JPH06340802A - 感光性組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
感光性組成物及びパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH06340802A JPH06340802A JP5153045A JP15304593A JPH06340802A JP H06340802 A JPH06340802 A JP H06340802A JP 5153045 A JP5153045 A JP 5153045A JP 15304593 A JP15304593 A JP 15304593A JP H06340802 A JPH06340802 A JP H06340802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive composition
- light
- oco
- main chain
- bond
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細加工が可能な光領域（例えば２４８ｎｍ
や１９３ｎｍの波長）においても高い透過率を有する感
光性組成物を提供し、また、微細加工が可能なパターン
形成方法を提供する。 【構成】 ポリカーボネート樹脂を水添して得られる
如き、主鎖に−ＯＣＯ・Ｏ−結合を含み、主鎖の炭素鎖
が単結合から成る化合物と、光により、−ＯＣＯ・Ｏ−
結合を分解する物質を発生する化合物とを含有する感光
性組成物。上記の組成物を用いるパターン形成方
法。
や１９３ｎｍの波長）においても高い透過率を有する感
光性組成物を提供し、また、微細加工が可能なパターン
形成方法を提供する。 【構成】 ポリカーボネート樹脂を水添して得られる
如き、主鎖に−ＯＣＯ・Ｏ−結合を含み、主鎖の炭素鎖
が単結合から成る化合物と、光により、−ＯＣＯ・Ｏ−
結合を分解する物質を発生する化合物とを含有する感光
性組成物。上記の組成物を用いるパターン形成方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感光性組成物及びパタ
ーン形成方法に関する。本発明は、新規な感光性組成物
を提供するものであり、また、かかる感光性組成物を用
いたパターン形成方法を提供するものである。本発明の
感光性組成物及びパターン形成方法は、例えば、電子材
料（半導体装置等）製造の分野における各種パターンの
形成に利用することができる。
ーン形成方法に関する。本発明は、新規な感光性組成物
を提供するものであり、また、かかる感光性組成物を用
いたパターン形成方法を提供するものである。本発明の
感光性組成物及びパターン形成方法は、例えば、電子材
料（半導体装置等）製造の分野における各種パターンの
形成に利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】電子材料、例えば半導体装置は、その微
細化・集積化がますます進行しており、例えば半導体集
積回路の最小加工線幅は、今やサブハーフミクロン
（０．５ミクロン以下）の領域になるに至っている。こ
れに伴って、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）や
ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）等の短波長光を
露光光としたリソグラフィ技術が注目されている。この
ようなレーザー光に用いるフォトレジストとして、各種
のものが提案されるに至っており、例えば化学増幅型レ
ジストというものが注目されている。化学増幅型レジス
トは、例えばポジ型の場合、代表的には樹脂、溶解阻止
剤、酸発生剤（感光剤）からなり、未露光部では溶解阻
止剤が樹脂を保護するためアルカリ水溶液（現像液）に
は溶けないが、露光部においては光酸発生剤から酸が発
生しこの酸によって溶解阻止剤が取り去られ、アルカリ
水溶液に溶けるようになる。この酸は触媒として働くた
めほとんど消費されることがなく、次々と溶解阻止剤を
外していくので、化学増幅型と呼ばれる。
細化・集積化がますます進行しており、例えば半導体集
積回路の最小加工線幅は、今やサブハーフミクロン
（０．５ミクロン以下）の領域になるに至っている。こ
れに伴って、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）や
ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）等の短波長光を
露光光としたリソグラフィ技術が注目されている。この
ようなレーザー光に用いるフォトレジストとして、各種
のものが提案されるに至っており、例えば化学増幅型レ
ジストというものが注目されている。化学増幅型レジス
トは、例えばポジ型の場合、代表的には樹脂、溶解阻止
剤、酸発生剤（感光剤）からなり、未露光部では溶解阻
止剤が樹脂を保護するためアルカリ水溶液（現像液）に
は溶けないが、露光部においては光酸発生剤から酸が発
生しこの酸によって溶解阻止剤が取り去られ、アルカリ
水溶液に溶けるようになる。この酸は触媒として働くた
めほとんど消費されることがなく、次々と溶解阻止剤を
外していくので、化学増幅型と呼ばれる。
【０００３】しかし、化学増幅型レジスト等のレーザー
光用のレジスト材料は、主としてフェノール樹脂を使用
しているものであった。このため、２４８ｎｍや１９３
ｎｍにおける透過率が低い（２４８ｎｍの波長の光に対
して０．２〜０．３μｍ-1程度）という問題点があっ
た。透過率が低いと、パターン形状はあまり良くならな
い。例えばポジ型の場合、下部が広がって台形状ないし
裾引きを生じた形状となり、ネガ型の場合、上部が広く
なって、アンダーカット状ないし庇状の形状になってし
まう。（なお最近のレジスト材料については、ＦＲＥＣ
ＨＥＴ ｅｔ ａｌ．“Ａｃｉｄ−Ｃａｔａｌｙｚｅｄ
Ｔｈｅｒｍｏｌｙｔｉｃ Ｄｅｐｏｌｙｍｅｒｉｚａ
ｔｉｏｎ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ：Ａ
Ｎｅｗ Ａｐｐｒｏａｃｈ ｔｏ Ｄｒｙ−Ｄｅｖｅｌ
ｏｐｉｎｇ Ｒｅｓｉｓｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ”，Ｐ
ＯＬＹＭＥＲＳ ＦＯＲ ＨＩＧＨ ＴＥＣＨＮＯＬＯ
ＧＹ，Ｃｈａｐｔｅｒ １２，１３８〜１４８参照）。
光用のレジスト材料は、主としてフェノール樹脂を使用
しているものであった。このため、２４８ｎｍや１９３
ｎｍにおける透過率が低い（２４８ｎｍの波長の光に対
して０．２〜０．３μｍ-1程度）という問題点があっ
た。透過率が低いと、パターン形状はあまり良くならな
い。例えばポジ型の場合、下部が広がって台形状ないし
裾引きを生じた形状となり、ネガ型の場合、上部が広く
なって、アンダーカット状ないし庇状の形状になってし
まう。（なお最近のレジスト材料については、ＦＲＥＣ
ＨＥＴ ｅｔ ａｌ．“Ａｃｉｄ−Ｃａｔａｌｙｚｅｄ
Ｔｈｅｒｍｏｌｙｔｉｃ Ｄｅｐｏｌｙｍｅｒｉｚａ
ｔｉｏｎ ｏｆ Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅｓ：Ａ
Ｎｅｗ Ａｐｐｒｏａｃｈ ｔｏ Ｄｒｙ−Ｄｅｖｅｌ
ｏｐｉｎｇ Ｒｅｓｉｓｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ”，Ｐ
ＯＬＹＭＥＲＳ ＦＯＲ ＨＩＧＨ ＴＥＣＨＮＯＬＯ
ＧＹ，Ｃｈａｐｔｅｒ １２，１３８〜１４８参照）。
【０００４】
【発明の目的】本発明は上記問題点を解決して、微細加
工が可能な光領域（例えば、２５０ｎｍ以下の２４８ｎ
ｍや、２００ｎｍ以下の１９３ｎｍの如き波長領域）に
おいても高い透過率を有する感光性組成物を提供しよう
とするものである。また、本発明は、微細加工が可能な
パターン形成方法を提供しようとするものである。
工が可能な光領域（例えば、２５０ｎｍ以下の２４８ｎ
ｍや、２００ｎｍ以下の１９３ｎｍの如き波長領域）に
おいても高い透過率を有する感光性組成物を提供しよう
とするものである。また、本発明は、微細加工が可能な
パターン形成方法を提供しようとするものである。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明の感光性組成物は、主鎖に−ＯＣＯ・Ｏ−結合を含
み、主鎖の炭素鎖が単結合から成る化合物と、光によ
り、−ＯＣＯ・Ｏ−結合を分解する物質を発生する化合
物とを含有する感光性組成物である。
明の感光性組成物は、主鎖に−ＯＣＯ・Ｏ−結合を含
み、主鎖の炭素鎖が単結合から成る化合物と、光によ
り、−ＯＣＯ・Ｏ−結合を分解する物質を発生する化合
物とを含有する感光性組成物である。
【０００６】ここで、「炭素鎖が単結合から成る」と
は、炭素−炭素結合が不飽和結合（Ｃ＝ＣやＣ≡Ｃ）
や、芳香性炭素間結合をとらないことを意味する。
は、炭素−炭素結合が不飽和結合（Ｃ＝ＣやＣ≡Ｃ）
や、芳香性炭素間結合をとらないことを意味する。
【０００７】ここで光とは、露光光となり得るものを総
称し、代表的には２４８ｎｍや１９３ｎｍなどの波長の
レーザー光領域の光であるが、電子線やＸ線等の放射線
領域を含め、露光作用のあるものであればよい。
称し、代表的には２４８ｎｍや１９３ｎｍなどの波長の
レーザー光領域の光であるが、電子線やＸ線等の放射線
領域を含め、露光作用のあるものであればよい。
【０００８】光により、−ＯＣＯ・Ｏ−結合を分解する
化合物としては、例えば光により酸を発生するいわゆる
光酸発生剤を用いることができる。これについては後記
詳述する。
化合物としては、例えば光により酸を発生するいわゆる
光酸発生剤を用いることができる。これについては後記
詳述する。
【０００９】本出願の請求項２の発明の感光性組成物
は、主鎖に−ＯＣＯ・Ｏ−結合を含み、主鎖の炭素鎖が
単結合から成る化合物が、ポリカーボネート樹脂を水素
添加（以下適宜「水添」と称することもある）して得た
ものである請求項１に記載の感光性組成物である。
は、主鎖に−ＯＣＯ・Ｏ−結合を含み、主鎖の炭素鎖が
単結合から成る化合物が、ポリカーボネート樹脂を水素
添加（以下適宜「水添」と称することもある）して得た
ものである請求項１に記載の感光性組成物である。
【００１０】水添ポリカーボネート樹脂としては、下記
一般式（Ｉ）で表されるものを好ましく用いることがで
きる。
一般式（Ｉ）で表されるものを好ましく用いることがで
きる。
【００１１】
【化１】
【００１２】一般式（Ｉ）中、Ｒ1 ，Ｒ2 は置換基を表
す。Ｒ1 ，Ｒ2 としては、代表的には、アルキル基（置
換アルキル基を含む）、環状アルキル基（置換基を有す
るものを含む）を挙げることができる。例えば、以下の
基を例示することができる。
す。Ｒ1 ，Ｒ2 としては、代表的には、アルキル基（置
換アルキル基を含む）、環状アルキル基（置換基を有す
るものを含む）を挙げることができる。例えば、以下の
基を例示することができる。
【００１３】
【化２】
【００１４】一般式（Ｉ）中、ｎは１０〜１０，０００
であることが好ましい。
であることが好ましい。
【００１５】本出願の請求項３の発明は、ポリカーボネ
ート樹脂が、両末端がＯＨ基であるジオール（α，ω−
ジオール等）から形成されたものである請求項２に記載
の感光性組成物である。
ート樹脂が、両末端がＯＨ基であるジオール（α，ω−
ジオール等）から形成されたものである請求項２に記載
の感光性組成物である。
【００１６】本出願の請求項４の発明は、請求項１の感
光性組成物を被露光材上に形成して、これにより被露光
材のパターニングを行うパターン形成方法である。請求
項１の感光性組成物として、請求項２や請求項３に記載
の組成物を用いることもできる。
光性組成物を被露光材上に形成して、これにより被露光
材のパターニングを行うパターン形成方法である。請求
項１の感光性組成物として、請求項２や請求項３に記載
の組成物を用いることもできる。
【００１７】本出願の発明は、次のような態様で好まし
く実施することができる。即ち、ポリカーボネート樹脂
の骨格であるビスフェノール部分を水添により、シクロ
ヘキシル基とする。これにより、２４８ｎｍ、１９３ｎ
ｍの波長の光に対する透過率が上がる。なおこの分、ド
ライエッチング耐性は落ちる可能性はあるが、シクロヘ
キシル基自体は脂環式化合物の中では、比較的ドライエ
ッチング耐性は高い方である。
く実施することができる。即ち、ポリカーボネート樹脂
の骨格であるビスフェノール部分を水添により、シクロ
ヘキシル基とする。これにより、２４８ｎｍ、１９３ｎ
ｍの波長の光に対する透過率が上がる。なおこの分、ド
ライエッチング耐性は落ちる可能性はあるが、シクロヘ
キシル基自体は脂環式化合物の中では、比較的ドライエ
ッチング耐性は高い方である。
【００１８】本発明に用いることができる上記樹脂の合
成方法としては、以下の２種類の方法を例示でき
る。 原料であるビスフェノール誘導体をあらかじめ水添
し、ホスゲン（ＣＯＣｌ2 ）と反応させて、エステル化
する方法。 樹脂自体を水添し、透過率を上げる方法。 水添には、ベンゼン環をＨ2 で還元しなければならない
ので、ラネーニッケルなどの触媒を用い、数１０ｋｇ／
ｃｍ2 以上の圧力で、オートクレーブ等を用いてこの水
添を行う必要がある。この条件では、カーボネート部分
のカルボニル基は水添されない。この水添により、樹脂
透過率は、例えば、２４８ｎｍの波長の光に対し、０．
１〜０．２μｍ-1、１９３ｎｍの波長の光に対し、０．
４〜０．８μｍ-1まで高めることができる。
成方法としては、以下の２種類の方法を例示でき
る。 原料であるビスフェノール誘導体をあらかじめ水添
し、ホスゲン（ＣＯＣｌ2 ）と反応させて、エステル化
する方法。 樹脂自体を水添し、透過率を上げる方法。 水添には、ベンゼン環をＨ2 で還元しなければならない
ので、ラネーニッケルなどの触媒を用い、数１０ｋｇ／
ｃｍ2 以上の圧力で、オートクレーブ等を用いてこの水
添を行う必要がある。この条件では、カーボネート部分
のカルボニル基は水添されない。この水添により、樹脂
透過率は、例えば、２４８ｎｍの波長の光に対し、０．
１〜０．２μｍ-1、１９３ｎｍの波長の光に対し、０．
４〜０．８μｍ-1まで高めることができる。
【００１９】この樹脂を用いたパターン形成は、通常の
化学増幅レジストを用いる場合の方法と同じでよい。即
ち、被露光材である例えばウェハに回転塗布後、ベーク
し、露光光例えばＫｒＦあるいはＡｒＦエキシマレーザ
ー光でパターン露光を行った後、ＰＥＢ（露光後ベー
ク）を行い、アルカリ水溶液あるいは有機溶媒で現像
後、水あるいは低極性有機溶媒でリンスする手段を採用
することができる。
化学増幅レジストを用いる場合の方法と同じでよい。即
ち、被露光材である例えばウェハに回転塗布後、ベーク
し、露光光例えばＫｒＦあるいはＡｒＦエキシマレーザ
ー光でパターン露光を行った後、ＰＥＢ（露光後ベー
ク）を行い、アルカリ水溶液あるいは有機溶媒で現像
後、水あるいは低極性有機溶媒でリンスする手段を採用
することができる。
【００２０】この材料のパターン形成メカニズムは明ら
かではないが、以下のような反応となっていると考えら
れる。
かではないが、以下のような反応となっていると考えら
れる。
【００２１】
【化３】
【００２２】このとき、脱ＣＯ2 、またオレフィン生成
が起こると考えられる。このようにして主鎖切断したも
のが水分と反応し、フェノール、あるいはオレフィンと
なると考えられる。フェノールは酸であるから、アルカ
リ水溶液にも溶けるようになる。また低分子量化するた
め、有機溶媒に可溶となる。
が起こると考えられる。このようにして主鎖切断したも
のが水分と反応し、フェノール、あるいはオレフィンと
なると考えられる。フェノールは酸であるから、アルカ
リ水溶液にも溶けるようになる。また低分子量化するた
め、有機溶媒に可溶となる。
【００２３】本出願の発明の実施に際しては、光により
−ＯＣＯ・Ｏ結合を分解する物質を発生する化合物とし
て、次のような光酸発生剤を使用することができる。
−ＯＣＯ・Ｏ結合を分解する物質を発生する化合物とし
て、次のような光酸発生剤を使用することができる。
【００２４】
【化４】
【００２５】
【化５】
【００２６】
【化６】
【００２７】
【作 用】本発明によれば、短波長の光、好ましくは２
５０ｎｍ以下の波長光、更に好ましくは２００ｎｍ以下
の光についても高い透過率を有する樹脂を母体とする感
光性組成物を提供でき、また、これを用いた微細加工可
能なパターン形成方法を実現できる。
５０ｎｍ以下の波長光、更に好ましくは２００ｎｍ以下
の光についても高い透過率を有する樹脂を母体とする感
光性組成物を提供でき、また、これを用いた微細加工可
能なパターン形成方法を実現できる。
【００２８】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。但し当然の
ことではあるが、本発明は実施例により限定されるもの
ではない。
ことではあるが、本発明は実施例により限定されるもの
ではない。
【００２９】実施例１ 分子量１万のポリカーボネート樹脂を水添したもの１０
ｇに、感光剤としてジフェニルヨードニウムトリフレー
ト０．５ｇを加え、２０ミリリットルのＥＣＡ（エチル
セロソルブアセテート）に溶解後、０．３μｍの細孔を
有するメンブレンフィルターで濾過したものを塗布溶液
とした。これを５インチシリコン基板上（ＨＭＤＳ処理
済み）に回転塗布後、９０℃、９０秒でベークして１μ
ｍの膜厚のレジストフィルムを準備した。
ｇに、感光剤としてジフェニルヨードニウムトリフレー
ト０．５ｇを加え、２０ミリリットルのＥＣＡ（エチル
セロソルブアセテート）に溶解後、０．３μｍの細孔を
有するメンブレンフィルターで濾過したものを塗布溶液
とした。これを５インチシリコン基板上（ＨＭＤＳ処理
済み）に回転塗布後、９０℃、９０秒でベークして１μ
ｍの膜厚のレジストフィルムを準備した。
【００３０】これを、２４８ｎｍの波長の露光光を与え
るＫｒＦエキシマレーザーステッパＮＳＲ１５０５ＥＸ
（ＮＡ０．４２）で、露光量とフォーカスを変えながら
露光した後、１１０℃、９０秒ＰＥＢした。
るＫｒＦエキシマレーザーステッパＮＳＲ１５０５ＥＸ
（ＮＡ０．４２）で、露光量とフォーカスを変えながら
露光した後、１１０℃、９０秒ＰＥＢした。
【００３１】ＴＭＡＨ現像液（２．３８％、ＮＨＤ−
Ｗ、東京応化製）で６０秒パドル現像し、水洗したとこ
ろ、０．３０μｍライン・アンド・スペースまで解像し
ていた。
Ｗ、東京応化製）で６０秒パドル現像し、水洗したとこ
ろ、０．３０μｍライン・アンド・スペースまで解像し
ていた。
【００３２】本実施例によれば、吸収の少ない材料で、
良好な微細パターンを形成することができた。ドライエ
ッチング耐性も、実用上問題のないレベルであった。本
実施例の如き感光性組成物（レジスト材料）は、６４Ｍ
ＳＲＡＭ、２５６ＤＲＡＭ以降のデバイスの製作に非常
に有効である。
良好な微細パターンを形成することができた。ドライエ
ッチング耐性も、実用上問題のないレベルであった。本
実施例の如き感光性組成物（レジスト材料）は、６４Ｍ
ＳＲＡＭ、２５６ＤＲＡＭ以降のデバイスの製作に非常
に有効である。
【００３３】実施例２ 本実施例では、１９３μｍの波長の露光光を与える試作
ＡｒＦエキシマレーザーステッパを用いて、実施例１と
同様に行ったところ、本実施例では、０．２５μｍライ
ン・アンド・スペースまで解像が可能であった。微細加
工という点で、本実施例は更にすぐれている。
ＡｒＦエキシマレーザーステッパを用いて、実施例１と
同様に行ったところ、本実施例では、０．２５μｍライ
ン・アンド・スペースまで解像が可能であった。微細加
工という点で、本実施例は更にすぐれている。
【００３４】実施例３，４ 上記実施例１，２において、現像液としてアルカリ現像
液を用いず、アニソール／トルエン３：７の溶液で現像
後、ヘキサンでリンスした。このようにしても、同様な
パターンが得られた。
液を用いず、アニソール／トルエン３：７の溶液で現像
後、ヘキサンでリンスした。このようにしても、同様な
パターンが得られた。
【００３５】実施例５，６ 上記実施例１，２において、感光剤を塩素系のものやス
ルホン酸エステルのものに変えた。この場合、感度はそ
れぞれ５倍〜１０倍と低下したが、やはり同等のパター
ンが得られた。
ルホン酸エステルのものに変えた。この場合、感度はそ
れぞれ５倍〜１０倍と低下したが、やはり同等のパター
ンが得られた。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、微細加工が可能な光領
域（例えば、２５０ｎｍ以下の２４８ｎｍや、２００ｎ
ｍ以下の１９３ｎｍ領域）においても高い透過率を有す
る感光性組成物を提供でき、また、微細加工が可能なパ
ターン形成方法を提供することができた。
域（例えば、２５０ｎｍ以下の２４８ｎｍや、２００ｎ
ｍ以下の１９３ｎｍ領域）においても高い透過率を有す
る感光性組成物を提供でき、また、微細加工が可能なパ
ターン形成方法を提供することができた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０３ 7/039 // Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】主鎖に−ＯＣＯ・Ｏ−結合を含み、主鎖の
炭素鎖が単結合から成る化合物と、 光により、−ＯＣＯ・Ｏ−結合を分解する物質を発生す
る化合物とを含有することを特徴とする感光性組成物。 - 【請求項２】主鎖に−ＯＣＯ・Ｏ−結合を含み、主鎖の
炭素鎖が単結合から成る化合物が、ポリカーボネート樹
脂を水素添加して得たものであることを特徴とする請求
項１に記載の感光性組成物。 - 【請求項３】ポリカーボネート樹脂が、両末端がＯＨ基
であるジオールから形成されたものであることを特徴と
する請求項２に記載の感光性組成物。 - 【請求項４】主鎖に−ＯＣＯ・Ｃ−結合を含み、主鎖の
炭素鎖が単結合から成る化合物と、 光により、−ＯＣＯ・Ｏ−結合を分解する物質を発生す
る化合物とを含有する感光性組成物を被露光材上に形成
して、これにより被露光材のパターニングを行うことを
特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5153045A JPH06340802A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 感光性組成物及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5153045A JPH06340802A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 感光性組成物及びパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06340802A true JPH06340802A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=15553772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5153045A Pending JPH06340802A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 感光性組成物及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06340802A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003032091A1 (fr) * | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Yokohama Tlo Company, Ltd. | Procede de formation d'image grace a un developpement de reaction |
| US6586154B1 (en) * | 1999-10-11 | 2003-07-01 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Photoresist polymers and photoresist compositions containing the same |
| JP2006501320A (ja) * | 2002-07-31 | 2006-01-12 | ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． | 感光性底反射防止膜＜発明の背景＞ |
| WO2013076099A1 (de) * | 2011-11-24 | 2013-05-30 | Bayer Intellectual Property Gmbh | Herstellung und verwendung von hochmolekularen aliphatischen polycarbonaten |
| JP2015197519A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 住友精化株式会社 | ポジ型フォトレジスト |
| JP2017003877A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 反応現像画像形成法、反応現像画像形成法に用いられる感光性樹脂組成物、および反応現像画像形成方法により製造された基板ならびに構造物 |
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| CN111253563A (zh) * | 2020-01-14 | 2020-06-09 | 浙江大学 | 一种聚碳酸酯作为紫外光刻胶材料的应用 |
| WO2023210579A1 (ja) * | 2022-04-26 | 2023-11-02 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP5153045A patent/JPH06340802A/ja active Pending
Cited By (11)
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