JPH0545878A - 感光性組成物 - Google Patents
感光性組成物Info
- Publication number
- JPH0545878A JPH0545878A JP3204205A JP20420591A JPH0545878A JP H0545878 A JPH0545878 A JP H0545878A JP 3204205 A JP3204205 A JP 3204205A JP 20420591 A JP20420591 A JP 20420591A JP H0545878 A JPH0545878 A JP H0545878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- compound
- compd
- sulfonic acid
- photosensitive composition
- Prior art date
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 酸を触媒とする反応により現像液に対する親
和性あるいは溶解性が減少する性質を有する化合物とオ
ニウム化合物の芳香族スルホン酸塩を含む事を特徴とす
る化学増幅系感光性組成物。 【効果】 感度、解像力及び残膜率が高い。
和性あるいは溶解性が減少する性質を有する化合物とオ
ニウム化合物の芳香族スルホン酸塩を含む事を特徴とす
る化学増幅系感光性組成物。 【効果】 感度、解像力及び残膜率が高い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は平版印刷版やフォトレジ
ストの製造に適する感光性組成物に関するものである。
更に詳しくは、高い感度と高コントラストの画像を与え
るネガ型感光性組成物に関するものである。
ストの製造に適する感光性組成物に関するものである。
更に詳しくは、高い感度と高コントラストの画像を与え
るネガ型感光性組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ネガ型感光性組成物としては、一般にジ
アゾ樹脂とバインダー系、アジド化合物とバインダー
系、光重合系、光二量化型樹脂系などが用いられてい
る。
アゾ樹脂とバインダー系、アジド化合物とバインダー
系、光重合系、光二量化型樹脂系などが用いられてい
る。
【０００３】しかし、最近、上記以外の感光物を用いた
ネガ型感光性組成物に関する特許が多く出願されてい
る。
ネガ型感光性組成物に関する特許が多く出願されてい
る。
【０００４】例えば、光の作用によって酸を発生する化
合物と、酸を触媒とする反応により現像液に対する親和
性あるいは溶解性が低下する物質とからなる感光性組成
物が挙げられる。それらの例としては、ナフトキノンジ
アジド化合物と酸硬化型樹脂の組み合せ〔特開昭６０−
２６３１４３号〕、ハロゲン化有機化合物と酸硬化型樹
脂の組み合せ〔特開昭６２−１６４０４５号〕、遠紫外
線光酸発生剤とその光酸発生剤を近紫外線に対して感光
性にするフェノチアジン系増感剤及び酸硬化型樹脂の組
み合せ〔特開平３−８７７４８号〕、オニウム塩とポリ
（ｐ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）の組み合せ
〔Polym. Eng.Sci., 23 1012 〕、オニウム塩とポリ
（ｐ−ビニル安息香酸エステル）の組み合せ [SPIE, 77
1 24]、ハロゲン化有機化合物と、ヘキサメトキシメチ
ルメラミンとノボラック樹脂の組み合せ〔Polym. Eng.
Sci., 26 1101 〕などが挙げられる。しかし、いずれの
従来技術もレジストパターン形状に優れ、広い波長域に
感光性を有し、かつ感度の高い感光性組成物を開示して
いない。
合物と、酸を触媒とする反応により現像液に対する親和
性あるいは溶解性が低下する物質とからなる感光性組成
物が挙げられる。それらの例としては、ナフトキノンジ
アジド化合物と酸硬化型樹脂の組み合せ〔特開昭６０−
２６３１４３号〕、ハロゲン化有機化合物と酸硬化型樹
脂の組み合せ〔特開昭６２−１６４０４５号〕、遠紫外
線光酸発生剤とその光酸発生剤を近紫外線に対して感光
性にするフェノチアジン系増感剤及び酸硬化型樹脂の組
み合せ〔特開平３−８７７４８号〕、オニウム塩とポリ
（ｐ−ブトキシカルボニルオキシスチレン）の組み合せ
〔Polym. Eng.Sci., 23 1012 〕、オニウム塩とポリ
（ｐ−ビニル安息香酸エステル）の組み合せ [SPIE, 77
1 24]、ハロゲン化有機化合物と、ヘキサメトキシメチ
ルメラミンとノボラック樹脂の組み合せ〔Polym. Eng.
Sci., 26 1101 〕などが挙げられる。しかし、いずれの
従来技術もレジストパターン形状に優れ、広い波長域に
感光性を有し、かつ感度の高い感光性組成物を開示して
いない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高い感度と高コントラストの画像を与え、かつ紫外
線、可視光線、電子ビームまたはＸ線に対して感応す
る、すなわち、広い波長域に感光性を有するネガ型感光
性組成物を提供することである。
は、高い感度と高コントラストの画像を与え、かつ紫外
線、可視光線、電子ビームまたはＸ線に対して感応す
る、すなわち、広い波長域に感光性を有するネガ型感光
性組成物を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸を触媒とす
る反応により現像液に対する親和性あるいは溶解性が減
少する性質を有する化合物とオニウム化合物の芳香族ス
ルホン酸塩を含む事を特徴とする化学増幅系感光性組成
物である。
る反応により現像液に対する親和性あるいは溶解性が減
少する性質を有する化合物とオニウム化合物の芳香族ス
ルホン酸塩を含む事を特徴とする化学増幅系感光性組成
物である。
【０００７】すなわち、本発明者は、特定の芳香族スル
ホン酸をオニウム化合物の対アニオンとして組み合わせ
ることにより、芳香族スルホン酸が有する吸収波長域に
まで、組成物の感光域が拡大することを見出し、本発明
を完成するに至った。本発明は、酸を触媒とする反応に
より現像液に対する親和性あるいは溶解性が減少する性
質を有する化合物（好ましくは分子量５０〜５0,００
０）とジアリールヨードニウム、またはトリアリールス
ルホニウム等のオニウム化合物の芳香族スルホン酸塩と
を組み合わせることにより、現像剤を適切に選択するこ
とによってネガ型の画像形成材料として働く、紫外線、
可視光線、電子ビームまたはＸ線に対して感応する感光
性組成物を提供するものである。上記オニウム化合物の
芳香族スルホン酸塩と、酸を触媒とする反応により現像
液に対する親和性あるいは溶解性が減少する性質を有す
る化合物（好ましくは分子量５０〜５0,０００）とを含
む組成物を基板上に薄い被膜として被覆し、制御された
条件の下でベークし、放射線により画像露光し、そして
場合によっては制御された条件の下でポストベークした
のち、未露光領域を現像液で処理して選択的に除去する
ことにより画像が得られる。
ホン酸をオニウム化合物の対アニオンとして組み合わせ
ることにより、芳香族スルホン酸が有する吸収波長域に
まで、組成物の感光域が拡大することを見出し、本発明
を完成するに至った。本発明は、酸を触媒とする反応に
より現像液に対する親和性あるいは溶解性が減少する性
質を有する化合物（好ましくは分子量５０〜５0,００
０）とジアリールヨードニウム、またはトリアリールス
ルホニウム等のオニウム化合物の芳香族スルホン酸塩と
を組み合わせることにより、現像剤を適切に選択するこ
とによってネガ型の画像形成材料として働く、紫外線、
可視光線、電子ビームまたはＸ線に対して感応する感光
性組成物を提供するものである。上記オニウム化合物の
芳香族スルホン酸塩と、酸を触媒とする反応により現像
液に対する親和性あるいは溶解性が減少する性質を有す
る化合物（好ましくは分子量５０〜５0,０００）とを含
む組成物を基板上に薄い被膜として被覆し、制御された
条件の下でベークし、放射線により画像露光し、そして
場合によっては制御された条件の下でポストベークした
のち、未露光領域を現像液で処理して選択的に除去する
ことにより画像が得られる。
【０００８】本発明に用いられる酸を触媒とする反応に
より現像液に対する親和性あるいは溶解性が減少する性
質を有する化合物（好ましくは分子量５０〜５0,００
０）としては、エポキシ基を側鎖に有する化合物〔Pro
c. Microcircuit Eng., 260,(1982)〕、メトキシメチル
化メラミン誘導体〔Polym. E g. Sci., 26,1101(198
6）〕、ベンジルアセテート基を側鎖に有する化合物〔P
olym. Eng. Sci., 29,960(1989)〕、ジフェニルジシラ
ノール等のシラノール基を含有する化合物〔Proc.SPIE.
1262, 26(1990)〕、２，６−ビス（ヒドロキシメチ
ル）−ｔ−ブチルフェノール、レゾール樹脂等のメチロ
ール基を含有する化合物を例示する事ができる。
より現像液に対する親和性あるいは溶解性が減少する性
質を有する化合物（好ましくは分子量５０〜５0,００
０）としては、エポキシ基を側鎖に有する化合物〔Pro
c. Microcircuit Eng., 260,(1982)〕、メトキシメチル
化メラミン誘導体〔Polym. E g. Sci., 26,1101(198
6）〕、ベンジルアセテート基を側鎖に有する化合物〔P
olym. Eng. Sci., 29,960(1989)〕、ジフェニルジシラ
ノール等のシラノール基を含有する化合物〔Proc.SPIE.
1262, 26(1990)〕、２，６−ビス（ヒドロキシメチ
ル）−ｔ−ブチルフェノール、レゾール樹脂等のメチロ
ール基を含有する化合物を例示する事ができる。
【０００９】上記化合物の分子量が５０より低いと膜形
成性が悪くなり、また50,000 より高いと現像性（未露
光領域の現像液による除去性）が悪くなる傾向がある。
上記化合物は、全感光性組成物（塗布溶媒は含まず）の
重量を基準として、５〜９８重量％、好ましくは２０〜
９５重量％の量で使用される。これら例示した化合物
は、アルカリ可溶性樹脂と併用する事により本発明の効
果はさらに顕著になる。
成性が悪くなり、また50,000 より高いと現像性（未露
光領域の現像液による除去性）が悪くなる傾向がある。
上記化合物は、全感光性組成物（塗布溶媒は含まず）の
重量を基準として、５〜９８重量％、好ましくは２０〜
９５重量％の量で使用される。これら例示した化合物
は、アルカリ可溶性樹脂と併用する事により本発明の効
果はさらに顕著になる。
【００１０】本発明に用いることのできるアルカリ可溶
性樹脂としては、ノボラック樹脂、アセトン−ピガロー
ル樹脂やポリヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙げ
ることができる。
性樹脂としては、ノボラック樹脂、アセトン−ピガロー
ル樹脂やポリヒドロキシスチレン及びその誘導体を挙げ
ることができる。
【００１１】これらの中で、特にノボラック樹脂が好ま
しく、所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在
下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得られ
る。所定のモノマーとしては、フェノール、ｍ−クレゾ
ール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のクレゾール
類、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、
３，４−キシレノール、２，３−キシレノール等のキシ
レノール等、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノ
ール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノー
ル等のアルキルフェノール類、ｐ−メトキシフェノー
ル、ｍ−メトキシフェノール、３，５−ジメトキシフェ
ノール、２−メトキシ−４−メチルフェノール、ｍ−エ
トキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−プロ
ポキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−ブ
トキシフェノール、ｐ−ブトキシフェノール等のアルコ
キシフェノール類、２−メチル−４−イソプロピルフェ
ノール等のビスアルキルフェノール類、ｍ−クロロフェ
ノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−クロロフェノー
ル、ジヒドロキシビフェノール、ビスフェノールＡ、フ
ェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒ
ドロキシ芳香族化合物を単独もしくは２種以上混合して
使用することができるが、これらに限定されるものでは
ない。
しく、所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在
下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得られ
る。所定のモノマーとしては、フェノール、ｍ−クレゾ
ール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のクレゾール
類、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、
３，４−キシレノール、２，３−キシレノール等のキシ
レノール等、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノ
ール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノー
ル等のアルキルフェノール類、ｐ−メトキシフェノー
ル、ｍ−メトキシフェノール、３，５−ジメトキシフェ
ノール、２−メトキシ−４−メチルフェノール、ｍ−エ
トキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−プロ
ポキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−ブ
トキシフェノール、ｐ−ブトキシフェノール等のアルコ
キシフェノール類、２−メチル−４−イソプロピルフェ
ノール等のビスアルキルフェノール類、ｍ−クロロフェ
ノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−クロロフェノー
ル、ジヒドロキシビフェノール、ビスフェノールＡ、フ
ェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒ
ドロキシ芳香族化合物を単独もしくは２種以上混合して
使用することができるが、これらに限定されるものでは
ない。
【００１２】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドエチルアセタール等を使用
することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒド
を使用するのが好ましい。
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドエチルアセタール等を使用
することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒド
を使用するのが好ましい。
【００１３】これらのアルデヒド類は、単独でもしくは
２種以上組み合わせて用いられる。酸性触媒としては塩
酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシュウ酸等を使用することが
できる。
２種以上組み合わせて用いられる。酸性触媒としては塩
酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシュウ酸等を使用することが
できる。
【００１４】こうして得られたノボラック樹脂の重量平
均分子量は、２０００〜３００００の範囲であることが
好ましい。２０００未満では露光部の現像後の膜減りが
大きく、３００００を越えると現像速度が小さくなって
しまう。特に好適なのは６０００〜２００００の範囲で
ある。
均分子量は、２０００〜３００００の範囲であることが
好ましい。２０００未満では露光部の現像後の膜減りが
大きく、３００００を越えると現像速度が小さくなって
しまう。特に好適なのは６０００〜２００００の範囲で
ある。
【００１５】ここで、重量平均分子量はゲルパーミェー
ションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもっ
て定義される。また、本発明に感光物として用いられる
オニウム化合物の芳香族スルホン酸塩は、下記一般式の
(1) また(2) で示される。
ションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもっ
て定義される。また、本発明に感光物として用いられる
オニウム化合物の芳香族スルホン酸塩は、下記一般式の
(1) また(2) で示される。
【００１６】
【化１】
【００１７】ここで式中Ａｒ1 、Ａｒ2 は同一でも相異
していてもよく、置換又は無置換の芳香族基を示す。好
ましい置換基としては、アルキル、ハロアルキル、シク
ロアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、カルボニ
ル、アルコキシカルボニル、ヒドロキシ、メルカプト基
及びハロゲン原子であり、更に好ましくは炭素数１〜８
個のアルキル、炭素数１〜８個のアルコキシ、ニトロ基
及び塩素原子である。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は同一でも相異
していてもよく、置換又は無置換のアルキル基または芳
香族基を示す。好ましくは炭素数６〜１４個のアリール
基、炭素数１〜８個のアルキル基及びそれらの置換誘導
体である。好ましい置換基としては、アリール基に対し
ては炭素数１〜８個のアルコキシ、炭素数１〜８個のア
ルキル、ニトロ、カルボニル、ヒドロキシ基及びハロゲ
ン原子であり、アルキル基に対して炭素数１〜８個のア
ルコキシ、カルボニル、アルコキシカルボニル基であ
る。またＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 のうちの２つ及びＡｒ1 、Ａ
ｒ2 はそれぞれ単結合または置換基を介して結合しても
よい。Ｘ- は芳香族スルホン酸アニオンを示す。より好
ましくは、縮合多核芳香族スルホン酸、あるいは芳香環
を２つ以上有するスルホン酸が挙げられる。具体的に
は、ナフタレンー１−スルホン酸、ナフタレン−２−ス
ルホン酸、アントラセン−１−スルホン酸、９−ニトロ
アントラセン−１−スルホン酸、９，１０−ジクロロア
ントラセン−２−スルホン酸、９，１０−ジメトキシア
ントラセン−２−スルホン酸、９，１０−ジメトキシア
ントラセン−２−スルホン酸、アントラセン−２−スル
ホン酸、フェナンスレン−２−スルホン酸、９−ブロモ
フェナンスレン−３−スルホン酸、１−メチル−７−イ
ソプロピルフェナンスレン−３−スルホン酸、ピレン−
２−スルホン酸、ベンズ〔ａ〕アントラセン−４−スル
ホン酸、トリフェニレン−２−スルホン酸、クリセン−
６−スルホン酸、５，６−ジクロロアントラセン−３−
スルホン酸、６−ニトロアセナフテン−５−スルホン
酸、２−ｔ−ブチルナフタレン−７−スルホン酸等の縮
合多核芳香族スルホン酸アニオン、９，１０−ジオキソ
−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−スルホン酸、
１−ブロモ−９，１０−ジオキソ−９，１０−ジヒドロ
アントラセン−２−スルホン酸、２−クロロ−９，１０
−ジオキソ−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−ス
ルホン酸、９，１０−ジオキソ−9,１０−ジヒドロフェ
ナンスレン−３−スルホン酸等のアントラキノンスルホ
ン酸、フェナントラキノンスルホン酸アニオン、１，２
−ナフトキノン−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸等のナフトキノンスルホン酸ア
ニオン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン
−５−スルホン酸、フェノールレッド、メチルオレン
ジ、アリザリンＳ、インジゴカルミン、パテントブル
ー、クロルフェノールレッド、クリソフェニン等のスル
ホン酸基含有染料などが挙げられるがこれに限定される
ものではない。
していてもよく、置換又は無置換の芳香族基を示す。好
ましい置換基としては、アルキル、ハロアルキル、シク
ロアルキル、アリール、アルコキシ、ニトロ、カルボニ
ル、アルコキシカルボニル、ヒドロキシ、メルカプト基
及びハロゲン原子であり、更に好ましくは炭素数１〜８
個のアルキル、炭素数１〜８個のアルコキシ、ニトロ基
及び塩素原子である。Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は同一でも相異
していてもよく、置換又は無置換のアルキル基または芳
香族基を示す。好ましくは炭素数６〜１４個のアリール
基、炭素数１〜８個のアルキル基及びそれらの置換誘導
体である。好ましい置換基としては、アリール基に対し
ては炭素数１〜８個のアルコキシ、炭素数１〜８個のア
ルキル、ニトロ、カルボニル、ヒドロキシ基及びハロゲ
ン原子であり、アルキル基に対して炭素数１〜８個のア
ルコキシ、カルボニル、アルコキシカルボニル基であ
る。またＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 のうちの２つ及びＡｒ1 、Ａ
ｒ2 はそれぞれ単結合または置換基を介して結合しても
よい。Ｘ- は芳香族スルホン酸アニオンを示す。より好
ましくは、縮合多核芳香族スルホン酸、あるいは芳香環
を２つ以上有するスルホン酸が挙げられる。具体的に
は、ナフタレンー１−スルホン酸、ナフタレン−２−ス
ルホン酸、アントラセン−１−スルホン酸、９−ニトロ
アントラセン−１−スルホン酸、９，１０−ジクロロア
ントラセン−２−スルホン酸、９，１０−ジメトキシア
ントラセン−２−スルホン酸、９，１０−ジメトキシア
ントラセン−２−スルホン酸、アントラセン−２−スル
ホン酸、フェナンスレン−２−スルホン酸、９−ブロモ
フェナンスレン−３−スルホン酸、１−メチル−７−イ
ソプロピルフェナンスレン−３−スルホン酸、ピレン−
２−スルホン酸、ベンズ〔ａ〕アントラセン−４−スル
ホン酸、トリフェニレン−２−スルホン酸、クリセン−
６−スルホン酸、５，６−ジクロロアントラセン−３−
スルホン酸、６−ニトロアセナフテン−５−スルホン
酸、２−ｔ−ブチルナフタレン−７−スルホン酸等の縮
合多核芳香族スルホン酸アニオン、９，１０−ジオキソ
−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−スルホン酸、
１−ブロモ−９，１０−ジオキソ−９，１０−ジヒドロ
アントラセン−２−スルホン酸、２−クロロ−９，１０
−ジオキソ−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−ス
ルホン酸、９，１０−ジオキソ−9,１０−ジヒドロフェ
ナンスレン−３−スルホン酸等のアントラキノンスルホ
ン酸、フェナントラキノンスルホン酸アニオン、１，２
−ナフトキノン−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸、１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸等のナフトキノンスルホン酸ア
ニオン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン
−５−スルホン酸、フェノールレッド、メチルオレン
ジ、アリザリンＳ、インジゴカルミン、パテントブル
ー、クロルフェノールレッド、クリソフェニン等のスル
ホン酸基含有染料などが挙げられるがこれに限定される
ものではない。
【００１８】次に、本発明に用いられる一般式（１）で
示される化合物の具体例を示すが、これらに限定される
ものではない。
示される化合物の具体例を示すが、これらに限定される
ものではない。
【００１９】
【化２】
【００２０】
【化３】
【００２１】
【化４】
【００２２】
【化５】
【００２３】
【化６】
【００２４】
【化７】
【００２５】
【化８】
【００２６】また、本発明に用いられる一般式(2) で示
される化合物の具体例を次に示すが、これに限られるも
のではない。
される化合物の具体例を次に示すが、これに限られるも
のではない。
【００２７】
【化９】
【００２８】
【化１０】
【００２９】
【化１１】
【００３０】
【化１２】
【００３１】
【化１３】
【００３２】
【化１４】
【００３３】
【化１５】
【００３４】
【化１６】
【００３５】
【化１７】
【００３６】
【化１８】
【００３７】本発明に於いて用いられるオニウム化合物
の芳香族スルホン酸塩の量は、感光性組成物の全重量
（塗布溶媒は含まず）を基準として約２〜６０重量％、
より好ましくは５〜４０重量％である。一般式(1) 又は
(2) で示される上記化合物は、例えば、J. W. Knapczyk
ら著、J. Am. Chem. Soc.,第９１巻、第１４５頁 (1969
年）、A. L. Maycock ら著、J. Org. Chem.,第３５巻、
第２５３２頁（１９７０年）、E. Goethals ら著、Bul
l. Soc. Chem. Belg., 第７３巻、第５４６頁１９６４
年）、H. M. Leicester 著、J. Am. Chem. Soc.,第５１
巻、第３５８７頁（１９２９年）、J. V. Crivelloら
著、J. Polym. Soc. Polym. Chem. Ed.,第１８巻、第２
６７７頁（１９８０年）、米国特許第 2,807,648号及び
同第 4,247,473号明細書、F. M. Beringerら著、L. Am.
Chem. Soc.,第７５巻、第２７０５頁（１９５３年）、
特開昭５３−１０１３３１号公報などに示された手順に
より製造されたオニウム化合物のハロゲン、ビサルフェ
ートあるいは過塩素酸塩の水溶液あるいはアルコール溶
液に、芳香族スルホン酸またはそのナトリウム塩水溶液
あるいはアルコール溶液を添加し、生成した沈澱を濾取
することによって得られる。
の芳香族スルホン酸塩の量は、感光性組成物の全重量
（塗布溶媒は含まず）を基準として約２〜６０重量％、
より好ましくは５〜４０重量％である。一般式(1) 又は
(2) で示される上記化合物は、例えば、J. W. Knapczyk
ら著、J. Am. Chem. Soc.,第９１巻、第１４５頁 (1969
年）、A. L. Maycock ら著、J. Org. Chem.,第３５巻、
第２５３２頁（１９７０年）、E. Goethals ら著、Bul
l. Soc. Chem. Belg., 第７３巻、第５４６頁１９６４
年）、H. M. Leicester 著、J. Am. Chem. Soc.,第５１
巻、第３５８７頁（１９２９年）、J. V. Crivelloら
著、J. Polym. Soc. Polym. Chem. Ed.,第１８巻、第２
６７７頁（１９８０年）、米国特許第 2,807,648号及び
同第 4,247,473号明細書、F. M. Beringerら著、L. Am.
Chem. Soc.,第７５巻、第２７０５頁（１９５３年）、
特開昭５３−１０１３３１号公報などに示された手順に
より製造されたオニウム化合物のハロゲン、ビサルフェ
ートあるいは過塩素酸塩の水溶液あるいはアルコール溶
液に、芳香族スルホン酸またはそのナトリウム塩水溶液
あるいはアルコール溶液を添加し、生成した沈澱を濾取
することによって得られる。
【００３８】本発明の感光性組成物には必要に応じて、
更に染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、増感剤などを含
有させることができる。好適な染料としては油溶性染料
及び塩基性染料がある。具体的にはオイルイエロー＃１
０１、オイルイエロー＃１０３、オイルピンク＃３１
２、オイルグリーンＢＧ、オイルプルーＢＯＳ、オイル
ブルー＃６０３、オイルブラックＢＹ、オイルブラック
ＢＳ、オイルブラックＴ−５０５（以上、オリエント化
学工業株式会社製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４
２５５５）、メチルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、
ローダミンＢ（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリー
ン（ＣＩ４２０００）、メチレンブルー（ＣＩ１５２０
１５）などを挙げることができる。
更に染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、増感剤などを含
有させることができる。好適な染料としては油溶性染料
及び塩基性染料がある。具体的にはオイルイエロー＃１
０１、オイルイエロー＃１０３、オイルピンク＃３１
２、オイルグリーンＢＧ、オイルプルーＢＯＳ、オイル
ブルー＃６０３、オイルブラックＢＹ、オイルブラック
ＢＳ、オイルブラックＴ−５０５（以上、オリエント化
学工業株式会社製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４
２５５５）、メチルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、
ローダミンＢ（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリー
ン（ＣＩ４２０００）、メチレンブルー（ＣＩ１５２０
１５）などを挙げることができる。
【００３９】本発明の感光性組成物は、上記各成分を溶
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、メチ
ルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メト
キシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシドなどが好ましく、これらの溶媒を単独
あるいは混合して使用する。
解する溶媒に溶かして支持体上に塗布する。ここで使用
する溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキ
サノン、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、メチ
ルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メト
キシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチ
ル、乳酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシドなどが好ましく、これらの溶媒を単独
あるいは混合して使用する。
【００４０】また、上記溶媒に界面活性剤を加えること
もできる。上記感光性組成物を精密集積回路素子の製造
に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコ
ン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法に
より塗布後、所定のマスクを通して露光し、現像するこ
とにより良好なレジストを得ることができる。
もできる。上記感光性組成物を精密集積回路素子の製造
に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコ
ン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法に
より塗布後、所定のマスクを通して露光し、現像するこ
とにより良好なレジストを得ることができる。
【００４１】本発明の感光性組成物の現像液としては、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコール類、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアン
モニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロ
ール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の
水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類
の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して
使用することもできる。
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア
水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルア
ミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチ
ルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチル
ジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノール
アミン、トリエタノールアミン等のアルコール類、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアン
モニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロ
ール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の
水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ類
の水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して
使用することもできる。
【００４２】
【発明の効果】本発明の感光性組成物は高感度であり、
かつ広い波長域に感光性を有し、解像力に優れたネガ型
レジスト組成物を与える。
かつ広い波長域に感光性を有し、解像力に優れたネガ型
レジスト組成物を与える。
【００４３】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。
【００４４】
【合成例１】 例示化合物（１−３）の合成 ジフェニルヨードニウム過塩素酸塩３６重量部を水５０
０重量部に溶解した水溶液に、攪拌下、９，１０−ジメ
トキシアントラセン−２−スルホン酸ナトリウム３４重
量部を水５００重量部に溶解した水溶液を徐々に滴下す
る。次いで、混合物を２時間攪拌して、生成物の沈澱を
生ぜしめた。生成物を濾過し、水２００部で洗浄した。
次いで塩を４０℃で減圧下に乾燥した。かくして５1.３
部、８9.４％の収率で目的物ジフェニルヨードニウム・
９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルホン酸塩
を得た。
０重量部に溶解した水溶液に、攪拌下、９，１０−ジメ
トキシアントラセン−２−スルホン酸ナトリウム３４重
量部を水５００重量部に溶解した水溶液を徐々に滴下す
る。次いで、混合物を２時間攪拌して、生成物の沈澱を
生ぜしめた。生成物を濾過し、水２００部で洗浄した。
次いで塩を４０℃で減圧下に乾燥した。かくして５1.３
部、８9.４％の収率で目的物ジフェニルヨードニウム・
９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルホン酸塩
を得た。
【００４５】
【合成例２】 例示化合物（２−５）の合成 トリフェニルスルホニウムクロライド３０重量部を水１
００重量部に溶解した水溶液に、攪拌下２−ヒドロキシ
−４−メトキシベンゾフェノン−５−スルホン酸３１重
量部を水５００重量部に溶解した水溶液を徐々に滴下す
る。滴下終了後、混合物を２時間攪拌して生成物の沈澱
を生ぜしめた。生成物を濾過し、水２００部で洗浄し
た。次いで塩を４０℃で減圧下に乾燥した。かくして４
5.８部、８0.４％の収率で目的物トリフェニルスルホニ
ウム・２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン−
５−スルホン酸塩を得た。
００重量部に溶解した水溶液に、攪拌下２−ヒドロキシ
−４−メトキシベンゾフェノン−５−スルホン酸３１重
量部を水５００重量部に溶解した水溶液を徐々に滴下す
る。滴下終了後、混合物を２時間攪拌して生成物の沈澱
を生ぜしめた。生成物を濾過し、水２００部で洗浄し
た。次いで塩を４０℃で減圧下に乾燥した。かくして４
5.８部、８0.４％の収率で目的物トリフェニルスルホニ
ウム・２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン−
５−スルホン酸塩を得た。
【００４６】
【実施例１〜３】本発明の化合物の種類を変えて、表−
１に示す３種類の感光液〔Ａ〕−１〜〔Ａ〕−３を調製
した。
１に示す３種類の感光液〔Ａ〕−１〜〔Ａ〕−３を調製
した。
【００４７】 表−１ ─────────────────────────────────── 〔Ａ〕−１ 〔Ａ〕−２ 〔Ａ〕−３ ─────────────────────────────────── 本発明の化合物 (1-3)0.5g (1-9)0.5g (2-7)0.5g ─────────────────────────────────── ヘキサメトキシメチル 0.７５ｇ ─ 0.５ｇ メラミン ─────────────────────────────────── 2,6 −ビス（ヒドロキシ ─ 1.０ｇ 0.５ｇ メチル）−ｔ−ブチル フェノール ─────────────────────────────────── m,p-クレゾールノボラッ ク樹脂 ２ｇ ─ 1.７５ｇ (m/p=40/60 モル比） （重量平均分子量8,000) ─────────────────────────────────── ポリ（ｐ−ヒドロキシ スチレン） ─ 1.７５ｇ ─ （重量平均分子量10,000) ─────────────────────────────────── 溶剤（ジグライム） １０ｇ １０ｇ １０ｇ ───────────────────────────────────
【００４８】
【比較例１〜３】次に比較例として下記の表−２に示す
感光液〔Ｂ〕−１〜〔Ｂ〕−３を調製した。
感光液〔Ｂ〕−１〜〔Ｂ〕−３を調製した。
【００４９】 表−２ ─────────────────────────────────── 〔Ｂ〕−１ 〔Ｂ〕−２ 〔Ｂ〕−３ ─────────────────────────────────── ジフェニルヨードニウム・ 0.５ｇ 0.５ｇ ─ ヘキサフルオロホスフェー ト塩 ─────────────────────────────────── 2,4-ビス（トリクロロメチル） −６−(p−メトキシフェニル） ─ ─ 0.５ｇ −ｓ−トリアジン ─────────────────────────────────── ヘキサメトキシメチル 0.７５ｇ ─ 0.７５ｇ メラミン ─────────────────────────────────── 2,6-ビス（ヒドロキシメチル） ─ 0.７５ｇ ─ −ｔ−ブチルフェノール ─────────────────────────────────── m,p-クレゾールノボラッ ク樹脂 (m/p=40/60 モル比） ２ｇ ２ｇ ２ｇ （重量平均分子量8,000) ─────────────────────────────────── 溶剤（ジグライム） １０ｇ １０ｇ １０ｇ ───────────────────────────────────
【００５０】
【感光性組成物の調製と評価】表−１及び表−２に示す
感光液をスピナーを用いてシリコンウェハーに塗布し、
窒素雰囲気下の対流オーブンで９０℃、３０分間乾燥し
て、膜厚1.２μm のレジスト膜を得た。
感光液をスピナーを用いてシリコンウェハーに塗布し、
窒素雰囲気下の対流オーブンで９０℃、３０分間乾燥し
て、膜厚1.２μm のレジスト膜を得た。
【００５１】この膜に縮少投影露光装置（キャノン社製
ｉ線ステッパー）を用いテストチャートマスクを介して
露光した後、ホットプレートにて９０℃、１分間ポスト
ベークし、次いで2.３８％のテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液で１分間現像し、３０秒間水洗して
乾燥した。このようにして得られたシリコンウェハーの
レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジス
トを評価した。その結果を表−３に示す。
ｉ線ステッパー）を用いテストチャートマスクを介して
露光した後、ホットプレートにて９０℃、１分間ポスト
ベークし、次いで2.３８％のテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液で１分間現像し、３０秒間水洗して
乾燥した。このようにして得られたシリコンウェハーの
レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジス
トを評価した。その結果を表−３に示す。
【００５２】感度は0.７０μm のマスクパターンを再現
する露光量の逆数をもって定義し、比較例３の感度の相
対値で示した。
する露光量の逆数をもって定義し、比較例３の感度の相
対値で示した。
【００５３】残膜率は露光部の現像前後の膜厚の比の百
分率で表した。解像力は0.７０μm のマスクパターンを
再現する露光量における限界解像力を表す。
分率で表した。解像力は0.７０μm のマスクパターンを
再現する露光量における限界解像力を表す。
【００５４】 表−３ ─────────────────────────────────── 感光度 相対感度 解像力 残膜率 レジストパターン （μm ） （％） のプロファイル ─────────────────────────────────── 実施例１ 〔Ａ〕−１ ３2.５ 0.３７ １００ 良 好 ２ 〔Ａ〕−２ ２1.０ 0.３７ ９８ 良 好 ３ 〔Ａ〕−３ ２8.５ 0.３７ ９９ 良 好 ─────────────────────────────────── 比較例１ 〔Ｂ〕−１ 画像得られず ─ ０ ─ ２ 〔Ｂ〕−２ 画像得られず ─ ０ ─ ３ 〔Ｂ〕−３ 1.０ 0.４５ ８２ 丸味あり ─────────────────────────────────── これから判るように、本発明のオニウム化合物の芳香族
スルホン酸塩を用いた感光性組成物は、感度、解像力、
残膜率、及びレジストパターンのプロファイルにおいて
優れた性能を示す。
スルホン酸塩を用いた感光性組成物は、感度、解像力、
残膜率、及びレジストパターンのプロファイルにおいて
優れた性能を示す。
【００５５】
【実施例４〜６】本発明の化合物の種類を変えて表−４
に示す３種類の感光液〔Ａ〕−４〜〔Ａ〕−６を調製し
た。
に示す３種類の感光液〔Ａ〕−４〜〔Ａ〕−６を調製し
た。
【００５６】 表−４ ─────────────────────────────────── 〔Ａ〕−４ 〔Ａ〕−５ 〔Ａ〕−６ ─────────────────────────────────── 本発明の化合物 (1-1)0.5g (1-1)0.5g (1-3)0.5g ─────────────────────────────────── ヘキサメトキシメチル 0.８ｇ 0.８ｇ ─ メラミン ─────────────────────────────────── 2,6 −ビス（ヒドロキシ ─ ─ 0.８ｇ メチル）−ｔ−ブチル フェノール ─────────────────────────────────── m,p-クレゾールノボラッ ク樹脂 ２ｇ ─ ２ｇ (m/p=50/50 モル比） （重量平均分子量8,000) ─────────────────────────────────── ポリ（ｐ−ヒドロキシ スチレン） ─ ２ｇ ─ （重量平均分子量20,000) ─────────────────────────────────── 溶剤（ジグライム） １０ｇ １０ｇ １０ｇ ───────────────────────────────────
【００５７】
【比較例４及び５】
【００５８】次に比較例として下記の表−５に示す感光
液〔Ｂ〕−４及び〔Ｂ〕−５を調製した。
液〔Ｂ〕−４及び〔Ｂ〕−５を調製した。
【００５９】 表−５ ─────────────────────────────────── 〔Ｂ〕−４ 〔Ｂ〕−５ ─────────────────────────────────── ジフェニルヨードニウム・ ヘキサフルオロホスフェー 0.５ｇ ─ ト塩 ─────────────────────────────────── トリフェニルスルホニウム・ ─ 0.５ｇ テトラフロロボレート塩 ─────────────────────────────────── ヘキサメトキシメチル 0.８ｇ 0.８ｇ メラミン ─────────────────────────────────── ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレ ン） ２ｇ ２ｇ （重量平均分子量：20,000) ─────────────────────────────────── 溶剤（ジグライム） １０ｇ １０ｇ ───────────────────────────────────
【００６０】表−４及び表−５に示す感光液をスピナー
を用いてシリコンウェハーに塗布し、９０℃のホットプ
レートで６０秒間乾燥して、膜厚1.０μm のレジスト膜
を得た。露光には低圧水銀灯を用い、これに干渉フィル
ターを取りつけて、２５４nmの単一波長の光を露光光と
した。露光面での光強度は平均で約1.５mW/cm2であっ
た。最小線巾が0.５μm である石英製クロムテストマス
クを通して所望パターンの露光を行なった。露光後直ち
に１００℃のホットプレートで６０秒間加熱し、次いで
2.３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で１分間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。
を用いてシリコンウェハーに塗布し、９０℃のホットプ
レートで６０秒間乾燥して、膜厚1.０μm のレジスト膜
を得た。露光には低圧水銀灯を用い、これに干渉フィル
ターを取りつけて、２５４nmの単一波長の光を露光光と
した。露光面での光強度は平均で約1.５mW/cm2であっ
た。最小線巾が0.５μm である石英製クロムテストマス
クを通して所望パターンの露光を行なった。露光後直ち
に１００℃のホットプレートで６０秒間加熱し、次いで
2.３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液で１分間現像し、３０秒間水洗して乾燥した。
【００６１】このようにして得られたシリコンウェハー
のレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジ
ストを評価した。評価は実施例１〜３と同様に行ない表
−６に示す結果を得た。なお、相対感度は実施例−４の
感度に対する相対値で示した。
のレジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジ
ストを評価した。評価は実施例１〜３と同様に行ない表
−６に示す結果を得た。なお、相対感度は実施例−４の
感度に対する相対値で示した。
【００６２】 表−６ ─────────────────────────────────── 感光液 相対感度 解像力 残膜率 （μm ） （％） ──────────────────────────────────── 実施例４ 〔Ａ〕−４ 1.０ 0.５０ ９９ ５ 〔Ａ〕−５ 1.８ 0.５２ １００ ６ 〔Ａ〕−６ 1.１ 0.５０ ９９ 比較例４ 〔Ｂ〕−４ 0.４ 0.５７ ９２ ５ 〔Ｂ〕−５ 0.５ 0.６０ ９３ ─────────────────────────────────── これから判るように本発明のオニウム化合物の芳香族ス
ルホン酸塩を用いた感光性組成物は、感度、解像力及び
残膜率において優れた性能を示す。
ルホン酸塩を用いた感光性組成物は、感度、解像力及び
残膜率において優れた性能を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 山岡 亜夫 千葉県船橋市本中山３−22−７
Claims (1)
- 【請求項１】 酸を触媒とする反応により現像液に対す
る親和性あるいは溶解性が減少する性質を有する化合物
とオニウム化合物の芳香族スルホン酸塩を含む事を特徴
とする化学増幅系感光性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3204205A JP2655370B2 (ja) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | 感光性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3204205A JP2655370B2 (ja) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | 感光性組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0545878A true JPH0545878A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2655370B2 JP2655370B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=16486577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3204205A Expired - Fee Related JP2655370B2 (ja) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | 感光性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2655370B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994019724A1 (en) * | 1993-02-26 | 1994-09-01 | Hoechst Celanese Corporation | Novel matrix resin for high-temperature stable photoimageable compositions |
| EP0697632A2 (en) * | 1994-08-19 | 1996-02-21 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Chemically amplified radiation-sensitive composition |
| US6213042B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-04-10 | Barry E. Delfosse | Small waterplane area multihull (SWAMH) vessel with submerged turbine drive |
| EP1117002A1 (en) * | 2000-01-17 | 2001-07-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Negative-working resist composition |
| JP4799800B2 (ja) * | 2000-06-16 | 2011-10-26 | Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 化学増幅型ネガ型フォトレジスト組成物 |
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| JPH02150848A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-11 | Hitachi Ltd | 光退色性放射線感応性組成物およびそれを用いたパターン形成法 |
| JPH02170165A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-06-29 | Hitachi Ltd | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパターン形成法 |
| JPH03107162A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-07 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| JPH03154059A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JPH03179355A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-08-05 | Hitachi Ltd | 放射線感応性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
-
1991
- 1991-08-14 JP JP3204205A patent/JP2655370B2/ja not_active Expired - Fee Related
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