JPH06348018A - 感放射線レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 （ａ）アルカリ可溶性樹脂、および（ｂ）２，３，４，
４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと１，２−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸よりなるエステル
で、モノエステル、ジエステルおよびトリエステルの含
有量の合計が９９重量％以上であるもの、を含有するこ
とを特徴とする感放射線レジスト組成物。 【効果】ドライエッチング耐性および解像度に優れ、感
度の高いポジ型感放射線レジスト組成物が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィー
用マスク、半導体集積回路などの製造を電子線リソグラ
フィーなどを用いて行なう場合に使用する感放射線レジ
スト組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ポジ型電子線レジストとしては、
ポリメタクリル酸メチル、ポリ（α−クロロアクリル酸
２，２，２−トリフルオロエチル）、ポリ（１−ブテン
スルホン）などのポリマーを主成分とするものが使用さ
れてきた。しかし、これらのレジストは、ドライエッチ
ング耐性が不十分であるという欠点を有していた。近
年、フォトマスク、半導体集積回路などの製造において
ドライエッチングを使用することが多くなるにしたが
い、これら従来のレジストでは、使用にたえない場合が
増加してきている。

【０００３】これに対し、ノボラック樹脂とキノンジア
ジド化合物を主成分とするポジ型フォトレジストは、ド
ライエッチング耐性は優れ、しかも非膨潤性のアルカリ
水溶液で現像できるため、解像度、パターン形状にすぐ
れるという利点を有するものの、電子線リソグラフィー
に使用した場合、感度が極端に低くなり、実用にたえな
かった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ノボ
ラック樹脂とキノンジアジド化合物を主成分とし、ドラ
イエッチング耐性、および解像度に優れ、感度の高い感
放射線レジスト組成物を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、アルカリ
可溶性樹脂とキノンジアジド化合物よりなる感放射線レ
ジスト組成物について、特にキノンジアジド化合物につ
いて鋭意検討した結果、本発明の完成に至ったものであ
る。

【０００６】かかる本発明の目的は、（ａ）アルカリ可
溶性樹脂、および（ｂ）２，３，４，４’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノンと１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸よりなるエステルで、モノエステル、
ジエステルおよびトリエステルの含有量の合計が９９重
量％以上であるもの、を含有することを特徴とする感放
射線レジスト組成物、好ましくは、さらに（ｃ）トリヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン以外のテトラヒドロキシベンゾ
フェノン、および没食子酸エステルの群から選ばれた少
なくとも一種と、１，２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸よりなるエステルで、水酸基がすべてエステ
ル化されたフルエステル、を含有することを特徴とする
感放射線レジスト組成物により達成される。

【０００７】本発明の感放射線レジスト組成物に用いる
（ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂としては、ポリビニル
フェノール、ノボラック樹脂が好ましく、特にノボラッ
ク樹脂が好ましく用いられる。

【０００８】ノボラック樹脂は、フェノール化合物、例
えばp-クレゾールおよびm-クレゾールの混合物と、ホル
ムアルデヒド、もしくはその重合体であるパラホルムア
ルデヒドまたは１，３，５−トリオキサンを縮合させる
ことにより得られる。

【０００９】縮合反応は、無溶媒、もしくは有機溶媒中
で行われる。有機溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノ
ールなどのアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブなどのセロソルブ類、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート
などのセロソルブエステル類、テトラヒドロフラン、
１，４−ジオキサンなどエーテル類などが好ましく使用
される。

【００１０】縮合反応の触媒としては、シュウ酸、ギ
酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、リン酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸などの酸類、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウムなどの
金属塩類が好ましく使用される。

【００１１】このようにして得られたノボラック樹脂に
は、一般にフェノール単位が２個縮合した二核体、３個
縮合した三核体などの低分子量成分が含有されている。
このような低分子量成分中には、スカムの原因となった
りパターン形状を劣化させる原因となる成分が存在す
る。合成したノボラックがこれら低分子量成分を多く含
む場合、適当な操作により除去し、二核体、三核体の含
有量合計を１０％以下にすることが好ましい。

【００１２】ノボラック樹脂から低分子量成分を除去す
る処理としては以下のような方法を用いることができ
る。

【００１３】（１）抽出法 ノボラック樹脂を細かく粉砕し、ベンゼン、トルエン、
キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンのような
有機溶媒、あるいはメタノール、エタノールのような有
機溶媒と水との混合液とともに一定の温度で撹拌し低分
子量成分を抽出する。

【００１４】（２）再沈澱法 ノボラック樹脂をメタノール、エタノール、アセトン、
エチルセロソルブなどの有機溶媒に溶解する。ついで、
このノボラック溶液に水、石油エーテル、ヘキサンなど
の貧溶媒を滴下するか、逆にノボラック溶液を前記貧溶
媒中に滴下してノボラック樹脂を析出させて分離し、乾
燥する。

【００１５】（３）分液法 ノボラック樹脂をメタノール、エタノール、アセトン、
エチルセロソルブなどの水と混和する有機溶媒とエチル
セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテートなどの水と混和しない有機溶媒と
の混合溶媒に溶解し、水を滴下して二層分離させ、有機
層を分離し、濃縮する。

【００１６】本発明の感放射線レジスト組成物は、感放
射線成分として（ｂ）成分を含有する。さらに、（ｃ）
成分をも含有することが好ましい。

【００１７】第１の感放射線成分である（ｂ）成分は、
２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸よりな
るエステルで、モノエステル、ジエステルおよびトリエ
ステルの含有量の合計が９９重量％以上であるものであ
る。好ましくは、９９．９重量％以上、より好ましく
は、１００重量％である。

【００１８】２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの３，４，４’−位の水酸基がナフトキノン
ジアジドスルホン酸によりエステル化されたトリエステ
ルは、米国特許３，１４８，９８３号明細書に記載され
ている。しかし、通常の方法で２，３，４，４’−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンのエステル化を行なうと、
必ずテトラエスエルを含む混合物が得られることが、特
公昭６２−２８４５７号に関する異議申立で明らかにな
った。すなわち、テトラエステルを含まないエステルは
現在まで知られていない。

【００１９】特公昭６２−２８４５７号公報には、２，
３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの１，
２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸テトラエス
テル、または１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸テトラエステルがフォトレジストとして有用であ
ると述べられている。しかしながら、本発明者らは、
２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと
１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸よりな
るエステルをポジ型電子線レジストの成分として検討し
た結果、テトラエステルの存在は電子線露光に悪影響を
与え、特に感度を低くする効果があることを見出した。

【００２０】モノエステル、ジエステル、トリエステル
およびテトラエステルの混合物からテトラエステルを除
去する方法としては、例えば、以下の方法によれば良
い。

【００２１】（１）液体クロマトグラフィーを用いて各
成分を分取する。

【００２２】（２）混合物をアセトンに溶解し、撹拌下
にメタノール中に注ぐ。析出した沈殿を濾過して除き、
母液を減圧濃縮する。

【００２３】モノエステル、ジエステル、トリエステル
の好ましい混合比率（重量％）としては、モノエステル
０〜５０％、より好ましくは５〜４０％、ジエステル５
〜５０％、より好ましくは１０〜３０％、トリエステル
１０〜６０％、より好ましくは２０〜５０％である。

【００２４】（ｂ）成分のレジスト固形分中での重量％
は３〜３０％が好ましく、より好ましくは５〜２０％で
ある。ここでレジスト固形分とは、レジスト組成物から
溶媒を除いたものをいう。第１の感放射線成分が３％よ
り少ないと、解像度が悪くなりやすく、３０％より多い
と、感度が低くなりやすい。

【００２５】第２の感放射線成分である（ｃ）成分は、
トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テ
トラヒドロキシベンゾフェノン以外のテトラヒドロキシ
ベンゾフェノン、没食子酸エステルの群から選ばれた少
なくとも一種と、１，２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸よりなるエステルで、水酸基がすべてエステ
ル化されたフルエステルである。

【００２６】トリヒドロキシベンゾフェノンとしては、
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンが、テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンとしては、２，３’，４，
４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，
４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’，３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノンが、没
食子酸エステルとしては、没食子酸メチルが特に好まし
く用いられる。

【００２７】（ｃ）成分の感放射線成分を（ｂ）成分と
併用することにより、感度、解像度が高く、未露光部分
の膜減りの少ないレジストが得られる。

【００２８】以上述べた（ｃ）成分のフルエステルと、
フルエステル以外のエステル（モノ、ジ、トリ）との混
合物とを使用しても良い。その場合、フルエステルの含
有量（重量％）が、混合物中で８５％以上であることが
好ましく、９０％以上がさらに好ましい。

【００２９】（ｃ）成分のレジスト固形分中での重量％
は３〜３０％が好ましく、より好ましくは５〜２０％で
ある。３％より少ないと、未露光部分の膜減りが増え、
３０％より多いと、感度が低くなりやすい。

【００３０】本発明のレジスト組成物にはアルカリ可溶
性低分子化合物を添加剤として加えることができる。

【００３１】例えば、特開平１−４４４３９号公報、特
開平１−１７７０３２号公報、特開平２−２７５９５５
号公報、特開平３−２３０１６４号公報、特開平３−２
５１８４５号公報、特開平４−１２３５７号公報などに
記載の化合物が挙げられるが、特に特開平４−１２３５
７号公報に記載のフェノール化合物、特開平３−２５１
８４５号公報に記載のβ−トリオン化合物が好ましく用
いられる。

【００３２】これらのアルカリ可溶性低分子化合物は単
独または２種以上混合して用いることができる。

【００３３】アルカリ可溶性低分子化合物のレジスト固
形分中の重量％は３〜２５％が好ましく、より好ましく
は７〜２０％である。３％より少ないと、解像度が悪く
なりやすく、２５％より多いと、未露光部分の膜減りが
増えやすい。

【００３４】本発明のレジスト組成物には、これらの主
成分の他に、界面活性剤、酸化防止剤などの添加剤を適
宜加えることができる。

【００３５】本発明のレジスト組成物は、上記の成分を
溶媒に溶解することにより得られる。溶媒の使用量とし
ては、特に限定されないが、レジスト固形分がレジスト
組成物中で、５〜３０重量％となるように調整される。
好ましく用いられる溶媒としては、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、酢酸アミル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸
エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、安息香酸メチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトンなどのエス
テル類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチル
セロソルブなどのセロソルブ類、メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソル
ブアセテートなどのセロソルブエステル類、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートなどのプロピ
レングリコールエーテルエステル類、１，２−ジメトキ
シエタン、１，２−ジエトキシエタン、テトラヒドロフ
ラン、１，４−ジオキサン、アニソールなどのエーテル
類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン、イソホロンなどのケトン類、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロ
リドンなどのアミド類、ジメチルスルホキシド、スルホ
ランなどの非プロトン性極性溶媒から選ばれる溶媒、ま
たはこれらの溶媒を複数混合した溶媒が挙げられる。

【００３６】本発明の感放射線レジスト組成物を被加工
基板上に塗布、乾燥し、電子線などの放射線を用いてパ
ターンを露光し、アルカリ現像液によって現像を行なう
ことにより微細パターンが形成される。

【００３７】塗布、乾燥、露光は、電子線レジストのパ
ターン形成方法として従来公知の方法によれば良い。例
えば、スピンナーなどを用いて、乾燥後の膜厚が０．３
〜２．０μｍとなるように塗布し、９０〜１２０℃程度
で、１〜１０分程度乾燥する。露光に用いられる放射線
としては、電子線の他には、Ｘ線、イオンビーム等があ
げられるが、最も好ましいのは電子線である。なお、本
発明における放射線には、通常の紫外線は含まない。電
子線による露光は、通常の電子線露光装置などを用いれ
ば良い。

【００３８】本発明の放射線感応組成物の現像に用いら
れる現像液としては、例えば、アルカリ金属の水酸化
物、炭酸塩、りん酸塩、けい酸塩、メタけい酸塩、ほう
酸塩などの無機アルカリ類、プロピルアミン、ジプロピ
ルアミン、ジブチルアミン、メチルジエチルアミン、ピ
ロール、２，２−ジメチルピロール、β−ピコリン、コ
リジン、ピペリジン、ピペラジン、トリエチレンジアミ
ン、２−ジエチルアミノエタノール、２−アミノエタノ
ール、ジエタノールアミン等のアミン類、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシド、コリン等の４級アンモニウム塩、アンモ
ニア等の塩基類を一種あるいは複数種含む水溶液が挙げ
られる。

【００３９】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。特に断らない限り、「部」は、「重量部」
を表す。

【００４０】実施例１ （１）ノボラックの調製 ｍ−クレゾール３５部、ｐ−クレゾール６５部、シュウ
酸０．５部、３７％ホルマリン４６部より通常の方法で
ノボラック樹脂を得た。

【００４１】ゲル・パーミエーション・クロマトグラフ
ィーでもとめたこのノボラックの重量平均分子量（ポリ
エチレンオキシド換算）は６６５０、数平均分子量は１
１８４、分子量分散は５．６２であり、二核体含有量は
１０．５重量％、三核体含有量は５．７重量％であっ
た。

【００４２】このノボラックを１部取り、メタノール
５．００部に溶解し、撹拌下に４．００部の水を滴下し
ノボラックを沈澱させた。上澄液を除き、沈澱したノボ
ラックを取り出して５０℃で２４時間真空乾燥した。
０．８６部のノボラックが得られ、このノボラックの重
量平均分子量は７，２５９、数平均分子量は１，７４
５、分子量分散は４．１６、二核体含有量は６．１重量
％、三核体含有量は３．０重量％であった。このノボラ
ックをノボラックＡとする。

【００４３】（２）２，３，４，４’−テトラヒドロキ
シベンゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４
−スルホン酸エステル（（ｂ）成分）の調製 ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン１
３．４１部、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホニルクロリド３６．５９部をジオキサン１４０部に溶
解し、トリエチルアミン１３．７８部をジオキサン３０
部に溶解したものを、撹拌下に４０℃で滴下した。滴下
後、４０℃で１０時間撹拌後、反応混合物を水１０００
部中に注ぎ、３０分間撹拌した。析出物を濾取し、水、
メタノールで洗浄後、室温で１６時間真空乾燥した。こ
れをキノンジアジドＢとする。

【００４４】キノンジアジドＢを、高速液体クロマトグ
ラフィーで分析した。ポンプは島津製ＬＣ−６Ａ、検出
器は島津製ＳＰＤ−６ＡＶ、カラムはガスクロ工業製イ
ナートシルＯＤＳ−２（４．６×２５０ｍｍ）を使用し
た。移動相は水とアセトニトリルの混合溶媒を用い、５
０：５０→０：１００のグラジエント溶出を行なった。
ピーク検出は波長２８０ｎｍで行なった。

【００４５】ピークの同定は、各ピークを別途分取し、
¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲを用いて行なった。

【００４６】得られたクロマトグラム中でのテトラエス
テルのピーク面積の比率は３３．３％であった。

【００４７】次にキノンジアジドＢ１０．０ｇをアセト
ン５０ｍｌに溶解し、メタノール５００ｍｌ中に撹拌し
ながら注いだ。析出した沈澱を濾過により除き、濾液を
濃縮して褐色固体３．１ｇを得た。これをキノンジアジ
ドＣとする。

【００４８】キノンジアジドＣについて、キノンジアジ
ドＢと同様の条件で高速液体クロマトグラフィーによる
分析を行なったところ、３，４，４’−トリエステル
２．２％、２，３，４−トリエステル３７．６％、３，
４−ジエステル２３．４％、モノエステル３６．８％よ
りなることがわかった。

【００４９】（３）（ｃ）成分の合成 ２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン２２．９
部、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルク
ロリド８０．７部をジオキサン２５０部に溶解し、トリ
エチルアミン３０．４部をジオキサン５０部に溶解した
ものを、撹拌下に４０℃で滴下した。滴下後、４０℃で
１０時間撹拌後、反応混合物を水２０００部中に注ぎ、
３０分間撹拌した。析出物を濾取し、水、メタノールで
洗浄後、室温で１６時間真空乾燥した。これをキノンジ
アジドＤとする。

【００５０】キノンジアジドＤを高速液体クロマトグラ
フィーを用いて分析したところ、フルエステルの含有量
は９６．２％であった。

【００５１】（４）レジスト組成物の調製 下記の原料を混合してレジスト溶液を調製した。

【００５２】 ノボラックＡ ９．５８部 キノンジアジドＣ １．１４部 キノンジアジドＤ １．３４部 化合物Ｈ １．３４部 ＰＧＭＡ ６６．６部 ＤＭＦ ２０．０部 “トロイソール”３６６ ０．０３部 （ここで、化合物Ｈは１，１，２−トリス（３，５−ジ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンを表わし、
ＰＧＭＡおよびＤＭＦは、それぞれプロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、ジメチルホルムアミ
ドを表わす。“トロイソール”３６６はＴｒｏｙ Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ社製の界面活性剤である。） （５）レジストプロセス （４）で調製したレジストをシリコンウエハにスピンナ
ーを用いて塗布し、１１０℃のオーブンで１０分間ベー
クし、膜厚０．５μｍの塗膜試料を作製した。電子線露
光装置を用い、加速電圧２０ｋＶ、電流量１ｎＡで０．
４５ｍｍ×０．６０ｍｍの矩形領域を順次露光時間を変
えて走査露光した。

【００５３】ついで、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド２．３８％水溶液を用いて２３℃で１２０秒間浸
漬現像を行ない、純水でリンスした。

【００５４】（６）特性の評価 この試料の未露光部分および露光した矩形領域のレジス
ト膜厚を順次測定した。各露光部分について、露光量
（すなわち電流量と露光時間の積を面積で割った値）と
残膜率（すなわち露光部分膜厚を塗布膜厚で割った値）
を計算し、残膜率を露光量の対数に対してプロットして
感度曲線を作図した。この感度曲線から、残膜率が０に
なる露光量を求め感度の値とした。また、塗布膜厚と未
露光部分膜厚の差、すなわち膜減りを求めた。

【００５５】感度は６．７μＣ／ｃｍ² で、膜減りは
０．１０２μｍであった。

【００５６】実施例２ （１）（ｃ）成分の合成 実施例１の（３）と同様の方法で、２，３’，４，４’
−テトラヒドロキシベンゾフェノンよりキノンジアジド
Ｅを調製した。

【００５７】（２）レジスト組成物の調製 下記の原料を混合してレジスト溶液を調製した。

【００５８】 ノボラックＡ ９．３８部 キノンジアジドＣ １．３４部 キノンジアジドＥ １．３４部 化合物Ｈ １．３４部 ＰＧＭＡ ６６．６部 ＤＭＦ ２０．０部 “トロイソール”３６６ ０．０３部 （３）レジストプロセスおよび評価 実施例１と同様に塗膜試料を作製し、露光、現像した。
現像時間は１０２秒で、感度は７．０μＣ／ｃｍ² 、膜
減りは０．０９９μｍであった。

【００５９】実施例３ （１）（ｃ）成分の合成 実施例１の（３）と同様の方法で、２，２’，３，４−
テトラヒドロキシベンゾフェノンよりキノンジアジドＦ
を調製した。

【００６０】（２）レジスト組成物の調製 下記の原料を混合してレジスト溶液を調製した。

【００６１】 ノボラックＡ ９．３８部 キノンジアジドＣ １．３４部 キノンジアジドＦ １．３４部 化合物Ｈ １．３４部 ＰＧＭＡ ６６．６部 ＤＭＦ ２０．０部 “トロイソール”３６６ ０．０３部 （３）レジストプロセスおよび評価 実施例１と同様に塗膜試料を作製し、露光、現像した。
現像時間は１１４秒で、感度は８．６μＣ／ｃｍ² 、膜
減りは０．１０１μｍであった。

【００６２】実施例４ （１）（ｃ）成分の合成 実施例１の（３）と同様の方法で、没食子酸メチルより
キノンジアジドＧを調製した。

【００６３】（１）レジスト組成物の調製 下記の原料を混合してレジスト溶液を調製した。

【００６４】 ノボラックＡ ８．９８部 キノンジアジドＣ １．７４部 キノンジアジドＧ １．３４部 化合物Ｈ １．３４部 ＰＧＭＡ ６６．６部 ＤＭＦ ２０．０部 “トロイソール”３６６ ０．０３部 （２）レジストプロセスおよび評価 実施例１と同様に塗膜試料を作製し、露光、現像した。
現像時間は６７秒で、感度は６．３μＣ／ｃｍ² 、膜減
りは０．１０２μｍであった。

【００６５】比較例 （１）レジスト組成物の調製 下記の原料を混合してレジスト溶液を調製した。

【００６６】 ノボラックＡ ９．３８部 キノンジアジドＢ ２．６８部 化合物Ｈ １．３４部 ＰＧＭＡ ６６．６部 ＤＭＦ ２０．０部 “トロイソール”３６６ ０．０３部 （２）レジストプロセスおよび評価 実施例１と同様に塗膜試料を作製し、露光、現像した。
現像時間は４５秒で、感度は１５．０μＣ／ｃｍ² 、膜
減りは０．０９８μｍであった。

【００６７】

【発明の効果】ドライエッチング耐性および解像度に優
れ、感度の高いポジ型感放射線レジスト組成物が得られ
る。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）アルカリ可溶性樹脂、および（ｂ）
   ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンと
   １，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸よりな
   るエステルで、モノエステル、ジエステルおよびトリエ
   ステルの含有量の合計が９９重量％以上であるもの、を
   含有することを特徴とする感放射線レジスト組成物。
2. 【請求項２】（ｃ）トリヒドロキシベンゾフェノン、
   ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン以
   外のテトラヒドロキシベンゾフェノン、および没食子酸
   エステルの群から選ばれた少なくとも一種と、１，２−
   ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸よりなるエステ
   ルで、水酸基がすべてエステル化されたフルエステル、
   を含有することを特徴とする請求項１記載の感放射線レ
   ジスト組成物。
3. 【請求項３】トリヒドロキシベンゾフェノンが、２，
   ３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンであることを特
   徴とする請求項２記載の感放射線レジスト組成物。
4. 【請求項４】テトラヒドロキシベンゾフェノンが２，
   ３’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
   ２，２’，３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノンま
   たは２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェ
   ノンであることを特徴とする請求項２記載の感放射線レ
   ジスト組成物。
5. 【請求項５】没食子酸エステルが没食子酸メチルである
   ことを特徴とする請求項２記載の感放射線レジスト組成
   物。
6. 【請求項６】（ｂ）成分のモノエステル、ジエステルお
   よびトリエステルの含有量の合計が９９．９重量％以上
   であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載
   の感放射線レジスト組成物。