重要な意味がある。
一つの感光材料が、230nm よシも長い波長の放射
にたいして無視できる程度の吸収しか持たないメチルメ
タクリレート−メタクリル酸共重合体〔p (MMA−
MAA ) 〕のような塩基可溶性ポリマーを、そのツ
jルホン酸基00−二トロペンシルアルコールによるエ
ステル化によって塩基不溶性ポリマーに転化することに
よって得られておシ、それは下式で表されるポリマーで
ある。
にたいして無視できる程度の吸収しか持たないメチルメ
タクリレート−メタクリル酸共重合体〔p (MMA−
MAA ) 〕のような塩基可溶性ポリマーを、そのツ
jルホン酸基00−二トロペンシルアルコールによるエ
ステル化によって塩基不溶性ポリマーに転化することに
よって得られておシ、それは下式で表されるポリマーで
ある。
詳細な実験データは丑だ報告されていないが、この材第
1は紫外線J!<iU:i(250乃至3(10nm)
が標準厚みを完全に透過する本ような吸光性を持ってい
ると期待される。そのコントラストは寸だ発表されてい
ない。どの個々のイ1−機しシストについてもそのコン
トラス[・全予想することは不可能であり、1だ有機レ
ジスト類に/といする2、5以上のコントラスト値は本
t)↓的に知ら、lしていない。標準的な厚さのフィル
ムを通す紫外線(300nm よりも小さい波長)露)
°0に適すると認められるもので、高コントラストを有
しそのためこの露光によって?4)られる高い分解能の
11丁能性を4えることができるとされている!1・&
光°材料ばない。
1は紫外線J!<iU:i(250乃至3(10nm)
が標準厚みを完全に透過する本ような吸光性を持ってい
ると期待される。そのコントラストは寸だ発表されてい
ない。どの個々のイ1−機しシストについてもそのコン
トラス[・全予想することは不可能であり、1だ有機レ
ジスト類に/といする2、5以上のコントラスト値は本
t)↓的に知ら、lしていない。標準的な厚さのフィル
ムを通す紫外線(300nm よりも小さい波長)露)
°0に適すると認められるもので、高コントラストを有
しそのためこの露光によって?4)られる高い分解能の
11丁能性を4えることができるとされている!1・&
光°材料ばない。
スペクトル範囲が220乃至300 n rnの紫外線
領域において適正な吸収係数をもつ、高コントラスト(
6程度の高さ)の感9゛c、性組成物が、p (MMA
−MAA ) のような塩ノ、いII浴1牛ポリマーと
、カルホン酸の0−ニドロアリールメチルエステルを含
む抑iIiυ剤たとえば0−二トロヘンシルコーレー)
(o−n1Lrobenzyl cl+olate)
との物理的混合によって作られる。この物理的混合物は
、たとえば6程度の驚くべき高いコントラストを示す。
領域において適正な吸収係数をもつ、高コントラスト(
6程度の高さ)の感9゛c、性組成物が、p (MMA
−MAA ) のような塩ノ、いII浴1牛ポリマーと
、カルホン酸の0−ニドロアリールメチルエステルを含
む抑iIiυ剤たとえば0−二トロヘンシルコーレー)
(o−n1Lrobenzyl cl+olate)
との物理的混合によって作られる。この物理的混合物は
、たとえば6程度の驚くべき高いコントラストを示す。
使用にあたって、この物理的混合物は、感光性物体を形
成させるために、適商な溶剤に溶かした混合物溶液のス
ピンコーティングのような技術によって基板上に被覆さ
れる。ついで、この感光性物体は、一般にはUV光に露
光され、所望の画像を生じる。(与えられた波長範囲に
おける吸収は、抑1ljll剤の構造を変えることによ
シ調整でき、事実、220から300nm までの紫外
範囲とともに可視部分についても吸収性の抑制剤類もま
た可能である。)ついでこの感光性物体は、Na2CO
3またはN a HCOaの水溶液のようなアルカリ性
m液による処理によって現像される。
成させるために、適商な溶剤に溶かした混合物溶液のス
ピンコーティングのような技術によって基板上に被覆さ
れる。ついで、この感光性物体は、一般にはUV光に露
光され、所望の画像を生じる。(与えられた波長範囲に
おける吸収は、抑1ljll剤の構造を変えることによ
シ調整でき、事実、220から300nm までの紫外
範囲とともに可視部分についても吸収性の抑制剤類もま
た可能である。)ついでこの感光性物体は、Na2CO
3またはN a HCOaの水溶液のようなアルカリ性
m液による処理によって現像される。
これまで議論したように、本発明に使用する感光性組成
物は、化学作用をもつ光の照射の前は塩基に不溶であり
、その照射後は塩基に可溶である。いま照射前と照射後
のこの感光性組成物の8敏速度の比をに〇ととると、n
は4よりも小さくてはならず、1. OJ:りも大きい
ことが好士しい。4よシ小さいnの値ケもつ相対溶解速
度比では、低いコントラストと低り′支な画像しか?U
られない。このため非常に低級の分解能のものしか得ら
れないが、そitは現1象の時に露光部と未露)を部が
非常に近い速度で溶解するためである。
物は、化学作用をもつ光の照射の前は塩基に不溶であり
、その照射後は塩基に可溶である。いま照射前と照射後
のこの感光性組成物の8敏速度の比をに〇ととると、n
は4よりも小さくてはならず、1. OJ:りも大きい
ことが好士しい。4よシ小さいnの値ケもつ相対溶解速
度比では、低いコントラストと低り′支な画像しか?U
られない。このため非常に低級の分解能のものしか得ら
れないが、そitは現1象の時に露光部と未露)を部が
非常に近い速度で溶解するためである。
露光前j:+・、tび露光後いずI″LVCおいても、
感光4A才1のm作r速度Q、11、(1)露光によっ
て変化すル’Ill 1ilJ 7′ill (r)
(6Wr’AA I−脹および(2)露光によっては一
般にC」、変化しないポリマーの溶)W速度によって決
る。灯ましい結果をイ4Iるためには、一般に、感光性
材$1の中に、できるだけ少いモル分率の抑1lilJ
剤を使用することが望ましい。
感光4A才1のm作r速度Q、11、(1)露光によっ
て変化すル’Ill 1ilJ 7′ill (r)
(6Wr’AA I−脹および(2)露光によっては一
般にC」、変化しないポリマーの溶)W速度によって決
る。灯ましい結果をイ4Iるためには、一般に、感光性
材$1の中に、できるだけ少いモル分率の抑1lilJ
剤を使用することが望ましい。
抑制剤のモル分率が大きくなればなる程、露光領域にお
ける適正溶解度を得るために抑制剤を転化させるに要す
る照射線の線量が高くなる。こうして、抑制剤のモル分
率の増加にしたがって感度は低下するので、最高感度を
得るためには、必要なコントラストを得るための最低量
の抑制剤の使用が、望ましい。使用可能な塩基可溶ポリ
マー類と適当な0−二トロアリールメチルエステル抑制
剤類の範囲は広いので、最終的なll&l性光性材料中
リマ一対抑制剤材料の正確な比率は比較サンプルの使用
によって決定されなければならない。
ける適正溶解度を得るために抑制剤を転化させるに要す
る照射線の線量が高くなる。こうして、抑制剤のモル分
率の増加にしたがって感度は低下するので、最高感度を
得るためには、必要なコントラストを得るための最低量
の抑制剤の使用が、望ましい。使用可能な塩基可溶ポリ
マー類と適当な0−二トロアリールメチルエステル抑制
剤類の範囲は広いので、最終的なll&l性光性材料中
リマ一対抑制剤材料の正確な比率は比較サンプルの使用
によって決定されなければならない。
しかしながら、0−ニトロヘンジルコ−レート誘導体類
のような代表的な抑1ljlJ剤、およびp (MMA
−MAA )のようなポリマー類にたいしては、一定
量のポリマーに添加される抑flill剤の量は、5乃
至40重量パーセント、好1しくは10乃至30重i1
iパーセントの範囲である。
のような代表的な抑1ljlJ剤、およびp (MMA
−MAA )のようなポリマー類にたいしては、一定
量のポリマーに添加される抑flill剤の量は、5乃
至40重量パーセント、好1しくは10乃至30重i1
iパーセントの範囲である。
この抑制剤は次式にしめされるものから選ばれる。
照射に」:って、]’ll ili!I剤はっぎのよう
な形の断片となる。
な形の断片となる。
1(2
(断片1)
J・・ 」二 び
I
It、 −C−OH
(断J12)
両断ハとも、さきに定義した相対溶解速度がJツテ定の
コントラストを得るために充分な溶解度を持つように選
ばれなければならない。さらに寸だ、露光後の溶解度は
感光注材刺の露光領域の溶解をその厚み全体に行きわた
らせるに充分でなければならない。極めて溶けにくい感
光性材料類を除けば、前者の規準を満足するものはまた
後者をも満足する。断片2はカルホン酸なので、稀な例
外は別として、塩基に可溶である。しかしながら、与え
られた現像剤中でのその溶解度はIt1 によって変わ
る。さらにまた、後述するように、もし断片1がとくに
大きな不溶性の物であると、照射された組成物の’ff
1M速度の実質的な増加tま起こらない。つまシ、断片
1が充分不溶性であれば、断片2の溶解の効果がおさえ
られてし寸って望寸しくない結果を生じる。
コントラストを得るために充分な溶解度を持つように選
ばれなければならない。さらに寸だ、露光後の溶解度は
感光注材刺の露光領域の溶解をその厚み全体に行きわた
らせるに充分でなければならない。極めて溶けにくい感
光性材料類を除けば、前者の規準を満足するものはまた
後者をも満足する。断片2はカルホン酸なので、稀な例
外は別として、塩基に可溶である。しかしながら、与え
られた現像剤中でのその溶解度はIt1 によって変わ
る。さらにまた、後述するように、もし断片1がとくに
大きな不溶性の物であると、照射された組成物の’ff
1M速度の実質的な増加tま起こらない。つまシ、断片
1が充分不溶性であれば、断片2の溶解の効果がおさえ
られてし寸って望寸しくない結果を生じる。
前記(n≧4)の相対溶解速度の条件を満たす抑制剤を
与えるR、置換基金決めるには、R1は一般には相当す
るJj?l’l ’t、すなわち、1 R,−C−OJ にXでMは、たとえばLi1NaXK
、、アンモニウム、または1直換アンモニウムイオンの
ようなカチオン)が少くとも0.01Mの濃度をもつ水
浴液の形成を許容するのに充分な水への溶解度を有する
ように選ばれるべきである。溶1宵度のこの大きさが満
たされないと、露光領域の溶解度の変化は一般に、所望
の溶解速度比を生じるには不充分となろう。一般的に、
照射によって塩基にmけにくい状態から塩基に可溶の状
態へと変えられる感)℃材料の容積モル分率が大きくな
ればなる程、露光後の溶解度差は大きくなる。溶解度差
の規準を7+:l’+i lζすには、比較的大きい帽
置換基類を用いるのが有利である。1尤、C00II
(断片2)としてたとえばコール酸(cholic
acid ) 、デオキシコール酸、リトコール酸(l
i口+o cholic acid ) 、および5β
−コラン1佼(5β−chlanjc acid )な
どが利用される。現実に著しい疎水性でありながら若干
の極性ノ1(類をイコするR1置換基lJ4を採用する
と有利である。(必要な疎水特性ヲ与えるため、一般に
炭化水素が大半を占める分子が採用される。R1基の疎
水性が大きくなればなるほど、現像剤にたいするレジス
トの浸透性は小さくなる。)極性基類は、好ましくはカ
ルボン酸機能から遠く離して、R,基に配置される。疎
水性の強い置換基の上にある極性置換基類は、露光によ
って生ずるカルボン酸断片の溶解度を高める。しかしな
がら、採用される極性基は、現像剤が非露光領域の内部
に入り易くなるほど親水性であってはならない。たとえ
ば、コール酸はコーラン酸(cholanic aci
d )よシも水性塩基に/ζいして可溶性が大きくコー
ル酸の0−ニトロペンシルエステルの使用によって、数
個のポリマーマトリックス類において、より高い感度と
コントラストとを与える。しかしながら、もし最低モル
分率よりも多いカルホン酸基がポリマー中に存在すると
きには、コール酸のヒドロキシル基の一部または全部を
エステル化して、塩基性溶液中の良好な溶解度を維持し
ながら非露光領域では現像剤r(たいして充分抵抗でき
るように親水性を下げるのが望ましい。
与えるR、置換基金決めるには、R1は一般には相当す
るJj?l’l ’t、すなわち、1 R,−C−OJ にXでMは、たとえばLi1NaXK
、、アンモニウム、または1直換アンモニウムイオンの
ようなカチオン)が少くとも0.01Mの濃度をもつ水
浴液の形成を許容するのに充分な水への溶解度を有する
ように選ばれるべきである。溶1宵度のこの大きさが満
たされないと、露光領域の溶解度の変化は一般に、所望
の溶解速度比を生じるには不充分となろう。一般的に、
照射によって塩基にmけにくい状態から塩基に可溶の状
態へと変えられる感)℃材料の容積モル分率が大きくな
ればなる程、露光後の溶解度差は大きくなる。溶解度差
の規準を7+:l’+i lζすには、比較的大きい帽
置換基類を用いるのが有利である。1尤、C00II
(断片2)としてたとえばコール酸(cholic
acid ) 、デオキシコール酸、リトコール酸(l
i口+o cholic acid ) 、および5β
−コラン1佼(5β−chlanjc acid )な
どが利用される。現実に著しい疎水性でありながら若干
の極性ノ1(類をイコするR1置換基lJ4を採用する
と有利である。(必要な疎水特性ヲ与えるため、一般に
炭化水素が大半を占める分子が採用される。R1基の疎
水性が大きくなればなるほど、現像剤にたいするレジス
トの浸透性は小さくなる。)極性基類は、好ましくはカ
ルボン酸機能から遠く離して、R,基に配置される。疎
水性の強い置換基の上にある極性置換基類は、露光によ
って生ずるカルボン酸断片の溶解度を高める。しかしな
がら、採用される極性基は、現像剤が非露光領域の内部
に入り易くなるほど親水性であってはならない。たとえ
ば、コール酸はコーラン酸(cholanic aci
d )よシも水性塩基に/ζいして可溶性が大きくコー
ル酸の0−ニトロペンシルエステルの使用によって、数
個のポリマーマトリックス類において、より高い感度と
コントラストとを与える。しかしながら、もし最低モル
分率よりも多いカルホン酸基がポリマー中に存在すると
きには、コール酸のヒドロキシル基の一部または全部を
エステル化して、塩基性溶液中の良好な溶解度を維持し
ながら非露光領域では現像剤r(たいして充分抵抗でき
るように親水性を下げるのが望ましい。
このようにして、感度を維持したま5、コントラストが
増強される。
増強される。
所定のA1.1文”j酌解度がイ4jられるのてあれは
、ここに参考としてあげる米国」屓ど1第3,849,
137−け(H)744II 1月1911発行) 9
(’、述べられいる。1:うなアルコール畑およびフィ
、エヌ。
、ここに参考としてあげる米国」屓ど1第3,849,
137−け(H)744II 1月1911発行) 9
(’、述べられいる。1:うなアルコール畑およびフィ
、エヌ。
ラシャセクハラン ビライ(V、 N、 Rajasc
kharan1’1llai ) L 5ynLbes
is 、↓(1980) ] によって述べらノ圭でい
るアルコール類がら誘’、1”h 8At 、式Aによ
つ′C示されるような多棟の〇−二トロアリールメチル
エステル類が使用’J 能である。It3お、1:び■
え、はオルソ−ニトロエステルのフェニル環を含む芳香
か、環系を形成するJ:うeζ連結ンΣれることかでき
る。しかしながら、一般VC3個J:りも大きい、縮合
iAkイ1する0−二トロヘンシル置換刀香族化合物類
からイIIられる組成物で3よ、路光後における塩基性
/1′y液への俗IQ’? If l:1不充分である
。同様に、it、 」;−よびIt、を水素または他の
置換基g4として抑1lilJ剤の力6族環の」二にイ
1する化合物類もJJI除されてはいない。(R3′0
J3−よびR4の選択は一般に臨界的なものではない。
kharan1’1llai ) L 5ynLbes
is 、↓(1980) ] によって述べらノ圭でい
るアルコール類がら誘’、1”h 8At 、式Aによ
つ′C示されるような多棟の〇−二トロアリールメチル
エステル類が使用’J 能である。It3お、1:び■
え、はオルソ−ニトロエステルのフェニル環を含む芳香
か、環系を形成するJ:うeζ連結ンΣれることかでき
る。しかしながら、一般VC3個J:りも大きい、縮合
iAkイ1する0−二トロヘンシル置換刀香族化合物類
からイIIられる組成物で3よ、路光後における塩基性
/1′y液への俗IQ’? If l:1不充分である
。同様に、it、 」;−よびIt、を水素または他の
置換基g4として抑1lilJ剤の力6族環の」二にイ
1する化合物類もJJI除されてはいない。(R3′0
J3−よびR4の選択は一般に臨界的なものではない。
/ことえば、H11個アルコキシカルボニル類、ハロケ
ン類、および低級アルキル類のように広い範囲の基の使
用が受入れられる)。同じ理由から、R2は好ましくは
、■IXまたはメチルおよびエチルのような低級アルキ
ル類である。しかしながら、露光された抑制剤の溶)I
IIr度を実質的に低下する置換基類は用いるべきでな
い。
ン類、および低級アルキル類のように広い範囲の基の使
用が受入れられる)。同じ理由から、R2は好ましくは
、■IXまたはメチルおよびエチルのような低級アルキ
ル類である。しかしながら、露光された抑制剤の溶)I
IIr度を実質的に低下する置換基類は用いるべきでな
い。
繰9返すが、基本的な必要条件は、生ずる断片のいずれ
もが塩基性重液への浴jQ/cが遅くて前記した好まし
い相対溶解速度が達成され(CIないものであってはな
らないことである。
もが塩基性重液への浴jQ/cが遅くて前記した好まし
い相対溶解速度が達成され(CIないものであってはな
らないことである。
式Aの一般式で表わされる材料のうちの1つの化学種で
ある0、0′−ジニトロアリールメチルエステルを用い
ると特別に好都合な感度が達成されることが見出された
。その化学種は次の式で表される。
ある0、0′−ジニトロアリールメチルエステルを用い
ると特別に好都合な感度が達成されることが見出された
。その化学種は次の式で表される。
一4二の式ではヘンセン環に4個の置換基しか(;Jい
てないが、そIL以上の1に11換基を4〕[除するも
のでQよない。11′イ換基”+ 、 R2,およびR
1(さらに置換基があればそれも同様に)は前述の浴j
竹速度条件’E /l!74足するように選ばれ、さき
に帽+ ”2 r ”3 +訃よびR,にたいして述べ
られた!h別の置換基が好都合である。オルソ−ニトロ
基をもったエステルの1つの例に」、o、θ′−ジニト
ロヘンジルコーレートであって、・その感度(,1、(
)−ニトロヘンジルコ−レートのものよりも40%以−
」二高い。
てないが、そIL以上の1に11換基を4〕[除するも
のでQよない。11′イ換基”+ 、 R2,およびR
1(さらに置換基があればそれも同様に)は前述の浴j
竹速度条件’E /l!74足するように選ばれ、さき
に帽+ ”2 r ”3 +訃よびR,にたいして述べ
られた!h別の置換基が好都合である。オルソ−ニトロ
基をもったエステルの1つの例に」、o、θ′−ジニト
ロヘンジルコーレートであって、・その感度(,1、(
)−ニトロヘンジルコ−レートのものよりも40%以−
」二高い。
本発明の感光性4J旧の露光に使用σれるイj用な波長
の1lii>、 IJl:l Itよ、0−ニドロアリ
ールメチル部分の吸収より長い、所望の波長頭載に吸収
を持つ酸成分を抑制剤中に含1せることによって変更可
能である。たとえば、40Onmをこえる丑での吸収が
、9−フルオレノン−のような酸成分を用い、どの酸の
0−ニトロヘンシルエステルのような抑制剤を生成させ
ることによって可能となる。酸基の中にある発色団は光
増感剤として作用し、300nmより長い波長では弱い
吸収しか示さない0−二トロベンジル基のような感光部
分の感光範囲は著しく拡張される。一般に、しかしなが
ら、450 nmよシ長い波長の光の吸収は画像形成に
だいしては実用的ではない。同様に長い波長を吸収する
R、 tたはR2置換基類またはニドロアリール基類の
使用も有用であるが、450 nmより長い波長全吸収
する置換基類の使用は一般に性能向」二に有効とはなら
ない。
の1lii>、 IJl:l Itよ、0−ニドロアリ
ールメチル部分の吸収より長い、所望の波長頭載に吸収
を持つ酸成分を抑制剤中に含1せることによって変更可
能である。たとえば、40Onmをこえる丑での吸収が
、9−フルオレノン−のような酸成分を用い、どの酸の
0−ニトロヘンシルエステルのような抑制剤を生成させ
ることによって可能となる。酸基の中にある発色団は光
増感剤として作用し、300nmより長い波長では弱い
吸収しか示さない0−二トロベンジル基のような感光部
分の感光範囲は著しく拡張される。一般に、しかしなが
ら、450 nmよシ長い波長の光の吸収は画像形成に
だいしては実用的ではない。同様に長い波長を吸収する
R、 tたはR2置換基類またはニドロアリール基類の
使用も有用であるが、450 nmより長い波長全吸収
する置換基類の使用は一般に性能向」二に有効とはなら
ない。
ポリマーは塩基of溶という条件を備えていれば、広汎
なポリマーカ゛4が本発明の感光性材料の製造に有用で
ある。前記のようにポリマーにたいして必要とされる溶
解度は、使用される抑制剤に依存する。一般に、メタク
リレート樹脂類、たとえば、メチルメタクリレートとメ
タクリル酸とのランダム共重合体類がイ1用である。ノ
ホラツク樹脂類、カルボキシル化またはスルフォン化ポ
リスチレン類、およびスチレン、エチルまたはメチルメ
タクリレート、およびメタクリルばから形成される三元
重合体力°1のような他のポリマー類もイj゛用である
。(後者のポリマー類は現像に除して、一般にわずかの
残’lNrを残すので、多くの諸操作にとって、この残
2+!Eを除去する/ζめのプラスマエッチが必要とな
る。)使用ざ1するポリマーは、所望の相対的解速度比
をイIIるために充分な1り温性を、塩基性#液にだい
し2て持たねばならない。典型的VCは20,000
から200.000tて、好J、しくは30;000
から70.000 −までの分子J1′c範囲を・イ〕
するポリマーが使用される。より高い分子量のポリマー
類tま不充分な浴ブデr速度をもつため、あ寸り好祉し
いとはいえないし、低い分子量のポリマー類は、適J1
rの抑1lilJ剤類の存在下においてきえ、あ1シに
も容易VC現像剤に溶解するため、好丑しくない。
なポリマーカ゛4が本発明の感光性材料の製造に有用で
ある。前記のようにポリマーにたいして必要とされる溶
解度は、使用される抑制剤に依存する。一般に、メタク
リレート樹脂類、たとえば、メチルメタクリレートとメ
タクリル酸とのランダム共重合体類がイ1用である。ノ
ホラツク樹脂類、カルボキシル化またはスルフォン化ポ
リスチレン類、およびスチレン、エチルまたはメチルメ
タクリレート、およびメタクリルばから形成される三元
重合体力°1のような他のポリマー類もイj゛用である
。(後者のポリマー類は現像に除して、一般にわずかの
残’lNrを残すので、多くの諸操作にとって、この残
2+!Eを除去する/ζめのプラスマエッチが必要とな
る。)使用ざ1するポリマーは、所望の相対的解速度比
をイIIるために充分な1り温性を、塩基性#液にだい
し2て持たねばならない。典型的VCは20,000
から200.000tて、好J、しくは30;000
から70.000 −までの分子J1′c範囲を・イ〕
するポリマーが使用される。より高い分子量のポリマー
類tま不充分な浴ブデr速度をもつため、あ寸り好祉し
いとはいえないし、低い分子量のポリマー類は、適J1
rの抑1lilJ剤類の存在下においてきえ、あ1シに
も容易VC現像剤に溶解するため、好丑しくない。
使用される現像剤は感光性材料によって決まる。一般に
は、塩基性度で表される強さが、感光性複合体の露光部
分を溶解するのに丁度充分である現像剤を採用すること
が好ましい。
は、塩基性度で表される強さが、感光性複合体の露光部
分を溶解するのに丁度充分である現像剤を採用すること
が好ましい。
必要な強さは比較用ザンブルを使用して容易に決定され
る。有用な現像剤を例示すると、メチルメタクリレート
とメタクリル酸との7モル対3モル比の共重合体にたい
しては、NaHCO3の10重量%水溶液、メチルメタ
クリレートとメタクリル酸との7.4対2.6モル比の
共重合体にたいしてはNa2C,03010%水浴液で
あるが、これらはどちらのポリマーにたいしても抑制剤
を0−ニトロペンジルコ−レートとした場合についてで
ある。抑制剤が0−ニトロベンジルO10,0トリアセ
チルコーレートである場合、メチルメタクリレートとメ
タクリル酸との7対3モル比の共重合体にたいして、9
%のNaHCO3と1%のNa2CO3とを含む水溶液
が使用される。
る。有用な現像剤を例示すると、メチルメタクリレート
とメタクリル酸との7モル対3モル比の共重合体にたい
しては、NaHCO3の10重量%水溶液、メチルメタ
クリレートとメタクリル酸との7.4対2.6モル比の
共重合体にたいしてはNa2C,03010%水浴液で
あるが、これらはどちらのポリマーにたいしても抑制剤
を0−ニトロペンジルコ−レートとした場合についてで
ある。抑制剤が0−ニトロベンジルO10,0トリアセ
チルコーレートである場合、メチルメタクリレートとメ
タクリル酸との7対3モル比の共重合体にたいして、9
%のNaHCO3と1%のNa2CO3とを含む水溶液
が使用される。
実施にあたっては、0.3乃至5μmの範囲の厚みをも
つ感光性拐料の層が、才導体、たとえば珪素ウェファの
ような基板の−Lに在来技術、たとえばスピンコーチイ
ンクによって形成さJ’Lる。〔スピンコーチインクプ
ロセスの記述についてt1タフリュウ、ニス、デフォレ
スト(W、 S、 Dcforrest ) 、フォト
レジストAA別およびプロセス(PhoLoresis
t Materialsand Processes
) 、マクグロウヒル(McGrawllill )、
223貞(1975)を参照のこと〕被覆されたウェー
ハの焼成後、(100乃至180℃、灯外しくは140
乃至160℃、30分間乃至90分間、好1しくは45
乃至75分間)この感)Y4性物体はマスクを通して適
当な波長領域の光に露出される。画像はついで、適当な
塩基性AA別による処理によって現像される。たとえば
、この感光性物体がアルカリ浴液に浸漬される。代表的
な現像時間は1乃至10分間の9((1囲である。一般
には、感光性物体の露光領域の溶解に必要な最小時間よ
りも実質的に長くない処理時間が望ましい。感光性材料
の中にパターンが形成された後、基板、たとえばウェー
ハは、さらにエツチンクおよび金属化のような通常の段
階を経て処理されて希望するデl\イスが作られる。
つ感光性拐料の層が、才導体、たとえば珪素ウェファの
ような基板の−Lに在来技術、たとえばスピンコーチイ
ンクによって形成さJ’Lる。〔スピンコーチインクプ
ロセスの記述についてt1タフリュウ、ニス、デフォレ
スト(W、 S、 Dcforrest ) 、フォト
レジストAA別およびプロセス(PhoLoresis
t Materialsand Processes
) 、マクグロウヒル(McGrawllill )、
223貞(1975)を参照のこと〕被覆されたウェー
ハの焼成後、(100乃至180℃、灯外しくは140
乃至160℃、30分間乃至90分間、好1しくは45
乃至75分間)この感)Y4性物体はマスクを通して適
当な波長領域の光に露出される。画像はついで、適当な
塩基性AA別による処理によって現像される。たとえば
、この感光性物体がアルカリ浴液に浸漬される。代表的
な現像時間は1乃至10分間の9((1囲である。一般
には、感光性物体の露光領域の溶解に必要な最小時間よ
りも実質的に長くない処理時間が望ましい。感光性材料
の中にパターンが形成された後、基板、たとえばウェー
ハは、さらにエツチンクおよび金属化のような通常の段
階を経て処理されて希望するデl\イスが作られる。
つぎの実施例は、木兄IJJに含丑れる感光性物体およ
びこの発明の実施における諸プロセスパラメータを例示
する: 実施例1 ポリマーの製造 約75−のメチルメタクリレート(0,7モル)と25
−のメタクリル酸(0,3−Eル)とを350m1!の
乾燥テトラヒドロフラン中に溶解した。この溶液にsi
、5+niiのテトラクロロジブロモエタンを添加した
。(この材料は、ポリマーの分子量が所定の範囲に入る
ことを確実にするため連鎖移動剤として添加した。)こ
の溶液を、ついで約1時間、アルゴン下、還流温度にま
で加熱した。この混合物に、(還流温度において)つい
でE−ブチルハイドロパーオキサイドの70%水溶液5
mtを添加した。この材F &:1:重合開始剤として
働く。還流温度に」・・ける加熱は、開始剤の添加後も
約4(1,!1間続けた。ついで加熱をやめ、反応混合
物を冷却し、ついでこJtを1秒間に約2乃至3滴の速
さでヘキサン中へ滴43添加し/ζ。ポリマーは析出し
、散音デカンテーションした。
びこの発明の実施における諸プロセスパラメータを例示
する: 実施例1 ポリマーの製造 約75−のメチルメタクリレート(0,7モル)と25
−のメタクリル酸(0,3−Eル)とを350m1!の
乾燥テトラヒドロフラン中に溶解した。この溶液にsi
、5+niiのテトラクロロジブロモエタンを添加した
。(この材料は、ポリマーの分子量が所定の範囲に入る
ことを確実にするため連鎖移動剤として添加した。)こ
の溶液を、ついで約1時間、アルゴン下、還流温度にま
で加熱した。この混合物に、(還流温度において)つい
でE−ブチルハイドロパーオキサイドの70%水溶液5
mtを添加した。この材F &:1:重合開始剤として
働く。還流温度に」・・ける加熱は、開始剤の添加後も
約4(1,!1間続けた。ついで加熱をやめ、反応混合
物を冷却し、ついでこJtを1秒間に約2乃至3滴の速
さでヘキサン中へ滴43添加し/ζ。ポリマーは析出し
、散音デカンテーションした。
残つ/ζポリマーをテトラヒドロフランに再溶Hして、
溶液を作り、これをまたヘキサンへ部下添加した。液ヲ
・デカンテーションし、残ったポリマーを空気乾燥した
。
溶液を作り、これをまたヘキサンへ部下添加した。液ヲ
・デカンテーションし、残ったポリマーを空気乾燥した
。
メチルメタクリレート、メタクリル酸、およびスチレン
の三元共重合体を、二元共重合体にだいする前記の方法
にしたがって製造した。同様に、エチルメタクリレート
、メタクリル酸、およびスチレンの三元共重合体金メチ
ルメタクリレート−メタクリル酸共重合体に用いたのと
同じ方法で製造した。(」二記の)メチルメタクリレー
ト−メタクリル酸共重合体としてQ;1多独の分子量を
もつものを製造した。(ぞItぞれの場合の共重合体は
約7モルのメチルメタクリレートと3モルのメタクリル
酸の組成を持っていた。ポリマーの中に取り込まれる各
モノマーのパーセンテイシは、反応混合物中に存在する
各パーセンテイジにほぼ等しかった。)分子量の調節は
連鎖移動剤の濃度全変化させて行った。連鎖移動剤濃度
と最終分子量との関係については、キプスタイン(Gi
pstein )によって、シャーナルオブポリマーサ
イエンス(Journal of PolymerSc
ience ) 、ポリマーレタース版(Polyme
rLetters Edition )、28241頁
(1980)に述べられている。
の三元共重合体を、二元共重合体にだいする前記の方法
にしたがって製造した。同様に、エチルメタクリレート
、メタクリル酸、およびスチレンの三元共重合体金メチ
ルメタクリレート−メタクリル酸共重合体に用いたのと
同じ方法で製造した。(」二記の)メチルメタクリレー
ト−メタクリル酸共重合体としてQ;1多独の分子量を
もつものを製造した。(ぞItぞれの場合の共重合体は
約7モルのメチルメタクリレートと3モルのメタクリル
酸の組成を持っていた。ポリマーの中に取り込まれる各
モノマーのパーセンテイシは、反応混合物中に存在する
各パーセンテイジにほぼ等しかった。)分子量の調節は
連鎖移動剤の濃度全変化させて行った。連鎖移動剤濃度
と最終分子量との関係については、キプスタイン(Gi
pstein )によって、シャーナルオブポリマーサ
イエンス(Journal of PolymerSc
ience ) 、ポリマーレタース版(Polyme
rLetters Edition )、28241頁
(1980)に述べられている。
作られる多種のポリマー類の共重合外寸たは三元共重合
のどちらかに取り込まれるモノマーの百分率は、反応混
合物中に存在する千ツマー類の百分率を変えることによ
り変化させた。表Hの値は反応混合物中に存在する各モ
ノマーの百分率の値である。しかしながら、ポリマー中
に取り込まれる各モノマーの百分率は、この反応混合物
中に使用したものと実1↓的に異ることはない。
のどちらかに取り込まれるモノマーの百分率は、反応混
合物中に存在する千ツマー類の百分率を変えることによ
り変化させた。表Hの値は反応混合物中に存在する各モ
ノマーの百分率の値である。しかしながら、ポリマー中
に取り込まれる各モノマーの百分率は、この反応混合物
中に使用したものと実1↓的に異ることはない。
実/1fl1例2
約10 ji’ (0,06モル)のアクマンクンカル
ホン酸を1.50 meのエタノールへ添加した。同モ
ル(2,2/ )の水酸化ナトリウムを寸だエタノール
へ添加し、この浴液を約15分間攪拌した1、こうし7
てナトリウムアダマンタンカルボキシレートが生成した
。この反応混合物に7.722(0,f)5モル)の0
−ニトロペンシルクロライドを添加した。生成した溶液
全還流温度1で加熱し、この温度で3時間攪拌した。
ホン酸を1.50 meのエタノールへ添加した。同モ
ル(2,2/ )の水酸化ナトリウムを寸だエタノール
へ添加し、この浴液を約15分間攪拌した1、こうし7
てナトリウムアダマンタンカルボキシレートが生成した
。この反応混合物に7.722(0,f)5モル)の0
−ニトロペンシルクロライドを添加した。生成した溶液
全還流温度1で加熱し、この温度で3時間攪拌した。
このようにして生成したエステル’(i−250rnl
の水を1アリコートとして添加して沈澱せしめた。混合
物を室温に丑で冷却し、真空p過によって沈澱を分離し
た。この沈澱を、容積比が1 ニアJ 1のエタノール
と水との溶9500mgで再納品全行い、約64200
−二トロヘンシルアダマンクンカルボキシレートをイ4
Iだ。
の水を1アリコートとして添加して沈澱せしめた。混合
物を室温に丑で冷却し、真空p過によって沈澱を分離し
た。この沈澱を、容積比が1 ニアJ 1のエタノール
と水との溶9500mgで再納品全行い、約64200
−二トロヘンシルアダマンクンカルボキシレートをイ4
Iだ。
アダマンタンカルホン酸の代シに適切な酸全使用するこ
と以外は同じ処理法で、5βコラン酸〔融点(rrLp
、 ) 53.5−55℃〕、フルオレノン−4−カル
ホン酸(nt p、210211℃)、およびリトコー
ル(’11 (m、 p、160−162℃)の、相当
する0−ニトロヘンシルエステルを製造した。
と以外は同じ処理法で、5βコラン酸〔融点(rrLp
、 ) 53.5−55℃〕、フルオレノン−4−カル
ホン酸(nt p、210211℃)、およびリトコー
ル(’11 (m、 p、160−162℃)の、相当
する0−ニトロヘンシルエステルを製造した。
約257(0,06モル)のコール酸を約300−の水
に添加した。約6Q meのIN水酸化ナトリウム水溶
液をコール酸醍液に添加した。
に添加した。約6Q meのIN水酸化ナトリウム水溶
液をコール酸醍液に添加した。
O−ニトロヘンシルブロマイドのエタノール溶液を、1
1.05f (0,03モル)の前者を250−の後者
に添加して作った。このエタノール溶液をついでナトリ
ウムコーレートを含む水溶液に添加した。合わせたこの
溶液を還流温度にまで加熱し、この温度で約3時間攪拌
した。冷却後、沈澱した抑制剤をF別し、750−のエ
タノール−水浴液を使用すること以外tJ、<〜で述べ
た方法によりIJ」納品を行った。この処理によって、
訃よそ19.5fの0−ニトロペンジルコ−レート(m
、 I)、 211−213℃)をイシIた。
1.05f (0,03モル)の前者を250−の後者
に添加して作った。このエタノール溶液をついでナトリ
ウムコーレートを含む水溶液に添加した。合わせたこの
溶液を還流温度にまで加熱し、この温度で約3時間攪拌
した。冷却後、沈澱した抑制剤をF別し、750−のエ
タノール−水浴液を使用すること以外tJ、<〜で述べ
た方法によりIJ」納品を行った。この処理によって、
訃よそ19.5fの0−ニトロペンジルコ−レート(m
、 I)、 211−213℃)をイシIた。
コール酸の代りに適当とする酸を用いる以外なま同じ方
法によって、テオギシコール酸(m、 p、 8018
1.5℃)および12−ヒドロキシドデカンr實(m、
11.4−6−47℃)の相当するエステル類を製造
した。
法によって、テオギシコール酸(m、 p、 8018
1.5℃)および12−ヒドロキシドデカンr實(m、
11.4−6−47℃)の相当するエステル類を製造
した。
ヘンセン(10(b71)中のおよそ7.22(0,1
モル)のデカン酸と15.3f (0,1モル)の0−
ニトロヘンシルアルコールとかう成る浴液を調製した。
モル)のデカン酸と15.3f (0,1モル)の0−
ニトロヘンシルアルコールとかう成る浴液を調製した。
この溶液に3滴の硫酸を添加し/co得らノ)、た溶W
1.を攪拌し、還流温度にまで加熱した。この溶液を1
8時間この温度に保J5シたのち、冷却した。約100
rnlのエーテルをこの# ’ltk vc添加し、4
!Jられた組成物を100 meの水の2アリコートで
つづけて洗浄し、つぎVC1Oチボ、炭酸ソーダ水浴液
の27リコ−トで、さら(−最後に100m7!の飽和
塩化ナトリウム水溶液の1アリコートで洗浄した。洗浄
されたヘンセン−エーテル溶液をついで硫酸マグネシウ
ム上で乾燥した。硫酸マグネシウムを濾過して除去し、
この浴液をロータリーエバポレータ全使用して水アスピ
レータ真空で濃縮して油状物を10だ。
1.を攪拌し、還流温度にまで加熱した。この溶液を1
8時間この温度に保J5シたのち、冷却した。約100
rnlのエーテルをこの# ’ltk vc添加し、4
!Jられた組成物を100 meの水の2アリコートで
つづけて洗浄し、つぎVC1Oチボ、炭酸ソーダ水浴液
の27リコ−トで、さら(−最後に100m7!の飽和
塩化ナトリウム水溶液の1アリコートで洗浄した。洗浄
されたヘンセン−エーテル溶液をついで硫酸マグネシウ
ム上で乾燥した。硫酸マグネシウムを濾過して除去し、
この浴液をロータリーエバポレータ全使用して水アスピ
レータ真空で濃縮して油状物を10だ。
ヘキサン中のアルミナ〔活性度(activity)1
、中性〕2009のスラリーを使って充填クロマトグラ
フィカラム(i?調製した。すなわぢこのスラリーを高
さ約80cm、直径3 cnrのカラムの中へ充填した
。上記油状物をカラムの頂部に入れ、溶離剤としてヘキ
サン500 mlを使用し、カラム内を移動させた。溶
離液を果状し、水アスピレータ真空でロータリーエバポ
レータを使ってヘキサンを蒸発させfc。この処理は1
22の0−ニトロヘンジルデカノ工−トを得た。
、中性〕2009のスラリーを使って充填クロマトグラ
フィカラム(i?調製した。すなわぢこのスラリーを高
さ約80cm、直径3 cnrのカラムの中へ充填した
。上記油状物をカラムの頂部に入れ、溶離剤としてヘキ
サン500 mlを使用し、カラム内を移動させた。溶
離液を果状し、水アスピレータ真空でロータリーエバポ
レータを使ってヘキサンを蒸発させfc。この処理は1
22の0−ニトロヘンジルデカノ工−トを得た。
25 ”/ (0,17モル)の無水フタール酸と10
0meのトルエンとの混合物を調製した。この混合物に
約25.5/ (0,17モル)のアクマントアミンの
100 meのトルエンに溶1竹した浴液を添加した。
0meのトルエンとの混合物を調製した。この混合物に
約25.5/ (0,17モル)のアクマントアミンの
100 meのトルエンに溶1竹した浴液を添加した。
得られた混合物を室温で15時間攪拌した。固形分を真
空P別V′cよって果状し、真空オーブン中で室温で乾
燥し、約492ON−アクマンチルフタルアミlを収得
した、。
空P別V′cよって果状し、真空オーブン中で室温で乾
燥し、約492ON−アクマンチルフタルアミlを収得
した、。
この酸の0−二トロヘンシルエステル(m。
p、188ないし189℃)を、 本実施例(B) l
/i1mおいて0−ニトロヘンジルコ−レートの製造に
つい−C述べたのと同様の方法によって製造した。
/i1mおいて0−ニトロヘンジルコ−レートの製造に
つい−C述べたのと同様の方法によって製造した。
(B)に述べたようにして調製した0−ニトロペンジル
コ−レート約2,0f(3,7ミリモル)の溶液を2Q
meのテトラヒドロフランに溶解して調製した。およ
び2.3 ml (11ミリモル)のベキサメチルジシ
ラザンと0;23+n7! (1,8ミリモル)のトリ
メチルクロロシランを窒素下、この0−二トロヘンシル
コーレート溶液へ添加した。得られた混合物を約16時
間、室温で攪拌した。この混合物をついで重力でηコ過
した。。固形物は捨てて、F液を水アスピレータ圧でロ
ータリーエバポレータを用いて濃縮し、黄褐色固体とし
て0−ニトロヘンシル0゜0.0−)、リス(トリメチ
ルシリル)コーレートを得た。
コ−レート約2,0f(3,7ミリモル)の溶液を2Q
meのテトラヒドロフランに溶解して調製した。およ
び2.3 ml (11ミリモル)のベキサメチルジシ
ラザンと0;23+n7! (1,8ミリモル)のトリ
メチルクロロシランを窒素下、この0−二トロヘンシル
コーレート溶液へ添加した。得られた混合物を約16時
間、室温で攪拌した。この混合物をついで重力でηコ過
した。。固形物は捨てて、F液を水アスピレータ圧でロ
ータリーエバポレータを用いて濃縮し、黄褐色固体とし
て0−ニトロヘンシル0゜0.0−)、リス(トリメチ
ルシリル)コーレートを得た。
(B)に述べたようにして製造した。−二トロペンシル
コーレートの約6.539(12ミリモル)を50−の
ピリジンに溶解した。約15m6(0,16モル)の無
水酢酸をこの溶液に添加し、この浴液を室温で約60時
間攪拌した。
コーレートの約6.539(12ミリモル)を50−の
ピリジンに溶解した。約15m6(0,16モル)の無
水酢酸をこの溶液に添加し、この浴液を室温で約60時
間攪拌した。
この溶液をロータリーエバポレータおよび水アスピレー
タ真空を使用して、この溶液を蒸発乾固した。固形残渣
を20Qmzのジクロロメタンに射角IN I、た。こ
のジクロロメタン淫fd凝を、0、 I N−Jlαの
250 meアリコートで1回、ライで脱イオン水の2
J Omeアリコートで1回、および重炭酸ソータの
5%水心液の25 Q meアリコートで1回11に’
7次洗浄した。ジクロロメタン浴液をついで(UfCt
l’Rマグネシウム上−C111j4間乾燥し、乾燥後
、垂力θ−1過によってイレI11酸マグネシウムを除
去した。イ:)られた浴哉を水アスピレータ真空でロー
タリーエバポレータを用いて蒸発乾固し、ン(り黄色の
固体をイiすだ。この19黄色の固体をθli 116
メタノールVCfi I’lrL、 、ついで冷却して
1り結晶を・行った。最初の1(4)結晶部分からt」
、トリエステル化1勿質ケイ!Iたが、a52の部分か
らt、1ジエステル化化合物をイIJた。もしo−ニト
ロヘンンルコーレートと無水MUMの混合物の反応を5
5乃至60℃で60 u、l1間行ったこと以外&j、
この部に述へた方法を用いるとトリエステル化物性がI
I(fj−の生成物となる。
タ真空を使用して、この溶液を蒸発乾固した。固形残渣
を20Qmzのジクロロメタンに射角IN I、た。こ
のジクロロメタン淫fd凝を、0、 I N−Jlαの
250 meアリコートで1回、ライで脱イオン水の2
J Omeアリコートで1回、および重炭酸ソータの
5%水心液の25 Q meアリコートで1回11に’
7次洗浄した。ジクロロメタン浴液をついで(UfCt
l’Rマグネシウム上−C111j4間乾燥し、乾燥後
、垂力θ−1過によってイレI11酸マグネシウムを除
去した。イ:)られた浴哉を水アスピレータ真空でロー
タリーエバポレータを用いて蒸発乾固し、ン(り黄色の
固体をイiすだ。この19黄色の固体をθli 116
メタノールVCfi I’lrL、 、ついで冷却して
1り結晶を・行った。最初の1(4)結晶部分からt」
、トリエステル化1勿質ケイ!Iたが、a52の部分か
らt、1ジエステル化化合物をイIJた。もしo−ニト
ロヘンンルコーレートと無水MUMの混合物の反応を5
5乃至60℃で60 u、l1間行ったこと以外&j、
この部に述へた方法を用いるとトリエステル化物性がI
I(fj−の生成物となる。
(G) 4−メトキシカルボニルー2−二トロへ約18
.19の4−メチル−3−二トロ安息香酸を約501n
eのメタノールに添加し/ζ。約2−の濃硫酸をこの浴
故に添加した。?Qられた溶液を還流温度にまで加熱し
、この温度で16時間加熱した。得られた組成物を20
0m7!のエーテルで抽出した。エーテル相を取り、水
相を捨てた。このエーテル相を、100+++6の水、
つづいて10%の炭酸ソーダ水浴液100−で順次洗浄
した。エーテル相を硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過
し、ロータリーエバポレータを用い水アスピレータ真空
で濃縮し、粘稠なオイルとして17.:lの4−メトキ
シカルボニルー2−二トロトルエンをイ(Iた。
.19の4−メチル−3−二トロ安息香酸を約501n
eのメタノールに添加し/ζ。約2−の濃硫酸をこの浴
故に添加した。?Qられた溶液を還流温度にまで加熱し
、この温度で16時間加熱した。得られた組成物を20
0m7!のエーテルで抽出した。エーテル相を取り、水
相を捨てた。このエーテル相を、100+++6の水、
つづいて10%の炭酸ソーダ水浴液100−で順次洗浄
した。エーテル相を硫酸マグネシウム上で乾燥し、濾過
し、ロータリーエバポレータを用い水アスピレータ真空
で濃縮し、粘稠なオイルとして17.:lの4−メトキ
シカルボニルー2−二トロトルエンをイ(Iた。
上記のようにして得られた4−メトキシカル]・ニル−
2−二トロトルエンの全部を四塩化炭素に溶解した。約
14.29(0,082モル)のN−プロモサクシンイ
ミトを四塩化炭素溶液に加えた。得られた溶液を還流温
度まで加熱し、]、・よぞa 41s間攪拌した。溶液
をび却し、j′」、空αi過に」、つてサクシンイミト
を除去した。残りのに1液を水アスピレータ真空でロー
タリーエバポ1ノ・−夕により濃縮した。この合成で2
4gの4−メトキシノJルホニルー2−二トロヘンシル
フロマイトを生成した。この生成物のコーレートエステ
ルをついで(B)のエステル製造について述べたように
して製造した。1だ0,0.0− トリアセチル誘導体
をもlだ(1つに述べたようにして製造した。
2−二トロトルエンの全部を四塩化炭素に溶解した。約
14.29(0,082モル)のN−プロモサクシンイ
ミトを四塩化炭素溶液に加えた。得られた溶液を還流温
度まで加熱し、]、・よぞa 41s間攪拌した。溶液
をび却し、j′」、空αi過に」、つてサクシンイミト
を除去した。残りのに1液を水アスピレータ真空でロー
タリーエバポ1ノ・−夕により濃縮した。この合成で2
4gの4−メトキシノJルホニルー2−二トロヘンシル
フロマイトを生成した。この生成物のコーレートエステ
ルをついで(B)のエステル製造について述べたように
して製造した。1だ0,0.0− トリアセチル誘導体
をもlだ(1つに述べたようにして製造した。
実施例3
スピンコーチインク浴液を製造するため、丑ず選ばれた
ポリマーのシクロペンタノン中の15重h1:バーセン
ト溶液を調製した。次にポリマーの20重量係に等しい
量の抑制剤をこの溶液中に浴)デrした。この溶液を0
.511mのフィルターを通して、濾過しだ。約21n
lの溶液を直径7.6 cm (3インチ)の珪素基板
の上に置き、ついでおよそ40.0 Orpm でウェ
ーハにスピンコーティングを行い、約1乃至1.5μm
の被膜を得た。被覆したウェーッX(i一ついで160
℃で1時間焼成した。このような感光性物体の製造に使
用される多種の溶解抑、制剤類を次表に示す。
ポリマーのシクロペンタノン中の15重h1:バーセン
ト溶液を調製した。次にポリマーの20重量係に等しい
量の抑制剤をこの溶液中に浴)デrした。この溶液を0
.511mのフィルターを通して、濾過しだ。約21n
lの溶液を直径7.6 cm (3インチ)の珪素基板
の上に置き、ついでおよそ40.0 Orpm でウェ
ーハにスピンコーティングを行い、約1乃至1.5μm
の被膜を得た。被覆したウェーッX(i一ついで160
℃で1時間焼成した。このような感光性物体の製造に使
用される多種の溶解抑、制剤類を次表に示す。
3−
1kWの水銀−キセノンランプおよび光を集めて平行に
する光学装置系を使用して、この感光性物体の露光を行
った。コンタクトマスク(contact mask
)としては石英の段階タブレット(5tep tabl
et ) を使用した。露光を行うだめの照射は約2分
間継続した。段階タブレットは感光性物体の各部分が、
漸進的に多量の光に曝露されるようになっている。
する光学装置系を使用して、この感光性物体の露光を行
った。コンタクトマスク(contact mask
)としては石英の段階タブレット(5tep tabl
et ) を使用した。露光を行うだめの照射は約2分
間継続した。段階タブレットは感光性物体の各部分が、
漸進的に多量の光に曝露されるようになっている。
この段階例けにおいて感光性材料の厚さ全体にわたって
現像が行われるだめの最小光量を以て感度とした。22
0±20 nm領域における光の強さは、約3 mW/
cJであった。
現像が行われるだめの最小光量を以て感度とした。22
0±20 nm領域における光の強さは、約3 mW/
cJであった。
表Iに示す感度データ用に使用したポリマーは、どの場
合にも、7部のメチルメタクリレートと3部(どちらも
モルで)のメタクリル酸を含む反応混合物から製造した
メチルメタクリートとメタクリル酸との共重合体であシ
、これは分子量は(Mw)50.760、分散度(Mw
/Mn)は2.23であった。抑制剤とこのポリマーと
の各種の組み合わせにたいして得られた感度を、必要露
光時間で4111定して表Iに示す。同様に、これら感
光性物体について得られたコントラストを、UV硬化:
科学と技術(UV Curing: 5cience
and Technology) 。
合にも、7部のメチルメタクリレートと3部(どちらも
モルで)のメタクリル酸を含む反応混合物から製造した
メチルメタクリートとメタクリル酸との共重合体であシ
、これは分子量は(Mw)50.760、分散度(Mw
/Mn)は2.23であった。抑制剤とこのポリマーと
の各種の組み合わせにたいして得られた感度を、必要露
光時間で4111定して表Iに示す。同様に、これら感
光性物体について得られたコントラストを、UV硬化:
科学と技術(UV Curing: 5cience
and Technology) 。
ニス、ビー、ババス編集(S、 P、 Pappas、
、、 Ed、 )。
、、 Ed、 )。
テクノロシーマーケティング社(1,’echnolo
gyMarketing CorI> ) 、 333
頁(1978)に述べられている方法K 、1:つて1
ll11定したものもまた表Iにしめず。これらの感度
およびコントラストを得るため、露光袋れたウェーハの
現1象は、感光性物体を表Iに示される各現像剤類の中
へ表■に示す時間だけ浸6″tすることによって行わh
た。現像したウェーハを、ついで蒸留水で30秒間す\
いた。利用した現像剤gJば、露光領域の現像を行うが
、非露光領域の厚みのロスを最小に押えるように選んだ
。
gyMarketing CorI> ) 、 333
頁(1978)に述べられている方法K 、1:つて1
ll11定したものもまた表Iにしめず。これらの感度
およびコントラストを得るため、露光袋れたウェーハの
現1象は、感光性物体を表Iに示される各現像剤類の中
へ表■に示す時間だけ浸6″tすることによって行わh
た。現像したウェーハを、ついで蒸留水で30秒間す\
いた。利用した現像剤gJば、露光領域の現像を行うが
、非露光領域の厚みのロスを最小に押えるように選んだ
。
非露光領域において失われた全フィルムの百分率を表■
に N厚み減り〃 の見出しで示した。
に N厚み減り〃 の見出しで示した。
実施例4
感光性材料組成の効果
ポリマーにおける異ったモノマー比、およびポリマーと
抑制剤との異った比の効果を次表に示す。
抑制剤との異った比の効果を次表に示す。
ポリマー類は実施例1に述べたようにして製造した。抑
制剤類は実施例2に述べたようにして製造し、感光性物
体は実施例3に述べたようにして製造した。各ケースに
おける、使用した現像剤、必要曝露諸時間、お」、びポ
リマーの分子量と分散度を表1■に表示した。
制剤類は実施例2に述べたようにして製造し、感光性物
体は実施例3に述べたようにして製造した。各ケースに
おける、使用した現像剤、必要曝露諸時間、お」、びポ
リマーの分子量と分散度を表1■に表示した。
実施例5
分子量の影響
ポリマーの分子量を変化させた効果を表IIIに示す。
このポリマーt」、メチルメタクリレートとメタクリル
酸とのモル比7対3の溶液混合物から、実施例1に述べ
たように反応させて製造した。使用した抑制剤は、実施
例2に述べたようLして製造した0−ニトロヘンジルコ
−レートである。感光性物体は実施例3に述べたように
して製造した。使用した現像剤、非露光領域における厚
み減シのパーセンテイジ、および得られた感度を表II
Iに表示する。
酸とのモル比7対3の溶液混合物から、実施例1に述べ
たように反応させて製造した。使用した抑制剤は、実施
例2に述べたようLして製造した0−ニトロヘンジルコ
−レートである。感光性物体は実施例3に述べたように
して製造した。使用した現像剤、非露光領域における厚
み減シのパーセンテイジ、および得られた感度を表II
Iに表示する。
実施例6
0.0′−ジニトロトルエン(7,849、0,08モ
ル)を四塩化炭素に溶解した。約14.29(0,08
2モル)のN−プロモサクシンイミトをこの四塩化炭素
溶液に加えた。得られた溶液を還流温度に加熱して約4
8時間攪拌した。
ル)を四塩化炭素に溶解した。約14.29(0,08
2モル)のN−プロモサクシンイミトをこの四塩化炭素
溶液に加えた。得られた溶液を還流温度に加熱して約4
8時間攪拌した。
溶液を冷却し、サクシンイミトを減圧p過で除去した。
残った溶液をロータリーエバポレータを用い水アスピレ
ータ真空で濃縮した。
ータ真空で濃縮した。
この合成によってo、 o’−ジニトロヘンシルプロマ
イト109を得/ζ。次にこの生成物のコーレートエス
テルを合成するために丑ず約25ii’(0,06モル
)のコール酸(Cholic acid )を約300
m1の水に加えた。1N水酸化ナトリウム水溶液5 Q
meをこのコール酸溶液に加えた。o、 o’−ジニ
トロヘンシルフロマイトとエタノールの溶液を調製する
ために前者の5.049(0,03モル)を後者の25
0+++e中へ加えた。
イト109を得/ζ。次にこの生成物のコーレートエス
テルを合成するために丑ず約25ii’(0,06モル
)のコール酸(Cholic acid )を約300
m1の水に加えた。1N水酸化ナトリウム水溶液5 Q
meをこのコール酸溶液に加えた。o、 o’−ジニ
トロヘンシルフロマイトとエタノールの溶液を調製する
ために前者の5.049(0,03モル)を後者の25
0+++e中へ加えた。
次にこのエタノール浴液をコール酸ナトリウムを含む溶
液に加えた。この合体した浴液を還流温度に加熱し、こ
の温度で3時間攪拌した。冷却後、沈澱したエステルを
濾過し、エタノール−水■:1(容積)750mlを用
いてFj−結晶し、約9f/のo、 o’−ジニトロヘ
ンジルコ−レートをイ(Iた。
液に加えた。この合体した浴液を還流温度に加熱し、こ
の温度で3時間攪拌した。冷却後、沈澱したエステルを
濾過し、エタノール−水■:1(容積)750mlを用
いてFj−結晶し、約9f/のo、 o’−ジニトロヘ
ンジルコ−レートをイ(Iた。
感光性物体の製造
スピニング溶液を製造するため、捷ず
P(MMA−MAA)(7,5: 2.s )(分子j
1167X103) の15重量係のシクロペンタノン
溶液を調製した。次にこの溶液にポリマ3f; 4.i
’Eの20%の量のo、0′−ジニトロヘンジルコ−レ
ートを溶1fl(した。浴液を0.5 μmのフィルタ
ーでv−1過しだ。約2 m+!の溶液を直径3 on
のシリコン基板」二にのぜ、このウェーハを約400O
rpm でスピニングして厚さ約1μmのコーチインク
を・イ(また。次にこのコーティングしたウェーハ”f
160℃で1時間焼成した。
1167X103) の15重量係のシクロペンタノン
溶液を調製した。次にこの溶液にポリマ3f; 4.i
’Eの20%の量のo、0′−ジニトロヘンジルコ−レ
ートを溶1fl(した。浴液を0.5 μmのフィルタ
ーでv−1過しだ。約2 m+!の溶液を直径3 on
のシリコン基板」二にのぜ、このウェーハを約400O
rpm でスピニングして厚さ約1μmのコーチインク
を・イ(また。次にこのコーティングしたウェーハ”f
160℃で1時間焼成した。
感光性物体は、光を集めて平行光線化する光学系を用い
500Wの水銀・キセノンランプで露光した。石英の段
階タブレットをコンタクトマスクとして用いた。露光の
ための照射は約2分間行った。段階タブレットのために
感光性物体の各部分が段階的に増加する光の量で露光さ
れた。この段階的露光のうちで、感光性物体の厚さ全体
にわたり現像する最少の露光量をもって感度とした。光
の強度は260±20 nm の領域において約10
mWla&であった。
500Wの水銀・キセノンランプで露光した。石英の段
階タブレットをコンタクトマスクとして用いた。露光の
ための照射は約2分間行った。段階タブレットのために
感光性物体の各部分が段階的に増加する光の量で露光さ
れた。この段階的露光のうちで、感光性物体の厚さ全体
にわたり現像する最少の露光量をもって感度とした。光
の強度は260±20 nm の領域において約10
mWla&であった。
この系について得られた感度とコントラストはそれぞれ
90 mJ/aAおよび5であった。
90 mJ/aAおよび5であった。
これらの値は露光さ八たウェーハを10%炭酸ナトリウ
ム水溶液で3分間現像し蒸留水で30秒間水洗して得た
ものである。現像剤は、露光部分を現像するが非露光部
分の厚み減り全最低にするように選ばれた。
ム水溶液で3分間現像し蒸留水で30秒間水洗して得た
ものである。現像剤は、露光部分を現像するが非露光部
分の厚み減り全最低にするように選ばれた。
第1頁の続き
0発 明 者 クレタス・ウオルター・ウィルキンス・
シュニヤ アメリカ合衆国07090ニユージ ヤーシイ・ウェストフィールド ・ラドレイ・ロード735 991
シュニヤ アメリカ合衆国07090ニユージ ヤーシイ・ウェストフィールド ・ラドレイ・ロード735 991
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板および感光材料よシ成る感光性物体において、
該感光材料が塩基可溶性のポリマーと、カルホン酸のo
、 o’−ジニトロアリールメチルエステルより成シ、
それにより該感光性物体が電磁放射線に照射されたとき
該感光材料の露光部分が、該感光材料の未露光領域より
も速やかに塩基にたいして溶解すること′ff:特徴と
する感光性物体。 2、 該基板がシリコンウェーハである特許請求の範囲
第1項に記載の物体。 3、該0. O’−ジニトロアリールメチルエステルが
式 〔式中R4は置換基であってカルホン酸R3COOHの
塩が水にたいして少くとも0.01M溶iを生ずるのに
充分な可溶性を持ち、R,、R,、およびR,が該未露
光?73分と該露光部分の溶解速度の比を1:nで表わ
ずときのnの値が少くとも4であるように選ばれる〕 で表される!−昌許請求の範囲第1項または第2JJ′
Iに記載の物体。 4.1ζ1 はカルホン酸、R,C00I(、中の1も
。 に相当し、該カルホン酸は、N−アクマンチルフタルア
ミド酸、コール酸、デオキシコール酸、リトコール酸、
5β−コラン酸、0、 O,O−)リス(トリメチルシ
リル)コール酸、o、o、o−トリス(トリフルオロア
セチル)コール酸、o、o、o−トリアセチルコール酸
、o、o、o−トリピバロイルコール酸、および0.0
−ジアセチルコールj設からなる群から選ばtr、るこ
とを特徴とする特許請求の範囲2r!3項の物体。 5、 5 o、 o’−シニトロアリールメチルエステ
ルが0.O′−ジニトロヘンシルエステルでちる特許請
求の範囲第1項の物体。 6、該比におけるnの値が少くとも10である特許請求
の範囲@3項に記載の物体。 7、 該ポ)マーがメチルメタクリレートとメタクリル
酸との共重合体よシ成る特許請求の範囲第1,2.およ
び5項のいずれかに記載の物体。 8、該感光材料中において該0,0′−ジニトロアリー
ルメチルエステルの量が該ポリマーにたいして5カいし
40重量パーセントの範囲内である特許請求の範囲第1
項に記載の物体。 9、 半導体材料よシ成る基板上に感光材料を析出させ
、電磁放射線によって該感光材料を所望のパターンで照
射し、該パターンを塩基性組成物を用いて現像して半導
体デlくイスの製作を完了する工程より成り、ここで該
感光材料が塩基可溶性ポリマーとカルホン酸の0.θ′
−ジニトロアリールメチルエステルから成ることを特徴
とする半導体デバイス製造方法。 10、該基板がシリコンウェー/\である特許請求の範
囲第9項の製造方法。 11− 該o、 o’−ジニトロアリールメチルエステ
ルが式 〔式中R,は置換基であってカルホン酸R,COO1l
の塩が水にたいして少くとも0.01M溶液を4トする
のに充分な可溶性ケ持ち、R,、R,、およびR3が該
未露光部分と該露光部分の溶M速度の比を1:nで表わ
すときの1〕の値が少くとも4であるように選ばれる〕 で表される特許請求の範囲第9項捷たは第10項に記載
の製造方法。 12、U ol ”−ジニトロアリールメチルエステル
がo、 o’−ジニトロペンシルエステルである特許請
求の範囲第9項に記載の製造プi法。 13、該nの値が少くとも10である特許請求の範囲第
11項に記載の製造方法。 14、R,はカルホン酸、R,C00H1中の帽に相当
し、該カルボン酸は、N−アクマンチルフタルアミド酸
、コール酸、デオキシコール酸、リトコール酸、5β−
コラン酸、0、0.0〜トリス(トリメチルシリル)コ
ール2、o、o、o−トリス(トリフルオロアセチル)
コールw、o、o、o−トリアセチルコールば、0,0
.0−トリピバロイルコール酸、および0,0−ジアセ
チルコール酸からなる群から選ばれることを特徴とする
特許請求の範囲第11項に記載の製造方法。 15、該ポリマーがメチルメタクリレートとメタクリル
酸との共重合体よシ成る特許請求の範囲第9項に記載の
製造方法。 16、該o、θ′−ジニトロアリールメチルエステルの
量が該ポリマーにたいして5ないし40重h1パーセン
トの範囲内である喘゛許請求の範囲第9項に記載の製造
方法。 17、該塩基性組成物がNa2CO3水耐液より成る特
許請求の範囲第9項に記載の製造方法。 18、該塩基性組成物がNa2CO3とNaHCO3の
水溶液から成る41許請求の範囲第9項に記載の製造方
法。
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