JPH03158854A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物

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JPH03158854A
JPH03158854A JP1297660A JP29766089A JPH03158854A JP H03158854 A JPH03158854 A JP H03158854A JP 1297660 A JP1297660 A JP 1297660A JP 29766089 A JP29766089 A JP 29766089A JP H03158854 A JPH03158854 A JP H03158854A
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JP
Japan
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compd
photosensitive component
photosensitive resin
diazide
type resin
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Application number
JP1297660A
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English (en)
Inventor
Nobuo Tokutake
徳竹 信生
Koichi Takahashi
浩一 高橋
Kosuke Doi
宏介 土井
Satoshi Niikura
聡 新倉
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Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規なポジ型感光性樹脂組成物、さらに詳しく
いえば、特にICやLSIなどの半導体デバイスの製造
において、超微細加工用レジストとして好適に用いられ
る、高感度で画像コントラスト、断面形状に優れ、かつ
耐熱性にも優れ、その上溶液として用いる場合、時間経
過に伴う異物の発生のないポジ型感光性樹脂組成物に関
するものである。
従来の技術 従来、ICやLSIなどの半導体デバイスの製造プロセ
スにjりいては、ホトエツチング法による微細加工とし
て/リコンウエハー上にホトレジスト組成物の薄膜を形
成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれたマ
スクパターンを紫外線照射などにより転写したのも現像
し、このようにして得られたレジストパターンを保護膜
として該ンリコンウエハーをエツチングするという方法
がとられている。そして、この方法において用いられる
ホトレジスト組成物としては、被膜形成用のアルカリ可
溶性ノポラlり型樹脂に、キノンジアジド基含有化合物
、特に芳香族ポリヒドロキシ化合物のす7トキノン・1
.2−ジアジドスルホン酸エステルを感光性成分として
配合したものが好適であることが知られている。しかし
ながら、このジアジドエステルを含有する感光性樹脂組
成物においては、溶液中で保存安定性が悪かったり、あ
るいは該ジアジドエステルの保存安定性は良いものの、
溶解性が良好でなく、時間経過とともに微細な結晶が析
出したりするものが多く、このため使用可能なジアジド
エステルにおける芳香族ポリヒドロキシ化合物は、フェ
ノールノボラック樹脂、タレゾールノボラック樹脂、没
食子酸エステノ呟ポリヒドロキンベンツフェノンなどに
制限されており、より高感度化のジアジドエステルにお
ける芳香族ポリヒドロキシ化合物としてはこれらの中で
も特に単位分子当りの水酸基を多く含有する没食子酸エ
ステル類やポリヒドロキシベンゾフェノン類の中から選
ばれるのが普通である。ポリヒドロキシベンゾフェノン
類のす7トキノンー1.2−ジアジドスルホン酸エステ
ルについては、これまで多くの提案がなされている(米
国特許第3046118号明細書、同第3106465
号明細書、同第3148983号明細書、特公昭37−
18015号公報、特公昭62−28457号公報)。
しかしながら、これらのポリヒドロキンベンゾフェノン
類のナフトキノン−1,2−ジアジドスルホン酸エステ
ルは、前記した従来の感光性樹脂組成物がもつ欠点を十
分に克服しうるものではない上に、画像コントラスト、
断面形状及び耐熱性についても十分ではない。
ところで、近年L S I 、超LSIなどの半導体デ
バイス及び感光性印刷版の製造において、その画像形成
工程の紫外線照射時間の短縮、すなわち、ポジ型感光性
樹脂組成物の増感が強く要求されるようになり、前記組
成物に、さらに種々の増感剤を組み合わせたポジ型感光
性組成物が開発されている。
しかしながら、ポジ型感光性樹脂組成物に増感剤を添加
した場合、増感剤の添加量が増加するに従い、感度の上
昇は顕著となるが、保存安定性をそこなったり、耐熱性
を低下させてしまうという欠点を有している。
他方、a、σ 、α“−トリス(4−ヒドロキシ7エ二
ル)−1,3,5−)リイソプロビルベンゼンは、ポリ
力・−ボネート、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリス
ルホンなどの原料や改質剤として知られており、また、
このものとフェノール類との混合物にアルデヒドを縮合
させて得られたアルカリ可溶性樹脂を用いた解像力と耐
熱性の良好なポジ型ホトレジスト組成物も知られている
(特開昭63−261256号公報)。しかしながら、
該a、α 、α“−トリス(4−ヒドロキシフェニル’
) −1,3,5−トリイソプロピルベンゼンのジアジ
ドエステルが感光性樹脂組成物における感光性成分とし
て、あるいは該σ、σ 、aトリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼンその
ものが該組成物における増感剤として、有効であること
はこれまで知られていなかった。
発明が解決しようとする課題 本発明はこのような事情のもとで、半導体デバイスの製
造における超微細加工などに用いられるポジ型感光性樹
脂組成物として、十分に満足しうる程度の高感度を有し
、画像コントラスト、断面形状に優れ、かつ耐熱性が良
好である上、溶液として用いる場合異物の発生がないな
ど、優れた特徴を有するものを提供することを目的とし
てなされにものである。
課題を解決するための手段 本発明者らは、前記の優れた特徴を有するポジ型感光性
樹脂組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、アルカ
リ可溶性ノボラック型樹脂に、特殊な化合物から成る感
光性成分を配合することにより、その目的を達成しうろ
ことを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成する
に至った。
すなわち、本発明は、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂
に、−数式 (式中のAの中東なくとも1個は、ナフトキノン−1,
2−ジアジド−4又は5−スルホニル基であり、残りは
水素π子である) で表わされる化合物を感光性成分として配合したことを
特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、及びアルカリ可溶
性ノボラック型樹脂に、a、α 、αトリス(4−ヒド
ロキシフェニル)1.3.5−トリイソプロピルベンゼ
ン疎び前記−数式CI)で表わされる化合物から成る感
光性成分を配合したことを特徴とするポジ型感光性樹脂
組成物を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明組成物においては、感光性成分として、前記−数
式(1)で表わされる化合物が用いられる。
この化合物は、該組成物を溶液として使用する際に通常
用いられる溶剤によく溶解し、かつ被膜形成物質のアル
カリ可溶性ノボラック型樹脂との相溶性が良好であり、
ポジ型感光性樹脂組成物の感光性成分として使用すると
、高感度で画像フントラスト、断面形状に優れ、かつ耐
熱性にも優れる上、溶液として用いる場合に異物の発生
のない組成物を与える。
この−数式(I)で表わされる化合物は、例えばσ、α
 、σ′−トリス(4−ヒドロキンフェニル)−1,3
,5−)リイソプロビルベンゼンをナフトキノン−1,
2−ジアジド−5−スルホニルクロリド又はナフトキノ
ン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリドとジオ
キサンなどの適当な溶媒中において、トリエタノールア
ミン、炭酸アルカリや炭酸水素アルカリなどのアルカリ
の存在下に縮合させ、完全エステル化又は部分エステル
化することにより製造することができる。
本発明組成物においては、該感光性成分として、前記−
数式(1)で表わされる化合物を1種含有していてもよ
いし、2種以上を含有していてもよく、また、所望に応
じ、本発明の目的をそこなわない範囲で、他のキノンジ
アジド基含有化合物、例えばオルトベンゾキノンジアジ
ド、バラベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノンジ
アジド、オルトアントラキノンジアジド又はオルトナフ
トキノンジアジドスルホン酸エステル類などのこれらの
核置換誘導体、さらにはオルトキノンジアジドスルホニ
ルクロリドと水酸基又はアミノ基をもつ化金物、例えば
フェノール、p−メトキシフェノール、ジメチルフエノ
ーノ呟ヒドロキノン、ビスフェノールA1ナフトール、
ピロカテコール、ピロガロール、ポリヒドロキシベンゾ
フェノン、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロ
ール−1,3−ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を
一部残しエステル化又はエーテル化された没食子酸、ア
ニリン、p−アミノジフェニルアミンなどとの反応生成
物などを併用することができる。
本発明組成物においては、感度をさらに高めるために、
所望に応じ、感光性成分として、前記−数式(I)で表
わされる化合物にσ、α′、α“−トリス(4−ヒドロ
キシフェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼ
ンを組み合わせて用いることができる。
このα、σ′、σ“・トリス(4−ヒドロキシフェニル
)=1.3.5−1−リイソグロピルベンゼンは、増感
効果に優れ、高感度でかつ露光余裕度の大きな感光性樹
脂組成物を与えることができる。
本発明組成物においては、所望に応じ、本発明の目的を
そこなわない範囲で、増感剤、例えばメルカブト才キサ
ゾール、メルカプトベンゾキサゾール、メルカプトオキ
サゾリン、メルカプトベンゾチアゾ−/呟ベンゾキサシ
リノン、ベンゾチアゾロン、メルカプトベンゾイミダゾ
ール、ウラゾール、チオウランル、メルカプトピリミジ
ン、イミダシロン及びこれらの誘導体などを併用するこ
とができる。
本発明組成物においては、被膜形成用物質として、アル
カリ可溶性ノボラック型樹脂が用いられる。このアルカ
リ可溶性ノボラック型樹脂については特に制限はなく、
従来ポジ型感光性樹脂組成物において、被膜形成用物質
として慣用されているアルカリ可溶性ノボランク型樹脂
、例えばフェノール、クレゾールやキンレノールなどの
芳香族ヒドロキン化合物とホルムアルデヒドなどのアル
デヒド類とを酸性触媒の存在下に縮合させたものを用い
ることができる。
本発明組成物においては、このアルカリ可溶性ノボラッ
ク型樹脂として、低分子量領域をカントした重量平均分
子量が2000〜20000、好ましくは5000〜1
5000のものを用いるのが耐熱性の優れた組成物を得
るのに有利である。
本発明組成物においては、このアルカリ可溶性ノボラッ
ク型樹脂は、府記感光性成分IQ!量部当り、通常5〜
200重量部、好ましくは10〜60重量部の範囲で用
いられる。このアルカリ可溶性ノボラック型樹脂が多す
ぎると画像の忠実性に劣り、転写性が低下するし、少な
すぎるとレジスト膜の均質性が悪くなり、解像力も低下
する傾向がみられる。
また、所望に応じて用いられるα、a 、α“−トリス
(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5−トリイソプ
ロピルベンゼンは、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と
前記−数式(1)で表わされる化合物との合計量100
重量部当り、通常0.1〜30重量部、好ましくは0.
5〜251L量部の割合で用いられる。この量が0.1
重量部未満では増感効果が十分に発揮されないし、30
重量部を超えると量の割には増感効果が得られず、むし
ろ不経済となり好ましくない。その最適使用量は前記−
数式(I)で表わされる化合物の種類に応じて適宜選ば
れる。
本発明組成物は、前記のアルカリ可溶性ノボラック型樹
脂と感光性成分とを適当な溶剤に溶解して溶液の形で用
いるのが好ましい。
このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトンな
どのケトン類:エチレングリコール、エチレングリコー
ルモノアセテート、ジエチレングリコール又はジエチレ
ングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モ
ノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチル
エーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコー
ル類及びその誘導体ニジオキサンのような環式1−チル
類:及び乳酸エチル、酢酸メチノ呟酢酸エチル、酢酸ブ
チルなどのエステル類を挙げることができる。これらは
単独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい
本発明組成物には、さらに必要に応じて相溶性のある添
加物、例えばレジスト膜の性能などを改良するための付
加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像した像をより一
層可視的にするための着色料などの慣用されているもの
を添加含有させることができる。
本発明組成物の好適な使用方法について1例を示すと、
まずシリコンウェハーのような支持体上に、アルカリ可
溶性ノボラック型樹脂と感光性成分とを前記したような
適当な溶剤に溶かした溶液をスピンナーなとで塗布し、
乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外線を発光する光
源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ア
ーク灯、キセノンランプなどを用い所要のマスクパター
ンを介して露光するか、あるいは電子線を走査しながら
照射する。次にこれを現像液、例えば1−10重量%テ
トラメチルアンモニウムヒドロキンド水溶液のような弱
アルカリ性水溶液に浸せきすると、露光によってマスク
パターンに忠実な画像を得ることができる。
発明の効果 本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、感光性成分として
a、a’、ミニ−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1,3,5−トリイソプロピルベンゼンとす7トキノン
ー1.2−ジアジド−5−スルホン酸又はす7トキノン
ー12−ジアジド−4−スルホン酸との完全エステル化
物や部分エステル化物及び所望に応じて用いラレルσ、
a 、α“−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1,
3,5−トリイソプロピルベンゼンを含有するものであ
って、高感度で未露光部の残膜率が高いため、画像コン
トラストに優れ、かつ耐熱性及び断面形状にも優れる上
、溶液として用いる場合、時間経過に伴う異物の発生が
ないなど、優れた特徴を打し、特にICやLSIなどの
半導体デバイスの製造において、超微細加工用レジスト
として好適に用いられる。
実施例 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
なお、各個により得られた組成物の物性は以下の方法に
より測定した。
(1)感度; 試料をスピンナーを用いてシリコンウェハーに塗布し、
ホットプレートで110°C590秒間乾燥して膜厚1
.3μ肩のレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光装
置1 N5R−1505G4Dにコン社製)を用いて、
0.1秒から0.02秒間隔で露光したのち、2.38
重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
で1分間現像し、30秒間水洗して乾燥したときの感度
を適性露光時間(バターニングのために要する最少時間
)として測定しl;。
(2)未露光部の残膜率; 前記の感度測定における現像前後の未露光部の膜厚を計
測し、その差から残膜率を求めた。
(3)耐熱性: 前記のようにして得られたシリコンウェハーのレジスト
パターンを+20°C,130°C,140℃、150
℃の各温度で5分間ホットプレート上でベークして、そ
のパターンの変形のを無を耐熱性として以下の基準で評
価した。
○・・・変形なし X・・・変形あり (4)断面形状; 0.5μmのレジストパターンの断面形状を顕微鏡で観
察し、側面の滑らかなものを良好、側面に凹凸を有する
ものを不良とした。
製造例1 α、σ 、a#−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1,3,5−トリイソプロピルベンゼン20hとナフト
キノン−1,2−ジアジド・5−スルホニルクロリド4
62gをジメチルアセトアミド4200gに溶解し、こ
れにトリエチルアミン350gとジメチルアセトアミド
14009との混合液を十分にかきまぜながら30分〜
1時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに30分〜1
時間かきまぜI;ものをろ過し、得られたろ液に35重
量%塩酸259をイオン交換水1000gで希釈した希
塩酸溶液を加えて反応物を析出させ、得られた析出物を
イオン交換水でよく洗浄し、水分除去後乾燥しt;。
このようにして得られた乾燥物をGPC分析した結果、
トリエステル100%であった。
製造例2 α、α 、α“−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1,3,5−トリイソプロピルベンゼン2009とナフ
トキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリド
15hをジメチルアセトアミド2000gに溶解し、こ
れにトリエチルアミン120gとジメチルアセトアミド
700gとの混合液を十分にかきまぜながら30分〜1
時間かけて滴下した以外は、製造例1と同様の操作によ
り得られた乾燥物をGPC分析した結果、トリエステル
11.73%、ジエステル41.56%、モノエステル
39.18%及び未反応物7.53%であった。
製造例3 2.2’、4.4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン
9.8g(0,04モル)とナフトキノン−1,2−ジ
アジド−5−スルホニルクロリド26.8g(0,10
モル)をジオキサン340gに溶解し、これに25重量
%炭酸ナトリウム水溶液24gを十分にかきまぜながら
30分〜1時間かけて滴下した。次いで35重量%塩酸
25gをイオン交換水100hで希釈した希塩酸溶液を
加えて反応物を析出させ、得られた析出物をイオン交換
水でよく洗浄し、水分除去後乾燥した。
このようにして得られた乾燥物をGPC分析したところ
、テトラエステル73.4%、ジエステル23.1%及
び未反応物3.5%であった。
実施例1 エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ−ドア 
5gに製造例2で得られたキノンジアジド基含有化合物
5gとタレゾールノボランク樹脂(重量平均分子量12
000) 20 gとを添加し、溶解したのち、これを
ろ過してポジ型感光性樹脂組成物を調製した。
この組成物の感度、残膜率、耐熱性及び断面形状の測定
結果を表に示す。
実施例2 実施例Iにおいて、感光性成分として製造例1で得られ
たキノンジアジド基含有化合物5gととモニσ、α 、
α“−トリス(4−ヒドロキンフェニル)−1,3,5
−)リイソプロビルベンゼン2Jを用いた以外は、実施
例1と同様Iこして実施した。その物性を表に示す。
実施例1において、感光性成分として製造例1で得られ
たキノンジアジド基含有化合物59を用いた以外は、実
施例1と同様にして実施した。その物性を表に示す。
比較例 実施例1において、製造例1で得られたキノンジアジド
基含有化合物の代りに、製造例3で得られたキノンジア
ジド基含有化合物を用いた以外は、実施例1と同様にし
て実施した。その物性を表に示す。
なお、実施例1,2.3及び比較例で得られた感光性樹
脂組成物を1週間放置して沈殿物の析出の有無を調べた
結果、実施例1,2及び3では沈殿物の析出はみられな
かったが、比較例では沈殿物の析出がみられた。
実施例3

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 アルカリ可溶性ノボラック型樹脂に、一般式▲数式
    、化学式、表等があります▼ (式中のAの中少なくとも1個は、ナフトキノン1、2
    −ジアジド−4又は5−スルホニル基であり、残りは水
    素原子である) で表わされる化合物を感光性成分として配合したことを
    特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 2 アルカリ可溶性ノボラック型樹脂に、 a、a′、a″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
    1、3、5−トリイソプロピルベンゼン及び一般式▲数
    式、化学式、表等があります▼ (式中のAの中少なくとも1個は、ナフトキノン−1、
    2−ジアジド−4又は5−スルホニル基であり、残りは
    水素原子である) で表わされる化合物から成る感光性成分を配合したこと
    を特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
JP1297660A 1989-11-17 1989-11-17 ポジ型感光性樹脂組成物 Pending JPH03158854A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05224409A (ja) * 1992-02-12 1993-09-03 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
EP0599779A1 (de) * 1992-10-29 1994-06-01 OCG Microelectronic Materials AG Hochauflösender negativ arbeitender Photoresist mit grossem Prozessspielraum
JPH06282067A (ja) * 1992-09-14 1994-10-07 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性平版印刷版
JP2010077038A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Toshiba Corp 感光性化合物、感光性組成物、およびパターン形成方法

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