JPS61167948A - ポジ型感光性組成物用現像液 - Google Patents

ポジ型感光性組成物用現像液

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JPS61167948A
JPS61167948A JP873185A JP873185A JPS61167948A JP S61167948 A JPS61167948 A JP S61167948A JP 873185 A JP873185 A JP 873185A JP 873185 A JP873185 A JP 873185A JP S61167948 A JPS61167948 A JP S61167948A
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ether
mixture
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三浦 近衛
Tameichi Ochiai
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Yasuhiro Kameyama
泰弘 亀山
Chie Tanaka
千絵 田中
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03CPHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C5/00Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
    • G03C5/18Diazo-type processes, e.g. thermal development, or agents therefor

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はポジ型感光性組成物用現像液に関するものであ
シ、詳しくはメタクレゾールとパラクレゾール、更には
、J、!−キシレノール等のフェノール類の混合物をホ
ルムアルデヒドと縮合して得られるノボラック樹脂とす
7トキノ/ジアジド系感光剤から成るポジ型感光性組成
物用現像液に関するものである。
〔従来の技術〕
集積回路の高集積度化は年々加速度的に進み、現在では
集積度子方以上のいわゆる超LSIの時代に移行しつつ
あり、コμmルールさらには/、jμmルールの設計の
時代となっている。それに伴いフォトリソグラフィー技
術に対する要求も年々厳しくなってきている。このフォ
トリソグラフィー技術において、従来使用されてきたレ
ジストはその大部分が、環化ポリイソプレンゴムに光架
橋剤ビスアジド化合物を添加して得られるネガ型レジス
トである。しかしこのタイプのレジストは現像時の膨潤
により解像力に限度があり、ダμm以下の解像力を得る
ことはむずかしい。
上記要求に応えることが出来るのはポジ型レジストであ
る。ポジ型レジスト組成物はアルカリ溶解性の7エノー
ル系ホルムアルデヒドノボラツク樹脂を、感光性物質、
一般には置換されたナフトキノンジアジドとともに含む
ものである。ナフトキノンジアジドは照射時に下式のよ
うに紫外線を吸収し、カルベンを経てケテンを生じ、系
中に存在する水分と反応してインデンカルボン酸となり
、これが現像液のアルカリ水溶液に溶解する現象を応用
している。
このように、ポジ型レジストは、現像液としてアルカリ
水溶液を用いるためネガ型の場合と異なりレジストが膨
潤せず、従って解像力を高めることが可能なのである。
度、接着力などの面ではネガ型のフォトレジストに比し
て劣っているといわれている。このうち接着性に関して
は基板の前処理などの操作で改良出来るのに対して、感
度面での対策がたち遅れていた。また一般的に高い解像
度を持つポジ型レジストであるが、集積度の上昇に伴い
その中でもさらに高解度のものが求められてきている。
さらに最近のリソグラフィープロセスにおいては、解像
力を向上させるために光の強度の小さい単色光を用いて
縮少投影を行い、一枚のウェーハーを何回にも分割して
露光するプロセスが導入され、さらには集積度の向上に
伴い描くべき図形もますます複雑化し、従って露光の回
数も増加しているといったように全体のプロセスの中に
しめる露光時間の割合が増加しつつある。従ってレジス
トの感度を向上させることは超L8工製造のスループッ
トを大きく向上させ、さらに縮少投影露光機といったき
わめて高価な機械を使用する工程のスループットの向上
を行うためコストパフォーマンスへの寄与もきわめて大
きい。このような事情で従来のものに比してさらに解像
度を向上させ、さらに感度面を改良したポジ型レジスト
の出現が切望されていたのである。
しかし、一般に、感度を高くしようとすると、残膜率が
低下し、ピンホールなどの膜の欠陥が多くなるという不
都合を来たす。
本発明者等は特にこの点に留意し鋭意検討を進めた結果
、特定のへコーナフトキノンジアジド系感光剤と特定の
ノボラック樹脂とを組合せることによって、感度及び残
膜率が良好で解像度の向上したポジ型フォトレジスト組
成物が得られることを知得し、先に提案した(特願昭!
;g−15003!r、特願昭jt9−727qコ)。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、現像条件により時として一μパターンも
しくはそれ以下のパターン間にわずかな現像残り(以下
「膜残渣」と称する)が生ずることがある。この傾向は
特に浸漬現像を行う場合に頒著になる傾向がある。
本発明者等は特にこの点に留意し鋭意検討を進めた結果
、現像液に特定の界面活性剤を添加することにより膜残
渣の全くないシャープな画像が得られることを見出し、
本発明を完成させるに至った。
〔問題点を解決するだめの手段〕
すなわち本発明の要旨は塩基性化合物を主成分とし、且
つ、lθ〜70,000ppmのポリオキシエチレンノ
ニルフェニルエーテル、オキシエチレンオキシプロピレ
ンブロツクポリマー、ポリオキシエチレンラウリルエー
テル及びラウリルベタインから選ばれた界面活性剤を含
有することを特徴とする、少なくともメタクレゾール及
びパラクレゾールを含むフェノール類混合物とホルムア
ルデヒドとの縮合物とナフトキノンジアジド系感光剤か
ら成るポジ型感光性組成物用現像液に存する。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
ポジ型感光性組成物についてさらに具体的に説明すると
ノボラック樹脂としてはロークレゾールとp−クレゾー
ルの混合物を酸触媒にて重合させたものでm−クレゾー
ルの割合が好ましくは95〜4j−モルチ、さらに好ま
しくはS3〜6tモルチで重量平均分子量が3.ooo
〜、20.000好ましくは3. o o o〜/!;
、000のもの、モL < Id、 m −クレゾール
、p−クレゾール、コ、ターキシレノールの混合物を酸
触媒にて重合させたものでm−クレゾール10−10モ
ルチ。
p−クレゾール/Q〜goモル% 、 2.r−キシレ
ノール10−ざOモルチで、重量平均分子量が/、 0
00〜j O,000好ましくは/、 、t 00〜/
!、000のもの等が用いられる。感光剤としてハ2.
J、’l −トリヒドロキシベンゾフェノンのl、コー
ナ7トキノンジアジドー5−スルホン酸のエステルが用
いられ、そのうち90%以上がトリエステルのものが好
適に用いられる。
感光剤はノボラック樹脂100Xi部に対して70〜3
θ重量部、好ましくは7.2〜λ3重量部の割合で用い
られる。これらの混合物は通常適当な溶媒に溶かして用
いられる。溶媒としては良好な塗膜を与えるものならば
何でも良いがエチルセロソルブ、メチルセロソルブなど
のセロソルブ系、エチルセロソルブアセテート、メチル
セロソルブアセテート、ブチルアセテートなどのエステ
ル系ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなど
のアミド系、その他グライム、ダイグライムなどのエー
テル系の溶媒が好適に用いられる。その他必要に応じて
増感剤、塗布性改良剤などを添加しても良い。
現像液の主成分としての塩基性化合物としては、公知の
ものが使用できるが、テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウ
ムハイドロオキシドなどの第四級アミンのハイドロオキ
シドが好ましく、水溶液として用いられる。又、その濃
度は7重量%〜70重1tチ、好ましくは7,5〜/!
wt%の範囲で使用する。
界面活性剤の添加量は/ Oppm−10,000pp
m。
好ましくは/ Oppm −/、Of70ppm、さら
に好ましくは!r Oppm −500ppmである。
またベタイン系以外の界面活性剤のHI、B値は、例え
ば、メタクレゾールとパラクレゾールとの混合物とホル
ムアルデヒドとの縮合物を使用する場合は、/&−/9
、好ましくは、/j0g〜/ 1.!のものが好適であ
り、又、メタクレゾール、パラクレゾール及びコ、!−
キシレノールとの混合物とホルムアルデヒドとの縮合物
を使用する場合は7〜/j、好ましくは、g−/ダのも
のが好適である。ベタイン系界面活性剤としては、ラウ
リルベタインが好適に用いられる。
以下この現像液の使用法を簡単に説明する。
前述したようなポジ型感光液をスピンコーティング、キ
ャスティング、ディッピングなどのような方法でウェー
ハー上に塗布し、縮小投影露光機、プロキシミテイ露光
機、密着露光機などを用いて露光を行い、上に説明した
現像液を用いて浸漬現像法やパドル現像、スプレー現像
などの自動化された現像機を用いて現像を行う。
このように特定のレジストと本発明の現像液とを組合せ
ることにより温和な条件で現像しても膜残渣の全くない
シャープな画像を得ることが出来るのである。
〔実施例〕
次に具体例をあげて本発明をさらに詳しく説明するが、
本発明は実施例によって何ら制約は受けない。
ノボラック樹脂の合成例1 メタクレゾール3ooII、バラクレゾールコooy、
シュウ酸((C+0OH)、・、2111.0 ) i
j g、ホルマリン水溶液(37%)sootzの混合
物を93℃で1時間反応させた後、減圧蒸留(最終液温
770℃、/ 00 waHg ) Kよシ、未反応モ
ノマー及び水を留去、樹脂411.21を得た。
感光液の調製例/ 合成例/で得たノボラック樹脂3.01と下記に示すナ
フトキノンジアジド系感光剤0.ダ3311トヲエチル
セロソルプアセテート9.011に溶解してレジスト感
光液とした。
実施例1 調製例/で得られたレジスト感光液をシリコンウェハ上
に八〇μmの膜厚にスピンコードしてクリンオープン中
で90℃、30分間プリベークした後、キャノンステッ
パー(FPA−/Ill’)で露光し、下記組成の現像
液でコ!℃で7分間浸漬現像を行なった。
水                       9
?、6/wt%テトラメチルアンモニウムハイドロオ叶
サイド 2,5ざwt%純水でリンス後、コμm及び1
μmのラインアンドスペースのパターンを走査型電子顕
微鏡(81!iM)で10000倍で観察し膜残渣の有
無を調べた。結果を表−15示す。
実施例ユ 実施例/と同様にして、下記組成の現像液を用いて現像
を行ない、膜残渣の有無を調べた結果を表−ノに示す。
水                       ?
?、、j2wt襲テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド 2.JIwtqbホリオキシポリレンノニル
フェニルエーテル  0./ wt%(HLB=/4!
J) 実施例3 実施例1と同様にして、下記組成の現像液を用いて現像
を行ない、膜残渣の有無を調べた。
結果を表−7llC示す。
水                        
               9り#3コwt%テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイドコ、stwt
qbオキシエチルオキシプロピレンプロックボリマー0
.zwt%(HLB−/6j) 実施例ダ 実施例1と同様にして下記組成の現像液で現俸を行々い
膜残渣の有無を調べた。結果を表−15示す。
水                        
      デク、bivrt%テトラメチルア/モニ
ウムハイドロオキサイド 2,51wt%オキシエチレ
ンオキシプロビレ/ブロックポリマー 0.0/wt%
(HLB−744) 比較例1 実施例/と同様にし、界面活性剤を含まない下記組成の
現像液を用いて現像を行ない膜残渣の有無を調べた。結
果を表−15示す。
水                        
        デク、6コvrtチテトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド コ、Jgwt、%ノボラ
ック樹脂の合成例コ メタクレゾールtssy、バラクレゾールコ379およ
びコ、3−キシレノール/149gにホルムアルデヒド
水溶液(,77%)λ’79.Allを加えシュウ酸触
媒ioyの存在下100℃で加熱しさらに減圧蒸留によ
り水分、モノマーの追い出しを行ない、ノボラック樹脂
ダ7コ、コIを得た。
感光剤の合成例1 :1,3.II−) IJヒドロキシペンゾフェノンコ
lにl−オキソーコ−ジアゾナ7トキノン−!−アリー
ルスルホニルクロリド7Iを作用させてエステル化生成
物7,59を得た。
感光液の調製例コ 合成例コで得たノボラック樹脂3Iと感光剤の合成例1
で得た感光剤o、rbiをエチルセロンルブアセテート
?、、7 IIに溶解させ、粒径0.ココμのフィルタ
ーにより濾過し感光液を調製した。
実施例3 表面熱酸化処理したコインチシリコンウエーハーに密着
促進剤(ヘキサメチルジシラザン、東京応化■製)を塗
布し、さらに調製例コで得た感光液をスピンナー(ミカ
サ /H−J)を用い、tiooo回転で塗布し、膜厚
/、0μを得た0このウェハーを90℃で30分間プリ
ベークしレチクルを介してステッパー(FPA−/q/
h、キャノン)で適正露光時間露光した後、テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド2,5t %水溶tftニ
アンヒトール2aB(ラウリルベタイン、花王アトラス
社製) / 00 ppmを添加した現像液(コj℃)
に1分間浸して現像し、純水によりリンスを行った。線
幅aμのレジストノ(ターンを走査型電子顕微鏡(工S
ニーEI!−23、明石製作所)により、7300倍に
拡大して観察を行ったところ、膜残液のないシャープな
画像を得ることができた。結果を表−コに示す0 実施例6 実施例jと同様、ウェー/%−に感光液を塗布し、露光
した後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドコ、3
g%水溶液に、NCG(ポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテル HLB//、7、ライオン油脂社製) 
/ 00 ppmを添加した現像液で現像したところ、
膜残渣のない良好なレジストパターンを得た。結果を表
−2に示す。
比較例コ 実施例Sと同様感光液を塗布し露光した後テトラメチル
アンモニウムヒドロキシドコ、、? ff %水溶液で
現像したところ、膜残渣がみられた0結果を表−ユに示
す。
比較例3 実施例Sと同様、感光液を塗布し露光した後、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド2,5tチ水溶液にエマ
ルダン320pCポリオキシエチレンステアリルエーテ
ル)ioooppmを添加した現像液で現像したところ
膜残渣がみられた。
結果を表−コに示す。
表−1 〔発明の効果〕 本発明の現像液によれば、特定のポジ型感光性組成物の
現像に際し、極めて残渣の少ない現像が可能となシ、解
偉度にも優れることから、極めて微細な半導体の加工等
に適用して実用上の効果が極めて大きい。
出 願 人  三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士長谷用  − (ほか7名)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)塩基性化合物を主成分とし、且つ、10〜10,
    000ppmのポリオキシエチレンノニルフエニルエー
    テル、オキシエチレンオキシプロピレンブロツクポリマ
    ー、ポリオキシエチレンラウリルエーテル及びラウリル
    ペタインから選ばれた界面活性剤を含有することを特徴
    とする、少なくともメタクレゾール及びパラクレゾール
    を含むフエノール類混合物とホルムアルデヒドとの縮合
    物とナフトキノンジアジド系感光剤から成るポジ型感光
    性組成物用現像液。
  2. (2)フエノール類混合物が、メタクレゾール及びパラ
    クレゾールから成り、界面活性剤が HLB値が15〜19のポリオキシエチレンノニルフエ
    ニルエーテル又はオキシエチレンオキシプロピレンブロ
    ツクポリマーである特許請求の範囲第1項記載の現像液
  3. (3)フエノール類混合物が、メタクレゾール、パラク
    レゾール及び2,5−キシレノールから成り、界面活性
    剤がラウリルベタインもしくはHLB値が7〜15のポ
    リオキシエチレンノニルフエニルエーテル、ポリオキシ
    エチレンラウリルエーテルである特許請求の範囲第1項
    記載の現像液。
  4. (4)塩基性化合物が第4級アミンのハイドロオキシド
    化合物である特許請求の範囲第1項乃至第3項に記載の
    現像液。
JP873185A 1985-01-21 1985-01-21 ポジ型感光性組成物用現像液 Granted JPS61167948A (ja)

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