JPH03158854A - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物Info
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- JPH03158854A JPH03158854A JP1297660A JP29766089A JPH03158854A JP H03158854 A JPH03158854 A JP H03158854A JP 1297660 A JP1297660 A JP 1297660A JP 29766089 A JP29766089 A JP 29766089A JP H03158854 A JPH03158854 A JP H03158854A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規なポジ型感光性樹脂組成物、さらに詳しく
いえば、特にICやLSIなどの半導体デバイスの製造
において、超微細加工用レジストとして好適に用いられ
る、高感度で画像コントラスト、断面形状に優れ、かつ
耐熱性にも優れ、その上溶液として用いる場合、時間経
過に伴う異物の発生のないポジ型感光性樹脂組成物に関
するものである。
いえば、特にICやLSIなどの半導体デバイスの製造
において、超微細加工用レジストとして好適に用いられ
る、高感度で画像コントラスト、断面形状に優れ、かつ
耐熱性にも優れ、その上溶液として用いる場合、時間経
過に伴う異物の発生のないポジ型感光性樹脂組成物に関
するものである。
従来の技術
従来、ICやLSIなどの半導体デバイスの製造プロセ
スにjりいては、ホトエツチング法による微細加工とし
て/リコンウエハー上にホトレジスト組成物の薄膜を形
成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれたマ
スクパターンを紫外線照射などにより転写したのも現像
し、このようにして得られたレジストパターンを保護膜
として該ンリコンウエハーをエツチングするという方法
がとられている。そして、この方法において用いられる
ホトレジスト組成物としては、被膜形成用のアルカリ可
溶性ノポラlり型樹脂に、キノンジアジド基含有化合物
、特に芳香族ポリヒドロキシ化合物のす7トキノン・1
.2−ジアジドスルホン酸エステルを感光性成分として
配合したものが好適であることが知られている。しかし
ながら、このジアジドエステルを含有する感光性樹脂組
成物においては、溶液中で保存安定性が悪かったり、あ
るいは該ジアジドエステルの保存安定性は良いものの、
溶解性が良好でなく、時間経過とともに微細な結晶が析
出したりするものが多く、このため使用可能なジアジド
エステルにおける芳香族ポリヒドロキシ化合物は、フェ
ノールノボラック樹脂、タレゾールノボラック樹脂、没
食子酸エステノ呟ポリヒドロキンベンツフェノンなどに
制限されており、より高感度化のジアジドエステルにお
ける芳香族ポリヒドロキシ化合物としてはこれらの中で
も特に単位分子当りの水酸基を多く含有する没食子酸エ
ステル類やポリヒドロキシベンゾフェノン類の中から選
ばれるのが普通である。ポリヒドロキシベンゾフェノン
類のす7トキノンー1.2−ジアジドスルホン酸エステ
ルについては、これまで多くの提案がなされている(米
国特許第3046118号明細書、同第3106465
号明細書、同第3148983号明細書、特公昭37−
18015号公報、特公昭62−28457号公報)。
スにjりいては、ホトエツチング法による微細加工とし
て/リコンウエハー上にホトレジスト組成物の薄膜を形
成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれたマ
スクパターンを紫外線照射などにより転写したのも現像
し、このようにして得られたレジストパターンを保護膜
として該ンリコンウエハーをエツチングするという方法
がとられている。そして、この方法において用いられる
ホトレジスト組成物としては、被膜形成用のアルカリ可
溶性ノポラlり型樹脂に、キノンジアジド基含有化合物
、特に芳香族ポリヒドロキシ化合物のす7トキノン・1
.2−ジアジドスルホン酸エステルを感光性成分として
配合したものが好適であることが知られている。しかし
ながら、このジアジドエステルを含有する感光性樹脂組
成物においては、溶液中で保存安定性が悪かったり、あ
るいは該ジアジドエステルの保存安定性は良いものの、
溶解性が良好でなく、時間経過とともに微細な結晶が析
出したりするものが多く、このため使用可能なジアジド
エステルにおける芳香族ポリヒドロキシ化合物は、フェ
ノールノボラック樹脂、タレゾールノボラック樹脂、没
食子酸エステノ呟ポリヒドロキンベンツフェノンなどに
制限されており、より高感度化のジアジドエステルにお
ける芳香族ポリヒドロキシ化合物としてはこれらの中で
も特に単位分子当りの水酸基を多く含有する没食子酸エ
ステル類やポリヒドロキシベンゾフェノン類の中から選
ばれるのが普通である。ポリヒドロキシベンゾフェノン
類のす7トキノンー1.2−ジアジドスルホン酸エステ
ルについては、これまで多くの提案がなされている(米
国特許第3046118号明細書、同第3106465
号明細書、同第3148983号明細書、特公昭37−
18015号公報、特公昭62−28457号公報)。
しかしながら、これらのポリヒドロキンベンゾフェノン
類のナフトキノン−1,2−ジアジドスルホン酸エステ
ルは、前記した従来の感光性樹脂組成物がもつ欠点を十
分に克服しうるものではない上に、画像コントラスト、
断面形状及び耐熱性についても十分ではない。
類のナフトキノン−1,2−ジアジドスルホン酸エステ
ルは、前記した従来の感光性樹脂組成物がもつ欠点を十
分に克服しうるものではない上に、画像コントラスト、
断面形状及び耐熱性についても十分ではない。
ところで、近年L S I 、超LSIなどの半導体デ
バイス及び感光性印刷版の製造において、その画像形成
工程の紫外線照射時間の短縮、すなわち、ポジ型感光性
樹脂組成物の増感が強く要求されるようになり、前記組
成物に、さらに種々の増感剤を組み合わせたポジ型感光
性組成物が開発されている。
バイス及び感光性印刷版の製造において、その画像形成
工程の紫外線照射時間の短縮、すなわち、ポジ型感光性
樹脂組成物の増感が強く要求されるようになり、前記組
成物に、さらに種々の増感剤を組み合わせたポジ型感光
性組成物が開発されている。
しかしながら、ポジ型感光性樹脂組成物に増感剤を添加
した場合、増感剤の添加量が増加するに従い、感度の上
昇は顕著となるが、保存安定性をそこなったり、耐熱性
を低下させてしまうという欠点を有している。
した場合、増感剤の添加量が増加するに従い、感度の上
昇は顕著となるが、保存安定性をそこなったり、耐熱性
を低下させてしまうという欠点を有している。
他方、a、σ 、α“−トリス(4−ヒドロキシ7エ二
ル)−1,3,5−)リイソプロビルベンゼンは、ポリ
力・−ボネート、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリス
ルホンなどの原料や改質剤として知られており、また、
このものとフェノール類との混合物にアルデヒドを縮合
させて得られたアルカリ可溶性樹脂を用いた解像力と耐
熱性の良好なポジ型ホトレジスト組成物も知られている
(特開昭63−261256号公報)。しかしながら、
該a、α 、α“−トリス(4−ヒドロキシフェニル’
) −1,3,5−トリイソプロピルベンゼンのジアジ
ドエステルが感光性樹脂組成物における感光性成分とし
て、あるいは該σ、σ 、aトリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼンその
ものが該組成物における増感剤として、有効であること
はこれまで知られていなかった。
ル)−1,3,5−)リイソプロビルベンゼンは、ポリ
力・−ボネート、ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリス
ルホンなどの原料や改質剤として知られており、また、
このものとフェノール類との混合物にアルデヒドを縮合
させて得られたアルカリ可溶性樹脂を用いた解像力と耐
熱性の良好なポジ型ホトレジスト組成物も知られている
(特開昭63−261256号公報)。しかしながら、
該a、α 、α“−トリス(4−ヒドロキシフェニル’
) −1,3,5−トリイソプロピルベンゼンのジアジ
ドエステルが感光性樹脂組成物における感光性成分とし
て、あるいは該σ、σ 、aトリス(4−ヒドロキシフ
ェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼンその
ものが該組成物における増感剤として、有効であること
はこれまで知られていなかった。
発明が解決しようとする課題
本発明はこのような事情のもとで、半導体デバイスの製
造における超微細加工などに用いられるポジ型感光性樹
脂組成物として、十分に満足しうる程度の高感度を有し
、画像コントラスト、断面形状に優れ、かつ耐熱性が良
好である上、溶液として用いる場合異物の発生がないな
ど、優れた特徴を有するものを提供することを目的とし
てなされにものである。
造における超微細加工などに用いられるポジ型感光性樹
脂組成物として、十分に満足しうる程度の高感度を有し
、画像コントラスト、断面形状に優れ、かつ耐熱性が良
好である上、溶液として用いる場合異物の発生がないな
ど、優れた特徴を有するものを提供することを目的とし
てなされにものである。
課題を解決するための手段
本発明者らは、前記の優れた特徴を有するポジ型感光性
樹脂組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、アルカ
リ可溶性ノボラック型樹脂に、特殊な化合物から成る感
光性成分を配合することにより、その目的を達成しうろ
ことを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成する
に至った。
樹脂組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、アルカ
リ可溶性ノボラック型樹脂に、特殊な化合物から成る感
光性成分を配合することにより、その目的を達成しうろ
ことを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成する
に至った。
すなわち、本発明は、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂
に、−数式 (式中のAの中東なくとも1個は、ナフトキノン−1,
2−ジアジド−4又は5−スルホニル基であり、残りは
水素π子である) で表わされる化合物を感光性成分として配合したことを
特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、及びアルカリ可溶
性ノボラック型樹脂に、a、α 、αトリス(4−ヒド
ロキシフェニル)1.3.5−トリイソプロピルベンゼ
ン疎び前記−数式CI)で表わされる化合物から成る感
光性成分を配合したことを特徴とするポジ型感光性樹脂
組成物を提供するものである。
に、−数式 (式中のAの中東なくとも1個は、ナフトキノン−1,
2−ジアジド−4又は5−スルホニル基であり、残りは
水素π子である) で表わされる化合物を感光性成分として配合したことを
特徴とするポジ型感光性樹脂組成物、及びアルカリ可溶
性ノボラック型樹脂に、a、α 、αトリス(4−ヒド
ロキシフェニル)1.3.5−トリイソプロピルベンゼ
ン疎び前記−数式CI)で表わされる化合物から成る感
光性成分を配合したことを特徴とするポジ型感光性樹脂
組成物を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明組成物においては、感光性成分として、前記−数
式(1)で表わされる化合物が用いられる。
式(1)で表わされる化合物が用いられる。
この化合物は、該組成物を溶液として使用する際に通常
用いられる溶剤によく溶解し、かつ被膜形成物質のアル
カリ可溶性ノボラック型樹脂との相溶性が良好であり、
ポジ型感光性樹脂組成物の感光性成分として使用すると
、高感度で画像フントラスト、断面形状に優れ、かつ耐
熱性にも優れる上、溶液として用いる場合に異物の発生
のない組成物を与える。
用いられる溶剤によく溶解し、かつ被膜形成物質のアル
カリ可溶性ノボラック型樹脂との相溶性が良好であり、
ポジ型感光性樹脂組成物の感光性成分として使用すると
、高感度で画像フントラスト、断面形状に優れ、かつ耐
熱性にも優れる上、溶液として用いる場合に異物の発生
のない組成物を与える。
この−数式(I)で表わされる化合物は、例えばσ、α
、σ′−トリス(4−ヒドロキンフェニル)−1,3
,5−)リイソプロビルベンゼンをナフトキノン−1,
2−ジアジド−5−スルホニルクロリド又はナフトキノ
ン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリドとジオ
キサンなどの適当な溶媒中において、トリエタノールア
ミン、炭酸アルカリや炭酸水素アルカリなどのアルカリ
の存在下に縮合させ、完全エステル化又は部分エステル
化することにより製造することができる。
、σ′−トリス(4−ヒドロキンフェニル)−1,3
,5−)リイソプロビルベンゼンをナフトキノン−1,
2−ジアジド−5−スルホニルクロリド又はナフトキノ
ン−1,2−ジアジド−4−スルホニルクロリドとジオ
キサンなどの適当な溶媒中において、トリエタノールア
ミン、炭酸アルカリや炭酸水素アルカリなどのアルカリ
の存在下に縮合させ、完全エステル化又は部分エステル
化することにより製造することができる。
本発明組成物においては、該感光性成分として、前記−
数式(1)で表わされる化合物を1種含有していてもよ
いし、2種以上を含有していてもよく、また、所望に応
じ、本発明の目的をそこなわない範囲で、他のキノンジ
アジド基含有化合物、例えばオルトベンゾキノンジアジ
ド、バラベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノンジ
アジド、オルトアントラキノンジアジド又はオルトナフ
トキノンジアジドスルホン酸エステル類などのこれらの
核置換誘導体、さらにはオルトキノンジアジドスルホニ
ルクロリドと水酸基又はアミノ基をもつ化金物、例えば
フェノール、p−メトキシフェノール、ジメチルフエノ
ーノ呟ヒドロキノン、ビスフェノールA1ナフトール、
ピロカテコール、ピロガロール、ポリヒドロキシベンゾ
フェノン、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロ
ール−1,3−ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を
一部残しエステル化又はエーテル化された没食子酸、ア
ニリン、p−アミノジフェニルアミンなどとの反応生成
物などを併用することができる。
数式(1)で表わされる化合物を1種含有していてもよ
いし、2種以上を含有していてもよく、また、所望に応
じ、本発明の目的をそこなわない範囲で、他のキノンジ
アジド基含有化合物、例えばオルトベンゾキノンジアジ
ド、バラベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノンジ
アジド、オルトアントラキノンジアジド又はオルトナフ
トキノンジアジドスルホン酸エステル類などのこれらの
核置換誘導体、さらにはオルトキノンジアジドスルホニ
ルクロリドと水酸基又はアミノ基をもつ化金物、例えば
フェノール、p−メトキシフェノール、ジメチルフエノ
ーノ呟ヒドロキノン、ビスフェノールA1ナフトール、
ピロカテコール、ピロガロール、ポリヒドロキシベンゾ
フェノン、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロ
ール−1,3−ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を
一部残しエステル化又はエーテル化された没食子酸、ア
ニリン、p−アミノジフェニルアミンなどとの反応生成
物などを併用することができる。
本発明組成物においては、感度をさらに高めるために、
所望に応じ、感光性成分として、前記−数式(I)で表
わされる化合物にσ、α′、α“−トリス(4−ヒドロ
キシフェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼ
ンを組み合わせて用いることができる。
所望に応じ、感光性成分として、前記−数式(I)で表
わされる化合物にσ、α′、α“−トリス(4−ヒドロ
キシフェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼ
ンを組み合わせて用いることができる。
このα、σ′、σ“・トリス(4−ヒドロキシフェニル
)=1.3.5−1−リイソグロピルベンゼンは、増感
効果に優れ、高感度でかつ露光余裕度の大きな感光性樹
脂組成物を与えることができる。
)=1.3.5−1−リイソグロピルベンゼンは、増感
効果に優れ、高感度でかつ露光余裕度の大きな感光性樹
脂組成物を与えることができる。
本発明組成物においては、所望に応じ、本発明の目的を
そこなわない範囲で、増感剤、例えばメルカブト才キサ
ゾール、メルカプトベンゾキサゾール、メルカプトオキ
サゾリン、メルカプトベンゾチアゾ−/呟ベンゾキサシ
リノン、ベンゾチアゾロン、メルカプトベンゾイミダゾ
ール、ウラゾール、チオウランル、メルカプトピリミジ
ン、イミダシロン及びこれらの誘導体などを併用するこ
とができる。
そこなわない範囲で、増感剤、例えばメルカブト才キサ
ゾール、メルカプトベンゾキサゾール、メルカプトオキ
サゾリン、メルカプトベンゾチアゾ−/呟ベンゾキサシ
リノン、ベンゾチアゾロン、メルカプトベンゾイミダゾ
ール、ウラゾール、チオウランル、メルカプトピリミジ
ン、イミダシロン及びこれらの誘導体などを併用するこ
とができる。
本発明組成物においては、被膜形成用物質として、アル
カリ可溶性ノボラック型樹脂が用いられる。このアルカ
リ可溶性ノボラック型樹脂については特に制限はなく、
従来ポジ型感光性樹脂組成物において、被膜形成用物質
として慣用されているアルカリ可溶性ノボランク型樹脂
、例えばフェノール、クレゾールやキンレノールなどの
芳香族ヒドロキン化合物とホルムアルデヒドなどのアル
デヒド類とを酸性触媒の存在下に縮合させたものを用い
ることができる。
カリ可溶性ノボラック型樹脂が用いられる。このアルカ
リ可溶性ノボラック型樹脂については特に制限はなく、
従来ポジ型感光性樹脂組成物において、被膜形成用物質
として慣用されているアルカリ可溶性ノボランク型樹脂
、例えばフェノール、クレゾールやキンレノールなどの
芳香族ヒドロキン化合物とホルムアルデヒドなどのアル
デヒド類とを酸性触媒の存在下に縮合させたものを用い
ることができる。
本発明組成物においては、このアルカリ可溶性ノボラッ
ク型樹脂として、低分子量領域をカントした重量平均分
子量が2000〜20000、好ましくは5000〜1
5000のものを用いるのが耐熱性の優れた組成物を得
るのに有利である。
ク型樹脂として、低分子量領域をカントした重量平均分
子量が2000〜20000、好ましくは5000〜1
5000のものを用いるのが耐熱性の優れた組成物を得
るのに有利である。
本発明組成物においては、このアルカリ可溶性ノボラッ
ク型樹脂は、府記感光性成分IQ!量部当り、通常5〜
200重量部、好ましくは10〜60重量部の範囲で用
いられる。このアルカリ可溶性ノボラック型樹脂が多す
ぎると画像の忠実性に劣り、転写性が低下するし、少な
すぎるとレジスト膜の均質性が悪くなり、解像力も低下
する傾向がみられる。
ク型樹脂は、府記感光性成分IQ!量部当り、通常5〜
200重量部、好ましくは10〜60重量部の範囲で用
いられる。このアルカリ可溶性ノボラック型樹脂が多す
ぎると画像の忠実性に劣り、転写性が低下するし、少な
すぎるとレジスト膜の均質性が悪くなり、解像力も低下
する傾向がみられる。
また、所望に応じて用いられるα、a 、α“−トリス
(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5−トリイソプ
ロピルベンゼンは、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と
前記−数式(1)で表わされる化合物との合計量100
重量部当り、通常0.1〜30重量部、好ましくは0.
5〜251L量部の割合で用いられる。この量が0.1
重量部未満では増感効果が十分に発揮されないし、30
重量部を超えると量の割には増感効果が得られず、むし
ろ不経済となり好ましくない。その最適使用量は前記−
数式(I)で表わされる化合物の種類に応じて適宜選ば
れる。
(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5−トリイソプ
ロピルベンゼンは、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と
前記−数式(1)で表わされる化合物との合計量100
重量部当り、通常0.1〜30重量部、好ましくは0.
5〜251L量部の割合で用いられる。この量が0.1
重量部未満では増感効果が十分に発揮されないし、30
重量部を超えると量の割には増感効果が得られず、むし
ろ不経済となり好ましくない。その最適使用量は前記−
数式(I)で表わされる化合物の種類に応じて適宜選ば
れる。
本発明組成物は、前記のアルカリ可溶性ノボラック型樹
脂と感光性成分とを適当な溶剤に溶解して溶液の形で用
いるのが好ましい。
脂と感光性成分とを適当な溶剤に溶解して溶液の形で用
いるのが好ましい。
このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトンな
どのケトン類:エチレングリコール、エチレングリコー
ルモノアセテート、ジエチレングリコール又はジエチレ
ングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モ
ノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチル
エーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコー
ル類及びその誘導体ニジオキサンのような環式1−チル
類:及び乳酸エチル、酢酸メチノ呟酢酸エチル、酢酸ブ
チルなどのエステル類を挙げることができる。これらは
単独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい
。
ケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトンな
どのケトン類:エチレングリコール、エチレングリコー
ルモノアセテート、ジエチレングリコール又はジエチレ
ングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モ
ノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチル
エーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコー
ル類及びその誘導体ニジオキサンのような環式1−チル
類:及び乳酸エチル、酢酸メチノ呟酢酸エチル、酢酸ブ
チルなどのエステル類を挙げることができる。これらは
単独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい
。
本発明組成物には、さらに必要に応じて相溶性のある添
加物、例えばレジスト膜の性能などを改良するための付
加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像した像をより一
層可視的にするための着色料などの慣用されているもの
を添加含有させることができる。
加物、例えばレジスト膜の性能などを改良するための付
加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像した像をより一
層可視的にするための着色料などの慣用されているもの
を添加含有させることができる。
本発明組成物の好適な使用方法について1例を示すと、
まずシリコンウェハーのような支持体上に、アルカリ可
溶性ノボラック型樹脂と感光性成分とを前記したような
適当な溶剤に溶かした溶液をスピンナーなとで塗布し、
乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外線を発光する光
源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ア
ーク灯、キセノンランプなどを用い所要のマスクパター
ンを介して露光するか、あるいは電子線を走査しながら
照射する。次にこれを現像液、例えば1−10重量%テ
トラメチルアンモニウムヒドロキンド水溶液のような弱
アルカリ性水溶液に浸せきすると、露光によってマスク
パターンに忠実な画像を得ることができる。
まずシリコンウェハーのような支持体上に、アルカリ可
溶性ノボラック型樹脂と感光性成分とを前記したような
適当な溶剤に溶かした溶液をスピンナーなとで塗布し、
乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外線を発光する光
源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ア
ーク灯、キセノンランプなどを用い所要のマスクパター
ンを介して露光するか、あるいは電子線を走査しながら
照射する。次にこれを現像液、例えば1−10重量%テ
トラメチルアンモニウムヒドロキンド水溶液のような弱
アルカリ性水溶液に浸せきすると、露光によってマスク
パターンに忠実な画像を得ることができる。
発明の効果
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、感光性成分として
a、a’、ミニ−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1,3,5−トリイソプロピルベンゼンとす7トキノン
ー1.2−ジアジド−5−スルホン酸又はす7トキノン
ー12−ジアジド−4−スルホン酸との完全エステル化
物や部分エステル化物及び所望に応じて用いラレルσ、
a 、α“−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1,
3,5−トリイソプロピルベンゼンを含有するものであ
って、高感度で未露光部の残膜率が高いため、画像コン
トラストに優れ、かつ耐熱性及び断面形状にも優れる上
、溶液として用いる場合、時間経過に伴う異物の発生が
ないなど、優れた特徴を打し、特にICやLSIなどの
半導体デバイスの製造において、超微細加工用レジスト
として好適に用いられる。
a、a’、ミニ−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1,3,5−トリイソプロピルベンゼンとす7トキノン
ー1.2−ジアジド−5−スルホン酸又はす7トキノン
ー12−ジアジド−4−スルホン酸との完全エステル化
物や部分エステル化物及び所望に応じて用いラレルσ、
a 、α“−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1,
3,5−トリイソプロピルベンゼンを含有するものであ
って、高感度で未露光部の残膜率が高いため、画像コン
トラストに優れ、かつ耐熱性及び断面形状にも優れる上
、溶液として用いる場合、時間経過に伴う異物の発生が
ないなど、優れた特徴を打し、特にICやLSIなどの
半導体デバイスの製造において、超微細加工用レジスト
として好適に用いられる。
実施例
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
なお、各個により得られた組成物の物性は以下の方法に
より測定した。
より測定した。
(1)感度;
試料をスピンナーを用いてシリコンウェハーに塗布し、
ホットプレートで110°C590秒間乾燥して膜厚1
.3μ肩のレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光装
置1 N5R−1505G4Dにコン社製)を用いて、
0.1秒から0.02秒間隔で露光したのち、2.38
重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
で1分間現像し、30秒間水洗して乾燥したときの感度
を適性露光時間(バターニングのために要する最少時間
)として測定しl;。
ホットプレートで110°C590秒間乾燥して膜厚1
.3μ肩のレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露光装
置1 N5R−1505G4Dにコン社製)を用いて、
0.1秒から0.02秒間隔で露光したのち、2.38
重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
で1分間現像し、30秒間水洗して乾燥したときの感度
を適性露光時間(バターニングのために要する最少時間
)として測定しl;。
(2)未露光部の残膜率;
前記の感度測定における現像前後の未露光部の膜厚を計
測し、その差から残膜率を求めた。
測し、その差から残膜率を求めた。
(3)耐熱性:
前記のようにして得られたシリコンウェハーのレジスト
パターンを+20°C,130°C,140℃、150
℃の各温度で5分間ホットプレート上でベークして、そ
のパターンの変形のを無を耐熱性として以下の基準で評
価した。
パターンを+20°C,130°C,140℃、150
℃の各温度で5分間ホットプレート上でベークして、そ
のパターンの変形のを無を耐熱性として以下の基準で評
価した。
○・・・変形なし
X・・・変形あり
(4)断面形状;
0.5μmのレジストパターンの断面形状を顕微鏡で観
察し、側面の滑らかなものを良好、側面に凹凸を有する
ものを不良とした。
察し、側面の滑らかなものを良好、側面に凹凸を有する
ものを不良とした。
製造例1
α、σ 、a#−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1,3,5−トリイソプロピルベンゼン20hとナフト
キノン−1,2−ジアジド・5−スルホニルクロリド4
62gをジメチルアセトアミド4200gに溶解し、こ
れにトリエチルアミン350gとジメチルアセトアミド
14009との混合液を十分にかきまぜながら30分〜
1時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに30分〜1
時間かきまぜI;ものをろ過し、得られたろ液に35重
量%塩酸259をイオン交換水1000gで希釈した希
塩酸溶液を加えて反応物を析出させ、得られた析出物を
イオン交換水でよく洗浄し、水分除去後乾燥しt;。
1,3,5−トリイソプロピルベンゼン20hとナフト
キノン−1,2−ジアジド・5−スルホニルクロリド4
62gをジメチルアセトアミド4200gに溶解し、こ
れにトリエチルアミン350gとジメチルアセトアミド
14009との混合液を十分にかきまぜながら30分〜
1時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに30分〜1
時間かきまぜI;ものをろ過し、得られたろ液に35重
量%塩酸259をイオン交換水1000gで希釈した希
塩酸溶液を加えて反応物を析出させ、得られた析出物を
イオン交換水でよく洗浄し、水分除去後乾燥しt;。
このようにして得られた乾燥物をGPC分析した結果、
トリエステル100%であった。
トリエステル100%であった。
製造例2
α、α 、α“−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1,3,5−トリイソプロピルベンゼン2009とナフ
トキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリド
15hをジメチルアセトアミド2000gに溶解し、こ
れにトリエチルアミン120gとジメチルアセトアミド
700gとの混合液を十分にかきまぜながら30分〜1
時間かけて滴下した以外は、製造例1と同様の操作によ
り得られた乾燥物をGPC分析した結果、トリエステル
11.73%、ジエステル41.56%、モノエステル
39.18%及び未反応物7.53%であった。
1,3,5−トリイソプロピルベンゼン2009とナフ
トキノン−1,2−ジアジド−5−スルホニルクロリド
15hをジメチルアセトアミド2000gに溶解し、こ
れにトリエチルアミン120gとジメチルアセトアミド
700gとの混合液を十分にかきまぜながら30分〜1
時間かけて滴下した以外は、製造例1と同様の操作によ
り得られた乾燥物をGPC分析した結果、トリエステル
11.73%、ジエステル41.56%、モノエステル
39.18%及び未反応物7.53%であった。
製造例3
2.2’、4.4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン
9.8g(0,04モル)とナフトキノン−1,2−ジ
アジド−5−スルホニルクロリド26.8g(0,10
モル)をジオキサン340gに溶解し、これに25重量
%炭酸ナトリウム水溶液24gを十分にかきまぜながら
30分〜1時間かけて滴下した。次いで35重量%塩酸
25gをイオン交換水100hで希釈した希塩酸溶液を
加えて反応物を析出させ、得られた析出物をイオン交換
水でよく洗浄し、水分除去後乾燥した。
9.8g(0,04モル)とナフトキノン−1,2−ジ
アジド−5−スルホニルクロリド26.8g(0,10
モル)をジオキサン340gに溶解し、これに25重量
%炭酸ナトリウム水溶液24gを十分にかきまぜながら
30分〜1時間かけて滴下した。次いで35重量%塩酸
25gをイオン交換水100hで希釈した希塩酸溶液を
加えて反応物を析出させ、得られた析出物をイオン交換
水でよく洗浄し、水分除去後乾燥した。
このようにして得られた乾燥物をGPC分析したところ
、テトラエステル73.4%、ジエステル23.1%及
び未反応物3.5%であった。
、テトラエステル73.4%、ジエステル23.1%及
び未反応物3.5%であった。
実施例1
エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ−ドア
5gに製造例2で得られたキノンジアジド基含有化合物
5gとタレゾールノボランク樹脂(重量平均分子量12
000) 20 gとを添加し、溶解したのち、これを
ろ過してポジ型感光性樹脂組成物を調製した。
5gに製造例2で得られたキノンジアジド基含有化合物
5gとタレゾールノボランク樹脂(重量平均分子量12
000) 20 gとを添加し、溶解したのち、これを
ろ過してポジ型感光性樹脂組成物を調製した。
この組成物の感度、残膜率、耐熱性及び断面形状の測定
結果を表に示す。
結果を表に示す。
実施例2
実施例Iにおいて、感光性成分として製造例1で得られ
たキノンジアジド基含有化合物5gととモニσ、α 、
α“−トリス(4−ヒドロキンフェニル)−1,3,5
−)リイソプロビルベンゼン2Jを用いた以外は、実施
例1と同様Iこして実施した。その物性を表に示す。
たキノンジアジド基含有化合物5gととモニσ、α 、
α“−トリス(4−ヒドロキンフェニル)−1,3,5
−)リイソプロビルベンゼン2Jを用いた以外は、実施
例1と同様Iこして実施した。その物性を表に示す。
実施例1において、感光性成分として製造例1で得られ
たキノンジアジド基含有化合物59を用いた以外は、実
施例1と同様にして実施した。その物性を表に示す。
たキノンジアジド基含有化合物59を用いた以外は、実
施例1と同様にして実施した。その物性を表に示す。
比較例
実施例1において、製造例1で得られたキノンジアジド
基含有化合物の代りに、製造例3で得られたキノンジア
ジド基含有化合物を用いた以外は、実施例1と同様にし
て実施した。その物性を表に示す。
基含有化合物の代りに、製造例3で得られたキノンジア
ジド基含有化合物を用いた以外は、実施例1と同様にし
て実施した。その物性を表に示す。
なお、実施例1,2.3及び比較例で得られた感光性樹
脂組成物を1週間放置して沈殿物の析出の有無を調べた
結果、実施例1,2及び3では沈殿物の析出はみられな
かったが、比較例では沈殿物の析出がみられた。
脂組成物を1週間放置して沈殿物の析出の有無を調べた
結果、実施例1,2及び3では沈殿物の析出はみられな
かったが、比較例では沈殿物の析出がみられた。
実施例3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 アルカリ可溶性ノボラック型樹脂に、一般式▲数式
、化学式、表等があります▼ (式中のAの中少なくとも1個は、ナフトキノン1、2
−ジアジド−4又は5−スルホニル基であり、残りは水
素原子である) で表わされる化合物を感光性成分として配合したことを
特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 2 アルカリ可溶性ノボラック型樹脂に、 a、a′、a″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1、3、5−トリイソプロピルベンゼン及び一般式▲数
式、化学式、表等があります▼ (式中のAの中少なくとも1個は、ナフトキノン−1、
2−ジアジド−4又は5−スルホニル基であり、残りは
水素原子である) で表わされる化合物から成る感光性成分を配合したこと
を特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1297660A JPH03158854A (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1297660A JPH03158854A (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03158854A true JPH03158854A (ja) | 1991-07-08 |
Family
ID=17849474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1297660A Pending JPH03158854A (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03158854A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05224409A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
EP0599779A1 (de) * | 1992-10-29 | 1994-06-01 | OCG Microelectronic Materials AG | Hochauflösender negativ arbeitender Photoresist mit grossem Prozessspielraum |
JPH06282067A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-10-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性平版印刷版 |
JP2010077038A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 感光性化合物、感光性組成物、およびパターン形成方法 |
-
1989
- 1989-11-17 JP JP1297660A patent/JPH03158854A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05224409A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
JPH06282067A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-10-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性平版印刷版 |
EP0599779A1 (de) * | 1992-10-29 | 1994-06-01 | OCG Microelectronic Materials AG | Hochauflösender negativ arbeitender Photoresist mit grossem Prozessspielraum |
JP2010077038A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 感光性化合物、感光性組成物、およびパターン形成方法 |
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