JP2687567B2 - ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 - Google Patents
ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JP2687567B2 JP2687567B2 JP1091229A JP9122989A JP2687567B2 JP 2687567 B2 JP2687567 B2 JP 2687567B2 JP 1091229 A JP1091229 A JP 1091229A JP 9122989 A JP9122989 A JP 9122989A JP 2687567 B2 JP2687567 B2 JP 2687567B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- parts
- weight
- positive
- positive resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ポジ型レジスト及びそれを用いたレジスト
パターン形成方法に関する。
パターン形成方法に関する。
［発明の概要］ 本発明は、ポジ型レジストにおいて、 ベースポリマー100重量部に対し、感光剤を１〜50重
量部と、 一般式 （但し、R,R′,R″は各々炭化水素基を表わす）で示さ
れる化合物を0.1〜30重量部を含有させたことにより、 例えば、アルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要と
なり、且つレジスト下部まで難溶化層形成によるレジス
ト形状改善効果が得られるようにしたものである。
量部と、 一般式 （但し、R,R′,R″は各々炭化水素基を表わす）で示さ
れる化合物を0.1〜30重量部を含有させたことにより、 例えば、アルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要と
なり、且つレジスト下部まで難溶化層形成によるレジス
ト形状改善効果が得られるようにしたものである。
［従来の技術］ 従来、エキシマレーザ（248.8nm）を用いたレジスト
パターニング技術のように、通常のレジストでの光吸収
の大きい光源を利用する系では、形成されたレジスト形
状が悪くなる（レジストパターンの断面矩形性が得られ
ない）という問題点があった。そこで、ナフトキノンジ
アジドを感光剤とする通常のポジ型レジストの形状を改
善する手法として、露光前にTMAH（水酸化テトラメチル
アンモニウム）水溶液等のアルカリ水溶液に浸すことに
より、レジスト表層に難溶化層を形成し、レジスト形状
の向上を図ったものがある。
パターニング技術のように、通常のレジストでの光吸収
の大きい光源を利用する系では、形成されたレジスト形
状が悪くなる（レジストパターンの断面矩形性が得られ
ない）という問題点があった。そこで、ナフトキノンジ
アジドを感光剤とする通常のポジ型レジストの形状を改
善する手法として、露光前にTMAH（水酸化テトラメチル
アンモニウム）水溶液等のアルカリ水溶液に浸すことに
より、レジスト表層に難溶化層を形成し、レジスト形状
の向上を図ったものがある。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、このような従来のポジ型レジスト及び
レジストパターン形成方法にあっては、被処理体上に塗
布、形成されたレジストの下層まで難溶化させることが
出来ず、露光現像されたレジストの形状は必ずしも満足
のいくものではなかった（第２図参照）。
レジストパターン形成方法にあっては、被処理体上に塗
布、形成されたレジストの下層まで難溶化させることが
出来ず、露光現像されたレジストの形状は必ずしも満足
のいくものではなかった（第２図参照）。
本発明は、斯る従来の問題点に着目して創案されたも
のであって、所望の十分に改善されたレジストパターン
形状が得られるポジ型レジスト及びレジストパターン形
成方法を提供するものである。
のであって、所望の十分に改善されたレジストパターン
形状が得られるポジ型レジスト及びレジストパターン形
成方法を提供するものである。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、ベースポリマー100重量部に対し、感光剤
を１〜50重量部と、 一般式 （但し、R,R′,R″は各々炭化水素基を表わす）で示さ
れる化合物を0.1〜30重量部を含有させたことを、その
解決手段としている。
を１〜50重量部と、 一般式 （但し、R,R′,R″は各々炭化水素基を表わす）で示さ
れる化合物を0.1〜30重量部を含有させたことを、その
解決手段としている。
［作用］ 一般式 （但し、R,R′,R″は各々炭化水素基を表わす）で示さ
れる化合物を、光照射により、高い量子収率でアミンを
発生する。このアミンによりポジ型レジストでの難溶化
層を形成する。このため、光強度のコントラストの低い
解像限界に近いパターン形成に有効となる。
れる化合物を、光照射により、高い量子収率でアミンを
発生する。このアミンによりポジ型レジストでの難溶化
層を形成する。このため、光強度のコントラストの低い
解像限界に近いパターン形成に有効となる。
［実施例］ 以上、本発明に係るポジ型レジスト及びレジストパタ
ーン形成方法の詳細を実施例に基づいて説明する。
ーン形成方法の詳細を実施例に基づいて説明する。
本実施例においては、ベースポリマーとしてクレゾー
ルノボラック樹脂を用い、このベースポリマー100重量
部に対し、感光剤としてナフトキノンジアジドを１〜50
重量部と、 一般式 で示される化合物を0.1〜30重量部と、を配合して成る
ポジ型レジストとした。
ルノボラック樹脂を用い、このベースポリマー100重量
部に対し、感光剤としてナフトキノンジアジドを１〜50
重量部と、 一般式 で示される化合物を0.1〜30重量部と、を配合して成る
ポジ型レジストとした。
斯るポジ型レジストを被処理物（半導体基板等）の上
に塗布し、エキシマレーザ（波長248.4nm）により露光
を行なった。
に塗布し、エキシマレーザ（波長248.4nm）により露光
を行なった。
本実施例では、必要に応じてベイキングを施した後、
感光剤に対応したエキシマレーザ光を照射して、露光を
行なった。
感光剤に対応したエキシマレーザ光を照射して、露光を
行なった。
次いで、現像を行なうが、本例ではTMAHの2.38wt％水
溶液を現像液として用いた。
溶液を現像液として用いた。
上記により、形状の良好なレジストパターンが得られ
た。特に、アルカリ処理のない場合、及び単独のアルカ
リ処理液で処理した場合に比べ、第１図に示すような格
段に良好なレジスト形状が得られた。
た。特に、アルカリ処理のない場合、及び単独のアルカ
リ処理液で処理した場合に比べ、第１図に示すような格
段に良好なレジスト形状が得られた。
本実施例の如く、本発明をエキシマレーザ・リソグラ
フィのように、レジストの光吸収の影響によりレジスト
形状が悪くなる場合に用いると、レジスト形状の改善が
著しく、より効果的である。
フィのように、レジストの光吸収の影響によりレジスト
形状が悪くなる場合に用いると、レジスト形状の改善が
著しく、より効果的である。
本実施例にあっては、上記一般式で示したように、
アシルオキシイミノ（acyloxyimino）基を含む化合物
は、ベンゾフェノン（例えばナフトキノンジアジド等）
の感光剤の存在下で光照射を受けることにより、高い量
子収率でアミンを発生する。このアミンにより、ポジ型
レジストに難溶化層を形成する。このことは、特に、光
強度のコントラストの低い解像限界に近いパターン形成
に有効である。
アシルオキシイミノ（acyloxyimino）基を含む化合物
は、ベンゾフェノン（例えばナフトキノンジアジド等）
の感光剤の存在下で光照射を受けることにより、高い量
子収率でアミンを発生する。このアミンにより、ポジ型
レジストに難溶化層を形成する。このことは、特に、光
強度のコントラストの低い解像限界に近いパターン形成
に有効である。
以上、実施例について説明したが、本発明はこれに限
定されるものではなく、各種の変更が可能である。
定されるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、ポジ型レジストの感光剤に対し数mol〜数十m
ol程度の割合で、一般式の化合物を混入してもよい。
ol程度の割合で、一般式の化合物を混入してもよい。
また、露光光源としてエキシマレーザを用いる場合は
増感剤は必ずしも必要ではない。
増感剤は必ずしも必要ではない。
さらに、露光光源としてｉ線等を用いる場合は、ベン
ゾフェノン等をさらに添加すると効果的である。
ゾフェノン等をさらに添加すると効果的である。
［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明に係るポジ型
レジスト及びレジストパターン形成方法によれば、従来
のようにアルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要とな
り、しかも、レジスト下部で難溶化層の形成が出来、レ
ジスト形状が向上する効果がある。
レジスト及びレジストパターン形成方法によれば、従来
のようにアルカリ水溶液に浸すなどの前処理が不要とな
り、しかも、レジスト下部で難溶化層の形成が出来、レ
ジスト形状が向上する効果がある。
第１図は本発明に係るポジ型レジストを用いてパターン
形成したレジスト形状を示す断面図、第２図は従来のレ
ジスト形状を示す断面図である。
形成したレジスト形状を示す断面図、第２図は従来のレ
ジスト形状を示す断面図である。
Claims (2)
- 【請求項１】ベースポリマー100重量部に対し、感光剤
を１〜50重量部と、 一般式 （但し、R,R′,R″は各々炭化水素基を表わす）で示さ
れる化合物を0.1〜30重量部を含有させたことを特徴と
するポジ型レジスト。 - 【請求項２】ベースポリマー100重量部に対し、感光剤
を１〜50重量部と、 一般式 （但し、R,R′,R″は各々炭化水素基を表わす）で示さ
れる化合物を0.1〜30重量部を含有させて成るポジ型レ
ジストを、被処理体上に形成し、露光後現像を行なうこ
とを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091229A JP2687567B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1091229A JP2687567B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02269350A JPH02269350A (ja) | 1990-11-02 |
| JP2687567B2 true JP2687567B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=14020596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1091229A Expired - Fee Related JP2687567B2 (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687567B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2687578B2 (ja) * | 1989-05-11 | 1997-12-08 | ソニー株式会社 | 高感度レジスト及びレジストパターンの形成方法 |
| KR100481601B1 (ko) | 1999-09-21 | 2005-04-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광산 발생제와 함께 광염기 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP1091229A patent/JP2687567B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02269350A (ja) | 1990-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100333565B1 (ko) | 레지스트조성물및레지스트패턴의형성방법 | |
| Reichmanis et al. | Organic materials challenges for 193 nm imaging | |
| JP4410977B2 (ja) | 化学増幅レジスト材料及びそれを用いたパターニング方法 | |
| DE4124426A1 (de) | Lichtempfindliche zusammensetzung | |
| JP3691897B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| KR950002875B1 (ko) | 감광성 조성물 | |
| US6225019B1 (en) | Photosensitive resin, resist based on the photosensitive resin, exposure apparatus and exposure method using the resist, and semiconductor device obtained by the exposure method | |
| US20090130611A1 (en) | Lithographic Method | |
| JPH03154059A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JP2005183438A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2687567B2 (ja) | ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法 | |
| US20130330672A1 (en) | Method for enhancing lithographic imaging of isolated and semi-isolated features | |
| JPH06340802A (ja) | 感光性組成物及びパターン形成方法 | |
| EP1295177B1 (en) | Strongly water-soluble photoacid generator resist compositions | |
| JPH09211871A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| TWI274966B (en) | Process for forming a photoresist pattern improving resistance to post exposure delay effect | |
| EP1586005B1 (en) | High sensitivity resist compositions for electron-based lithography | |
| JPH03136054A (ja) | ネガ型フォトレジスト組成物 | |
| JPH1010736A (ja) | ポジ型フォトレジスト塗布膜及びポジ型フォトレジスト組成物並びにパターン形成方法 | |
| US20060127800A1 (en) | High sensitivity resist compositions for electron-based lithography | |
| JP2000047388A (ja) | 化学増幅系レジスト | |
| JP2602511B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2712341B2 (ja) | 光露光方法 | |
| JPH11153871A (ja) | レジストパターン形成方法及び半導体基板 | |
| KR100252226B1 (ko) | 반도체장치의 제조를 위한 원자외선 노광용 포토레지스트조성용 구조제 수지와 그 제조방법 및 그 구조제 수지를포함하는 원자외선 노광용 포토레지스트 조성물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |