JP2003524213A - 欠陥の削減方法 - Google Patents
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- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 42
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000693 micelle Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 11
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 6
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 claims description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005441 electronic device fabrication Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N Propyl gallate Chemical compound CCCOC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBSFWRHWHYMIOG-UHFFFAOYSA-N methyl 3,4,5-trihydroxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 FBSFWRHWHYMIOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRTOOLQOINXNHY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethylamino)ethanol Chemical compound CC(O)NCCN IRTOOLQOINXNHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCCC1=O WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOFLTGDAZLWRMJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane-1,1-diol Chemical compound CC(C)C(O)O QOFLTGDAZLWRMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUCQGNWZASKXNN-UHFFFAOYSA-N 3-ethylcatechol Chemical compound CCC1=CC=CC(O)=C1O UUCQGNWZASKXNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical group C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPALGUCABIJWFU-UHFFFAOYSA-N N1C(CCC1)=O.CN1CCCCC1 Chemical compound N1C(CCC1)=O.CN1CCCCC1 FPALGUCABIJWFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 alcohol amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- HFLGBNBLMBSXEM-UHFFFAOYSA-N ethyl catechol Natural products CCC1=CC=C(O)C(O)=C1 HFLGBNBLMBSXEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N guaiacol Chemical compound COC1=CC=CC=C1O LHGVFZTZFXWLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001867 guaiacol Drugs 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- CZRKJHRIILZWRC-UHFFFAOYSA-N methyl acetate;propane-1,2-diol Chemical compound COC(C)=O.CC(O)CO CZRKJHRIILZWRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBKQQKPQRYUGBJ-UHFFFAOYSA-N methyl gallate Natural products CC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 IBKQQKPQRYUGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N n-cyclohexyl-2-pyrrolidone Chemical compound O=C1CCCN1C1CCCCC1 PZYDAVFRVJXFHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229940075579 propyl gallate Drugs 0.000 description 1
- 235000010388 propyl gallate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000473 propyl gallate Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
Abstract
Description
子デバイス製作時の欠陥を減らすための組成物と方法とに関する。
ある。フォトレジストの皮膜を基板上に生成させ、次いでフォトレジスト層を活
性照射源に光マスクを介して暴露する。光マスクには、活性照射に不透明な部分
と透明な部分とがある。活性照射への暴露がフォトレジスト皮膜の光誘発化学変
態を引き起こし、光マスクのパターンをフォトレジスト被覆基板に転写する。暴
露の後、フォトマスクを現像して基板の選択的加工を可能にする浮彫りイメージ
が得られる。
ォトレジストでは、活性照射に暴露される皮膜層部は光活性化合物とフォトレジ
スト組成物の重合性成分との間の反応で重合または架橋する。その結果、暴露さ
れた皮膜部は非暴露部分に比べて現像液に溶けにくくなる。ポジ活性フォトレジ
ストでは、暴露部分は現像液により溶け易くなり、非暴露域は比較的現像液に不
要性のままである。一般的に、フォトレジスト化合物は少なくとも樹脂バインダ
化合物と光活性成分とを包含する。
焼くことが好ましい。その後、皮膜層を現像する。暴露されたレジスト皮膜は極
性現像液、標準的に、は0.26Nテトラメチル水酸化アンモニウムが好適であ
るテトラアルキル水酸化アンモニウムなどの第四級水酸化アンモニウム液、エチ
ルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミンまたはメチ
ルジエチルアミンなどの種々のアミン溶液、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミンなどのアルコールアミン、ピロール、ピリジンなどの環状アミンなどの
水溶性系の現像液を用いることによってポジ機能となる。
操作に拠りレジストのない基板領域を化学的にエッチングすること、或いはめっ
きすることで、レジストのない部分で選択的に加工することができる。マイクロ
エレクトロニック基板、例えば二酸化ケイ素ウェーハの製造に適切な腐食剤はプ
ラズマ流として適用されるCl2またはCF4/CHF3などの塩素系またはフ
ッ素系の気体腐食剤である。この種の加工の後、レジストは従来技術で周知な任
意のストリッピング操作を用いることによって加工基板から除去される。
デバイス、例えばウェーハを先ずイソプロパノールで、次に脱イオン水で洗う。
この種の洗浄は残存する現像液またはストリップ液のすべてを除去し、残存する
フォトレジスト粒子または残渣をすべて除去するために用いられる。かかる現像
、ストリッピング、洗浄の後に於いても、電子デバイスはその表面上に残留フォ
トレジストを、ポリマー、粒子または残渣の何れかの形態で含むことがある。こ
の種の残存フォトレジストは得られる電子デバイスに短絡などの欠陥を引き起こ
すことになる。
ジストの現像またはストリッピングの後に残存するフォトレジスト残渣に由来す
る欠陥の数を効果的に減らすための方法に関するニーズがある。
は意外であった。欠陥による収率損も本発明の組成物と方法とによって改良され
る。
成物であって、組成物中の界面活性剤の量が臨界ミセル濃度未満である組成物に
接触させるステップを含む電子デバイスの欠陥数を減らす方法を提供する。
るステップ、フォトレジストが部分的に除去された基板を一種類以上の界面活性
剤と水とを含む組成物であって、組成物中の界面活性剤の量が臨界ミセル濃度未
満である組成物に接触させるステップを含む電子デバイスの製作方法を提供する
。
する。
剤と水とを含む組成物であって、組成物中の界面活性剤の量が臨界ミセル濃度未
満である組成物に接触させるステップと、少なくとも一部のフォトレジストを除
去するステップとを含むフォトレジストの除去方法を提供する。
に多意を示すものでない限り、次の意味を示すものとする。DI:脱イオン化、
ppm:百万分の一、%wt:重量基準パーセント、RPM:分当り回転数。百
分率はすべて重量基準であり、数字の範囲はすべて包含される。
電子デバイスの欠陥削減に適切である。特に、本発明の組成物は電子デバイスの
表面からフォトレジスト残渣を除去することによる電子デバイスの欠陥削減に特
に適切である。理論に拘束される積もりはないが、本発明の組成物は処理される
基板の表面からポリマー残渣、特にポリマー粒子を可溶化、分散化、キレート化
、伴出、カプセル化すること、さもなければ除去することを助けるように機能す
ると思われる。本発明は、非限定的に、ウェーハ、回路盤など、すべての電子デ
バイスの製作に使用され得る。
剤の量は臨界ミセル濃度未満である。如何なるグレードの水も本発明の使用に適
しているが、脱イオン水が好ましい。
界面活性剤が本発明の使用に適している。従って、アニオン性、カチオン性、非
イオン性及び両性界面活性剤が本発明に都合よく使用される。界面活性剤はカチ
オン性または非イオン性が好適であり、非イオン性がより好適である。特に好適
な非イオン性界面活性剤は酸化エチレン/酸化プロピレン(EO/PO)コポリマ
ーである。当業者にとって、界面活性剤の混合物が本発明の使用に適切であろう
ことは理解されるであろう。従って、カチオン性及び非イオン性界面活性剤の混
合物、アニオン性及び非イオン性界面活性剤の混合物が本発明に使用され得る。
この種の界面活性剤は、一般的に、種々の供給元から入手可能であり、さらなる
純化を必要としないで使用することができる。この種の界面活性剤は水溶性組成
物として入手可能であり、本発明に使用され得る。
限り、本発明の使用に適切である。「臨界ミセル濃度」とは、それを超えると表
面張力が界面活性剤の濃度増加に対し実質的に不変となる水中での界面活性剤の
濃度を云う。かかる臨界ミセル濃度は当業者に十分周知なものである。標準的に
、本発明に於いて使用される界面活性剤の量は5000ppm未満、好ましくは
1000ppm未満、さらに好ましくは500ppm未満、最も好ましくは25
0ppm未満である。
キレート剤などを任意的に含むこともある。本発明の組成物は腐食防止剤を含ま
ないことが好ましい。本発明の組成物は補助溶剤を含まないことが好ましい。
界面活性剤に適合性であり、本発明の使用に適している。適切な腐食防止剤には
、非限定的にカテコール、メチルカテコール、エチルカテコール及び第三級ブチ
ルカテコールなどの(C1〜C6)アルキルカテコール、ベンゾトリアゾール、
(C1〜C10)アルキルベンゾトリアゾール類、(C1〜C10)ヒドロキシ
アルキルベンゾトリアゾール類、2-メルカプトベンイミダゾール、没食子酸、
没食子酸メチル及び没食子酸プロピルなどの没食子酸エステル類などが含まれる
。この種の腐食防止剤は、一般的に、Aldrich(Milwaukee,Wisconsin)など種
々の供給元から入手可能であり、さらに純化しないで使用することができる。
量で本発明の組成物中に存在する。腐食防止剤の量は約0.1〜3重量%である
のが好ましい。
発明の使用に適している。本発明に有用な補助溶剤には、非限定的に、エチレン
グリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、2-メチルプロパ
ンジオール及びジプロピレングリコールなどの(C1〜C20)アルカンジオー
ル類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチ
ルエーテル、プロピレングリコールn-ブチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレ
ングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル及びプロピレングリコールメチル酢酸エーテルなどの(C1〜C20)アルカ
ンジオール(C1〜C6)アルキルエーテル類、アミノエチルアミノエタノール
などのアミノアルコール類、N-メチルピロリドン、N-エチルピロリドン、N-
ヒドロキシエチルピロリドン及びN-シクロヘキシルピロリドンなどのN-(C1
〜C10)アルキルピロリドン類、エタノール及びイソプロパノールなどの(C1 〜C10)アルコール類などが含まれる。好ましい補助溶剤は一種類以上の(C1 〜C20)アルカンジオール類、(C1〜C20)アルカンジオール(C1〜C6)
アルキルエーテル類及び(C1〜C10)アルコール類であり、一種類以上のプロ
ピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル
、プロピレングリコールn-ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルn-ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールメチル酢酸エーテル、エタノール及びイソプロパノールはさらに
好ましい。この種の補助溶剤は、一般的に、Aldrich(Milwaukee,Wisconsin)
など種々の供給元から入手可能であり、さらに純化しないで使用することができ
る。
約0.5〜80重量%、好ましくは約1〜45重量%の範囲の量で存在する。
とで調製される。一種類以上の界面活性剤を水に添加するのが好ましい。界面活
性剤の混合物を使用する場合、最初にそれらを一緒にしてから水に加えることも
できるが、別々に水に加えるのが好ましい。
トレジストの現像またはストリッピング前のプレ湿潤剤として、フォトレジスト
の現像またはストリッピング後の洗浄用に、洗浄後の最終艶出用などに有用であ
る。
とも部分的に除去される前にフォトレジスト層を本発明の処理液に接触させる。
フォトレジストの「少なくとも部分的な除去」とは、フォトレジストの一部が除去
されることを意味する。かかる少なくとも部分的な除去には、フォトレジストの
暴露部分または非暴露部分だけが除去される現像と、フォトレジストの実質的に
すべてが除去されるストリッピングが含まれる。
層の表面が湿潤する十分な時間本発明の組成物に接触させる。このような「湿潤」
によって、フォトレジスト層の所望の部分を除去する現像液またはストリッピン
グ液の能力が増強される。湿潤の後、現像液またはストリッピング液のいずれか
に接触させる前に、フォトレジスト層を任意的に、イソプロパノールまたは水な
どで洗浄する。フォトレジストの現像またはストリッピングに続き、基板を通常
の加工条件、非限定的に洗浄または乾燥などの下に置く。
トリップした後のポリマー残渣、具体的にはフォトレジスト残渣を減少させるの
に有効である。従って、本発明は電子デバイスの欠陥数の削減に有用であり、一
種類以上の界面活性剤と水とを含み、組成物中の界面活性剤の量が臨界ミセル濃
度未満である組成物に電子デバイスを接触させるステップを含む。
なくとも部分的に除去される。かかる現像またはストリッピングの後に、基板を
水またはイソプロパノールなどで任意的に洗浄してから、基板を本発明の組成物
に接触させる。ポリマー、粒子または残渣の何れかの形態であるフォトレジスト
を除去するのに十分な時間、基板を本発明の組成物に接触させる。標準的に、約
120秒、好ましくは60秒未満、より好ましくは約30秒未満、基板を本発明
の組成物に接触させる。本発明の処理液に接触させた後に、基板を乾燥させる前
に、DI水またはイソプロパノールなどで二度洗浄する。別の実施態様では、か
かる二度の洗浄を省略して、処理液との接触の後に乾燥させる。
せ、DI水で洗浄した後に、乾燥の前に組成物の新しい浴に基板を接触させる。
どで基板に配分するなどの方法で本発明の組成物を基板に接触させることができ
る。本発明の組成物を基板上に噴霧することが好ましく、旋回する基板に噴霧す
ることはさらに好ましい。
燥することができる。基板を旋回乾燥することが好ましい。基板を旋回乾燥する
場合、任意の速さ、例えば100〜5000RPMで乾燥することができる。基
板を低速度で乾燥させることが好ましい。従って、基板を約100〜1500R
PMで乾燥させることが好ましい。
線基板などの製作に特に有用である。従って、本発明は電子デバイスの製作方法
を提供するものであり、少なくとも一部のフォトレジストを基板から除去するス
テップと、フォトレジストが部分的に除去された基板を一種類以上の界面活性剤
と水とを含み、組成物中の界面活性剤の量が臨界ミセル濃度未満である組成物に
接触させるステップとを包含する。本発明の方法で製作された電子デバイスは、
通常の方法で製作された電子デバイスに比べ、欠陥の数は著しく少ない。
ォトレジスト層の現像またはストリッピング後のイソプロパノール洗浄の代替と
して使用できることにある。
発明の範囲を如何なる態様に於いても限定するものではない。
O/POコポリマーの25ppmをDI水中に含む。試料Bは試料Aに同じ界面
活性剤の50ppmを水中に含む。暴露されたフォトレジスト層を含有する一連
の試験ウェーハを標準の方法を用いて現像した。現像の後、ウェーハの一部を試
料Aで洗浄し、ウェーハの一部を試料Bで洗浄した。試料A及びBでの洗浄に続
き、ウェーハを二種の速さで旋回乾燥した。低旋回速度は500RPM、高旋回
速度は5000RPMとした。乾燥の後、テンコール(Tencor)欠陥スキ
ャンと標準方法とを用いて試験ウェーハの欠陥マップを作成した。欠陥の合計を
二重実験の平均値として表1に示した。暴露しなかったフォトレジストを塗布し
、試験ウェーハと同じ方法で現像し、DI水で洗浄し4000RPMで旋回乾燥
したウェーハを対照試料とした。ウェーハの略75%がスキャンされた時に、欠
陥数が予め設定した最大値を超えたので、対照試料の欠陥スキャンは欠陥の計数
を中止した。
しく減らすことを明白に示している。
とを別にして、実施例1の操作を繰り返した。
しく減らすことを明白に示している。
Claims (13)
- 【請求項1】 電子デバイスを一種類以上の界面活性剤と水とを含む組成物
に接触させるステップを含み、組成物中の界面活性剤の量が臨界ミセル濃度未満
であることを特徴とする電子デバイスの欠陥数を減らすための方法。 - 【請求項2】 界面活性剤がカチオン性界面活性剤または非イオン性界面活
性剤から選択される請求項1に記載の方法。 - 【請求項3】 界面活性剤の量が5000ppm未満である請求項1に記載
の方法。 - 【請求項4】 界面活性剤の量が1000ppm未満である請求項1に記載
の方法。 - 【請求項5】 電子デバイスがウェーハである請求項1に記載の方法。
- 【請求項6】 フォトレジスト層を基板から少なくとも部分的に除去するス
テップと、フォトレジストが部分的に除去された基板を一種類以上の界面活性剤
と水を含む組成物に接触させるステップとを含み、組成物中の界面活性剤の量が
臨界ミセル濃度未満であることを特徴とする電子デバイスの製作方法。 - 【請求項7】 界面活性剤の量が5000ppm未満である請求項6に記載
の方法。 - 【請求項8】 界面活性剤の量が1000ppm未満である請求項7に記載
の方法。 - 【請求項9】 電子デバイスがウェーハである請求項6に記載の方法。
- 【請求項10】 請求項6に拠って製作された電子デバイス。
- 【請求項11】 基板上のフォトレジスト層を組成物中の界面活性剤の量が
臨界ミセル濃度未満である一種類以上の界面活性剤と水とを含む組成物に接触さ
せるステップと、少なくとも一部のフォトレジスト層を除去するステップとを含
むことを特徴とするフォトレジストを除去する方法。 - 【請求項12】 フォトレジストが現像によって除去される請求項11に記
載の方法。 - 【請求項13】 フォトレジストがストリッピングによって除去される請求
項11に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US18534300P | 2000-02-26 | 2000-02-26 | |
US60/185,343 | 2000-02-26 | ||
PCT/US2001/006119 WO2001063365A1 (en) | 2000-02-26 | 2001-02-26 | Method of reducing defects |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003524213A true JP2003524213A (ja) | 2003-08-12 |
JP4817579B2 JP4817579B2 (ja) | 2011-11-16 |
Family
ID=22680598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001562265A Expired - Lifetime JP4817579B2 (ja) | 2000-02-26 | 2001-02-26 | 欠陥の削減方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6670107B2 (ja) |
EP (1) | EP1264216B1 (ja) |
JP (1) | JP4817579B2 (ja) |
KR (1) | KR100729992B1 (ja) |
AU (1) | AU2001238696A1 (ja) |
TW (1) | TW558736B (ja) |
WO (1) | WO2001063365A1 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006006317A1 (ja) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Tokyo Electron Limited | リンス処理方法、現像処理方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
WO2006018960A1 (ja) * | 2004-08-18 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Limited | 現像処理方法 |
WO2007080726A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2007213013A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-08-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2008181137A (ja) * | 2002-08-12 | 2008-08-07 | Air Products & Chemicals Inc | 半導体デバイス製造の際のパターンつぶれ欠陥数の低減方法及びリンス処理溶液 |
US7521405B2 (en) | 2002-08-12 | 2009-04-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
US7591270B2 (en) | 2002-08-12 | 2009-09-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
JP2010229616A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-10-14 | Nisshin Chem Ind Co Ltd | レジスト用洗浄剤 |
JP2014044298A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Fujitsu Ltd | リソグラフィ用リンス剤、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7348300B2 (en) * | 1999-05-04 | 2008-03-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture |
JP2001023893A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-26 | Nec Corp | フォトレジストパターンの形成方法 |
SE518642C2 (sv) * | 2000-07-11 | 2002-11-05 | Mydata Automation Ab | Förfarande, anordning för att förse ett substrat med visköst medium, anordning för korrigering av applikationsfel samt användningen av utskjutnings- organ för korrigering av appliceringsfel |
WO2002023598A2 (en) * | 2000-09-15 | 2002-03-21 | Infineon Technologies North America Corp. | A method to reduce post-development defects without sacrificing throughput |
US6641986B1 (en) * | 2002-08-12 | 2003-11-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol surfactant solutions and methods of using same |
US7138199B2 (en) * | 2002-10-30 | 2006-11-21 | Mohapatra Satish C | Fuel cell and fuel cell coolant compositions |
US20040220066A1 (en) * | 2003-05-01 | 2004-11-04 | Rohm And Haas Electronic Materials, L.L.C. | Stripper |
US7498124B2 (en) * | 2003-09-30 | 2009-03-03 | Tokyo Electron Limited | Sacrificial surfactanated pre-wet for defect reduction in a semiconductor photolithography developing process |
DE102005002550B4 (de) * | 2005-01-19 | 2007-02-08 | Infineon Technologies Ag | Lift-Off-Verfahren |
KR100835485B1 (ko) * | 2006-05-11 | 2008-06-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이머젼 리소그라피 공정을 이용한 반도체 소자 제조방법 |
US8614053B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-12-24 | Eastman Chemical Company | Processess and compositions for removing substances from substrates |
US8309502B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
US8444768B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
JP5720572B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2015-05-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 金属微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた金属微細構造体の製造方法 |
CN104428716B (zh) | 2012-07-10 | 2019-06-14 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于抗图案崩坏处理的包含双子型添加剂的组合物 |
EP2932525B1 (en) | 2012-12-14 | 2018-06-13 | Basf Se | Use of compositions comprising a surfactant and a hydrophobizer for avoiding anti pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4824769A (en) | 1984-10-15 | 1989-04-25 | Allied Corporation | High contrast photoresist developer |
US4613561A (en) * | 1984-10-17 | 1986-09-23 | James Marvin Lewis | Method of high contrast positive O-quinone diazide photoresist developing using pretreatment solution |
US5279771A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
US5164286A (en) | 1991-02-01 | 1992-11-17 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Photoresist developer containing fluorinated amphoteric surfactant |
US5543268A (en) * | 1992-05-14 | 1996-08-06 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developer solution for actinic ray-sensitive resist |
US5741621A (en) * | 1994-01-10 | 1998-04-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for using photoimageable films prepared for aqueous photoimageable liquid emulsions |
DE4419166A1 (de) * | 1994-06-01 | 1995-12-07 | Hoechst Ag | Entwickler für Photoresistschichten |
JP2656913B2 (ja) * | 1994-07-05 | 1997-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 微細パターン形成方法 |
KR0174316B1 (ko) * | 1994-07-05 | 1999-04-01 | 모리시다 요이치 | 미세패턴 형성방법 |
US5783082A (en) * | 1995-11-03 | 1998-07-21 | University Of North Carolina | Cleaning process using carbon dioxide as a solvent and employing molecularly engineered surfactants |
JP4006548B2 (ja) | 1997-03-12 | 2007-11-14 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法 |
US5977041A (en) | 1997-09-23 | 1999-11-02 | Olin Microelectronic Chemicals | Aqueous rinsing composition |
US6033993A (en) | 1997-09-23 | 2000-03-07 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Process for removing residues from a semiconductor substrate |
US6247856B1 (en) * | 1998-01-22 | 2001-06-19 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Developing system of photosensitive resin plates and apparatus used therein |
US6017766A (en) * | 1998-01-28 | 2000-01-25 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Process for measuring concentration of nonionic surfactants in an aqueous alkaline solution |
JP4027494B2 (ja) * | 1998-04-07 | 2007-12-26 | 花王株式会社 | リンス剤組成物 |
WO1999053381A1 (en) | 1998-04-15 | 1999-10-21 | Etec Systems, Inc. | Photoresist developer and method of development |
CN100370360C (zh) | 1998-05-18 | 2008-02-20 | 马林克罗特有限公司 | 用于清洗微电子衬底的含硅酸盐碱性组合物 |
US6235820B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-05-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Alkylated aminoalkylpiperazine surfactants |
US6127101A (en) * | 1999-10-12 | 2000-10-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Alkylated aminoalkylpiperazine surfactants and their use in photoresist developers |
US6136514A (en) * | 2000-01-31 | 2000-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Resist developer saving system using material to reduce surface tension and wet resist surface |
US6274296B1 (en) | 2000-06-08 | 2001-08-14 | Shipley Company, L.L.C. | Stripper pretreatment |
-
2001
- 2001-02-23 TW TW090104231A patent/TW558736B/zh active
- 2001-02-26 JP JP2001562265A patent/JP4817579B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-26 US US09/794,643 patent/US6670107B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-26 WO PCT/US2001/006119 patent/WO2001063365A1/en active Application Filing
- 2001-02-26 EP EP01911176A patent/EP1264216B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-26 AU AU2001238696A patent/AU2001238696A1/en not_active Abandoned
- 2001-02-26 KR KR1020027011024A patent/KR100729992B1/ko active IP Right Grant
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008181137A (ja) * | 2002-08-12 | 2008-08-07 | Air Products & Chemicals Inc | 半導体デバイス製造の際のパターンつぶれ欠陥数の低減方法及びリンス処理溶液 |
US7521405B2 (en) | 2002-08-12 | 2009-04-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
US7591270B2 (en) | 2002-08-12 | 2009-09-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
US8227395B2 (en) | 2002-08-12 | 2012-07-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
WO2006006317A1 (ja) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Tokyo Electron Limited | リンス処理方法、現像処理方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
US7419773B2 (en) | 2004-07-14 | 2008-09-02 | Tokyo Electron Limited | Rinsing method and developing method |
WO2006018960A1 (ja) * | 2004-08-18 | 2006-02-23 | Tokyo Electron Limited | 現像処理方法 |
WO2007080726A1 (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2007213013A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-08-23 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
US8367312B2 (en) | 2006-01-11 | 2013-02-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Detergent for lithography and method of forming resist pattern with the same |
JP2010229616A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-10-14 | Nisshin Chem Ind Co Ltd | レジスト用洗浄剤 |
JP2014044298A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Fujitsu Ltd | リソグラフィ用リンス剤、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030034045A (ko) | 2003-05-01 |
EP1264216A1 (en) | 2002-12-11 |
AU2001238696A1 (en) | 2001-09-03 |
EP1264216B1 (en) | 2011-10-12 |
US20020001780A1 (en) | 2002-01-03 |
WO2001063365A1 (en) | 2001-08-30 |
KR100729992B1 (ko) | 2007-06-20 |
US6670107B2 (en) | 2003-12-30 |
TW558736B (en) | 2003-10-21 |
JP4817579B2 (ja) | 2011-11-16 |
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