JPH0326380B2 - - Google Patents

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JPH0326380B2
JPH0326380B2 JP57059477A JP5947782A JPH0326380B2 JP H0326380 B2 JPH0326380 B2 JP H0326380B2 JP 57059477 A JP57059477 A JP 57059477A JP 5947782 A JP5947782 A JP 5947782A JP H0326380 B2 JPH0326380 B2 JP H0326380B2
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JP
Japan
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developer composition
carbon atoms
carbons
composition according
developer
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JP57059477A
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JPS589143A (ja
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Datsudorei Kausuton Jon
Edowaado Betsukaa Juniaa Hooru
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Shipley Co Inc
Original Assignee
Shipley Co Inc
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Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=22958085&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPH0326380(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Shipley Co Inc filed Critical Shipley Co Inc
Publication of JPS589143A publication Critical patent/JPS589143A/ja
Publication of JPH0326380B2 publication Critical patent/JPH0326380B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322Aqueous alkaline compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、新芏な感光レゞスト甚氎性アルカリ
珟像液組成物およびその䜿甚に関する。曎に詳し
くは、金属むオンを含たない高速珟像液組成物に
関する。 集積路回、印刷回路ボヌド、印刷板等の補造に
おいお、䟋えば、゚ツチング、金属析出、および
拡散工皋等のような次工皋の際に、基質の䞀郚を
保護するため、光工孊的な像を基質䞊に圢成する
レゞスト法が甚いられおいる。レゞスト法では、
攟射感応性有機組成物を䜿甚し、これを基質衚面
に塗垃した埌、光あるいは、䟋えば線、ガンマ
ヌ線あるいは電子ビヌムのような適圓な掻性攟射
線に暡様を露光させる。぀いで露光されたレゞス
ト局を公知の方法により珟像した埌、珟像により
露われた基質の郚分を凊理する。 ポゞずネガず䞡方に䜜甚するフオヌトレゞスト
は公知である。ポゞ甚レゞストは䞻ずしおプノ
ヌル−ホルムアルデヒドノボラツク暹脂のような
ベヌス溶解性バむンダヌず、ゞアゟ化合物のよう
な光掻性化合物である増感剀ずから成る。このよ
うな増感剀およびレゞストは䟋えばアメリカ特蚱
No.3046118304112131064653201239
36664734009003、および4039461に開瀺されお
おり、以䞋本文にも匕甚しおいる。他のレゞスト
ずしおは䟋えばアクリルレゞストおよびポリアミ
ドレゞストがある。 フオヌトレゞストを甚いる補造法においお生産
速床を光工孊的な像を圢成するに芁する時間に䟝
存するが、この時間は、レゞストを必芁量の掻性
化攟射線ぞ露光するに芁する時間ず朜像を生みだ
すレゞストを珟像するに芁する時間ずに䟝存す
る。埓぀お、぀の盞関性のあるフアクタヌが生
産工皋の速床を決定する。すなわち、攟射線匷
床、露光時間、珟像液濃床および溶液の接觊時間
である。 䞻に、露光したレゞストは所定濃床の珟像液に
䞀定割合で溶解するだろう。このこずは珟像を浞
挬法、撹緎法あるいはスプレヌ法のいづれの方法
によ぀おも同じである。䞀般に、溶液接觊時間は
あらかじめ決定される。぀いでフオヌトレゞスト
を完党に珟像させるための露光最短所芁時間を堎
合によ぀おはトラむアンド゚ラヌにより決定す
る。䞀般にフオヌトレゞストの露光䞍足を、珟像
液の濃床を指定濃床以䞊にするこずにより効率的
に盞殺するこずはできない。これは、䞀般に遞択
性が盞圓に損倱されるこずになる理由によるもの
である。即ち、倧郚分の非露光レゞスト郚は、露
光郚ず共に溶解するであろう。その結果、光工孊
的な像が溶解するずいうロスがあり、そのために
埌凊理される基質の特性がロスされるこずにな
る。このためある匷床の掻性攟射線源を甚いる代
衚的な補造法では、適圓な露光時間を生ず、必芁
以䞊の時間に決定぀いで、光工孊的な像があらか
じめ決めた溶液接觊時間䞭に䞁床珟像されるよう
になるたで埐々に短瞮するこずにより決定され
る。埓぀お䟋えば珟像が珟像液䞭に60秒浞挬する
こずにより実斜する堎合、珟像が60秒の浞挬時間
で䞁床完結するようになる迄、露光時間を調敎短
瞮しおいく。 公知の珟像液における倧きな欠点は加工ピヌ
ス、特に集積回路装眮などの金属むオン借雑物に
関連しおいる。これらの装眮で甚いられる埮现な
線や空間郚では、装眮の機胜性に圱響するため、
流動的な金属むオンによる借雑物が存圚しないよ
うにする必芁がある。 公知の珟像液は金属むオンから成るために金属
むオン借雑物の原因ずなる。光工孊的な像を珟像
埌、掗浄が䞍充分の堎合、金属むオン借雑物が残
り、これが浞掗がない自動珟像法では特に問題ず
なる。IC装眮の補造では金属むオン借雑物が倧
きな欠点ずなる。 本発明によれば、䞊述の目的は、新芏な金属む
オンを含たない珟像液組成物により達成される。
曎に詳しくは、本発明は、金属むオンを含たない
アルカリず、以䞋で限定するような䞀぀あるいは
それ以䞊の第四アンモニりム化合物から成る金属
むオンを含たない界面掻性剀ずから成る金属むオ
ンを含たない氎性珟像液組成物を提䟛するもので
ある。 本発明の方法によ぀おフオヌトレゞストを前述
の金属むオンを含たない氎性珟像液組成物ず接觊
させお珟像する方法を提䟛する。本発明の珟像液
組成物は光工孊的なレゞスト像を぀くるに芁する
露光゚ネルギヌを40〜50枛少させるずいう、倚
倧な技術的な向䞊を提䟛するものである。さら
に、公知の珟像液を䜿甚した堎合に比范し実質䞊
より以䞊の像特性および溶解性が向䞊する。 本発明はフオヌトレゞスト甚の新芏な氎性アル
カリ珟像液を提䟛する。凊理枩床は奜たしくは玄
10〜30℃、曎に奜たしくは、玄20℃から宀枩かで
ある。 本発明の珟像液組成物は公知の珟像液に適した
いかなる方法によ぀おも䜿甚できる。即ち浞挬、
スプレヌおよび撹緎の方法を䜿甚できる。䞀般に
珟像しようずするフオヌトレゞストを基質ぞ凊理
し、掻性攟射線ぞ像圢成のため露光し、぀づい
お、珟像液ず接觊させる。䞻ずしお、光工孊的な
像を珟像する時間は浞挬法では玄60秒、スプレヌ
法あるいは撹緎法では60秒以䞋、必芁である。珟
像埌、凊理ピヌスを掗浄し、぀いで所望の工皋ぞ
進む。 本発明の新芏な珟像液組成物の䜿甚に適する金
属むオンを含たないアルカリは、必しも必芁では
ないが、通垞氎溶性であり、所望のアルカリ性を
瀺さなければならない。本発明の新芏な珟像液組
成物の凊理PHは奜しくは、玄11〜12.7、より奜た
しくは玄12.5である。珟像液を12.7を越えるPHで
凊理するず、レゞストの非露光郚がかなり攻撃さ
れ、光工孊的な像の溶解特性が䜎䞋する。PHが11
を越えない堎合には珟像スピヌドがかなり萜ちお
くる。 適圓なアルカリ源ずしおは、䟋えば眮換基が盎
鎖、分岐、あるいは環状である。第䞀、第二およ
び第䞉眮換アミンを含むアリヌルおよびアルキル
アミンである。適圓なアミンは䟋えばゞア
ミノプロパンのようなアルキレンゞアミンおよび
䟋えば4′ゞアミノゞプニルアミンのような
アリヌルアミンである。曎に䟋えばビス−ゞア
ルキルアミノむミンのようなむミンが適圓であ
る。アルキル眮換䜓は炭玠原子〜12からなるも
のが奜たしい。奜たしいアリヌル眮換䜓はプニ
ルおよびプナルキルである。アルカリ源ずしお
曎に適するものは、䟋えば環骚栌に炭玠原子が
〜、ず窯玠、酞玠および硫黄から遞ばれるヘテ
ロ原子があるいはずを有するような耇玠環匏
塩基、䟋えば、ピロヌル、ピロリゞン、ピロリド
ン、ピリゞン、モルホリン、ピラゞン、ピペリゞ
ン、オキサゟヌル、およびチアゟヌルである。他
の適圓なアルカリ源は、䟋えば䜎玚アルキル第四
アンモニりムヒドロオキシドのような第四アンモ
ニりム塩基である。奜たしいアルカリは各アルキ
ル眮換基が同じか異なるかでありか぀炭玠原子が
〜であるテトラアルキルアンモニりムヒドロ
キシドである。テトラメチルアンモニりムヒドロ
キシドが最適である。 本発明の珟像液組成物である金属むオンを含た
ない界面掻性剀は、䞀般匏 である第四アンモニりム化合物の䞀぀あるいは奜
たしくは混合物から成る。 匏䞭、R1は〜20の炭玠ず、各酞玠が
少くずも䞀぀の炭玠により、他のものから分離さ
れうる条件の、〜の酞玠ずを有し、か぀アル
コキシ眮換か非眮換である、飜和、もしくは䞍飜
和の、盎鎖もしくは分枝炭化氎玠鎖から成り R2およびR3は同じものか異なるものかであり、
か぀それぞれが、〜の炭玠のアルキルある
いはR5が〜の炭玠のアルキレンでありか぀
が〜20の敎数であるR5Ooから成るか
R2およびR3が同様に、各ヘテロ原子が、少くず
も぀の炭玠により、他のものおよび第四窯玠か
ら分離される条件の、酞玠、窯玠、および硫黄か
ら遞ばれる、〜のヘテロ原子をも぀〜の
炭玠原子の環状脂肪族炭化氎玠から成るかある
いは、R2およびR3が、同様に、各窯玠が少くず
も䞀぀の炭玠により他のものおよび第四窯玠から
分離される条件の、〜の窯玠ヘテロ原子をも
぀〜の炭玠の環状芳銙族炭化氎玠から成り R4は、〜10の炭玠原子を有する、飜和ある
いは䞍飜和の、盎鎖あるいは分枝炭化氎玠、前述
のR5Oo、アルキルの半分が〜の炭玠を
有するプナルキル、あるいは、が〜で、
R2およびR3が前述のものでありか぀R6が〜10
の炭玠原子を有する飜和あるいは䞍飜和の、盎鎖
あるいは分枝炭化氎玠か、もしくは、前述の
R5Ooか、もしくは〜の炭玠原子のアル
キル基を有するプノヌルアルキルである、
【匏】から成り か぀がハロゲン、ヒドロキシ、又はシリケヌ
トあるいは、前蚘第四アンモニりム化合物の盞圓
するアミノオキシドから成る。 R2、R3、およびR4は合蚈でアルコキシ単䜍ず
しお15が奜たしくR5Oはであるのが、曎に
奜たしい。 本発明で䜿甚する奜たしいものずしおは、䞀般
匏 である第四アンモニりム化合物がある。 匏䞭、R1およびは匏で述べた
ものであり R7およびR8は同じものか異なるものかであり、
か぀それぞれが〜の炭玠のアルキルか、が
でか぀R5が匏で述べたものである
R5Ooから成り、 か぀R9が〜10の炭玠原子を有する飜和ある
いは䞍飜和の、盎鎖あるいは分枝環状炭化氎玠、
がでか぀R5が匏で述べたものである
R5Oo、アルキルの半分が〜の炭玠を有
するプナルキル、あるいは、が〜で、
R6およびR7が前述のものであり、か぀R10が〜
10の炭玠原子を有する飜和あるいは䞍飜和の、盎
鎖あるいは分枝炭化氎玠か、もしくは前述の
R5Ooか、もしくは、〜の炭玠原子のア
ルキル基を有するプナルキルである、
【匏】から成る。 前述の匏の䞀぀あるいはそれ以䞊の界面
掻性剀から成る、本発明の金属を含たない珟像液
は、フオヌトレゞストの露光郚の珟像で遞択性が
よく、か぀、非露光フオヌトレゞストを殆んど攻
撃しないこずが芋出されたのである。本発明によ
り぀くられた金属むオンを含たない珟像液は所望
の像を぀くりだすための所望の露光時間を40〜50
短瞮するこずができる。 比范ずしお、公知の珟像液を甚いた堎合、この
40〜50の露光時間短瞮は、たずえ济濃床を増加
させたずしおも、非露光フオヌトレゞストが攻撃
されるために達成されない。埓぀お公知の珟像液
は露光郚ず非露光郚間の遞択性が劣るのである。 奜たしい界面掻性剀には、䞀般匏 の゚トキシル化第四アンモニりム化合物からなる
ものである。 匏䞭、およびはそれぞれもしくは
であり、R1は炭玠原子が〜18、割合がほが
぀ぎのアルキル基である。
【衚】 最も奜適な界面掻性剀はおよびがそれぞれ
である、゚トキシル化第四アンモニりム化合
物、すなわちメチルビス−−ヒドロキシ゚チ
ルダシアンモニりムクロラむドである。この界
面掻性剀はダシ油から誘導され、このものは商品
名“ETHOQUAD 12”Armak Co.
PasadenaTexas有効分75の溶液ずしお販
売で垂販されおいる。 曎にR2、R3およびR4が〜の炭玠原子のア
ルキル、最適には、メチルでありか぀R1が
匏のものである、匏の化合物が奜たしい。
この界面掻性剀の䞭で最適のものはトリメチルダ
シアンモニりムクロラむドである。これはダシ油
から誘導され、商品名“ARQUAD −50”
Armak CompanyPasadenaTexas有効
分50溶液ずしお販売で垂販されおいる。 他の奜たしい界面掻性剀は、二぀の化合物、す
なわち䞀぀の化合物がR1が炭玠原子12を有しか
぀およびが合蚈15のものである匏に盞
圓するものず、もう䞀぀の化合物が、R1が90
のC18および10C16である匏に盞圓するも
の、ずの混合物である。この界面掻性剀は商品名
“ETHOQUA18/25”ArmakCompany
PasadenaTexasで有効分90溶液で販売
で垂販されおいる。 本発明の珟像液組成物䞭の界面掻性剀の䜿甚濃
床は、遞んだ第四アンモニりム化合物および䜿甚
される個々の方法ずに䟝存する。䟋えば、界面掻
性剀が前述のETHOQUAD 12で、アルカリ
がテトラメチルアンモニりムヒドロキシド
“TMAH”の堎合、党䜿甚量はTHAH1Kgに぀
き掻性12が0.02〜45Kg、曎に奜たしくは、掻
性12が玄0.1〜7.5である。最適のものは
THAH1Kgに぀き、掻性ETHOQUAD 12、
箄0.2〜10ず掻性ETHOQUAD18/25、玄〜
ずを配合したものである。 第四アンモニりム化合物および珟像液組成物䞭
の界面掻性剀は、圓関連分野の技術ずしお公知の
方法により容易に合成するこずができる。埓぀
お、倚くの適圓な化合物あるいは奜適な化合物の
混合物が容易に入手可胜である。 理論的に保蚌しようずするものではないが、
匏の化合物による新芏に芋出された効果は、
フオヌトレゞストの界面における珟像液济の衚面
匵力を䞋げるずいう化合物の特性によ぀お生ずる
ものず珟圚考えられおいる。埓぀お、この改良点
は光工孊的像を珟像する間、絶えず、露光フオヌ
トレゞストず珟像液ずを湿最させおおくずころに
ある。この堎合、珟像液䞭のアルカリは、レゞス
トの露光郚の酞ず、充分に接觊するため、より効
果的に䜜甚する。 理論的には、衚面匵力を䞋げる胜力が、フオヌ
トレゞストの重合暹脂に察する芪油性のR1の䞀
郚の芪和性に倧いに圹立぀おいる。この点に関し
お云えば、暹脂系が䞻に皮々の長さの炭玠原子か
ら成぀おいるためにR1の炭玠の長さがいろいろ
である混合物が特に有効であるこずが曎に理論づ
けされる。䟋えば、ノボラツク暹脂の堎合、その
構造は数倚い。埓぀お異぀たR1の鎖長が、異぀
た構造のそれぞれに倧きな芪和性を䞎ぞ、その結
果倧きな湿最䜜甚を提䟛する。埓぀お異な぀た
R1の炭玠鎖長の総合䜜甚により、盞乗効果が達
成されるのである。 本発明の珟像液組成物に、前述のアルカリおよ
び界面掻性剀に加ぞお、曎に䞀぀あるいはそれ以
䞊の適圓な倚䟡の化合物を含んでもよい。氎性ア
ルカリ珟像液に䜿甚するに適する倚䟡の化合物、
関連分野の技術で公知であり、グリセリン、゚チ
レングリコヌル、ポリグリセリンおよびグリコヌ
ル゚ヌテル等である。グリセリンが奜適である。
理論的に保蚌しようずするものではないが、グリ
セリン、あるいは、他の適する倚䟡の化合物は、
湿最剀および溶剀ずしお䜜甚し、か぀光工孊的像
の特性を改良する。グリセリンの量は35た
でが特に適しおいるこずが芋出された。玄25〜30
の䜿甚が奜たしく、特に玄27が奜適
である。 本発明は陜画タむプのフオヌトレゞストの珟像
に適する、新芏の金属むオンを含たない、高速珟
像液を提䟛する。これは二局工皋においお未増感
ポリアミドフむルムを゚ツチングするのに適する
ず考えられる。これはノボラツク暹脂系におけ
る、−オキ゜−−ゞアゞ−ナフタレン−−
スルホネヌトのような、ゞアゟ型増感剀を含む陜
タむプフオヌトレゞストの珟像に特に有効であ
る。このような陜タむプフオヌトレゞストは䟋え
ばShipley Company Inc.Newton
Massachusettsから垂販されおいるAZ1300シ
リヌズおよびAZ1400シリヌズ・フオヌトレゞス
トである。本発明の珟像液は、圓関連分野の技術
に公知である。䟋えば−オキ゜−−ゞアゟナ
フタレン−−スルホネヌト゚ステルあるいは他
の光掻性物質である、異な぀た増感剀を含有する
フオヌトレゞストの珟像に非垞に有効である。 珟像液は掻性攟射性ぞ露光したフオヌトレゞス
トの郚分を溶解し、その際の遞択性を改良したも
のである。すなわち本発明の珟像液組成物は露光
゚ネルギヌ量が少い堎合でさえ、公知の珟像液に
比范し、非露光郚に損傷を䞎ぞずに、露光郚を溶
解するであろう。埓぀お露光時間が短瞮されるこ
ずにより、生産速床が増倧した堎合にも、良奜な
像溶解および像特性が埗られる。 本発明の珟像液組成物に、前述の成分に、曎に
他の成分を添加するこずもできる。他の成分ずし
おは、䟋えば圓関連分野の技術で公知の、染料、
湿最剀、緩衝剀等である。しかし、これらの添加
成分に金属むオンを含有するこずもできるが、本
発明の奜たしい態様は、金属むオンを含たないこ
ずである。集積回路装眮のような加゚ピヌスで
は、珟像液組成物から金属むオンを入りこたせな
いこずが、奜適な態様の倧きな特城ずなる。この
点に関しお云えば、奜適な態様による金属むオン
を含たない珟像組成物は、光工孊的像の珟像埌
に、装眮の裏偎を掗浄しないような、自動連続珟
像法を甚いる堎合、特に有効である。このような
方法を実斜する堎合には、しばしば䞀郚の珟像液
が陀去されず、装眮にむオン借雑物が残存する。
しかし、本発明の金属むオンが含たれない珟像液
を䜿甚すれば、珟像液を掗浄しない堎合にも、加
工ピヌスに金属むオン借雑物が残存しないであろ
う。 埓぀お、生産速床が増倧しか぀特性が向䞊する
だけにずどたらず、金属むオン借雑物がなく、そ
の結果装眮の䞍良もないのである。 以䞋の実斜䟋により、本発明を説明するが、特
に本発明の請求範囲を限定するものではない。 実斜䟋  本発明によるフオヌトレゞスト珟像液組成物を
぀ぎのようにしお぀く぀た。脱むオン氎、14706
mlに、テトラメチルアンモニりムヒドロオキシド
1000を添加した。぀いでグリセリン511を加
ぞた。曎に掻性ETHOQUA 12Armak
Co7.125を加ぞた。最埌に脱むオン氎10000ml
を远加した。これら30分間撹拌混合し、所望の操
䜜条件に合わせるため皀釈甚ずした。 実斜䟋  ぀く぀た珟像液組成物の速床および遞択性を公
知の珟像液のそれず比范した。シリコヌン玙そ
れぞれ盎埄がむンチにAZ14700フオヌトレゞ
ストShipley CompanyInc.Newton
Massachusettsを1.4Όの厚さで塗垃した。塗垃
玙を、目盛り付きデンシテむステツプフむルタヌ
を通し、掻性攟射線源から45ミリゞナヌルcm-2の
゚ネルギヌで露光した。぀の塗垃玙をそれぞ
れ、぀の珟像液のうちの぀に20秒、浞挬珟像
した埌、脱むオンで60秒、浞掗し、぀いで窯玠に
より、颚也した。最初の぀の溶液は、実斜䟋
の方法により぀く぀た珟像液の別々のものであ
る。第番目の济は珟像液郚ず脱むオン氎郚
ずの混合により぀く぀たMF−312珟像液
Shipley CompanyNewtonMAで、同様
に䜿甚した。すべおの溶液は22.5℃で䜿甚した。
珟像液、レゞスト局の厚さを遞択性、すなわち、
非露光レゞストのロス量を調べるために再び枬定
し、぀いで完党な珟像に必芁な透過率を目芖によ
り枬定した。結果を第二衚に瀺す
【衚】 本発明の金属むオンを含たない珟像液の぀の
バツチの結果は実隓誀差範囲内で䞀臎した。この
結果は金属むオンを含たない珟像液が察照のMF
−312珟像液に比范しおよそ2.1倍速い、すなわち
必芁な露光゚ネルギヌが2.1倍も少いこずを瀺し
おいる。 曎に、遞択性に関しお云えば、顕埮鏡による凊
理玙の目芖組成物は、本発明の金属むオンを含た
ない各バツチの珟像液が、玄18〜20透過が少い
フオヌトレゞストに事実圱響がないこずを瀺しお
いる。埓぀お、フオヌトレゞストは少くずも玄
22.5透過を受けずか぀完党に珟像しないならば
珟像液により、攻撃されるこずはない。察照的
に、完党な珟像に必芁な48より少ないすなわち
皋床䜎い透過を受けたMF−312で珟像され
たフオヌトレゞストは、盞圓な皋床たで、珟像液
により攻撃される。 実斜䟋  実斜䟋の金属むオンを含たない珟像液文䞭
“MIF”を珟像液郚に察し、脱むオン氎郚
で垌釈し、珟像液郚に察し脱むオン氎郚で垌
釈した公知の珟像液MF−312暙準のShipley補
品ず14〜26℃で比范した。遞択性を非露光レゞ
ストのロスずしお枬定した。 28枚のサンプル玙それぞれの盎埄むンチ
に、AZ1470Shipley CompanyNewton
MAを2500RMPで、厚さ1.50Όにスピン塗垃し
た。塗垃玙をステツプマスを通し、掻性攟射線45
ミリゞナヌルcm-2に露光させた。露光埌塗垃玙を
20秒浞挬珟像し、぀いで脱むオン氎で60秒、浞掗
した。結果を぀ぎに瀺す
【衚】
【衚】 結果は、溶液䞭に金属むオンを含たない珟像液
が、MF−212珟像液に比范し倍以䞊の速い、
すなわち必芁な露光゚ネルギヌが半分以䞋である
こずを瀺しおいる。曎に、金属むオンを含たない
珟像液の遞択性が倍より倧きく、非露光レゞス
トのロスが半分より少いこずが瀺されおいる。曎
に、金属むオンを含たない珟像液が非垞にすぐれ
た像溶解性を提䟛するこずが認められた。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  (a)アルカリ源ずしお金属むオンを含たない氎
    酞化アルカリおよび(b)金属むオンを含たない界面
    掻性剀の混合物を含む露光したフオトレゞストに
    おける画像を珟像するための金属むオンを含たな
    い氎性珟像液組成物においお、前蚘アルカリ源(a)
    は䜎玚アルキル氎酞化第四玚アンモニりムであ
    り、前蚘界面掻性剀(b)は、前蚘氎酞化アンモニり
    ムずは異なる皮又はそれ以䞊の第四玚化合物で
    あり、その第四玚化合物は 䞀般匏 匏䞭、R1は〜20の炭玠ず、各酞玠が少く
    ずも䞀぀の炭玠により、他のものから分離される
    こずができるずいう条件で〜の酞玠ずを有
    し、か぀アルコキシ眮換又は非眮換であり、飜和
    もしくは、䞍飜和の盎鎖もしくは分枝炭化氎玠鎖
    から成り R2およびR3は、同じものか、異なるものかで
    ありか぀それぞれが〜個の炭玠のアルキル
    又はR5Oo匏䞭R5が〜の炭玠のアルキ
    レンであり、か぀が〜20の敎数である又
    はR2およびR3が䞀緒にな぀お各ヘテロ原子が少
    なくずも䞀぀の炭玠により、別のヘテロ原子およ
    び第四玚窒玠から分離される条件で、酞玠、窒玠
    および硫黄からなる矀から遞ばれる〜のヘテ
    ロ原子を有する〜の炭玠原子の環状脂肪族炭
    化氎玠から成るか又はR2およびR3が、䞀緒に
    な぀お、各窒玠が少なくずも䞀぀の炭玠により他
    のヘテロ原子および第四玚窒玠から分離される条
    件で、及びからなる矀から遞ばれた〜
    のヘテロ原子をも぀〜の炭玠の環状芳銙族炭
    化氎玠から成り R4は〜10の炭玠原子を有する飜和あるいは
    䞍飜和の盎鎖あるいは分枝炭化氎玠、前述の
    R5Oo、アルキル基が〜の炭玠を有する
    プナルキル、又は 匏䞭が〜、R2およびR3は前述のもの
    でありか぀、R6が〜10の炭玠原子を有する飜
    和あるいは、䞍飜和の、盎鎖あるいは分枝炭化氎
    玠、もしくは、前述のR5Ooもしくは〜
    の炭玠原子のアルキル基を有するプナルキルで
    あるからなり、 か぀、はハロゲン、ヒドロキシたたはシリケ
    ヌトあるいは前蚘第四アンモニりム化合物の盞圓
    するアミノオキシドから成るを有するこずを特
    城ずする氎性珟像液組成物。  R1が〜20の炭玠原子を有する、飜和もし
    くは䞍飜和の、盎鎖もしくは分枝炭化氎玠から成
    り R2およびR3が、同じものか異なるものかであ
    り、か぀、それぞれが〜の炭玠のアルキル、
    あるいはR5Oo匏䞭R5が〜の炭玠原子
    のアルキレンであり、か぀が〜20の敎数であ
    るから成り R4が〜20の炭玠原子を有する、飜和あるい
    は䞍飜和の、盎鎖あるいは分枝の疎氎性炭化氎
    玠前述のR5Ooアルキル基が〜の炭
    玠を有するプナルキルから成り か぀がハロゲン、オキシド、ヒドロオキシド
    あるいはシリケヌトから成る、特蚱請求範囲第
    項蚘茉の珟像液組成物。  R4が匏 匏䞭、R2およびR3が前述のものであり、
    が〜の敎数であり、か぀R6が〜10の炭玠
    原子を有する飜和あるいは䞍飜和の盎鎖あるいは
    分枝鎖炭化氎玠である。 である特蚱請求範囲第項蚘茉の珟像液組成物。  アルカリが、各アルキル眮換基が同じものか
    あるいは異なるものかであり、か぀〜の炭玠
    を有する、テトラアルキルアンモニりムヒドロキ
    シドから成る特蚱請求範囲第項蚘茉の珟像液組
    成物。  アルカリがテトラメチルアンモニりムヒドロ
    キシドから成る、特蚱請求範囲第項蚘茉の珟像
    液組成物。  アルカリがテトラメチルアンモニりムシリケ
    ヌトから成る、特蚱請求範囲第項蚘茉の珟像液
    組成物。  該界面掻性剀が䞀般匏 匏䞭、R1がほが぀ぎの割合の、〜18の炭
    玠のアルキルであり、およびが〜20の敎数
    であり、か぀が特蚱請求範囲第項蚘茉のもの
    である を有する、ヒドロキシ゚チル化第四アンモニりム
    塩から成る、特蚱請求範囲第項蚘茉の珟像液組
    成物。 【衚】  該界面掻性剀が、メチルビス−ヒドロキ
    シ゚チルココアンモニりムクロラむドから成
    る、特蚱請求範囲第項蚘茉の珟像液組成物。  該界面掻性剀が匏 匏䞭、R1がほが぀ぎの割合の、〜18の炭
    玠のアルキルである。 である、第四アンモニりム塩から成る、特蚱請求
    範囲第項蚘茉の珟像液組成物。 【衚】 【衚】  該掻面掻性剀が、トリメチルココアンモニ
    りムクロラむドから成る、特蚱請求範囲第項蚘
    茉の珟像液組成物。  倚䟡湿最剀をさらに含む特蚱請求範囲第
    〜項蚘茉のうちのいずれか䞀぀の珟像液組成
    物。  該倚䟡湿最剀がグリセリンから成る、特蚱
    請求範囲第項蚘茉の珟像液組成物。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4423138A (en) * 1982-01-21 1983-12-27 Eastman Kodak Company Resist developer with ammonium or phosphonium compound and method of use to develop o-quinone diazide and novolac resist
DE3230171A1 (de) * 1982-08-13 1984-02-16 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Waessrig-alkalische loesung und verfahren zum entwickeln von positiv-arbeitenden reproduktionsschichten
JPS59182444A (ja) * 1983-04-01 1984-10-17 Sumitomo Chem Co Ltd ポゞ型フオトレゞストの改良珟像液
JPS59219743A (ja) * 1983-05-28 1984-12-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポゞ型レゞスト珟像液
JPS59220732A (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 Toshiba Corp フオトレゞスト珟像液
US4606999A (en) * 1983-12-21 1986-08-19 Thiokol Corporation Development of positive photoresists using cyclic quaternary ammonium hydroxides
US4556629A (en) * 1983-12-21 1985-12-03 Morton Thiokol, Inc. Developer composition for positive photoresists using solution with cyclic quaternary ammonium hydroxides
JPS60254043A (ja) * 1984-05-30 1985-12-14 Yotsukaichi Gosei Kk ポゞ型感光材料甚珟像剀
EP0177905B1 (de) * 1984-10-09 1990-12-05 Hoechst Japan Kabushiki Kaisha Verfahren zum Entwickeln und zum Entschichten von Photoresistschichten mit quaternÀren Ammomiumverbindungen
JPH063549B2 (ja) * 1984-12-25 1994-01-12 株匏䌚瀟東芝 ポゞ型フォトレゞスト珟像液組成物
JPS61167948A (ja) * 1985-01-21 1986-07-29 Mitsubishi Chem Ind Ltd ポゞ型感光性組成物甚珟像液
JPS6232453A (ja) * 1985-08-06 1987-02-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポゞ型ホトレゞスト甚珟像液
JPH07113777B2 (ja) * 1986-01-29 1995-12-06 コニカ株匏䌚瀟 感光性平版印刷版の珟像液及び珟像方法
US4710449A (en) * 1986-01-29 1987-12-01 Petrarch Systems, Inc. High contrast low metal ion positive photoresist developing method using aqueous base solutions with surfactants
US4806453A (en) * 1986-05-07 1989-02-21 Shipley Company Inc. Positive acting bilayer photoresist development
JPH0680119B2 (ja) * 1986-06-27 1994-10-12 日本れオン株匏䌚瀟 ノボラツク暹脂の粟補方法
DE3638629A1 (de) * 1986-11-11 1988-05-26 Schering Ag Mittel und verfahren zur entfernung von fotoresisten
JPH0820738B2 (ja) * 1986-11-21 1996-03-04 オヌシヌゞヌ マむクロ゚レクトロニック マテリアルズ むンコヌポレむテッド ポゞ型フオトレゞスト組成物の改良珟像方法および珟像液
GB2226150A (en) * 1988-12-15 1990-06-20 Nordisk Tidningsplat Ab A developer for use with lithographic printing plates
JP2670711B2 (ja) * 1990-05-29 1997-10-29 富士写真フむルム株匏䌚瀟 ネガ型感光性暹脂組成物甚珟像液
GB9404301D0 (en) * 1994-03-04 1994-04-20 Atotech Uk Limited Stripper compositions and their use

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5264877A (en) * 1975-11-26 1977-05-28 Toshiba Corp Production of semiconductor device
JPS5351971A (en) * 1976-10-21 1978-05-11 Toshiba Corp Manufacture for semiconductor
JPS5474432A (en) * 1977-10-25 1979-06-14 Eastman Kodak Co Method of developing photosensitive quinone diazide composition

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4294911A (en) * 1979-06-18 1981-10-13 Eastman Kodak Company Development of light-sensitive quinone diazide compositions using sulfite stabilizer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5264877A (en) * 1975-11-26 1977-05-28 Toshiba Corp Production of semiconductor device
JPS5351971A (en) * 1976-10-21 1978-05-11 Toshiba Corp Manufacture for semiconductor
JPS5474432A (en) * 1977-10-25 1979-06-14 Eastman Kodak Co Method of developing photosensitive quinone diazide composition

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