JPH06348019A - 感放射線レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステルまたは１，２−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、および
（Ｃ）カルボキシインデン−３−スルホン酸エステルま
たはカルボキシインデン−４−スルホン酸エステルを含
むことを特徴とする感放射線レジスト組成物。 【効果】ドライエッチング耐性に優れ、感度が高く、レ
ジストプロファイルにスカムの少ないポジ型感放射線レ
ジスト組成物が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、フォトリソグラフィー
用マスク、半導体集積回路などの製造を電子線リソグラ
フィーなど放射線を用いて行なう場合に使用する感放射
線レジスト組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、ポジ型電子線レジストとしては、
ポリメタクリル酸メチル、ポリ（α−クロロアクリル酸
２，２，２−トリフルオロエチル）、ポリ（１−ブテン
スルホン）などのポリマーを主成分とするものが使用さ
れてきた。しかし、これらのレジストは、ドライエッチ
ング耐性が不十分であるという欠点を有していた。近
年、フォトマスク、半導体集積回路などの製造において
ドライエッチングを使用することが多くなるにしたが
い、これら従来のレジストでは、使用にたえない場合が
増加してきている。

【０００３】これに対し、ノボラック樹脂とキノンジア
ジド化合物を主成分とするポジ型フォトレジストは、ド
ライエッチング耐性に優れ、健康上問題の少ないアルカ
リ水溶液で現像できるという利点を有しているが、電子
線露光に使用した場合には多くの問題を有していた。

【０００４】すなわち、ポジ型フォトレジストでは高い
解像度を得るため、感光剤としてフェノール化合物のナ
フトキノンジアジドスルホン酸エステルのエステル化率
の高いものが使われるが、これらの感光剤を電子線レジ
スト用に用いた場合には非常に感度が低くなり、かつレ
ジストパターンにスカムが発生するという問題があっ
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ノボ
ラック樹脂とキノンジアジド化合物を主成分とし、ドラ
イエッチング耐性、および解像度に優れ、なおかつ電子
線を用いた場合にも感度の高い感放射線レジスト組成物
を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、アルカリ
可溶性樹脂とキノンジアジド化合物よりなる感放射線レ
ジスト組成物について、特にキノンジアジド化合物につ
いて鋭意検討した結果、本発明の完成に至った。

【０００７】かかる本発明の目的は、（Ａ）アルカリ可
溶性樹脂、（Ｂ）１，２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホン酸エステルまたは１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸エステル、および（Ｃ）カルボキシ
インデン−３−スルホン酸エステルまたはカルボキシイ
ンデン−４−スルホン酸エステルを含むことを特徴とす
る感放射線レジスト組成物により達成される。

【０００８】本発明の感放射線レジスト組成物に用いる
アルカリ可溶性樹脂としては、ポリビニルフェノール、
ノボラック樹脂が好ましく、特にノボラック樹脂が好ま
しく用いられる。

【０００９】ノボラック樹脂は、フェノール化合物、例
えばp-クレゾールおよびm-クレゾールの混合物と、ホル
ムアルデヒド、もしくはその重合体であるパラホルムア
ルデヒドまたは１，３，５−トリオキサンを縮合させる
ことにより得られる。

【００１０】縮合反応は、無溶媒、もしくは有機溶媒中
で行われる。有機溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノ
ールなどのアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセ
ロソルブ、ブチルセロソルブなどのセロソルブ類、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート
などのセロソルブエステル類、テトラヒドロフラン、
１，４−ジオキサンなどエーテル類などが好ましく使用
される。

【００１１】縮合反応の触媒としては、シュウ酸、ギ
酸、塩酸、硫酸、過塩素酸、リン酸、ｐ−トルエンスル
ホン酸などの酸類、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウムなどの
金属塩類が好ましく使用される。

【００１２】このようにして得られたノボラック樹脂に
は、一般にフェノール単位が２個縮合した二核体、３個
縮合した三核体などの低分子量成分が含有されている。
このような低分子量成分中には、スカムの原因となった
りパターン形状を劣化させる原因となる成分が存在す
る。合成したノボラックがこれら低分子量成分を多く含
む場合、適当な操作により除去し、二核体、三核体の含
有量合計を１０％以下にすることが好ましい。

【００１３】ノボラック樹脂から低分子量成分を除去す
る処理としては以下のような方法を用いることができ
る。

【００１４】（１）抽出法 ノボラック樹脂を細かく粉砕し、ベンゼン、トルエン、
キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンのような
有機溶媒、あるいはメタノール、エタノールのような有
機溶媒と水との混合液とともに一定の温度で撹拌し低分
子量成分を抽出する。

【００１５】（２）再沈澱法 ノボラック樹脂をメタノール、エタノール、アセトン、
エチルセロソルブなどの有機溶媒に溶解する。ついで、
このノボラック溶液に水、石油エーテル、ヘキサンなど
の貧溶媒を滴下するか、逆にノボラック溶液を前記貧溶
媒中に滴下してノボラック樹脂を析出させて分離し、乾
燥する。

【００１６】（３）分液法 ノボラック樹脂をメタノール、エタノール、アセトン、
エチルセロソルブなどの水と混和する有機溶媒とエチル
セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテートなどの水と混和しない有機溶媒と
の混合溶媒に溶解し、水を滴下して二層分離させ、有機
層を分離し、濃縮する。

【００１７】本発明の感放射線レジスト組成物は、感放
射線成分として、（Ｂ）１，２−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸エステルまたは１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸エステルと、（Ｃ）カルボキ
シインデン−３−スルホン酸エステルまたはカルボキシ
インデン−４−スルホン酸エステルを含有する。

【００１８】（Ｂ）成分の１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸エステルおよび１，２−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホン酸エステルは、光分解する
と、それぞれ、（Ｃ）成分のカルボキシインデン−３−
スルホン酸エステルおよびカルボキシインデン−４−ス
ルホン酸エステルになる。

【００１９】したがって、本発明においては、感放射線
レジスト組成物中に、（Ｂ）成分と（Ｃ）成分を別々に
添加してもよいが、簡便に行なうには、（Ｂ）成分に光
を照射し一部光分解して（Ｃ）成分に変化させればよ
い。この光照射は、（Ｂ）成分と（Ａ）成分の混合前に
行なっても良いし、混合後に行なっても良い。

【００２０】このような操作は、（Ｂ）成分をフォトレ
ジストの感光剤として用いたならば、単にウエハにフォ
トレジストを塗布し、全面露光した場合と同様の効果し
かもたらさないが、電子線露光の場合は驚くべきことに
数十倍以上の高感度化が達成される。

【００２１】この高感度化の理由は明らかではないが、
電子線露光の場合は真空中で露光が行なわれるため、空
気中で露光されるフォトレジストと反応機構が異なるた
めと考えられる。

【００２２】また、高感度化と同時に上記感放射性成分
を用いることにより、レジストパターンに現われるスカ
ムを低減する効果もある。

【００２３】（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の和に対する
（Ｃ）成分の割合（上記のように（Ｂ）成分の光分解を
行なったときは、光分解率に相当する）は、モル数で５
〜５０％であることが好ましい。より好ましくは１０〜
４０％、さらに好ましくは１５〜３５％である。この割
合が低いと目的とする効果が十分ではなく、逆にこの割
合が高いとレジストの未露光部分の膜減りが大きくな
る。

【００２４】本発明の（Ｂ）成分の、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−４−スルホン酸エステルまたは１，２−
ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルは、フ
ェノール化合物と１，２−ナフトキノンジアジド−４−
スルホニルクロリドまたは１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホニルクロリドの反応により得られる。フ
ェノール化合物の全水酸基に対するエステル化率は、７
０モル％以上が好ましく、８５モル％以上がさらに好ま
しい。

【００２５】上記フェノール化合物としては、ヒドロキ
ノン、レゾルシン、フロログルシン、２，４−ジヒドロ
キシベンゾフェノン、４，４’−ジヒドロキシベンゾフ
ェノン、２，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，
４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，
４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，
３’，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，
２’，３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，
３’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２，２’，３，４，４’−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，３，３’４，５’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３，３’，４，４’，５’−ヘキサヒド
ロキシベンゾフェノン、没食子酸アルキルエステル、
４，４’−ジヒドロキシビフェニル、２，４’−ジヒド
ロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、ビスフェノール
Ｓなどが挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。

【００２６】これらの（Ｂ）、（Ｃ）成分は、各々、単
独または二種以上混合して用いられる。

【００２７】本発明のレジスト組成物中の感放射線成分
（（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の和）の割合は、レジスト固
形分中１０〜４０重量％、さらに好ましくは１５〜２５
重量％である。ここでレジスト固形分とは、レジスト組
成物から溶媒を除いたものをいう。感放射線成分が１０
重量％より少ないと、解像度が悪くなりやすく、４０重
量％より多いと、感度が低くなりやすい。

【００２８】本発明のレジスト組成物にはアルカリ可溶
性低分子化合物を添加剤として加えることができる。

【００２９】例えば、特開平１−４４４３９号公報、特
開平１−１７７０３２号公報、特開平２−２７５９５５
号公報、特開平３−２３０１６４号公報、特開平３−２
５１８４５号公報、特開平４−１２３５７号公報などに
記載の化合物が挙げられるが、特に特開平４−１２３５
７号公報に記載のフェノール化合物、特開平３−２５１
８４５号公報に記載のβ−トリオン化合物が好ましく用
いられる。

【００３０】これらのアルカリ可溶性低分子化合物は単
独または２種以上混合して用いることができる。

【００３１】アルカリ可溶性低分子化合物のレジスト固
形分中での重量％は３〜２５％、好ましくは７〜２０％
である。

【００３２】本発明のレジスト組成物には、これらの主
成分の他に、界面活性剤、酸化防止剤などの添加剤を適
宜加えることができる。

【００３３】本発明のレジスト組成物は、上記の成分を
溶媒に溶解することにより得られる。溶媒の使用量とし
ては、特に限定されないが、レジスト固形分がレジスト
組成物中で、５〜３０重量％となるように調整される。
好ましく用いられる溶媒としては、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、酢酸アミル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸
エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、安息香酸メチル、乳
酸メチル、乳酸エチル、γ−ブチロラクトンなどのエス
テル類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチル
セロソルブなどのセロソルブ類、メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソル
ブアセテートなどのセロソルブエステル類、プロピレン
グリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテートなどのプロピ
レングリコールエーテルエステル類、１，２−ジメトキ
シエタン、１，２−ジエトキシエタン、テトラヒドロフ
ラン、１，４−ジオキサン、アニソールなどのエーテル
類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン、イソホロンなどのケトン類、ジメチル
ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロ
リドンなどのアミド類、ジメチルスルホキシド、スルホ
ランなどの非プロトン性極性溶媒から選ばれる溶媒、ま
たはこれらの溶媒を複数混合した溶媒が挙げられる。

【００３４】本発明の感放射線レジスト組成物を被加工
基板上に塗布、乾燥し、電子線などの放射線を用いてパ
ターンを露光し、アルカリ現像液によって現像を行なう
ことにより微細パターンが形成される。

【００３５】塗布、乾燥、露光は、電子線レジストのパ
ターン形成方法として従来公知の方法によれば良い。例
えば、スピンナーなどを用いて、乾燥後の膜厚が０．３
〜２．０μｍとなるように塗布し、９０〜１２０℃程度
で、１〜１０分程度乾燥する。露光に用いられる放射線
としては、電子線の他には、Ｘ線、イオンビーム等があ
げられるが、最も好ましいのは電子線である。なお、本
発明における放射線には、通常の紫外線は含まない。電
子線による露光は、通常の電子線露光装置などを用いれ
ば良い。

【００３６】本発明の放射線感応組成物の現像に用いら
れる現像液としては、例えば、アルカリ金属の水酸化
物、炭酸塩、りん酸塩、けい酸塩、メタけい酸塩、ほう
酸塩などの無機アルカリ類、プロピルアミン、ジプロピ
ルアミン、ジブチルアミン、メチルジエチルアミン、ピ
ロール、２，２−ジメチルピロール、β−ピコリン、コ
リジン、ピペリジン、ピペラジン、トリエチレンジアミ
ン、２−ジエチルアミノエタノール、２−アミノエタノ
ール、ジエタノールアミン等のアミン類、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシド、コリン等の４級アンモニウム塩、アンモ
ニア等の塩基類を一種あるいは複数種含む水溶液が挙げ
られる。

【００３７】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。特に断らない限り、「部」を「重量部」を
表す。

【００３８】実施例１ （１）ノボラックの調製 ｍ−クレゾール３５部、ｐ−クレゾール６５部、シュウ
酸０．５部、３７％ホルマリン４６部より通常の方法で
ノボラック樹脂を得た。

【００３９】ゲル・パーミエーション・クロマトグラフ
ィーでもとめたこのノボラックの重量平均分子量（ポリ
エチレンオキシド換算）は６６５０、数平均分子量は１
１８４、分子量分散は５．６２であり、二核体含有量は
１０．５重量％、三核体含有量は５．７重量％であっ
た。

【００４０】このノボラックを１部取り、メタノール
５．００部に溶解し、撹拌下に４．００部の水を滴下し
ノボラックを沈澱させた。上澄液を除き、沈澱したノボ
ラックを取り出して５０℃で２４時間真空乾燥した。
０．８６部のノボラックが得られ、このノボラックの重
量平均分子量は７，２５９、数平均分子量は１，７４
５、分子量分散は４．１６、二核体含有量は６．１重量
％、三核体含有量は３．０重量％であった。このノボラ
ックをノボラックＡとする。

【００４１】（２）キノンジアジド化合物の調製 ２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン２
４．６ｇ（０．１０ｍｏｌ）、１，２−ナフトキノンジ
アジド−４−スルホニルクロリド１０７．６ｇ（０．４
０ｍｏｌ）をジオキサン４００ｇに溶解し、トリエチル
アミン４０．５ｇ（０．４０ｍｏｌ）をジオキサン１０
０ｇに溶解したものを、撹拌下、４０℃で滴下した。滴
下後、４０℃で１０時間撹拌し、反応混合物を水２リッ
トル中に注ぎ、３０分間撹拌した。析出物を濾取し、
水、メタノールで洗浄後、室温で１６時間真空乾燥し
た。これをキノンジアジドＢとする。

【００４２】（３）感放射線成分の調製 １０．０ｇのキノンジアジドＢをテトラヒドロフラン９
０ｇに溶解し、撹拌下に波長３６５ｎｍの紫外光を０．
０６７ｍＷ／ｃｍ² の照度で１２時間照射した。

【００４３】反応混合物の可視紫外スペクトルを測定し
たところ、波長３７５ｎｍにおける吸光度の変化から、
キノンジアジド基の２９モル％が光分解していることが
わかった。

【００４４】反応混合物を５００ｍｌの０．０１規定塩
酸中に注ぎ、３０分間撹拌した。析出物を濾取し、室温
で２０時間真空乾燥した。これを感放射線成分Ｅとす
る。

【００４５】（４）レジスト組成物の調製 下記の原料を混合してレジスト溶液を調製した。

【００４６】 ノボラックＡ ９．１５ｇ 感放射線成分Ｅ ２．９５ｇ 化合物Ｈ １．３１ｇ ＰＧＭＡ ８６．６ｇ “トロイソール”３６６ ０．０３ｇ （ここで、化合物Ｈは１，１，２−トリス（３，５−ジ
メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンを表わし、
ＰＧＭＡは、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテートを表わす。“トロイソール”３６６はＴｒｏ
ｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製の界面活性剤である。） （５）レジストプロセス （４）で調製したレジストをクロムブランクスにスピン
ナーを用いて塗布し、１１０℃のオーブンで１０分間ベ
ークし、膜厚０．５μｍの塗膜試料を作製した。

【００４７】電子線露光装置を用い、加速電圧２０ｋ
Ｖ、電流量１ｎＡで０．４５ｍｍ×０．６０ｍｍの矩形
領域を順次露光時間を変えて走査露光した。

【００４８】ついで、りん酸三ナトリウムを０．３４６
％、水酸化ナトリウムを０．４０２％含む水溶液を用い
て２３℃で１２０秒間浸漬現像を行ない、純水でリンス
した。

【００４９】（６）特性の評価 この試料の未露光部分および露光した矩形領域のレジス
ト膜厚を順次測定した。各露光部分について、露光量
（すなわち電流量と露光時間の積を面積で割った値）と
残膜率（すなわち露光部分膜厚を塗布膜厚で割った値）
を計算し、残膜率を露光量の対数に対してプロットして
感度曲線を作図した。この感度曲線から、残膜率が０に
なる露光量を求め感度の値とした。

【００５０】感度は４．２μＣ／ｃｍ² であった。

【００５１】さらに０．５μｍのラインアンドスペース
パターンを作製し、その断面を走査電子顕微鏡を用いて
観察したところ、レジストプロファイルは良好で、スカ
ムは認められなかった。

【００５２】比較例１ （１）レジスト組成物の調製 下記の原料を混合してレジスト溶液を調製した。

【００５３】 ノボラックＡ ９．１４ｇ キノンジアジドＢ ２．９５ｇ 化合物Ｈ １．３１ｇ ＰＧＭＡ ８６．６ｇ “トロイソール”３６６ ０．０３ｇ （２）レジストプロセスおよび評価 実施例１と同様に薄膜試料を作製し、露光、現像した。

【００５４】２０分間現像を行なったが、１〜１２０μ
Ｃ／ｃｍ² の範囲の露光量では、露光部分の膜減りは３
００オングストローム以下であり、感度の測定はできな
かった。

【００５５】実施例２ （１）キノンジアジド化合物の調製 実施例１の（２）と同様の方法を用いて、２，３，４，
４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン２４．６ｇ
（０．１０ｍｏｌ）、１，２−ナフトキノンジアジド−
４−スルホニルクロリド８０．７ｇ（０．３０ｍｏｌ）
よりキノンジアジドＣを調製した。

【００５６】（２）感放射線成分の調製 実施例１の（３）と同様の方法を用いてキノンジアジド
Ｃより感放射線成分Ｆを得た。分解率は１５モル％であ
った。

【００５７】（３）レジスト組成物の調製 下記の原料を混合してレジスト溶液を調製した。

【００５８】 ノボラックＡ ９．３８ｇ 感放射線成分Ｆ ２．６８ｇ 化合物Ｈ １．３４ｇ ＰＧＭＡ ８６．６ｇ “トロイソール”３６６ ０．０３ｇ （４）レジストプロセスおよび評価 実施例１と同様に薄膜試料を作製し、露光した。

【００５９】ついで、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシドを１．５０％、２−ジエチルアミノエタノールを
６．５０％含む水溶液を用いて２３℃で９０秒間浸漬現
像を行ない、純水でリンスした。

【００６０】感度は６．０μＣ／ｃｍ² であった。

【００６１】比較例２ （１）レジスト組成物の調製 下記の原料を混合してレジスト溶液を調製した。

【００６２】 ノボラックＡ ９．３８ｇ キノンジアジドＣ ２．６８ｇ 化合物Ｈ １．３４ｇ ＰＧＭＡ ８６．６ｇ “トロイソール”３６６ ０．０３ｇ （２）レジストプロセスおよび評価 実施例２と同様に薄膜試料を作製し、露光、現像した。

【００６３】現像時間は９０秒で、感度は９５μＣ／ｃ
ｍ² であった。

【００６４】実施例３ （１）キノンジアジド化合物の調製 実施例１の（２）と同様の方法を用いて、２，３，４−
トリヒドロキシベンゾフェノン２３．０ｇ（０．１０ｍ
ｏｌ）、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニ
ルクロリド８０．７ｇ（０．３０ｍｏｌ）よりキノンジ
アジドＤを調製した。

【００６５】（２）感放射線成分の調製 実施例１の（３）と同様の方法を用いてキノンジアジド
Ｄより感放射線成分Ｇを得た。分解率は２３モル％であ
った。

【００６６】（３）レジスト組成物の調製 下記の原料を混合してレジスト溶液を調製した。

【００６７】 ノボラックＡ ９．３８ｇ 感放射線成分Ｇ ２．６８ｇ 化合物Ｈ １．３４ｇ ＰＧＭＡ ８６．６ｇ “トロイソール”３６６ ０．０３ｇ （４）レジストプロセスおよび評価 実施例１と同様に薄膜試料を作製し、露光した。

【００６８】ついで、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド２．３８％を含む水溶液を用いて２３℃で７５秒
間浸漬現像を行ない、純水でリンスした。

【００６９】感度は３．０μＣ／ｃｍ² であった。

【００７０】さらに０．５μｍのラインアンドスペース
パターンを作製し、その断面を走査電子顕微鏡を用いて
観察したところ、レジストプロファイルは良好で、スカ
ムは認められなかった。

【００７１】比較例３ （１）レジスト組成物の調製 下記の原料を混合してレジスト溶液を調製した。

【００７２】 ノボラックＡ ９．３８ｇ キノンジアジドＤ ２．６８ｇ 化合物Ｈ １．３４ｇ ＰＧＭＡ ８６．６ｇ “トロイソール”３６６ ０．０３ｇ （２）レジストプロセスおよび評価 実施例３と同様に薄膜試料を作製し、露光、現像した。

【００７３】現像時間は１０分で、感度は７５μＣ／ｃ
ｍ² であった。

【００７４】さらに０．５μｍのラインアンドスペース
パターンを作製し、その断面を走査電子顕微鏡を用いて
観察したところ、スカムが多くみられ、レジストプロフ
ァイルは良好ではなかった。

【００７５】

【発明の効果】ドライエッチング耐性に優れ、感度が高
く、レジストプロファイルにスカムの少ないポジ型感放
射線レジスト組成物が得られる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）１，２
   −ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステルまた
   は１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エス
   テル、および（Ｃ）カルボキシインデン−３−スルホン
   酸エステルまたはカルボキシインデン−４−スルホン酸
   エステルを含むことを特徴とする感放射線レジスト組成
   物。
2. 【請求項２】（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の和に対する
   （Ｃ）成分の割合が５〜５０モル％であることを特徴と
   する請求項１記載の感放射線レジスト組成物。