JPH03154059A - ポジ型感光性組成物 - Google Patents

ポジ型感光性組成物

Info

Publication number
JPH03154059A
JPH03154059A JP1294422A JP29442289A JPH03154059A JP H03154059 A JPH03154059 A JP H03154059A JP 1294422 A JP1294422 A JP 1294422A JP 29442289 A JP29442289 A JP 29442289A JP H03154059 A JPH03154059 A JP H03154059A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sulfonic acid
photosensitive
compd
present
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1294422A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2599007B2 (ja
Inventor
Norimasa Aotani
青谷　能昌
Akira Umehara
梅原　明
Tsugio Yamaoka
亜夫 山岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP1294422A priority Critical patent/JP2599007B2/ja
Priority to US07/608,801 priority patent/US5202216A/en
Priority to DE4035425A priority patent/DE4035425C2/de
Publication of JPH03154059A publication Critical patent/JPH03154059A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2599007B2 publication Critical patent/JP2599007B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C303/00—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
    • C07C303/02—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of sulfonic acids or halides thereof
    • C07C303/22—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of sulfonic acids or halides thereof from sulfonic acids, by reactions not involving the formation of sulfo or halosulfonyl groups; from sulfonic halides by reactions not involving the formation of halosulfonyl groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C381/00—Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
    • C07C381/12—Sulfonium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
    • C07D333/46—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings substituted on the ring sulfur atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D335/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D335/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
    • C07C2603/22—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing only six-membered rings
    • C07C2603/24—Anthracenes; Hydrogenated anthracenes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は平版印刷版やフォトレジストの製造に適する感
光性組成物に関するものである。更に詳しくは、高い感
度と高コントラストの画像を与えるポジ型感光性組成物
に関するものである。
「従来の技術」 ポジ型感光性組成物としては、一般にアルカリ可溶性樹
脂と感光物としてのナフトキノンジアジド化合物とを含
む組成物が用いられている。
しかし、最近ナフトキノンジアジド以外の感光物を用い
たポジ型感光性組成物に関する特許が多く出願されてい
る。
例えば、米国特許第３．９８４．２５３号明細書は、ポ
ジ型の像を形成するために、ジアゾニウム塩の如き酸を
生じる化合物を加えることにより、ポリフタルアルデヒ
ドを紫外線、電子ビームおよびＸ線に対し感応せしめる
ことを示している。
米国特許第４．３１１．７８２号明細書は、酸を形成す
る化合物と、周期的に存在するオルトカルボン酸エステ
ルを有する重合性化合物とを含むポジ型のレリーフ像を
形成するための、放射線に対して感応する混合物を示し
ている。
特開昭５９−４５４３９号公報は、酸に対して不安定な
反復的に存在する技分かれした基を有する重合体と、放
射線にさらされたときに酸を生じる光重合開始剤とを含
むレジスト組成物を示している。
さら１こ、５ＰＩＥ　Ｖｏｌ、　　９２０　Ａｄｖａｎ
ｃｅｓ　ｉｎ　ＲｅｓｉｓｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａ
ｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｖ　　（１９８８）　　
３３頁ハ、トリフェニルホスホニウムやジフェニルヨー
ドニウム化合物の金属ハロゲン塩とノボラック樹脂とか
らなる二成分系のポジ型感光性組成物を示している。
感応波長の長波化に関しては、特開昭５９−４５４３９
号公報の２頁にポジ型感光性組成物が遠紫外線から可視
光線迄の種々の波長に対して感応するようにされること
が記載されているが、オニウムの構造、即ちジアリール
ヨードニウム塩およびトリアリールスルホニウム塩の場
合には増感剤の添加により、紫外線から可視光線迄のよ
り広い波長域に於けるバクーン化が可能になることを示
している。また、米国特許第４．７６０．０１３号明細
書にはオニウム化合物の構造を変化させることにより感
応波長を長波化することが記載されている。
しかし、いずれの従来技術も広い波長域に感光性を有し
、かつ感度の高い感光性組成物を開示していない。
「発明が解決しようとする課題」 従って、本発明の目的は、高い感度と高コントラストの
画像を与え、かつ紫外線１、可視光線、電子ビームまた
はＸ線に対して感応する、すなわち、広い波長域に感光
性を有するポジ型感光性組成物を提供することである。
「課題を解決するための手段」 本発明は水不溶かつアルカリ性水溶液に可溶な高分子化
合物とオニウム化合物の芳香族スルホン酸塩を含むポジ
型感光性組成物である。
すなわち、本発明に於ける特定の芳香族スルホン酸をオ
ニウム化合物の対アニオンとして組み合わせることによ
り、芳香族スルホン酸が有する吸収波長域にまで、組成
物の感光域が拡大することを見出し、本発明を完成する
に至った。
本発明は、水不溶性かつアルカリ性水溶液に可溶な高分
子化合物と、ジアリールヨードニウム、またはトリアリ
ールスルホニウム等のオニウム化合物の芳香族スルホン
酸塩とを組み合わせることにより、現像剤を適切に選択
することによってポジ型の画像形成材料として働く、紫
外線、可視光線、電子ビームまたはＸ線に対して感応す
る感光性組成物を提供するものである。上記オニウム化
合物の芳香族スルホン酸塩と水不溶かつアルカリ性水溶
液に可溶な高分子化合物とを含む組成物を基板上に薄い
被膜として被覆し、制御された条件の下でベークし、放
射線により画像露光し、そして場合によっては制御され
た条件の下でポストベークしたのち、露光領域をアルカ
リ現像剤で処理して選択的に除去することによりポジ画
像が得られる。
本発明に用いられる水不溶かつアルカリ性水溶液に可溶
な高分子化合物としは、ノボラック型フェノール樹脂が
含まれ、具体的にはフェノール、０−クレゾール、ｍ−
クレゾーノベｐ−クレゾーノベ２．５−キシレノール、
３．５−キシレノール、および／またはｔ−ブチルフェ
ノールなどのフェノール誘導体とホルムアルデヒドとの
縮合物、ポリビニルフェノール、特開昭５１−３６１２
９号記載のヒドロキシフェニルメタクリルアミド共重合
体、ヨーロッパ特許第３３０２３９号記載のスルホンア
ミド基含育高分子化合物が含まれるがこれらに限定され
るものではない。水不溶かつアルカリ性水溶液に可溶な
高分子化合物は、感光性組成物の全重量（塗布溶媒は含
まず）を基準として約２０〜９５重量％、より好ましく
は５０〜８５重量％含有される。
また、本発明に感光物として用いられるオニウム化合物
の芳香族スルホン酸塩は、下記−綴代の（１）また（２
）で示される。
ここで式中Ａ　ｒ　ｌ　ＳＡ　ｒ　２は同一でも相異し
ていてもよく、置換又は無置換の芳香族基を示す。
好ましい置換基としては、アルキル、ハロアルキル、シ
クロアルキノペアリール、アルコキシ、ニトロ、カルボ
二ノペアルコキシ力ルボニル、ヒドロキシ、メルカプト
基及びハロゲン原子であり、更に好ましくは炭素数１〜
８個のアルキル、炭素数１〜８個のアルコキシ、ニトロ
基及び塩素原子である。ＲＩＳ″Ｒ２、Ｒ３は同一でも
相異していてもよく、置換又は無置換のアルキル基また
は芳香族基を示す。好ましくは炭素数６〜１４個のアリ
ール基、炭素数１〜８個のアルキル基及びそれらの置換
誘導体である。好ましい置換基としては、アリール基に
対しては炭素数１〜８個のアルコキシ、炭素数１〜８個
のアルキル、ニトロ、カルボニル、ヒドロキシ基及びハ
ロゲン原子であり、アルキル基に対して炭素数１〜８個
のアルコキシ、カルボニル、アルコキシカルボニル基で
ある。
またＲ’　、Ｒ”　、Ｒ’のうちの２つ及びＡｒ’、Ａ
ｒ２はそれぞれ単結合又は置換基を介して結合してもよ
い。Ｘ−は芳香族スルホン酸アニオンを示す。具体的に
は、ナフタレン−１−スルホン酸、ナフタレン−２−ス
ルホン酸、アントラセン−１−スルホン酸、９−ニトロ
アントラセン−１−スルホン酸、９．１０−ジクロロア
ントラセン−２−スルホン酸、９、ｌＯ−ジメトキシア
ントラセン−２−スルホン酸、９．１０−１エトキシア
ントラセン−２−スルホン酸、アントラセン−２−スル
ホン酸、フェナンスレン−２−スルホン酸、９−ブロモ
フェナンスレン−３−スルホン酸、１−メチル−７−イ
ソプロビルフェナンスレン−３−スルホン酸、ピレン−
２−スルホン酸、ベンズ（ａ）アントラセン−４−スル
ホン酸、トリフェニレン−２−スルホン酸、クリセン−
６−スルホン酸、５．６−ジクロロアントラセン−３−
スルホン１６−ニトロアセナフテン−５−スルホン酸、
２−ｔ−７’チルナフタレン−７−スルホン酸等の縮合
多核芳香族スルホン酸アニオン、９゜１０−ジオキソ−
９，１０−ジヒドロアントラセン−２−スルホン酸、■
−ブロモー９．１０−ジオキソー９．１０−ジヒドロア
ントラセン−２−スルホン酸、２−クロロ−９，１０−
ジオキソ−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−スル
ホン酸、９．１０−ジオキソ−９，１０−ジヒドロフェ
ナンスレン−３−スルホン酸等のアントラキノンスルホ
ン酸、フエナントラキノンスルホン酸アニオン、ｌ、２
−ナフトキノン−４−スルホン酸、１．２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸、１．２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸等のナフトキノンスルホン酸ア
ニオン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン
−５−スルホン酸、フェノールレッド、メチルオレンジ
１、アリザリンＳ１インジゴカルミン、パテントブルー
、クロルフェノールレッド、クリソフェニン等のスルホ
ン酸基含有染料などが挙げられるがこれに限定されるも
のではない。
次に、本発明に用いられる一般式（１）で示される化合
物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない
。
（ｌ ｌ） （１ ２） （１ ３） （１ ７） （１−８） （１−９） Ｌｌｚ ≧ｕ３ （１ ４） 白 ５） （１ ６） （１ １０） （１ １Ｉ） （１ １２） ０２ （１ １３） 四 １４） （１ １９） （１ ２０） また、 本発明に用いられる一般式（２）で示される化合物の具
体例を次に示すが、 これに限られるも のではない。
（ｌ ＋６１ （ｌ ＋７） （１ １８） （２−２） （２ ４） （２ ５） （２−６） （２−７） （２−８） （２−９） ＯＢ （２ １０） （２ １１） （２ １２） （２−１６） （２ １７） （２ １８） （２ １３） （２−１４） （２−１５） （２ １９） ２４） ／−一〉べ （２ ２５） （２ ２６） （２ ２７） 本発明に於いて用いられるオニウム化合物の芳香族スル
ホン酸塩の量は、感光性組成物の全重量（塗布溶媒は含
まず）を基準として約２〜６０重量％、より好ましくは
５〜４０重量％である。
綴代（１）または（２）で示される上記化合物は、例え
ば、Ｊ、　　Ｗ、Ｋｎａｐｃｚｙｋら著、Ｊ、　　Ａｍ
、　　Ｃｈｅｍ、Ｓａｃ、、第９１巻、第１４５頁（１
９６９年）、Ａ、Ｌ８Ｍａｙｃｏｃｋら著、Ｊ、　Ｑｒ
ｇ、（：ｈｅｍ、、第３５巻、第２５３２頁（１９７０
年）　、Ｅ、　Ｇｏｅｔｈａｌｓら著、Ｂｕｌｌ、Ｓｏ
ｃ。
Ｃｈｅｍ、　Ｂｅ１ｇ、、第７３巻、第５４６頁（１９
６４年）　、Ｈ，Ｍ、　Ｌｅｉｃｅｓｔｅｒ著、Ｊ、　
Ａｒｎ、　Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、。
第５１巻、第３５８７頁（１９２９年）　、Ｊ、　Ｖ。
Ｃｒ１ｖｅｌｌｏら著、Ｊ、　　Ｐｏｌｙｍ、　　Ｓｏ
ｃ、Ｐｏｌｙｍ、　　Ｃｈｅｍ、　　εｄ、。
第１８巻、第２６７７頁（１９８０年）、米国特許第２
．８０７．６４８号及び同第４．２４７．４７３号明細
書、Ｆ、　Ｍ、　Ｂｅｒｉｎｇｅｒら著、Ｌ、　Ａｍ、
　Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、、第７５巻、第２７０５頁（１
９５３年）、特開昭５３−１０１３３１号公報などに示
された手順により製造されたオニウム化合物のハロゲン
、ビサルフエートあるいは過塩素酸塩の水溶液あるいは
アルコ−ル溶液に、芳香族スルホン酸またはそのナトリ
ウム塩水溶液あるいはアルコール溶液を添加し、生成し
た沈澱を濾取することによって得られる。
本発明の感光性組成物には必要に応じて、更に染料、顔
料、可塑剤、界面活性剤、増感剤、特開昭６１−１６６
５４３号に記載のシリルエーテル化合物などを含有させ
ることができる。好適な染料としては油溶性染料及び塩
基性染料がある。具体的にはオイルイエロー＃１０Ｌオ
イルイエロー＃１０３、オイルピンク＃３１２、オイル
グリーンＢＧ、オイルブルーＢＯ３，オイルブルー＃６
０３、オイルブラックＢＹ、オイルブラックＢＳ１オイ
ルブラックＴ−５０５（以上、オリエント化学工業株式
会社製）、クリスタルバイオレッ）　（ＣＩ４２５５５
）　、メチルバイオレット（Ｃ１４２５３５）、ローダ
ミンＢ（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（Ｃ
Ｉ４２０００）、メチレンブルー（ＣＩ５２０１５）な
どを挙げることができる。
本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶解する溶媒に
溶かして支持体上に塗布する。ここで使用する溶媒とし
ては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シク
ロペンタノン、Ｔ−ブチロラクトン、メチルエチルケト
ン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノメチルエーテルペ２−メトキシエチルア
セｆ　−ト、エチレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチノペ乳酸エ
チノペＮ、　Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシドなどが好ましく、これらの溶媒を単独あるいは
混合して使用する。
また、上記溶媒に界面活性剤を加えることもできる。ま
た、塗布量は用途により異なるが、例えば感光性平版印
刷版についていえば一般的に固形分として０．５〜４．
０ｇ／ｍ’が好ましい。フォトレジストの場合には０．
３〜２．０ｇ／ｍ’が好ましい。
塗布量が少なくなるにつれて感光性は大になるが、感光
層の物性は低下する。
本発明の感光性組成物を用いて平版印刷版を製造する場
合、その支持体としては、親水化処理したアルミニウム
板、陽極酸化アルミニウム板、砂目立てしたアルミニウ
ム板、シリケート電着したアルミニウム板などが好まし
く、その他亜鉛板、ステンレス板、クローム処理鋼板、
親水化処理したプラスチックフィルムや紙も挙げること
ができる。
また印刷用校正版、オーバーヘッドプロジェクタ−用フ
ィルム、第２原図用フィルムの製造に適する支持体とし
てはポリエチレンテレフタレートフィルム、トリアセチ
ルセルロースフィルム等の透明フィルムや、これらのプ
ラスチックフィルムの表面を化学的あるいは物理的にマ
ット化したものが好ましい。ホトマスク用フィルムの製
造に適する支持体としてはアルミニウム、アルミニウム
合金やクロムを蒸着させたポリエチレンテレフタレート
フィルムや着色層をもうけたポリエチレンテレフタレー
トフィルムが好ましい。またフォトレジストとして上記
以外にも種々の支持体、例えば鋼板、銅メツキ板、ガラ
ス板、シリコンウェハー上に本発明の感光性組成物を塗
布して使用される。
本発明の感光性組成物の露光に用いられる活性光線の光
源としては例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キ
セノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯、ｇ
線ステッパー　１線ステツパーなどが好ましい。また高
密度エネルギービーム（レーザービーム又は電子線）に
よる走査露光も本発明に使用することが出来る。このよ
うなレーザービームとしてはヘリーム・ネオンレーザ−
アルゴンレーザー、クリプトンイオンレーザ−ヘリウム
・カドミウムレーザー、エキシマ−レーザーなどが好ま
しい。
本発明の感光性組成物にたいする現像液としては、珪酸
ナトリウム、珪酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化リチウム、第三リン酸ナトリウム、第
ニリン酸ナトリウム、第三リン酸アンモニウム、第ニリ
ン酸アンモニウム、メタ珪酸ナトリウム、重炭酸ナトリ
ウム、炭酸ナトリウム、アンモニア水、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシドなどのアルカリ剤の水溶液が適
当であり、それらの濃度が、０．１〜１０重量％、好ま
しくは０．２〜５重量％になるように添加される。
また、該アルカリ性水溶液には、必要に応じ界面活性剤
やアルコールなどのような有機溶媒を加えることもでき
る。
「発明の効果」 本発明のポジ型感光性組成物は感度が高く、かつ、広い
波長域に感光性を有する。
「実施例」 以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明の内容がこれにより限定されるものではない。
〔合成例１〕 例示化合物（１−３）の合成 ジフェニルヨードニウム過塩素酸塩３６重量部を水５０
０重量部に溶解した水溶液に、撹拌下、９．１０−ジメ
トキシアントラセン−２−スルホン酸す）　ＩＪウム３
４重量部を水５００重量部に溶解した水溶液を徐々に滴
下する。次いで、混合物を２時間撹拌して、生成物の沈
澱を生ぜしめた。
生成物を濾過し、水２００部で洗浄した。次いで塩を４
０℃で減圧下に乾燥した。かくして５１．３部、８９．
４％の収率で目的物ジフェニルヨードニウム・９．ｌＯ
−ジメトキシアントラセン−２−スルホン酸塩を得た。
〔合成例２〕 例示化合物（２−５）の合成 トリフェニルスルホニウムクロライド３０重量部を水１
００重量部に溶解した水溶液に、撹拌下、２−ヒドロキ
シ−４−メトキシベンゾフェノン−５−スルホン酸３１
重量部を水５００重量部に溶解した水溶液を徐々に滴下
する。滴下終了後、混合物を２時間撹拌して生成物の沈
澱を生ぜしめた。
生成物を濾過し、水２００部で洗浄した。次いで塩を４
０℃で減圧下に乾燥した。かくして４５．８ａ、８０．
４％の収率で目的物トリフェニルスルホニウム・２−ヒ
ドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン−５−スルホン
酸塩を得た。
〔実施例１〕 厚さ０．２４　ｍｍの２Ｓアルミニウム板を８０℃に保
った第３燐酸す）　ＩＪウムの１０％水溶液に３分間浸
漬して脱脂し、ナイロンブラシで砂目室てした後アルミ
ン酸ナトリウムで約１０秒間エツチングして硫酸水素す
）　ＩＪウム３％水溶液でデスマット処理を行った。こ
のアルミニウム板を２０％硫酸中で電流密度２Ａ／ｄｍ
’に右いて２分間陽極酸化を行いアルミニウム板を作製
した。
次に本発明の化合物の種類を変えて、５種類の感光液（
Ａ）−１〜［：Ａ）−５を調製した。この感光液を陽極
酸化されたアルミニウム板の上に塗布し、１００℃で２
分間乾燥してそれぞれの感光性平版印刷版（Ａ］−１〜
（Ａ〕−５を作製した。
このときの塗布量は全て乾燥重量で１．４ｇ／ｍ’であ
った。
また感光液（Ａ〕−１〜（Ａ）−５に用いた本発明の化
合物を第１表に示す。
感光液〔Ａ〕 次に比較例として下記の感光液ＣＢ］を調製し、感光液
ｆ”Ａ）と同様に塗布し、感光性平版印刷版（ＢＥを作
製した。
感光液ＣＢ） 乾燥後の塗布重量は１．４ｇ／ｍ″であった。
感光性平版印刷版ＣＡ）−１〜（Ａ）−５及び〔Ｂ〕の
感光層上に濃度差０．１５のグレースケールを密着させ
、３０アンペアのカーボンアーク灯で７０ｃｏｆの距離
から露光を行った。
感光性平版印刷版［：Ａ）−１〜ＣＡ：ｌ−５及び〔Ｂ
］をＤＰ−４（商品名：富士写真フィルム側製）の８倍
希釈水溶液で２５℃において６０秒間浸漬現像し、濃度
差０．１５のグレースケールで５段目が完全にクリアー
となる露光時間を求めた。
結果を第１表に示す。
第　　１　　表 第１表かられかるように本発明の化合物を用いた感光性
平版印刷版ＣＡ）−１〜（Ａ）−５はいずれもＣＢ）よ
り露光時間が少なく、感度が高い。
〔実施例２〕 本発明の化合物　５重量部とノボラック樹脂（ｍ−クレ
ゾールとｐ−クレゾールのｌ：ｌ混合物を、硫酸触媒下
にホルマリンで縮合して得た平均分子量約３０００のポ
リマー）９５重量部を乳酸メチル３００重量部に溶解さ
せ、２５重量％溶液とした。
使用した３種類の本発明の化合物を第２表に示す。次に
本発明の化合物に代えて、比較例としてジフェニルヨー
ドニウムテトラクロロボレート塩を用いて感光液を調製
した。
次に４００Ｏｒｐｍでスピンコーティングして、シリコ
ンウェハー上に１．０μｍ厚の塗膜を形成した。次いで
、８０℃、１０分でプリベークし、ｉ線Ｘ　ｆ−／パー
ＬＤ−５０１０ｉ　　（３６５ｎｒｎ＞　　（日立製作
所■製）を用いて光照射した。照射後、９０℃、１０分
間ポストベークし、テトラメチルアンモニウムハイドロ
キサイドの２重量％水溶液に６０秒間浸漬し、照射部分
を可溶化させた。第２表の感度は未照射部の膜減りがな
く、画像が形成しつる最低のエネルギーで表示した。
第２表 本発明の化合物を用いた感光性組成物は第１表かられか
るようにカーボンアーク灯の光線に感応しさらに第２表
かられかるようにｉ線ステッパーの光線にも感応してい
る。
したがって本発明の化合物を用いた感光性組成物はいず
れも比較例より感度が高く、かつ感光波長域が拡がって
いることがわかる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　水不溶かつアルカリ性水溶液に可溶な高分子化合物と
    、オニウム化合物の芳香族スルホン酸塩を含むポジ型感
    光性組成物。
JP1294422A 1989-11-13 1989-11-13 ポジ型感光性組成物 Expired - Lifetime JP2599007B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1294422A JP2599007B2 (ja) 1989-11-13 1989-11-13 ポジ型感光性組成物
US07/608,801 US5202216A (en) 1989-11-13 1990-11-05 Positive working photosensitive composition
DE4035425A DE4035425C2 (de) 1989-11-13 1990-11-07 Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1294422A JP2599007B2 (ja) 1989-11-13 1989-11-13 ポジ型感光性組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03154059A true JPH03154059A (ja) 1991-07-02
JP2599007B2 JP2599007B2 (ja) 1997-04-09

Family

ID=17807556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1294422A Expired - Lifetime JP2599007B2 (ja) 1989-11-13 1989-11-13 ポジ型感光性組成物

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5202216A (ja)
JP (1) JP2599007B2 (ja)
DE (1) DE4035425C2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03223857A (ja) * 1990-01-30 1991-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JPH0545878A (ja) * 1991-08-14 1993-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US5387498A (en) * 1991-10-14 1995-02-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Positive-acting photothermographic materials comprising a photo-acid generator
US5853957A (en) * 1995-05-08 1998-12-29 Tamura Kaken Co., Ltd Photosensitive resin compositions, cured films thereof, and circuit boards
US6541178B2 (en) 1999-12-29 2003-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Ion-type photoacid generator containing naphthol and photosensitive polyimide composition prepared by using the same
JP2005170808A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Hodogaya Chem Co Ltd スルホン酸オニウム塩化合物、該化合物の製造方法、該化合物を用いた感光性樹脂組成物および感光性材料
JP2006301288A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2014010255A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 厚膜用ポジ型レジスト組成物、厚膜レジストパターンの製造方法、接続端子の製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5364738A (en) * 1991-10-07 1994-11-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive composition
US6187504B1 (en) * 1996-12-19 2001-02-13 Jsr Corporation Radiation sensitive resin composition
DE59802943D1 (de) * 1997-06-30 2002-03-14 Siemens Ag Reaktionsharzmischungen und deren Verwendung
US6074800A (en) * 1998-04-23 2000-06-13 International Business Machines Corporation Photo acid generator compounds, photo resists, and method for improving bias
GB9827798D0 (en) 1998-12-17 1999-02-10 Agency Ind Science Techn Electron beam resist
DE10005571A1 (de) * 2000-02-09 2001-08-30 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von Diaryliodonium-Salzen
GB0420704D0 (en) * 2004-09-17 2004-10-20 Univ Birmingham Novel resist material and method for forming a patterned resist layer on a substrate
JP4998112B2 (ja) * 2007-06-27 2012-08-15 住友化学株式会社 化学増幅型ポジ型レジスト組成物

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02296801A (ja) * 1989-05-12 1990-12-07 Toshiba Corp 感光性組成物
JPH03152544A (ja) * 1989-10-23 1991-06-28 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 高感度の乾式現像可能な深ｕｖ光用ホトレジスト
JPH03167249A (ja) * 1989-10-18 1991-07-19 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 陽画作用フォトレジスト組成物

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1447015B2 (de) * 1963-10-03 1973-03-15 Kalle Ag, 6202 Wiesbaden-Biebrich Lichtempfindliche schichten zur herstellung von druckformen
EP0130599B1 (en) * 1983-06-29 1988-08-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosolubilizable composition
US4708925A (en) * 1984-12-11 1987-11-24 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photosolubilizable compositions containing novolac phenolic resin
JPS61141442A (ja) * 1984-12-14 1986-06-28 Fuji Photo Film Co Ltd 光可溶化組成物
JPH067263B2 (ja) * 1985-08-19 1994-01-26 富士写真フイルム株式会社 光可溶化組成物
US4837124A (en) * 1986-02-24 1989-06-06 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist of imide containing polymers
US4912018A (en) * 1986-02-24 1990-03-27 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist based on imide containing polymers
EP0249139B2 (en) * 1986-06-13 1998-03-11 MicroSi, Inc. (a Delaware corporation) Resist compositions and use
DE3721741A1 (de) * 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
US4954416A (en) * 1988-12-21 1990-09-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company Tethered sulfonium salt photoinitiators for free radical polymerization
US4925340A (en) * 1989-05-12 1990-05-15 Sundstrand-Sauer Screed slope controller for a paver

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02296801A (ja) * 1989-05-12 1990-12-07 Toshiba Corp 感光性組成物
JPH03167249A (ja) * 1989-10-18 1991-07-19 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 陽画作用フォトレジスト組成物
JPH03152544A (ja) * 1989-10-23 1991-06-28 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 高感度の乾式現像可能な深ｕｖ光用ホトレジスト

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03223857A (ja) * 1990-01-30 1991-10-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JPH0545878A (ja) * 1991-08-14 1993-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US5387498A (en) * 1991-10-14 1995-02-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Positive-acting photothermographic materials comprising a photo-acid generator
US5853957A (en) * 1995-05-08 1998-12-29 Tamura Kaken Co., Ltd Photosensitive resin compositions, cured films thereof, and circuit boards
US6156462A (en) * 1995-05-08 2000-12-05 Tamura Kaken Co., Ltd. Photosensitive resin compositions, cured films thereof, and circuit substrates
US6541178B2 (en) 1999-12-29 2003-04-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Ion-type photoacid generator containing naphthol and photosensitive polyimide composition prepared by using the same
JP2005170808A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Hodogaya Chem Co Ltd スルホン酸オニウム塩化合物、該化合物の製造方法、該化合物を用いた感光性樹脂組成物および感光性材料
JP2006301288A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4667945B2 (ja) * 2005-04-20 2011-04-13 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2014010255A (ja) * 2012-06-28 2014-01-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 厚膜用ポジ型レジスト組成物、厚膜レジストパターンの製造方法、接続端子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5202216A (en) 1993-04-13
JP2599007B2 (ja) 1997-04-09
DE4035425C2 (de) 1999-05-27
DE4035425A1 (de) 1991-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2525568B2 (ja) 光可溶化組成物
JPH04365048A (ja) 感光性組成物
JPH04365049A (ja) 感光性組成物
JPH03154059A (ja) ポジ型感光性組成物
JPH0480758A (ja) 感光性組成物
JPH07181680A (ja) レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JPH03107162A (ja) レジスト組成物
JPH0380298B2 (ja)
EP0424124B1 (en) Positive-acting photoresist compositions
JPH048782B2 (ja)
JP2547627B2 (ja) ポジ型感光性組成物
JP3078153B2 (ja) 感光性組成物
JPH047502B2 (ja)
US5442061A (en) Radiation-sensitive sulfonic acid esters and their use
JPH05265214A (ja) ポジチブ処理感放射線混合物およびレリーフパターン形成方法
EP0410794A2 (en) Maleimide containing, negative working deep UV photoresist
JP2655370B2 (ja) 感光性組成物
JPH03107160A (ja) レジスト組成物
JPH048783B2 (ja)
JPH0816782B2 (ja) 非化学増感アルカリ現像可能フォトレジストのコントラスト向上
JP2655369B2 (ja) 感光性組成物
JPH0157777B2 (ja)
JP2704319B2 (ja) 感光性組成物
JP2895203B2 (ja) ポジ型ホトレジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
JPH0862844A (ja) ポジ型感光性組成物

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080109

Year of fee payment: 11

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090109

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100109

Year of fee payment: 13

EXPY Cancellation because of completion of term