JPH02269350A - ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 - Google Patents
ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法Info
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- JPH02269350A JPH02269350A JP1091229A JP9122989A JPH02269350A JP H02269350 A JPH02269350 A JP H02269350A JP 1091229 A JP1091229 A JP 1091229A JP 9122989 A JP9122989 A JP 9122989A JP H02269350 A JPH02269350 A JP H02269350A
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、ポジ型レジスト及びそれを用いたレジストパ
ターン形成方法に関する。
ターン形成方法に関する。
[発明の概要]
本発明は、ポジ型レジストにおいて、
ベースポリマー100重量部に対し、感光剤を1〜50
重量部と、 (但し、R,R’ 、R’は各々炭化水素基及びその置
換基を表わす)で示される化合物を0.1〜30重量部
を含有させたことにより、 例えば、アルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要とな
り、且つレジスト下部まで難溶化層形成によるレジスト
形状改善効果が得られるようにしたものである。
重量部と、 (但し、R,R’ 、R’は各々炭化水素基及びその置
換基を表わす)で示される化合物を0.1〜30重量部
を含有させたことにより、 例えば、アルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要とな
り、且つレジスト下部まで難溶化層形成によるレジスト
形状改善効果が得られるようにしたものである。
[従来の技術]
従来、エキシマレーザ(248,8nm)を用いたレジ
ストパターニング技術のように、通常のレジストでの光
吸収の大きい光源を利用する系では、形成されたレジス
ト形状が悪(なる(レジストパターンの断面矩形性が得
られない)という問題点があった。そこで、ナフトキノ
ンジアジドを感光剤とする通常のポジ型レジストの形状
を改善する手法として、露光剤にTMAH(水酸化テト
ラメチルアンモニウム)水溶液等のアルカリ水溶液に浸
すことにより、レジスト表層に難溶化層を形成し、レジ
スト形状の向上を図ったものがある。
ストパターニング技術のように、通常のレジストでの光
吸収の大きい光源を利用する系では、形成されたレジス
ト形状が悪(なる(レジストパターンの断面矩形性が得
られない)という問題点があった。そこで、ナフトキノ
ンジアジドを感光剤とする通常のポジ型レジストの形状
を改善する手法として、露光剤にTMAH(水酸化テト
ラメチルアンモニウム)水溶液等のアルカリ水溶液に浸
すことにより、レジスト表層に難溶化層を形成し、レジ
スト形状の向上を図ったものがある。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、このような従来のポジ型レジスト及びレ
ジストパターン形成方法にあっては、被処理体上に塗布
、形成されたレジストの下層まで難溶化させることが出
来ず、露光現像されたレジストの形状は必ずしも満足の
い(ものではなかった(第2図参照)。
ジストパターン形成方法にあっては、被処理体上に塗布
、形成されたレジストの下層まで難溶化させることが出
来ず、露光現像されたレジストの形状は必ずしも満足の
い(ものではなかった(第2図参照)。
本発明は、斯る従来の問題点に着目して創案されたもの
であって、所望の十分に改善されたレジストパターン形
状が得られるポジ型レジスト及びレジストパターン形成
方法を提供するものである。
であって、所望の十分に改善されたレジストパターン形
状が得られるポジ型レジスト及びレジストパターン形成
方法を提供するものである。
[課題を解決するための手段]
本発明は、ベースポリマー100重量部に対し、感光剤
を1〜50重量部と、 (但し、R,R’ 、R’は各々炭化水素基及びその置
換基を表わす)で示される化合物を0.1〜30重量部
を含有させたことを、その解決手段としている。
を1〜50重量部と、 (但し、R,R’ 、R’は各々炭化水素基及びその置
換基を表わす)で示される化合物を0.1〜30重量部
を含有させたことを、その解決手段としている。
[作用]
(但し、R,R’ 、R’は各々炭化水素基及びその置
換基を表わす)で示される化合物は、光照射により、高
い量子収率でアミンを発生する。このアミンによりポジ
型レジストでの難溶化層を形成する。このため、光強度
のコントラストの低い解像限界に近いパターン形成に有
効となる。
換基を表わす)で示される化合物は、光照射により、高
い量子収率でアミンを発生する。このアミンによりポジ
型レジストでの難溶化層を形成する。このため、光強度
のコントラストの低い解像限界に近いパターン形成に有
効となる。
[実施例]
以上、本発明に係るポジ型レジスト及びレジストパター
ン形成方法の詳細を実施例に基づいて説明する。
ン形成方法の詳細を実施例に基づいて説明する。
本実施例においては、ベースポリマーとしてクレゾール
ノボラック樹脂を用い、このベースポリマー100重量
部に対し、感光剤としてナフトキノンジアジドを1〜5
0重量部と、 (以下余白) で示される化合物を0.1〜30f!量部と、を配合し
て成るポジ型レジストとした。
ノボラック樹脂を用い、このベースポリマー100重量
部に対し、感光剤としてナフトキノンジアジドを1〜5
0重量部と、 (以下余白) で示される化合物を0.1〜30f!量部と、を配合し
て成るポジ型レジストとした。
斯るポジ型レジストを被処理物(半導体基板等)の上に
塗布し、エキシマレーザ(波長248.4nm)により
露光を行なった。
塗布し、エキシマレーザ(波長248.4nm)により
露光を行なった。
本実施例では、必要に応じてペイキングを施した後、感
光剤に対応したエキシマレーザ光を照射して、露光を行
なった。
光剤に対応したエキシマレーザ光を照射して、露光を行
なった。
次いで、現像を行なうが、本例ではTMAHの2.38
wt%水溶液を現像液として用いた。
wt%水溶液を現像液として用いた。
上記により、形状の良好なレジストパターンが得られた
。特に、アルカリ処理のない場合、及び単独のアルカリ
処理液で処理した場合に比べ、第1図に示すような格段
に良好なレジスト形状が得られた。
。特に、アルカリ処理のない場合、及び単独のアルカリ
処理液で処理した場合に比べ、第1図に示すような格段
に良好なレジスト形状が得られた。
本実施例の如く、本発明をエキシマレーザ・リングラフ
ィのように、レジストの光吸収の影響によりレジスト形
状が悪くなる場合に用いると、レジスト形状の改善が著
しく、より効果的である。
ィのように、レジストの光吸収の影響によりレジスト形
状が悪くなる場合に用いると、レジスト形状の改善が著
しく、より効果的である。
本実施例にあっては、上記−数式■で示したよう1こ、
アシルオキシイミノ(acy foxy is 1no
)基を含む化合物は、ベンゾフェノン(例えばナフトキ
ノンジアジド等)の感光剤の存在下で光照射を受けるこ
とにより、高い量子収率でアミンを発生する。このアミ
ンにより、ポジ型レジストに難溶化層を形成する。この
ことは、特に、光強度のコントラストの低い解像限界に
近いパターン形成に有効である。
アシルオキシイミノ(acy foxy is 1no
)基を含む化合物は、ベンゾフェノン(例えばナフトキ
ノンジアジド等)の感光剤の存在下で光照射を受けるこ
とにより、高い量子収率でアミンを発生する。このアミ
ンにより、ポジ型レジストに難溶化層を形成する。この
ことは、特に、光強度のコントラストの低い解像限界に
近いパターン形成に有効である。
以上、実施例について説明したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、各種の変更が可能である。
されるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、ポジ型レジストの感光剤に対し数moc〜数+
mo12程度の割合で、一般弐〇の化合物を混入しても
よい。
mo12程度の割合で、一般弐〇の化合物を混入しても
よい。
また、露光光源としてエキシマレーザを用いる場合は増
感剤は必ずしも必要ではない。
感剤は必ずしも必要ではない。
さらに、露光光源としてi線等を用いる場合は、ベンゾ
フェノン等をさらに添加すると効果的である。
フェノン等をさらに添加すると効果的である。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明に係るポジ型レ
ジスト及びレジストパターン形成方法によれば、従来の
ようにアルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要となり
、しかも、レジスト下部まで難溶化層の形成が出来、レ
ジスト形状が向上する効果がある。
ジスト及びレジストパターン形成方法によれば、従来の
ようにアルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要となり
、しかも、レジスト下部まで難溶化層の形成が出来、レ
ジスト形状が向上する効果がある。
21図は本発明に係るポジ型レジストを用いてパターン
形成したレジスト形状を示す断面図、第2図は従来のレ
ジスト形状を示す断面図である。
形成したレジスト形状を示す断面図、第2図は従来のレ
ジスト形状を示す断面図である。
Claims (2)
- (1)ベースポリマー100重量部に対し、感光剤を1
〜50重量部と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、R、R′、R″は各々炭化水素基及びその置換
基を表わす)で示される化合物を0.1〜30重量部を
含有させたことを特徴とするポジ型レジスト。 - (2)ベースポリマー100重量部に対し、感光剤を1
〜50重量部と、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、R、R′、R″は各々炭化水素基及びその置換
基を表わす)で示される化合物を0.1〜30重量部を
含有させて成るポジ型レジストを、被処理体上に形成し
、露光後現像を行なうことを特徴とするレジストパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1091229A JP2687567B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1091229A JP2687567B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02269350A true JPH02269350A (ja) | 1990-11-02 |
JP2687567B2 JP2687567B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=14020596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1091229A Expired - Fee Related JP2687567B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2687567B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02296250A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Sony Corp | 高感度レジスト及びレジストパターンの形成方法 |
FR2798747A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-23 | Hyundai Electronics Ind | Composition de photoreserve contenant un generateur de photobase avec generateur de photo-acide |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP1091229A patent/JP2687567B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02296250A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Sony Corp | 高感度レジスト及びレジストパターンの形成方法 |
FR2798747A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-23 | Hyundai Electronics Ind | Composition de photoreserve contenant un generateur de photobase avec generateur de photo-acide |
NL1016224C2 (nl) * | 1999-09-21 | 2001-05-30 | Hyundai Electronics Ind | Foto-basevormend middel en foto-zuurvormend middel bevattende foto- etssamenstelling. |
US6395451B1 (en) | 1999-09-21 | 2002-05-28 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Photoresist composition containing photo base generator with photo acid generator |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2687567B2 (ja) | 1997-12-08 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |