JPS62270951A - ポジ型フォトレジスト用クレゾールノボラック樹脂 - Google Patents

ポジ型フォトレジスト用クレゾールノボラック樹脂

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JPS62270951A
JPS62270951A JP11440986A JP11440986A JPS62270951A JP S62270951 A JPS62270951 A JP S62270951A JP 11440986 A JP11440986 A JP 11440986A JP 11440986 A JP11440986 A JP 11440986A JP S62270951 A JPS62270951 A JP S62270951A
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para
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Yukikazu Kamimura
上村 幸和
Akihiro Furuta
古田 秋弘
Sakuo Ooi
册雄 大井
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂に関
し、特に著しく解像力にすぐれ、かつ残膜率の向上した
ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂に関するもので
ある。
〈従来の技術〉 ナフトキノンジアジド基やベンゾキノンジアジド基等の
キノンジアジド基を有する化合物を含む感光性樹脂組成
物は、300〜500nmの光照射によりキノンジアジ
ド基が分解してカルボキシル基を生ずることにより、ア
ルカリ不溶の状態からアルカリ可溶の状態になることを
利用してポジ型フォトレジストとして用いられている。
この場合、感光性樹脂組成物としてはノボラック樹脂と
の組合せが一般的である。ノボラック樹脂を用いた組成
物は又均−で丈夫なレジスト塗膜を形成する。このポジ
型フォトレジストはネガ型フォトレジストに比べ解像力
がすぐれているという特徴を有し、ICやLSI等の集
積度の高い回路製作を行う際の写頁食刻法のエツチング
保護膜等として特に最近利用度が高まってきている。
ところで、半導体技術の進歩に伴いますます高集積度化
、即ち微細化が進み、今や1μmからそれ以下のサブミ
クロンの解像性が必要となってきた。
この様な状況において、パターン形状が良好で、かつ解
像力を向上させたポジ型フォトレジストに対する要求は
、非常に強い。
この様な観点から現在用いられているポジ型フォトレジ
ストを見ると、感度、耐熱性、耐ドライエツチング性等
についてはほぼ満足であっても解像力については必ずし
も満足なものとはいえない。
〈発明が解決しようとする問題点〉 ところで、解像力に対応する重要な指標としては、γ値
が挙げられる。γ値の定義として、ここでは露光量が8
1からE、に変化したとき、露光部の現像速度がR+か
らR3に変化したとすると、γ=(1og R=−1o
g R,)/(log Ez−1og L)で表わされ
る。
この値が大きい程露光量の変化に対する現像速度の変化
が大きくなりパターンの切れがよくなることを意味する
従来、このγ値の改良されたポジ型フォトレジスト組成
物としてはキノンジアジドの改良にかかわるものが散見
せられるのみで、最近の高解像度の要求に応えるには十
分なものではなかった。
そこで本発明者等はこれまで比較的等開祖されていたノ
ボラック樹脂の改良によりγ値を向上させる点に着目し
たものである。
く問題点を解決するための具体的手段〉本発明者らは、
鋭意研究、検討を進めた結果、酸の存在下でクレゾール
異性体混合物をホルムアルデヒドと反応させることによ
って製造されるクレゾールノボラック樹脂であって、上
記クレゾール異性体混合物がメタ及びパラクレゾールの
重量比で、メタ/パラ= 45/ 55〜20/80で
あり、かつ上記ノボラック樹脂の重量平均分子量が2.
000〜15、000、より好ましくは2.500〜9
.000を有する事を特徴とするノボラック樹脂をポジ
型フォトレジストに用いたところ、驚くべきことにレジ
ストの重要基本性能であるγ値が大きく向上することを
見出し、本発明を完成するに到った。
すなわち、本発明は、ポジ型フォトレジストに用いられ
るノボラック樹脂において、次の3点が同時に満足され
る事を特徴とした高解像度レジストに適したノボラック
樹脂に関するものである。
■酸の存在下で、メタ、パラクレゾール異性体混合物を
ホルムアルデヒドと反応させることによって製造される
ノボラック樹脂であること。
■上記のクレゾール異性体がメタ及びパラクレゾールの
重量比で、メタ/パラ= 45155〜20/80の範
囲であること。
■上記ノボラック樹脂の重量平均分子量が2000−1
5000 、より好ましくは2500〜9000の範囲
であること。(ここで量平均分子量が2000未満では
、残膜率が低下し一方15000より大になると感度が
悪くなり好ましくない。) さらに本発明者等は、上記3点を同時に満足し、かつ、
上記ノボラック樹脂の良溶媒である溶剤の存在下で上記
クレゾール異性体混合物をホルムアルデヒドと反応させ
る事により製造されるノボラック樹脂を・ポジ型フォト
レジストに用いたところ、驚くべきことにレジストの重
要基本性能であるγ値が、ノボラック樹脂の良溶媒であ
る溶剤を使用しない場合に比べて、さらに太き−く向上
することを見出したものである。ここでいうノボラック
樹脂の良溶媒である溶剤としては、例えば、アルコール
類(メタノール、エタノール、プロパツール等)、ケト
ン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン等)、エチレングリコールおよびそのエーテル
類、エーテルエステル類(エチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブアセ゛テート等)、プロピレングリコールおよ
びそのエーテル類、エーテルエステル類(プロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート等)、酢酸エス
テル類(酢酸メチル、酢酸エチル等)、ホルムアミド、
ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジメチルスルホキシド、アセトニトリル等があげら
れるが、すでに述べた通り、上記溶媒の存在下で反応さ
せる方がより好ましい。これらの溶剤はノボラック樹脂
の溶解性、反応温度等を考慮して一種又は二種以上混合
して使用できる。
また、これらの溶剤とクレゾール類との重量比は1〜1
0の範囲が好ましく用いられる。
本発明に用いるノボラック樹脂の製造に使用される酸性
解媒としては、塩酸等の鉱酸及び/またはシュウ酸等の
有機酸等通常用いられる公知の酸が使用される。
ノボラック樹脂の重量平均分子量はゲルパーミェーショ
ンクロマトグラフ法(以下GPCという)によった。G
PCの測定は、東洋曹達■製のHLC−802A型液体
クロマトグラフ装置に東洋曹達■製曹達■製のG−40
00H,、G−20001(、カラムを各1本づつ直列
に連結してキャリア溶媒として、テトラヒドロフランを
1 ml/分の流速で流して行なった。
次に本発明のノボラック樹脂を用いたポジ型フォトレジ
スト組成物について述べると、感光成分については、特
に限定的ではないがキノンジアジド化合物が好んで用い
られる。このキノンジアジド化合物は、公知の方法例え
ばナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドやベンゾキ
ノンジアジドスルホン酸クロリドとヒドロキシル基を有
する化合物を弱アルカリの存在下で縮合することにより
得られる。ここでヒドロキシル基を有する化合物の例と
しては、ハイドロキノン、レゾルシン、70ログリシン
、2.4−ジヒド゛ロキシベンゾフェノン、2.3.4
−)リヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸アルキルエ
ステル等があげられる。
ポジ型フォトレジスト液の調製は、前記キノンジアジド
化合物とノボラック樹脂を溶剤に混合溶解することによ
って行う。ノボラック樹脂とキノンジアジド化合物の割
合は1:1〜1:6の範囲が好ましい。文月いる溶剤は
、適当な乾燥速度で溶剤が蒸発し、均一で平滑な塗膜を
与えるものがよい。そのようなものとしては、エチルセ
ロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エ
チルセロソルブ、メチルセロソルブ、酢酸ブチル、メチ
ルイソブチルケトン、キシレン等があげられる。以上の
方法で得られたポジ型フォトレジスト組成物は、さらに
必要に応じて付加物として少量の樹脂や染料等が添加さ
れていてもよい。
〈発明の効果〉 本発明のノボラック樹脂を感光成分としてキノンジアジ
ド化合物と組合わせて用いたポジ型フォトレジスト組成
物は、著しく解像力にすぐれ、かつ残膜率が向上する。
〈実施例〉 次に実施例をあげて、本発明をさらに具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるも
のではない。
参考例 1 内容積1000m lの三ツロフラスコに、メタクレゾ
ール108;、パラクレゾール162g (メタクレゾ
ール/パラクレゾール=40/60重量比)を仕込んだ
のち、5%シュウ酸氷水30.37%ホルマリン130
gを添加した。攪拌しながらフラスコを油浴に浸して反
応温度を95〜100℃にコントロールし、9時間反応
させることによりノボラック樹脂を合成した。
反応後、アルカリで中和し、エチルセロソルブアセテー
ト200gを加え、水洗、脱水してノボラック樹脂のエ
チルセロソルブアセテート溶液を得た。
このノボラック樹脂の重量平均分子量は5400であっ
た。
参考例 2 参考例1と同様な装置に、メタクレゾール81g、パラ
クレゾール189g (メタクレゾール/パラクレゾー
ル= 30/ 70重量比)を仕込んだのち、5%シュ
ウ酸50g、 37%ホルマリン140gを添加した。
攪拌しながらフラスコを油浴に浸して反応温度を95〜
100℃にコントロールし、200時間反応せることに
よりノボラック樹脂を合成した。
反応後、アルカリで中和し、エチルセロソルブアセテ−
) 200gを加え、水洗、脱水してノボラック樹脂の
エチルセロソルブアセテート溶液を得た。
このノボラック樹脂の重量平均分子量は3300であっ
た。
参考例 3 参考例1と同様な装置に、メタクレゾール108gパラ
クレゾール162g (メタクレゾール/パラクレゾー
ル= 40/ 60重il比)、エチルセロソルブアセ
テート200gを仕込んだのち、5%シュウ酸50g、
37%ホルマリン126gを添加した。攪拌しながらフ
ラスコを油浴に浸して反応温度を95〜100℃にコン
トロールし、15時間反応させることによりノボラック
樹脂を合成した。
反応後、アルカリで中和し、水洗、脱水してノボラック
樹脂のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。
このノボラック樹脂の重量平均分子量は、6900であ
った。
参考例 4 参考例1と同様な装置に、メタクレゾール162g。
パラクレゾール108g (メタクレゾール/パラクレ
ゾール60/40重量比)を仕込んだのち、5%シュウ
酸50g、 37%ホルマリン142gを添加した。攪
拌しながらフラスコを油浴に浸して反応温度を95〜1
00℃にコントロールし、7時間反応させることにより
ノボラック樹脂を合成した。
反応後、アルカリで中和し、エチルセロソルブアセテ−
) 200gを加え、水洗、脱水して、ノボラック!脂
のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。
このノボラック樹脂の重量平均分子量は5000であっ
た。
参考例 5 参考例1と同様な装置に、メタクレゾール216g。
パラクレゾール54g(メタクレゾール/パラクレゾー
ル80/20重量比)を仕込んだのち、5%シュウ酸3
0g、 37%ホルマリン182gを添加した。攪拌し
ながらフラスコを油浴に浸して反応温度を95〜100
℃にコントロールし、6時間反応させることによりノボ
ラック樹脂を合成した。
反応後、アルカリで中和し、エチルセロソルブアセテ−
t−gQOgを加え、水洗、脱水して、ノボラック樹脂
のエチルセロソルブアセテート溶液を得た。
このノボラック樹脂の重量平均分子量は7100であっ
た。
実施例及び比較例 参考例1〜5で得られたノボラック樹脂を各々感光剤と
ともに、表−1に示す組成でエチルセロソルブアセテー
ト/酢酸n−ブチル=8/2の溶剤に溶かしレジスト液
を調合した。なお、溶剤量は以下に示す塗布条件で膜厚
が1.28μmになるように調製した。
これら各組成物を0.2μmのテフロン製フィルターで
濾過し、レジスト液を調製した。これを常法によって洗
浄したシリコンウェハーに回転塗布機を用いて4000
r、p6mで塗布した。ついで、このシリコンウェハー
を100℃の真空吸着型ホットプレートで1分間ベータ
した。その後、350Wの超高圧水銀灯を光源とする縮
少投影露光装置を用い、ショット毎に露光時間を段階的
に変えて露光した。
ついで、現像液5OPD (住友化学工業■製商品名)
を用い60秒間現像した。リンス、乾燥後者ショットの
膜減り量と露光時間をプロットして、感度(to)及び
γ値を求めた。また、toにおける未露光部の残膜厚か
ら残膜率を求めた。
これらの結果をまとめて表−1に示す。表−1から明ら
かな様に、実施例1〜3のγ値は、比較例1〜2に比べ
格段に改良された。又、実施例3(溶剤存在下でノボラ
ックを製造したケース)はさらにγ値が向上している事
が認められた。
表−1レジスト各組成物とレジスト性能1)異性体混合
物比(メタクレゾール(m)/パラクレゾール(p))
2)部は重量部を示す。
3)ナフトキノン=(1,2)−ジアジド−(2)−5
−スルホン酸クロリドと2、3.4−ドロキシベンゾフ
ェノンの縮合反応物4 ) y=(log RR2−1
o L)/(log R2−log E+)Eo、 R
2;露光量 R1,R2;現像速度

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)酸の存在下でクレゾール異性体混合物をホルムアル
    デヒドと反応させる事によって製造されるクレゾールノ
    ボラック樹脂であって、上記クレゾール異性体混合物が
    メタ及びパラクレゾールの重量比でメタ/パラ=45/
    55〜20/80であり、かつ上記ノボラック樹脂の重
    量平均分子量が2,000〜15,000を有する事を
    特徴とするポジ型フォトレジスト用クレゾールノボラッ
    ク樹脂。 2)酸の存在下でクレゾール異性体混合物をホルムアル
    デヒドと反応させてクレゾールノボラック樹脂を製造す
    るに際し、クレゾールノボラック樹脂の良溶媒である溶
    剤の存在下、クレゾール異性体混合物をホルムアルデヒ
    ドと反応させる事を特徴とする特許請求の範囲第1項に
    記載のポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂。
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