JPS589143A - 金属イオンを含まないフオ−トレジスト現像液組成物 - Google Patents

金属イオンを含まないフオ−トレジスト現像液組成物

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JPS589143A
JPS589143A JP5947782A JP5947782A JPS589143A JP S589143 A JPS589143 A JP S589143A JP 5947782 A JP5947782 A JP 5947782A JP 5947782 A JP5947782 A JP 5947782A JP S589143 A JPS589143 A JP S589143A
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322Aqueous alkaline compositions

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規な感光レジスト用水性アルカリ現像液組
成物およびその使用に関する。更に詳しくは、金属イオ
ンを含まない高速現像液組成物に関する。
集積路回、印刷回路di−)”、印刷板等の製造におい
て、例えば、エツチング、金属、析出、および拡散工程
等のような次工程の際K、基質の一部を保護するため、
光重学的な像を基質上に形成するレジスト法が用いられ
ている。レジスト法では。
放射感応性有機組成物を使用し、これを基質表面に塗布
し:tS後、元あるいは1例えばX線、ガンマ−線ある
いは電子ビー^のような適当な活性放射線に模様を露光
させる。ついで露光されたレジスト層を公知の方法によ
り現偉仁た後、現像により露われた基質の部分を処理す
る。
ポジとネガと両方に作用する7オートレジストは公知で
ある。ホシ用レジストは主としてフェノールーホルムア
ルデヒrノボラック樹脂のようなベース溶解性バインダ
ーと、ジアゾ化合物のような光活性化合物である増感剤
とから成る。このような増感剤およびレジストは例えば
アメリカ特許No、3.046.118;3,041.
121 ;3.106.465 s3.201,239
 ; 3,666.475 ; 4,009,003 
および4,059,461に開示されており、以下本文
にも引用している。他のレジストとしては例えばアクリ
ルレジストおよびポリアミドレジストがある。
フォートレジストを用いる製造法において生産速度を光
重学的な像を形成するに要する時間に依存するが、この
時間は、レジストを必要量の活性化放射線へ露光するに
要する時間と潜像を生みだすレジストを現像するに要す
る時間とに依存する。
従って、4つの相関性のあるファクターが生産工程の速
度を決定する。すなわち、放射線強度、露光時間、現像
液濃度および溶液の接触時間である。
主に、露光したレジストは所定濃度の現像液に一定割合
で溶解するだろう、このことは現像を浸漬法、攪練法あ
るいはスプレー法のいづれの方法によっても同じである
。一般に、溶液接触時間はあらかじめ決定される。つい
でフォートレジストを完全に現像させるための露光量短
所9時間を場合によって番讐トライアンドエラーにより
決定する。
一般にフォートレジストの露光不足を、現像液の濃度を
指定濃度以上にすることにより効率的に相殺することは
できない。これは、一般に選択性が相当に損失されるこ
とになる理由によるものである。即ち、大部分の非露光
レジスト部は、露光部と共に酵解するであろう。その結
果、光重学的な儂が溶解するというロスがあり、このた
めに後処理される基質の特性がiスされることになる。
このためある強度の活性放射線源を用いる代表的な製造
法では、適当な露光時間を生ず、必要以上の時間に決定
ついで、光重学的な像があらかじめ決めた溶液接触時間
中に丁度現像されるようになるまで徐々に短縮すること
により決定される。従って例えば現像が現像液中IK、
60秒浸漬することkより実l・江する場合、現像が6
0秒の浸漬時間で丁度完結するようになる迄、露光時間
を調藤短縮していく。
公知の現像液における大きな欠点は加工ピース。
特に集稍回路装置などの金属イオン夾雑物に8連してい
る。これらの装りで用いられる微細な線や空間部では、
装置の機能性に影響するため、流動的な金・・:′−イ
オンによる夾雑物が存在しないようにする必要がある。
公知の現倶液は金属イオンから成るために金ぶイオン夾
雑物の原因となる。光重学的な像を現像2後、洗浄が不
充分の場合、金属イオン夾雑物が残り、これが浸沈がな
い自動現像法では特に問題となる。IC装置の製造マは
金属イオン夾雑物が大きな欠点となる。
□  本発明によれば、上述の目的は、新規な金属イオ
ンを含まない現像液組成物により、達成される。
更に詳しくは1本発明は、金属イオンを含まないアルカ
リと、以下で限定するような一つあるいはそれ以上の第
四アンモニウム化合物から成る金属イオンを含まない界
面活性剤とから成る金にイオンを含まない水性現像液組
成物を提供するものである。
本発明の方法によってフォートレジストを前述の金属イ
オンを含まない水性現像液組成物と接触させて現像する
方法を提供する。本発明の現像液組成物は光重学的なレ
ジスト像をつくるに要する露光エネルギーを40〜50
%減少させるという。
多大な技術的な向上を提供するものである。さらに、公
知の現gI液を使用した場合に比較し実質上より以上の
gI特性および溶解性が向上する。
本発明は7オートレジスト用の新規な水性アルカリ現像
液を提供する。処理温度は好ましくは約10〜30゛C
1更に好ましくは、約20Cから寥温かである。
本発明の現像液組成物は公知の現像液に適したいかなる
方法によっても使用できる。即ち浸漬。
スプレーおよび攪練の方法を使用できる。一般に現像し
ようとするフォートレジストを基質へ処理し、活性放射
線へ像形成のため露光し、つづいて。
現(a液と接触させる。主として、光重学的な偉を現像
する時間は浸漬法では約60秒、スプレー法あるいは攪
練法では60秒以下、必要である。現像稜、処理ピース
を洗浄し、ついで所望の工程へ進む。
本発明の新規な現像液組成物の使用に適する金属イオン
を含まないアルカリは、必しも必要ではないが、通常水
溶性であり、所望のアルカリ性を示さなければならない
。本発明の新規な現像液組成物の処理pHは好しくけ、
約11〜12.7.より好ましくは約12.5である。
現像液をIZ7を越えるpHで処理すると、レジストの
非露光部がかなり攻撃され、光重学的な像の溶解特性が
低下する。
pHが11を越えない場合には現像スピードがかなり落
ちてくる。
適当なアルカリ源としては1例えば置換基が直鎖1分岐
、あるいは環状である。第一、第二および第三曾換アミ
ンを含むアリールおよびアル中ルアミンである。適当な
アミンは例えば1,3ジアミノプロパンのよさなアルキ
レンジアミンおよび例えば4.4テジアミノジフエニル
アミンのようなアリールアミンである。更に例えばビス
−(ジアルキルアミノ)イミンのようなイミンが適当で
ある。
アルキル曾換体は炭素原子1〜12からなるものが好ま
しい。好ましいアリール發換体はフェニルおよびフェナ
ルキルである。アルカリ源として更に適するものは1例
えば環骨格に炭素原子が3〜5、と窯素、酸素および硫
黄から選ばれるヘテロ原子が1あるいは2とを有するよ
うな複素環式塩基1例えば、ピロール、ピロリジン、ピ
ロリド°ン。
2リジン、モルホリン、ピッジン、ビはリジン。
オキサゾール、およびチアゾールである。他の適当なア
ルカリ源は1例えば低級アルキル第四アンモエラ^にド
ロキシPのような第四アンモニウム塩基である。好まし
いアルカリは各アルキル置換基が同じか異なるかであり
かつ炭素原子が1〜3であるテトラアルキルアンモニウ
ムヒドロキシドである。テト2、メチルアンモニクムヒ
ドロキシドが蛙適である、 本発明の現像液組成物である金属イオンを含まない界面
活性剤は、一般式; である第四アンモニウム化合物の一つあるいは好ましく
は混合物から成る。
(1)式中 RJは6〜2oの炭素と1.各酸素が少く
とも一つの炭素により、他のものから分離されうる条件
の、0〜30酸素とを有し、かつアルコキシ置換か非@
候である。飽和、もしくは不飽和の、直鎖もしくは分枝
炭化水素鎖から成り;R2およびR3は同じものか異な
るものかであり。
かつそれぞれが、1〜3の炭素のアルキル;あるいはR
5が1〜3の炭素のフルキレンでありかっnが1〜20
の整数である(R50)X1Hがら成るか:R2および
R3が同様に、各ヘテロ原子が、少くとも一つの炭素に
より、他のものおよび第四窯素から分離される条件の、
酸素、窯素、および硫黄から選ばれる。0〜2のへテロ
原子をもつ2〜8の炭素原子の環状芳香族炭化水素から
成るか:あるいh4、R2およびR3が、同様に、各窯
素が少くとも一つの炭素により他のものおよび第四窯素
から分離される条件の、0〜2の窯素ヘテロ原子をもつ
2〜8の炭素の環状芳香族炭化水素から成り:R4は、
1〜10の炭素原子を有する。飽和あるいは不飽和の、
W鎖あるいは分枝炭化水素、前述の(R’0)nH、ア
ルキルの半分が0〜3の炭素を有するフェナルキル、あ
るいは、mが1〜4で R2およびR3が前述のもので
ありかっR6が1〜1oの炭素原子を有する飽和あるい
は不飽和の、@鎖あるいは分枝炭化水素か、もしくは、
前述の(R50)nHか、もしくは0〜乙の炭素原子の
アルキル基を有するフェノールアルキルテ、i6.  
   R3R” から成り: かつXがハロゲン、ヒドロキシ、かケイ酸塩かあるいは
、前記第四アンモニウム化合物の相轟するアミノオキシ
Pから成る。
R2、RB、およびR4は合計でアルコキシ単位として
15が好ましく (R50)は2であるのが、更に好ま
しい。
本発明で使用する好ましいものとしては、一般であるt
f・四アンモニウム化合物がある。
(II)式中、R1およびXは(1)式で述べたもので
あり: R7およヒR8は同じものか異なるものかであり。
かつそれぞれが1〜3の炭素のアルキルか、!lIが1
でかつR5が(I 、)式で述べたものである(R50
)nHから成り。
かつR9が1〜10の炭素p゛子を有する飽和あるいは
不飽和の、直鎖あるいは分枝環状炭化水素。
nが1でかつR5が(I)式て述べたものである(R5
0)naアルキルの半分が0〜3?炭素を有する7エナ
ルキル、あるいは1mが1〜4で、R@およびR7が前
述のものであり、かつR’%:1〜10の炭素原子を有
する飽和あるいは不飽和の、直顔あるいは分枝炭化水素
か、もしくは前述の(R50)、Hか、もしくは、0〜
乙の炭素原子のアルキル基を有するフェナルキルである
      H”1Ho (薯)から成る。
前述の式(1)の一つあるいはそれ以上の界面活性剤か
ら成る1本発明、の金属を含まない現91’液は。
フォートレジストのh元部の担像て選択性がよく。
かつ、非り光フォートレジストを殆んど攻撃しないこと
が見出されたのである9本発F!A′によりつく−られ
た金属イオンを含まない現像液は所望の像をつくりだす
ための所望の露光時間を40〜50%短縮するととがで
きる。
比較として、公知の現像液を用いた場合、この40〜5
0%の露光時間短縮は、たとえ浴濃度を増加させたとし
ても、非露光7オートレジストが攻撃されるために達成
されない。従って公知の現像液は露光部と非4光部間の
選択性が劣るのである。
好ましい界面活性剤には、一般式; のエトキシル化第四アンモニウム化合物からなるもので
ある。
(IV)式中1mおよびpはそれぞれ1もしくは2であ
り R1は炭素原子が8〜18.1F1.1合かはぼつ
ぎのアルキル基である。
第−表 最も好適な界面活性剤はmおよびpがそれぞれ1である
、エトキシル化第四アンモニウム化合物。
讐なわちメチルビス−(2−ヒrロキシエチル)ヤシア
ンモニウムクロライrである。この界面活性剤はヤシ油
から誘導され、このものは商品名@ETHOQUAD 
C/12″(Armak Go、、Pa5adena。
Texas、有効分75%の溶液として販売)で市販さ
れている。
更にR2,R3およびR4が1〜3の炭素原子のア、ル
キシ、最適には、メチルでありかつR1が(IV)式の
ものである、(I)式の化合物が好ましい。この界面活
性剤の中で最適のものはトリメチルヤシアンモニウムク
ロライドである。これはヤシ油から誘導され、商品名”
ARQUAD G−50″(ArmakCompany
、Pa5adena、Texas、有効分50%溶液と
して販売)で市販されている。
他の好ましい界面活性剤は、二つの化合物、すなわち一
つの化合物がR1が炭素原子12を有しかつmおよびp
が合計15のものである(IV)式に相当するものと、
もう一つの化合物が、R1が90%のC18および10
%01gである(ff)式に相当するもの、との混合物
である。この界面活性剤は商品名”ETHOQUA 1
8/25”(Armah、Comp’any+Pa5a
dena 、 Texas 、で有効分90%溶液で販
売)で市販されている。
本発明の現像液組成物中の界面活性剤の使用濃度は1選
んだ第四アンモニウム化合物および使用される個々の方
法とに依存する。例えば、界面活性剤が前述のETHO
QUAD C/12で、アルカリがテトラメチルアンモ
ニウムヒト90キシド(@TMAH”)の場合、全使用
量はTHAH1kl+につき活性C/12が0.02〜
45に9.更に好ましくは、活性C/12が約0.1〜
7.52である。最適のものはTHAM1kl?にツキ
、活性ETHOQUAD C/12.約0.2〜101
活性ETHOQUAD 18/25.約1〜4?とを配
合したものである。
第四アンモニウム化合物および現像液組成物中の界面活
性剤は、当関連分野の技術として公知の方法により容易
に合成するどとができる。従って。
多くの適゛当な化合物あるいは好適な化合物の混合物が
容易に入手可能である。
理論的に保証しようとするものではないが、(I)式の
化合物による新規に見出された効果は、フォートレジス
トの界面における現@框浴の表面張力を下げるという化
合物の特性によって生ずるものと現在考えられている。
従って、この改良点は光重学的像な現像する間、絶えず
、露光フォートレジストと現像液とを湿潤させておくと
ころにある。
この場合、現像液中のアルカリは、レジストの露光部の
厳と、充分に接触するため、より効果的に作用する。
理論的には1表面張力を下げる能力が、フォートレジス
トの重合樹脂に対する親油性のR1の一部の親和性に大
いに役立っている。この膚に関して云えば。
樹脂系が主に種々の長さの炭素原子から成っているため
にR1の炭素め長さがいろいろである混合物が%に有効
であることが更1/C理論づけされる8例えば、ノボラ
ック樹脂の場合、その構造は数多い。
従って異ったR1の鎖長が、異った構造のそれぞれに大
きな親和性を与へ、その結果大きな湿潤作用を提供する
。従って異なったR1の炭素鎖長の総合作用により、相
乗効果が達成されるのである。
本季明の現像液組成物に、前述のアルカリおよび界面活
性剤に加へて、更に一つあるいはそれ以上の適当な多価
の化合物を含んでもよい。水性アルカリ現像液に使用す
るに適する多価の化合物。
関連分野の技術で公知であり、グリセリン、エチレング
リコール、#?リグリセリンおよびグリコールエーテル
等である。グリセリンが好適である。
理論的に保証しようとするものではないが、グリセリン
、あるいは、他の適する多価の化合物は。
湿潤剤および溶剤として作用し、かつ光重学的像の特性
を改良する。グリセリンの量は約35 t/lまでが特
に適していることが見出された。約25〜30 t/l
の使用が好ましく、特に約27 t/lが好適である。
本発明は陽画タイプの7オートレジストの現像に適する
。新規の金属イオンを含まない、高速現像液を提供する
。これは二層工程において未増感ポリアミドフィルムを
エツチングするのに適すると考えられる。これはノボラ
ック樹脂系における。
1−オキソ−2−a)70−ナフタレン−5−スルホネ
ートのような、ジアゾ型増感剤を含む陽タイプフォート
レジストの現像に特に有効である。このような陽タイプ
フォートレジストは例えば5hipley Compa
ny Inc、(Nevton、Massachuse
tts)から−販されているAZ1300シリーズおよ
びAZ1400シリーズ・7オートレジストである。
本発明の現像液は、当関連分野の技術に公知である。徊
え番ギ1−オキソー2−ジアゾナフタレン−”4−スル
ホネートエステルあるいは他の光活性物質である。異な
った増感剤を含有する7オートレジス7トの現像に非常
に有効である。
現像液は活性放射性へ露光した7オートレジストの部分
を溶解し、その際の選択性を改良したものである。すな
わち本発明の現gII液組成物は霧光エネルギー量が少
い場合でさえ、公知の現像液に比較し、非露光部に損傷
を4へずに、露光部を溶解するモあろう。従って露光時
間氷短縮されることにより、生産速度が増大した場合に
も、良好な像溶解および像特性が得られる。
本発明の現像液組成物に、前述の成分に、更に他の成分
を添加することもできる。他の成分としては1例えば当
関連分野の技術で公知の、染料。
湿潤剤、緩衝剤等である。しかし、これらの添加成分に
金属イオンを含有することもできるが1本発明の好、ま
しい態様は、金属イオンを含まないことである。集積回
路装置のような加工ピースでは。
現像液組成物から金属イオンを入りこませないことが、
好適な態様の大きな特徴となる。この点に関して云えば
、好適な態様による金属イオンを含まない現像組成物は
、光重学的像の現像後に、装置の裏側を洗浄しないよう
な、自動連続現像法を用いる場合、特に有効である。こ
のような方法を実施する場合には、しばしば一部の現像
液が除去されず、装置にイオン夾雑物が残存する。しか
し、本発明の金属イオンが含まれない現像液を使用すれ
ば、現像液を洗浄しない場合にも、加工♂−スに金属イ
オン夾雑物が残存しないであろう。
従って、生産速度が増大しかつ特性が向上するだけkと
どまらず、金属イオン夾雑物がなく、その結実装置の不
良もないのである。
以下の実施例たより1本発明を説明するが、特に本発明
の請求範囲を限定するものではない。
(実施例 1) 本発明によるフォートレジスト現像液組成物をつぎのよ
5ICしてつくった。脱イオン水、14706dk、テ
トラメチルアンモニウムヒドロオキシド1000Fを添
加した。ついでグリセリン511?を加へた。更に活性
1cTHOQUA O/ 12 (ArmakGo)7
.125Pを加へた。最後に脱イオン水1α000−を
追加した。これら50分間攪拌混合し、所望の操作条件
に合わせるため稀釈用とした。
(実施例 2) つくった現像液組成物の速度および選択性を公知の現像
液のそれと比較した。シリコーン紙(それぞれ直径が3
インチ)にAZ 14700フオートレジスト(Shi
pley Company、Inc、、Nevrion
Massachusetts)を’L4sの厚さで塗布
した。塗布紙を、目盛り付きデンシティステップフィル
ターを通し、活性放射線源から45ミリジユールiのエ
ネルギーで露光した。3つの塗布紙をそれぞれ、4つの
現像液のうちの1つVC20秒、浸漬現像した後、脱イ
オンで60秒、浸洗し、ついで窯素により、風乾した。
最初の3つの溶液は、実施例1の方法によりつくった現
像液の別々のものである。第4番目の浴は現像液3部と
脱イオン水2部との混合によりつくったMF −512
現像液(Shipley Compan3r*Newt
on*MA )で、同様に使用した。すべての溶液は2
2.5tll’で使用した。現倫液゛、レジスト層の厚
さを選択性、すなわち、非露光レジストのロス量を調べ
るために再び測定し。
ついで完全な現像に必要な透過率を目視により測′定し
た。結果を第二衣に示す: 第二衣 本発明の金属イオンを含まない現像液の3つのパッチの
結果は実験誤差範囲内で一致した。この結果は金属イオ
ンを含まないam液が対照のW−312現偵液に比較し
およそ2,1倍速い、すなわち必要な露光エネルギーが
2.1倍も少いことを示している。
更に1選択性に関して云えば、顕微鏡による処理紙の目
視組成物は1本発明の金属イオンを含まない各・ζクチ
の現像液が、め18〜20%透過が少いフォートレジス
トに事実影響がないことを示している。従って、フォー
トレジストは少くとも約22.5%i過を受けずかつ完
全に現像しないならば゛現像液により、攻撃されること
はない、対照的に、完全な現像に必要な48%より少な
いすなわち1%程度低い透過を受けたy −512で現
像されたフォートレジストは、相当な程度まで。
現像液により攻撃される。
(実施例 6) 実施例1の金属イオンを含まない現像液(文中”MIF
”)を現像液5部に対し、脱イオン水1部で希釈し、現
像液3部に対し脱イオン水2部で希釈した公知の現像液
四−’!112(標準のShipley製品)と14〜
26Cで比較した0選択性を非露光レジストのロスとし
て測定した。
28枚のサンプル紙(それぞれの直径6インチ)1’c
、 AZ 1470 (Shipley C,ompa
ny、Newton、MA)を250ORMPで、厚さ
150μにスピン塗布した。塗布紙をステップマスを通
し、活性放射線45ミリジエールi1に露光させた。−
光径塗布紙を20秒浸漬現像し一ついで脱イオン水で6
0秒、浸洗した。結果をつぎに示す: 結果は、溶液中に金属イオンを含まない現像液が、MF
−212現償液に比較し2倍以上の速い。
すなわち必要な露光エネルギーが半分以下であることを
示している。更に、金属イオンを含まない現像液の選択
性が2倍より大きく、非露光レジストのロスが半分より
少いことが示されている。更に、金属イオンを含まない
現像液が非常にすぐれた倫溶解性を提供することが認め
られた。
特許出願人  シラプレー・カンパニー・インコーIレ
ーテツド

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)体)金属イオンを含まないアルカリと、(b)一般
    式; (式中 R1は6〜20の炭素と、各酸素が少くとも一
    つの炭素により、他のものから分離されうる条件で0〜
    5の酸素とを有し、かつアルコキシ置換又は非會換であ
    り、飽和もしくは、不飽和必直鎖もしくは分枝炭化水素
    鎖から成り:R2およびR3は、同じものか、異なるも
    のかでありかつそれぞれが1〜3個の炭素のアルキル:
    又は(R50)nH(式中R5が1−3の炭素のアルキ
    レンであり、かつnが1S20の整数である);又はR
    2およびR3が一諸になって各ヘテロ原子が少くとも一
    つの炭素により、他のものおよび第四級窒素から分”離
    される巣作で、酸素、を素および硫黄から選ばれる0〜
    2のへテロ原子を有する2〜8の炭素原子の環状脂肪族
    炭化水素から成るか;又はR2およびR3が、−諸にな
    って、各窒素が少くとも一つの炭素により他のものおよ
    び第四級窒素から分離される条件で0〜20宣素へテロ
    V子をもつ2〜8の炭素の環状芳香族炭化水素から成り
    : R4は1〜10の炭素原子を有する飽和あるいは不飽和
    の直鎖あるいは分枝炭化水素、前述の(R”0)nH、
    アルキル基が0〜6の炭素を有するフェナルキル、又は (式中mが1〜4.R2およびR3は前述のものであり
    かつ R6が1〜10の炭素原子を有する飽和あるいは
    、不飽和の、直鎖あるいは分枝炭化水素、もしくは、前
    述の(R’0)nHもしくは0〜3の炭素原子のアルキ
    ル基を有するフェナルキルである) かつ、Xはハロゲン、ヒドロキシ、ケイ酸塩かあるいは
    前記第四アンモニウム化合物の相当するアミノオキシド
    から成る) を有する一つあるいはそれ以上の第四アンモニウム化合
    物から成る金属イオンを含有℃ない界面活性剤とから成
    ることを特徴とする。金属イオンを含まない水性現像液
    組成物。 2)R1が6〜20の炭素原子を有する。飽和もしくは
    不飽和の、直鎖もしくは分枝炭化水素から成り; R2およびR3が、同じものか異なるものかであり、か
    つ、それぞれ艇1〜3の炭素のアルキ1ル、あるいは(
    Rho)。H(式中R5が1〜3の炭素原子のアルキレ
    ンであり、かっn カ1〜2゜の整数である)から成り
    : R4が6〜20の炭素原子を有する。飽和あるいは不飽
    和の、直鎖あるいは分枝の疎水性炭化水素:前述の(R
    50)nH;アルキル基が0〜3の炭素を有するフェナ
    ルキルから成り: かつXがハロゲン、オキシド0.ヒドロオキシドあるい
    はケイ酸塩から成る。特許請求範囲第一項記載の現像液
    組成物・ 3)R4が式; (式中 R2およびR3が前述のものであり1mが1〜
    4の整数であり、かっR6が1〜1oの炭素原子を有す
    る飽和あるいは不飽和の直鎖あるいは分枝鎖炭化水素で
    ある。) である特許請求範囲第一項記載の現像液組成物。 4)アルカリが、各アルキル置換基が同じものかあるい
    は異なるものかであり、かつ1〜3の炭素を有する。テ
    トラアルキルアンモニウムヒドロキシドから成る特許請
    求範囲第一項記載の現像液組成物。 5)アルカリがテトラメチルアンモニウムヒrロキシド
    から成る。特許請求範囲第四項記載の現像液組成物。 6)アルカリがテトラメチルアンモニウムシリケートか
    ら成る。特許請求範囲第四項記載の現像液組成物。 7)該界面活性剤が一般式: (式中 R1がはぼつぎの町今の、8〜18の炭素のア
    ルキルであり1mおよびpが1〜20の整数であり、か
    つXが特許請求範囲第一項記載のものである) を有する。エトキシル化第四アンモニウム塩から成る。 特許請求範囲第一項記載の現像液組成物・ 8)該界面活性剤が、メチルビス(2−ヒドロキシエチ
    ル)ココアアンモニウムクロライドから成る1%許請求
    範囲第七項記載の現像液組成物。 9)該界面活性剤がETHOQUAD G / 12 
    (ArmakCiompany社製、 Pa5aden
    a、T、exaa)から成る特許請求範囲第八項記載の
    現像液組成物。 10)該界面活性剤が式: 素のアルキルである。) である、第四アンモニウム塩から成る1%許請求範囲第
    −項記載の現像液組成物。 11)該界面活性剤が、トリメチルココアアンモニクム
    クロライドから成る、特許請求範8第十項記載の現像液
    組成物。 12)計界面活性剤がARQUADCt 150 (A
    rmakCompany社製、 Pa5adena 、
     Texas )から成る。 特許請求範囲第一項記載の現像液組成物。 13)更に適する多価湿潤剤から成る1%許錆求範囲第
    −〜第四項記載の5ち、のいずれか一つの現像液組成物
    。 14)該多価湿潤剤がグリセリンか□ら成る、特許請求
    範囲第十三項記載の現**岨成物。 15)活性放射線へ該フォートレジストを露光すること
    、および引続き特許請求範囲第一項記載による。金属イ
    オンを含まない水性現像液組成物とそれを接触すること
    から成る。7オートレジストを現像する方法。
JP5947782A 1981-04-10 1982-04-09 金属イオンを含まないフオ−トレジスト現像液組成物 Granted JPS589143A (ja)

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