JP2007213013A - リソグラフィー用洗浄剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)含窒素カチオン性界面活性剤及び含窒素両性界面活性剤の中から選ばれる少なくとも1種、及び(B)アニオン性界面活性剤を含有する水性溶液からなるリソグラフィー用洗浄剤とする。
【選択図】なし
Description
(1)基板上にホトレジスト膜を設ける工程、
(2)上記のホトレジスト膜に対し、マスクパターンを介して選択的に露光させる工程、
(3)上記の露光させたホトレジスト膜を露光後加熱する工程、
(4)上記の露光後加熱したホトレジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程、及び
(5)上記の(4)工程で得たレジストパターンを上記のリソグラフィー用洗浄剤と接触させる工程
を順次行うことを特徴とするレジストパターン形成方法を提供するものである。
で表されるアミンオキシドである。
これらの含窒素カチオン性界面活性剤は単独で用いてもよいし、2種以上混合して用いてもよい。
また、上記の高級アルキルスルホン酸塩の例としては、デカンスルホン酸、ドデカンスルホン酸、テトラデカンスルホン酸、ステアリルスルホン酸などの高級アルキルスルホン酸のアンモニウム塩及び有機アミン塩を挙げることができる。
このアニオン性界面活性剤として特に好ましいのは、炭素原子数が8〜20のアルキレン基又はポリアルキレンオキシド基を含む硫酸エステルスルホン酸エステル及びリン酸エステルの中和塩である。
上記の水混和性有機溶剤の含有割合としては、通常、混合溶剤全体の質量に基づき0.01〜10質量%、好ましくは0.1〜5質量%の範囲で選ばれる。
この水溶性重合体の配合量は、リソグラフィー用洗浄剤の全質量に基づき0.1ppmないし10質量%、好ましくは10ppmないし5質量%の範囲内で選ばれる。
上記の有機カルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、グリコール酸、シュウ酸、フマル酸、マレイン酸、フタル酸、過酢酸、硫酸、トリフルオロ酢酸等が挙げられる。この有機カルボン酸としてはアスコルビン酸も用いることができる。
(1)基板上にホトレジスト膜を設ける工程、
(2)上記のホトレジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に露光させる工程、
(3)上記の露光させたホトレジスト膜を露光後加熱する工程、
(4)上記の露光後加熱したホトレジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程を経由して得たレジストパターンを洗浄するための洗浄剤として好適である。
基板としては、一般にシリコンウェーハが用いられる。このようなシリコンウェーハとしては、8インチや12インチ以上のウェーハが実用化される中で、特にホトレジストパターン倒れの問題や、ディフェクト発生の問題が顕著となってきているが、本発明のリソグラフィー用洗浄剤はこのような大口径シリコンウェーハを使用する工程において特に有効である。
通常、レジストパターンを形成する場合には、ホトレジスト組成物中のアルカリ不溶成分がアルカリ現像後の水リンス時に析出し、レジストパターン形成後のホトレジスト膜表面に付着することがディフェクトの原因の1つになっているが、本発明方法においては、現像後に本発明リソグラフィー用洗浄剤で処理することにより、レジストパターン表面に親水性を付与することができるので、ホトレジスト中のアルカリ溶解物がレジストパターン表面に再付着することが抑止され、再付着系のディフェクトが特に減少するものと推測される。
(1)ディフェクト発生率
8インチシリコンウェーハ上に反射防止膜形成用塗布液[ブリューワ(Brewer)社製、製品名「ARC−29A」]を塗布し、215℃で60秒間加熱処理して膜厚77nmの反射防止膜を設けたのち、この反射防止膜上に、ホトレジスト(東京応化工業社製、製品名「TARF−P7066」)を塗布し、130℃で90秒間加熱処理し、膜厚215nmのホトレジスト膜を形成させた。
このようにして得たホトレジスト膜に対して、露光装置(ニコン社製、製品名「Nikon NSR−S302A」)を用いて露光処理したのち、130℃で90秒加熱処理した。
このようにして作製したホールパターンにリソグラフィー用洗浄剤試料100mlを用いて2000rpmで7秒間洗浄処理を行ったのち乾燥し、このレジストパターン上に発生したディフェクト数を、表面欠陥観察装置[ケー・エル・エー(KLA)テンコール社製、製品名「KLA−2351」]を用いて計測し、この数を純水を用いて処理したときの計測数を100%として換算した。
ホトレジストとして製品名「TARF−P6111」(東京応化工業社製)を使用した以外は(1)と同様にしてホトレジスト膜を設けたのち、160nmラインアンドスペースパターン(L/S=1/1)7本を形成しうる条件下で、フォーカスを+0.1μm、0μm及び−0.1μmの3点で測定し、露光量を37〜41mJ/cm2の範囲において1mJ単位でずらし、洗浄処理後のウェーハ面内のレジストパターンにおける未倒壊のラインパターンの数を測長SEM(日立ハイテクノロジー社製、製品名「S−9200」)を用いて計測し、この数を純水を用いて処理したときの計測数を100%として換算した。
これらの洗浄剤のディフェクト発生率及び未倒壊パターン比を表1に示す。
8インチシリコンウェーハ上に反射防止膜形成用塗布液[ブリューワ(Brewer)社製、製品名「ARC−29A」]を塗布し、215℃で60秒間加熱処理して膜厚77nmの反射防止膜を設けたのち、この反射防止膜上に、ホトレジスト(東京応化工業社製、製品名「TARF−P7145」)を塗布し、145℃で60秒間加熱処理し、膜厚180nmのホトレジスト膜を形成させた。
Claims (8)
- (A)含窒素カチオン性界面活性剤及び含窒素両性界面活性剤の中から選ばれる少なくとも1種、及び(B)アニオン性界面活性剤を含有する水性溶液からなるリソグラフィー用洗浄剤。
- 含窒素カチオン性界面活性剤及び含窒素両性界面活性剤の中から選ばれる少なくとも1種と、アニオン性界面活性剤とを、リソグラフィー用洗浄剤中、それぞれ1ppm〜1質量%の濃度で含有する請求項1記載のリソグラフィー用洗浄剤。
- (A)成分が、炭素原子数8〜20のアルキル基又はヒドロキシアルキル基をもつアミン、又はその塩、第四アンモニウム塩あるいはアミンオキシド化合物の中から選ばれる少なくとも1種である請求項1又は2記載のリソグラフィー用洗浄剤。
- (B)成分が、水酸基又はカルボキシル基を有していてもよく、アルキル鎖の途中にフェニレン基又は酸素原子を介在していてもよい、炭素原子数8〜20の直鎖状又は枝分れ状アルキル基をもつ高級脂肪酸塩、アルキルサルフェート、アルキルスルホネート、及びアルキルホスフェートの中から選ばれる少なくとも1種の中和塩である請求項1ないし3のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄剤。
- 水性溶液が水溶液である請求項1ないし4のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄剤。
- 水性溶液が水と水混和性有機溶剤との混合物を溶媒とした溶液である請求項1ないし4のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄剤。
- (1)基板上にホトレジスト膜を設ける工程、
(2)上記のホトレジスト膜に対し、マスクパターンを介して選択的に露光させる工程、
(3)上記の露光させたホトレジスト膜を露光後加熱する工程、
(4)上記の露光後加熱したホトレジスト膜をアルカリ現像してレジストパターンを形成する工程、及び
(5)上記の(4)工程で得たレジストパターンを請求項1ないし6のいずれかに記載のリソグラフィー用洗浄剤と接触させる工程
を順次行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - (5)工程を行った後で、さらに(6)工程として、純水を用いてリンス処理する工程を行う請求項7記載の方法。
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