JP2005336470A - アルカリ洗浄剤 - Google Patents
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Abstract
【課題】 金属(特にアルミ)非腐蝕性に優れた新規な洗浄剤、洗浄方法および洗浄された電子部品を提供する。
【解決手段】 アルカリ成分(A)、窒素原子を含有しない数平均分子量92〜400の3〜8価の多価アルコール(B)、並びに窒素原子を含有しない数平均分子量62〜250の2価アルコール(C1)および窒素原子を含有しない数平均分子量32〜500の1価アルコール(C2)からなる群より選ばれる少なくとも1種のアルコール(C)を含有するアルカリ洗浄剤;該洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、浸漬および浸漬揺動から選ばれる1種以上の方法で洗浄することを特徴とする電子部品、電気部品またはアルミ建材の洗浄方法;該洗浄方法で洗浄し、リンスした後、乾燥して得られる電子部品、電気部品またはアルミ建材;である。
【選択図】 なし
【解決手段】 アルカリ成分(A)、窒素原子を含有しない数平均分子量92〜400の3〜8価の多価アルコール(B)、並びに窒素原子を含有しない数平均分子量62〜250の2価アルコール(C1)および窒素原子を含有しない数平均分子量32〜500の1価アルコール(C2)からなる群より選ばれる少なくとも1種のアルコール(C)を含有するアルカリ洗浄剤;該洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、浸漬および浸漬揺動から選ばれる1種以上の方法で洗浄することを特徴とする電子部品、電気部品またはアルミ建材の洗浄方法;該洗浄方法で洗浄し、リンスした後、乾燥して得られる電子部品、電気部品またはアルミ建材;である。
【選択図】 なし
Description
本発明は、電子部品、金属部品、セラミック部品などに付着している油脂類、樹脂、パーティクルなどを除去するのに使用されるアルカリ洗浄剤、更に詳しくは液晶パネルの垂直配向ポリイミド膜(とくに半焼成膜)の剥離液、半導体素子回路、液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォトレジストの剥離液として使用されるアルカリ洗浄剤に関する。
従来より、アルカリ洗浄剤は中性洗浄剤に比べて、油脂類、樹脂、パーティクルなどを除去する能力にすぐれているので、電子部品、金属部品、セラミック部品などの生産現場において幅広く使用されている。しかしながら、アルカリ洗浄剤はアルミなどの非鉄金属を容易に腐蝕させるので、アルミが部品の一部または全部に使用されている電子部品などの洗浄には使用できないのが現状であった。例えば、電子部品とくに液晶パネルのポリイミド配向膜はこれまで水平配向タイプであったが、広視野角の液晶パネルの要望が強くなるにつれて垂直配向タイプのポリイミド配向膜が増える趨勢にある。水平配向タイプのポリイミド配向膜ガラス基板は完全焼成(焼成温度:約180℃)前の半焼成状態(約80℃で脱溶剤した半硬化膜)であれば、その不具合品はN−メチルピロリドンなどの溶剤でアルミ薄膜(配線)を腐蝕することなく配向膜を剥離できるが、垂直配向タイプのポリイミド配向膜の場合には、該半焼成状態であっても溶剤ではポリイミド配向膜(半焼成)を剥離できないので、アルカリ洗浄剤を使用して配向膜剥離を行っている(特許文献−1参照)。その際、ガラス基板のアルミ薄膜(配線)は腐蝕するのでアルミ薄膜部分をワックスなどで保護して洗浄し、次に炭化水素などの溶剤でワックス除去して基板を再生させるか、配向膜と同時にアルミ薄膜を完全に剥離・溶解させてからガラス基板だけを再生させる方法がとられていた。
また、半導体素子回路等の製造工程において、配線を形成するときに生じるレジスト残渣を除去する目的で従来よりアミン系剥離剤が使用されてきた。しかしながら、アミン系剥離剤は、基板上のアルミニウム、タングステン等の金属配線や金属薄膜を腐蝕するという問題があった。この問題を解決し金属配線等を腐蝕させないレジスト剥離剤として、第4級アンモニウム水酸化物および糖類を含有する水溶液(特許文献−2)等が提案されているが、レジストの剥離性および金属配線の非腐蝕性の両方を十分に満足させることはできていなかった。
特開平6−306661号公報
特開平4−48633号公報
また、半導体素子回路等の製造工程において、配線を形成するときに生じるレジスト残渣を除去する目的で従来よりアミン系剥離剤が使用されてきた。しかしながら、アミン系剥離剤は、基板上のアルミニウム、タングステン等の金属配線や金属薄膜を腐蝕するという問題があった。この問題を解決し金属配線等を腐蝕させないレジスト剥離剤として、第4級アンモニウム水酸化物および糖類を含有する水溶液(特許文献−2)等が提案されているが、レジストの剥離性および金属配線の非腐蝕性の両方を十分に満足させることはできていなかった。
本発明の目的は、金属(特にアルミ)非腐蝕性に優れた新規な洗浄剤、洗浄方法および洗浄された電子部品を提供することにある。
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、アルカリ成分(A)、窒素原子を含有しない数平均分子量92〜400の3〜8価の多価アルコール(B)、並びに窒素原子を含有しない数平均分子量62〜250の2価アルコール(C1)および窒素原子を含有しない数平均分子量32〜500の1価アルコール(C2)からなる群より選ばれる少なくとも1種のアルコール(C)からなるアルカリ洗浄剤;該洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、浸漬および浸漬揺動から選ばれる1種以上の方法で洗浄することを特徴とする電子部品、電気部品またはアルミ建材の洗浄方法;該洗浄方法で洗浄し、リンスした後、乾燥して得られる電子部品、電気部品またはアルミ建材;である。
すなわち、本発明は、アルカリ成分(A)、窒素原子を含有しない数平均分子量92〜400の3〜8価の多価アルコール(B)、並びに窒素原子を含有しない数平均分子量62〜250の2価アルコール(C1)および窒素原子を含有しない数平均分子量32〜500の1価アルコール(C2)からなる群より選ばれる少なくとも1種のアルコール(C)からなるアルカリ洗浄剤;該洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、浸漬および浸漬揺動から選ばれる1種以上の方法で洗浄することを特徴とする電子部品、電気部品またはアルミ建材の洗浄方法;該洗浄方法で洗浄し、リンスした後、乾燥して得られる電子部品、電気部品またはアルミ建材;である。
本発明の洗浄剤は、金属(特にアルミ)非腐蝕性に優れているため、例えば液晶パネル用ガラス基板や半導体基板のアルミ配線、カラーフィルター部材にダメージを与えずに半焼成垂直配向ポリイミド膜やフォトレジストを短時間に剥離・洗浄できる。したがって、配向膜剥離洗浄工程(ガラス基板再生工程)において従来のガラス基板の再生だけでなく、アルミ配線、カラーフィルター部材も同時に再生使用できる。
また、本発明の洗浄剤は、油分、指紋、樹脂およびパーティクルを除去する能力にも優れている。
また、本発明の洗浄剤は、油分、指紋、樹脂およびパーティクルを除去する能力にも優れている。
本発明におけるアルカリ成分(A)としては、(A1)金属水酸化物[アルカリ金属水酸化物(水酸化リチウム、水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムなど)、アルカリ土類金属水酸化物(水酸化カルシウム、水酸化マグネシウムおよび水酸化バリウムなど)]、(A2)炭酸塩[アルカリ金属炭酸塩(炭酸ナトリウムおよび炭酸カリウムなど)、アルカリ土類金属炭酸塩(炭酸カルシウム、炭酸マグネシウムおよび炭酸バリウムなど)]、(A3)リン酸塩[アルカリ金属リン酸塩(ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、トリポリリン酸ナトリウムおよびトリポリリン酸カリウムなど)、アルカリ土類金属リン酸塩(ピロリン酸カルシウム、ピロリン酸マグネシウム、ピロリン酸バリウム、トリポリリン酸カルシウム、トリポリリン酸マグネシウムおよびトリポリリン酸バリウムなど)]、(A4)ケイ酸塩[アルカリ金属ケイ酸塩(ケイ酸ナトリウムおよびケイ酸カリウムなど)、アルカリ土類金属ケイ酸塩(ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウムおよびケイ酸バリウムなど)]、(A5)アンモニア、(A6)ヒドロキシルアミン、(A7)下記一般式(1)で表される有機アルカリおよびこれらの混合物などが挙げられる。
式中、R1は炭素数1〜24、好ましくは1〜14の炭化水素基、R2、R3およびR4は、それぞれ水素原子、炭素数1〜24、好ましくは1〜14の炭化水素基または一般式(2)で表される基であり、R5は炭素数2〜4のアルキレン基、pは1〜6の整数を表す。
一般式(1)において、R1としては、直鎖もしくは分岐の飽和または不飽和炭化水素基、脂環式炭化水素基および芳香環含有炭化水素基などが挙げられる。
直鎖もしくは分岐の飽和炭化水素基としては、アルキル基(メチル基、エチル基、n−、i−、sec−およびt−ブチル基、オクチル基、2−エチルへキシル基並びにオクタデシル基など);直鎖もしくは分岐の不飽和炭化水素基としては、アルケニル基(ビニル基、プロペニル基、アリル基およびブテニル基など);脂環式炭化水素基としては、シクロアルキル基(シクロヘキシル基など);芳香環含有炭化水素基としては、アリール基(フェニル基およびナフチル基など)、アラルキル基(ベンジル基およびフェネチル基など)、アルキルアリール基(メチルフェニル基、エチルフェニル基、ノニルフェニル基、メチルナフチル基およびエチルナフチル基など)等が挙げられる。
これらの炭化水素基の中では、洗浄性の観点から好ましいのはアルキル基およびアルケニル基である。
R1の炭素数が24以下であれば洗浄性(または剥離性、以下同じ)が優れている。
直鎖もしくは分岐の飽和炭化水素基としては、アルキル基(メチル基、エチル基、n−、i−、sec−およびt−ブチル基、オクチル基、2−エチルへキシル基並びにオクタデシル基など);直鎖もしくは分岐の不飽和炭化水素基としては、アルケニル基(ビニル基、プロペニル基、アリル基およびブテニル基など);脂環式炭化水素基としては、シクロアルキル基(シクロヘキシル基など);芳香環含有炭化水素基としては、アリール基(フェニル基およびナフチル基など)、アラルキル基(ベンジル基およびフェネチル基など)、アルキルアリール基(メチルフェニル基、エチルフェニル基、ノニルフェニル基、メチルナフチル基およびエチルナフチル基など)等が挙げられる。
これらの炭化水素基の中では、洗浄性の観点から好ましいのはアルキル基およびアルケニル基である。
R1の炭素数が24以下であれば洗浄性(または剥離性、以下同じ)が優れている。
R2、R3およびR4が炭化水素基である場合の炭化水素基としてはR1と同じものが挙げられ、好ましいものも同様である。R2、R3およびR4の炭素数が24以下であれば洗浄性が良好である。
一般式(2)において、R5としては、例えばエチレン基、プロピレン基およびブチレン基などの炭素数2〜4のアルキレン基が挙げられる。
R5の炭素数が4を以下であれば洗浄性が良好である。pは1〜6(好ましくは1〜3)の整数であり、pが6以下であれば洗浄性が良好である。
一般式(2)において、R5としては、例えばエチレン基、プロピレン基およびブチレン基などの炭素数2〜4のアルキレン基が挙げられる。
R5の炭素数が4を以下であれば洗浄性が良好である。pは1〜6(好ましくは1〜3)の整数であり、pが6以下であれば洗浄性が良好である。
有機アルカリ(A7)の例としては、少なくとも1個の炭化水素基が窒素原子に結合した下記(1)〜(5)のカチオンとハイドロオキサイドアニオンとの塩およびこれらの混合物が挙げられる。
(1)炭化水素基を4個含む4級アンモニウムカチオン
炭素数1〜6のアルキル基を4個含むテトラハイドロカルビルアンモニウム[例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ(n−またはi−)プロピルアンモニウム、テトラ(n−、i−またはt−)ブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウムおよびテトラヘキシルアンモニウムなど];
炭素数1〜6のアルキル基を3個含むテトラハイドロカルビルアンモニウム[例えば、トリメチルへプチルアンモニウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデシルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、トリメチルステアリルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、トリエチルへキシルアンモニウム、トリエチルオクチルアンモニウム、トリエチルステアリルアンモニウム、トリエチルベンジルアンモニウム、トリブチルベンジルアンモニウム、トリブチルオクチルアンモニウムおよびトリへキシルステアリルアンモニウムなど];
炭素数1〜6のアルキル基を2個含むテトラハイドロカルビルアンモニウム[例えば、ジメチルジオクチルアンモニウム、ジエチルジオクチルアンモニウムおよびジメチルジベンジルアンモニウムなど]、
炭素数1〜6のアルキル基を1個含むテトラハイドロカルビルアンモニウム[例えば、メチルトリオクチルアンモニウム、エチルトリオクチルアンモニウムおよびメチルオクチルジベンジルアンモニウムなど]。
炭素数1〜6のアルキル基を4個含むテトラハイドロカルビルアンモニウム[例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラ(n−またはi−)プロピルアンモニウム、テトラ(n−、i−またはt−)ブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウムおよびテトラヘキシルアンモニウムなど];
炭素数1〜6のアルキル基を3個含むテトラハイドロカルビルアンモニウム[例えば、トリメチルへプチルアンモニウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデシルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、トリメチルステアリルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、トリエチルへキシルアンモニウム、トリエチルオクチルアンモニウム、トリエチルステアリルアンモニウム、トリエチルベンジルアンモニウム、トリブチルベンジルアンモニウム、トリブチルオクチルアンモニウムおよびトリへキシルステアリルアンモニウムなど];
炭素数1〜6のアルキル基を2個含むテトラハイドロカルビルアンモニウム[例えば、ジメチルジオクチルアンモニウム、ジエチルジオクチルアンモニウムおよびジメチルジベンジルアンモニウムなど]、
炭素数1〜6のアルキル基を1個含むテトラハイドロカルビルアンモニウム[例えば、メチルトリオクチルアンモニウム、エチルトリオクチルアンモニウムおよびメチルオクチルジベンジルアンモニウムなど]。
(2)炭化水素基を3個含む3級アミンカチオン
炭素数1〜6のアルキル基を3個含むトリハイドロカルビルアミンカチオン[例えば、トリメチルアミンカチオン、トリエチルアミンカチオンおよびトリブチルアミンカチオンなど];
炭素数1〜6のアルキル基を2個含むトリハイドロカルビルアミンカチオン[例えば、ジメチルオクチルアミンカチオン、ジメチルステアリルアミンカチオン、ジエチルオクチルアミンカチオン、ジブチルオクチルアミンカチオンおよびジメチルベンジルアミンカチオンなど];
炭素数1〜6のアルキル基を1個含むトリハイドロカルビルアミンカチオン[例えば、メチルジオクチルアミンカチオン、エチルジオクチルアミンカチオンおよびメチルオクチルベンジルアミンカチオンなど]。
炭素数1〜6のアルキル基を3個含むトリハイドロカルビルアミンカチオン[例えば、トリメチルアミンカチオン、トリエチルアミンカチオンおよびトリブチルアミンカチオンなど];
炭素数1〜6のアルキル基を2個含むトリハイドロカルビルアミンカチオン[例えば、ジメチルオクチルアミンカチオン、ジメチルステアリルアミンカチオン、ジエチルオクチルアミンカチオン、ジブチルオクチルアミンカチオンおよびジメチルベンジルアミンカチオンなど];
炭素数1〜6のアルキル基を1個含むトリハイドロカルビルアミンカチオン[例えば、メチルジオクチルアミンカチオン、エチルジオクチルアミンカチオンおよびメチルオクチルベンジルアミンカチオンなど]。
(3)炭化水素基を2個含む2級アミンカチオン
炭素数1〜6のアルキル基を2個含むジハイドロカルビルアミンカチオン[例えば、ジメチルアミンカチオン、ジエチルアミンカチオン、ジブチルアミンカチオンおよびジへキシルアミンカチオンなど];炭素数1〜6のアルキル基を1個含むジハイドロカルビルアミンカチオン[例えば、メチルオクチルアミンカチオン、エチルオクチルアミンカチオン、ブチルオクチルアミンカチオン、へキシルオクチルアミンカチオン、メチルステアリルアミンカチオン、メチルベンジルアミンカチオンおよびエチルベンジルアミンカチオンなど]
炭素数1〜6のアルキル基を2個含むジハイドロカルビルアミンカチオン[例えば、ジメチルアミンカチオン、ジエチルアミンカチオン、ジブチルアミンカチオンおよびジへキシルアミンカチオンなど];炭素数1〜6のアルキル基を1個含むジハイドロカルビルアミンカチオン[例えば、メチルオクチルアミンカチオン、エチルオクチルアミンカチオン、ブチルオクチルアミンカチオン、へキシルオクチルアミンカチオン、メチルステアリルアミンカチオン、メチルベンジルアミンカチオンおよびエチルベンジルアミンカチオンなど]
(4)炭化水素基を1個含む1級アミンカチオン
モノハイドロカルビル(炭素数1〜6)アミンカチオン、例えばメチルアミンカチオン、エチルアミンカチオン、ブチルアミンカチオンおよびヘキシルアミンカチオンなど
モノハイドロカルビル(炭素数1〜6)アミンカチオン、例えばメチルアミンカチオン、エチルアミンカチオン、ブチルアミンカチオンおよびヘキシルアミンカチオンなど
(5)オキシアルキレン基を含むカチオン
(i)オキシアルキレン基を1個有するカチオン[例えば、ヒドロキシエチルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルジメチルエチルアミンカチオンおよびヒドロキシエチルジメチルオクチルアミンカチオンなど]
(ii)オキシアルキレン基を2個有するカチオン[例えば、ジヒドロキシエチルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルオクチルアミンカチオンおよびビス(2−ヒドロキシエトキシエチル)オクチルアミンカチオンなど]
(iii)オキシアルキレン基を3個有するカチオン[例えば、トリヒドロキシエチルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルエチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルブチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルエチルアミンカチオンおよびトリヒドロキシエチルオクチルアミンカチオンなど]
(i)オキシアルキレン基を1個有するカチオン[例えば、ヒドロキシエチルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルジメチルエチルアミンカチオンおよびヒドロキシエチルジメチルオクチルアミンカチオンなど]
(ii)オキシアルキレン基を2個有するカチオン[例えば、ジヒドロキシエチルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルオクチルアミンカチオンおよびビス(2−ヒドロキシエトキシエチル)オクチルアミンカチオンなど]
(iii)オキシアルキレン基を3個有するカチオン[例えば、トリヒドロキシエチルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルエチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルブチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルエチルアミンカチオンおよびトリヒドロキシエチルオクチルアミンカチオンなど]
アルカリ成分(A)のうち、洗浄性とリンス性の観点から、好ましいのは(A1)および(A7)である。(A1)のうち洗浄性の観点から好ましいのは、アルカリ金属水酸化物、更に好ましいのは水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムである。(A7)のうち、洗浄性とリンス性の観点から好ましいのは、上記(1)および(2)の塩、さらに好ましいのは(1)の塩、特に好ましいのは炭素数1〜6のアルキル基を4個含むテトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド、最も好ましいのはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドおよびテトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドである。
上記化合物は、混合物として使用することもできる。
上記化合物は、混合物として使用することもできる。
本発明における窒素原子を含有しない数平均分子量92〜400[数平均分子量、以下Mnと略記、測定はゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)による]の3〜8価の多価アルコール(B)としては、3〜8価の脂肪族多価アルコール(グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン、ペンタグリセリン、2−メチルグリセリン、1,2,4−ブタントリオール、ショ糖、グルコース、フルクトース、リボース、マルトース、トレハロース、キシロース、エリスリトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトールおよびシュークロースなど)、並びにこれらのアルキレンオキシド(炭素数2〜3)付加物(付加モル数1〜7モル)などが挙げられる。
これらのうちで洗浄性とリンス性の観点から好ましいものグリセリン、ジグリセリン、トリグリセリン、ソルビトール、キシリトールおよびショ糖である。
これらのうちで洗浄性とリンス性の観点から好ましいものグリセリン、ジグリセリン、トリグリセリン、ソルビトール、キシリトールおよびショ糖である。
本発明における窒素原子を含有しないMn62〜250の2価のアルコール(C1)としては、アルカンジオール(炭素数2〜8のアルカンジオール:エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−プロピレングリコール、1,4−ブタンジオール、1,6−ヘキサンジオールおよびネオペンチルグリコールなど)、脂環式ジオール(炭素数6〜15のジオール:シクロヘキサン−1,2−、1,3−および1,4−ジオール、シクロペンタン−1,2−および1,3−ジオール並びに水素添加ビスフェノールAなど)、、分子中にエーテル基を1個有するジオール(ジエチレングリコールおよびジプロピレングリコールなど)並びにこれらの混合物が挙げられる。(C1)の分子量は好ましくは62以上150未満である。
本発明における窒素原子を含有しないMn32〜500の1価のアルコール(C2)としては炭素数1〜12の脂肪族アルコールおよび該アルコールに炭素数2〜4のアルキレンオキサイドを付加した化合物およびこれらの混合物が挙げられる。炭素数1〜12の脂肪族アルコールとしては具体的にはメタノール、エタノール、イソプロパノールおよびブタノールなどが挙げられ、該アルコールに炭素数2〜4のアルキレンオキサイドを付加した化合物としてはエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルおよびジエチレングリコールモノブチルエーテルなどが挙げられる。
(C)の中では、洗浄性と非腐蝕性の観点から好ましいのは、(C1)のうちのプロピレングリゴール、ジプロピレングリコール、エチレングリコールおよびジエチレングリコール、(C2)のうちのエチレングリコールモノメチルエーテルおよびジエチレングリコールモノメチルエーテルであり、さらに好ましいのはプロピレングリコール、エチレングリコールおよびジエチレングリコールモノメチルエーテルである。
さらに、(C1)と(C2)を併用することが好ましく、併用の場合の(C1)と(C2)の重量比は、好ましくは5/95〜95/5、さらに好ましくは、20/80〜80/20である。
さらに、(C1)と(C2)を併用することが好ましく、併用の場合の(C1)と(C2)の重量比は、好ましくは5/95〜95/5、さらに好ましくは、20/80〜80/20である。
本発明の洗浄剤における(A)、(B)および(C)の含有量は、洗浄性と非腐蝕性の観点から、(A)、(B)および(C)の合計重量に基づき、(A)は好ましくは0.1〜25%(以下において%は重量%を表す)、さらに好ましくは0.2〜10%であり、(B)は好ましくは1〜25%、さらに好ましくは2〜15%であり、(C)は好ましくは60〜95%、さらに好ましくは75〜93%である。また、(A)と(B)の重量比は洗浄性と非腐蝕性の観点から好ましくは1/99〜90/10、さらに好ましくは20/80〜80/20である。
本発明の洗浄剤には、(A)、(B)および(C)以外に、必要によりさらに界面活性剤(D)、アミド基含有親水性溶剤(E)、他の添加剤(F)および/または水を含有することができる。
界面活性剤(D)としては、非イオン界面活性剤(D1)、アニオン界面活性剤(D2)、カチオン界面活性剤(D3)、両性界面活性剤(D4)およびこれらの混合物が挙げられる。但し、(D1)には、(B)および(C)の範囲のアルコールは含まれない。また、(D3)には一般式(1)で示される有機アルカリは含まれない。
(D1)としては、例えば、アルキレンオキシド付加型非イオン界面活性剤[高級アルコール(炭素数8〜18)、アルキルフェノール(炭素数10〜24)、高級脂肪酸(炭素数12〜24)または高級アルキルアミン(炭素数8〜24)等に直接アルキレンオキシド[炭素数2〜4、例えばエチレンオキシド(以下EOと略記)、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド、以下同じ]を付加させたもの(Mn158〜200,000);ポリオキシアルキレングリコール(Mn150〜6,000)に高級脂肪酸(炭素数12〜24)などを反応させたもの;ジオール[前記(C1)として例示したもの]または3〜8価の多価アルコール[前記(B)として例示したもの]などの水酸基含有化合物に高級脂肪酸(炭素数12〜24)を反応させて得られたエステル化物にアルキレンオキシドを付加させたもの(Mn250〜30,000)、高級脂肪酸(炭素数8〜24)アミドにアルキレンオキシドを付加させたもの(Mn200〜30,000)、多価アルコール(前記のもの)アルキル(炭素数8〜60)エーテルにアルキレンオキシドを付加させたもの(Mn120〜30,000)など]、および多価アルコール(炭素数3〜20)型非イオン界面活性剤[多価アルコール脂肪酸(炭素数8〜60)エステル、多価アルコールアルキル(炭素数8〜60)エーテル、脂肪酸(炭素数8〜60)アルカノールアミドなど]などが挙げられる。
(D2)としては、例えば、カルボン酸(炭素数8〜22の飽和または不飽和脂肪酸)またはその塩、カルボキシメチル化物の塩[炭素数8〜16の脂肪族アルコールおよび/またはそのEO(1〜10モル)付加物などのカルボキシメチル化物の塩など]、硫酸エステル塩[高級アルコール硫酸エステル塩(炭素数8〜18の脂肪族アルコールの硫酸エステル塩など)など]、高級アルキルエーテル硫酸エステル塩[炭素数8〜18の脂肪族アルコールのEO(1〜10モル)付加物の硫酸エステル塩]、硫酸化油(天然の不飽和油脂または不飽和のロウをそのまま硫酸化して中和した塩)、硫酸化脂肪酸エステル(不飽和脂肪酸の低級アルコールエステルを硫酸化して中和した塩)、硫酸化オレフィン(炭素数12〜18のオレフィンを硫酸化して中和した塩)、スルホン酸塩[アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、スルホコハク酸ジエステル型、α−オレフィン(炭素数12〜18)スルホン酸塩、イゲポンT型など]およびリン酸エステル塩[高級アルコール(炭素数8〜60)リン酸エステル塩、高級アルコール(炭素数8〜60)EO付加物リン酸エステル塩、アルキル(炭素数4〜60)フェノールEO付加物リン酸エステル塩など]が挙げられる。
上記の塩としては、アルカリ金属(ナトリウム、カリウムなど)塩、アルカリ土類金属(カルシウム、マグネシウムなど)塩、アンモニウム塩、アルキルアミン(炭素数1〜20)塩およびアルカノールアミン(炭素数2〜12、例えばモノー、ジ−およびトリエタノールアミン)塩などが挙げられる。
上記の塩としては、アルカリ金属(ナトリウム、カリウムなど)塩、アルカリ土類金属(カルシウム、マグネシウムなど)塩、アンモニウム塩、アルキルアミン(炭素数1〜20)塩およびアルカノールアミン(炭素数2〜12、例えばモノー、ジ−およびトリエタノールアミン)塩などが挙げられる。
(D3)としては、第4級アンモニウム塩型[テトラアルキル(炭素数4〜100)アンモニウム塩、例えばラウリルトリメチルアンモニウムクロライド、ジデシルジメチルアンモニウムクロライド、ジオクチルジメチルアンモニウムブロマイド、ステアリルトリメチルアンモニウムブロマイド;トリアルキル(炭素数3〜80)ベンジルアンモニウム塩、例えばラウリルジメチルベンジルアンモニウムクロライド(塩化ベンザルコニウム);アルキル(炭素数2〜60)ピリジニウム塩、例えばセチルピリジニウムクロライド;ポリオキシアルキレン(炭素数2〜4)トリアルキルアンモニウム塩、例えばポリオキシエチレントリメチルアンモニウムクロライド;サパミン型第4級アンモニウム塩、例えばステアラミドエチルジエチルメチルアンモニウムメトサルフェート]、アミン塩型[脂肪族高級アミン(炭素数12〜60、例えばラウリルアミン、ステアリルアミン、セチルアミン、硬化牛脂アミン、ロジンアミンなど)の無機酸(塩酸、硫酸、硝酸およびリン酸など)塩または有機酸(炭素数2〜22、例えば酢酸、プロピオン酸、ラウリル酸、オレイン酸、安息香酸、コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸)塩;低級アミン(炭素数1〜11)の高級脂肪酸(炭素数12〜24、例えばステアリン酸、オレイン酸)塩;脂肪族アミン(炭素数1〜30)のEO付加物などの無機酸(前記のもの)塩または有機酸(前記のもの)塩;3級アミン類(トリエタノールアミンモノステアレート、ステアラミドエチルジエチルメチルエタノールアミンなど)の無機酸(前記のもの)塩または有機酸(前記のもの)塩など]などが挙げられる。
(D4)としては、アミノ酸型両性界面活性剤[高級アルキルアミン(炭素数12〜18)のプロピオン酸ナトリウムなど]、ベタイン型両性界面活性剤[アルキル(炭素数12〜18)ジメチルベタイン、アルキル(炭素数12〜18)ジヒドロキシエチルベタイン、ヤシ油脂肪酸アミドプロピルベタインなど]、硫酸エステル塩型両性界面活性剤[高級アルキル(炭素数8〜18)アミンの硫酸エステルナトリウム塩、ヒドロキシエチルイミダゾリン硫酸エステルナトリウム塩など]、スルホン酸塩型両性界面活性剤(ペンタデシルスルフォタウリン、イミダゾリンスルホン酸など)、リン酸エステル塩型両性界面活性剤[グリセリン高級脂肪酸(炭素数8〜22)エステル化物のリン酸エステルアミン塩]などが挙げられる。
(D1)〜(D4)の中では、洗浄性と非腐蝕性の観点から好ましいのは(D1)および(D2)、さらに好ましいのは(D1)である。(D)の含有量は、洗浄剤の全重量に基づいて、通常30%以下、好ましくは1〜20%である。
アミド基含有親水性溶剤(E)は、20℃における水に対する溶解度(g/100gH2O)が3以上であって、分子中にアミド基を1個以上含有するおよび水溶性アミドであり、2−ピロリドンおよびN−アルキル(炭素数1〜3)−2−ピロリドンなどが挙げられる。これらのうち、洗浄性とリンス性の観点から好ましいのはN−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−n−プロピル−2−ピロリドンおよびN−イソプロピル−2−ピロリドン、更に好ましいのはN−メチル−2−ピロリドンである
(E)の含有量は、洗浄剤の全重量に基づいて、洗浄性、リンス性および耐腐蝕性の観点から、好ましくは30%以下、さらに好ましくは1〜20%である。
(E)の含有量は、洗浄剤の全重量に基づいて、洗浄性、リンス性および耐腐蝕性の観点から、好ましくは30%以下、さらに好ましくは1〜20%である。
水の含有量は、洗浄剤の全重量に基づいて、洗浄性、リンス性および非腐蝕性の観点から、好ましくは39%以下、さらに好ましくは1〜38%、特に好ましくは2〜30%である。
その他の添加剤(F)としては、
防錆剤[アミン(炭素数6〜30、例えばシクロヘキシルアミン、ラウリルアミン、ステアリルアミンなど)のEO(2〜10モル)付加物、クロム酸塩、亜硝酸塩、アミン(炭素数6〜30)の高級脂肪酸(炭素数8〜30)塩、ジカルボン酸(炭素数12〜24)のアルカリ金属(ナトリウム、カリウムなど)塩、アンモニウム塩もしくはアルカノールアミン塩(トリエタノールアミン塩など)、ジカルボン酸(炭素数12〜24)のアルカノールアミド(例えば、ドデセニルコハク酸ジエタノールアミド)、およびジカルボン酸(炭素数12〜24)のアルカノールアミドアルカリ金属塩(例えば、ドデセニルコハク酸ジエタノールアミドナトリウム塩)など];酸化防止剤[フェノール化合物(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノールなど)、含硫黄硫化合物(ジラウリルチオジプロピオネートなど)、アミン化合物(オクチル化ジフェニルアミンなど)およびリン化合物(トリフェニルホスファイトなど)など];金属イオン封鎖剤[エチレンジアミン四酢酸ナトリウムなど];並びに、有機酸[クエン酸、グリコール酸、コハク酸、酒石酸、乳酸、フマル酸、リンゴ酸、レブリン酸、酪酸、吉草酸、シュウ酸、マレイン酸、マンデル酸など及びこれらのアルカリ金属(ナトリウム、カリウムなど)塩、アンモニウム塩もしくはアルカノールアミン塩(トリエタノールアミン塩など)など]が挙げられる。
(F)の含有量は、洗浄剤の全重量に基づいて、防錆剤は通常20%以下、好ましくは0.5〜10%、酸化防止剤は通常5%以下、好ましくは0.1〜1%、金属イオン封鎖剤は通常20%以下、好ましくは0.5〜10%、有機酸は通常20%以下、好ましくは0.5〜10%である。
防錆剤[アミン(炭素数6〜30、例えばシクロヘキシルアミン、ラウリルアミン、ステアリルアミンなど)のEO(2〜10モル)付加物、クロム酸塩、亜硝酸塩、アミン(炭素数6〜30)の高級脂肪酸(炭素数8〜30)塩、ジカルボン酸(炭素数12〜24)のアルカリ金属(ナトリウム、カリウムなど)塩、アンモニウム塩もしくはアルカノールアミン塩(トリエタノールアミン塩など)、ジカルボン酸(炭素数12〜24)のアルカノールアミド(例えば、ドデセニルコハク酸ジエタノールアミド)、およびジカルボン酸(炭素数12〜24)のアルカノールアミドアルカリ金属塩(例えば、ドデセニルコハク酸ジエタノールアミドナトリウム塩)など];酸化防止剤[フェノール化合物(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノールなど)、含硫黄硫化合物(ジラウリルチオジプロピオネートなど)、アミン化合物(オクチル化ジフェニルアミンなど)およびリン化合物(トリフェニルホスファイトなど)など];金属イオン封鎖剤[エチレンジアミン四酢酸ナトリウムなど];並びに、有機酸[クエン酸、グリコール酸、コハク酸、酒石酸、乳酸、フマル酸、リンゴ酸、レブリン酸、酪酸、吉草酸、シュウ酸、マレイン酸、マンデル酸など及びこれらのアルカリ金属(ナトリウム、カリウムなど)塩、アンモニウム塩もしくはアルカノールアミン塩(トリエタノールアミン塩など)など]が挙げられる。
(F)の含有量は、洗浄剤の全重量に基づいて、防錆剤は通常20%以下、好ましくは0.5〜10%、酸化防止剤は通常5%以下、好ましくは0.1〜1%、金属イオン封鎖剤は通常20%以下、好ましくは0.5〜10%、有機酸は通常20%以下、好ましくは0.5〜10%である。
本発明の洗浄剤の重量に基づく、(D)、(E)および(F)の合計の含有量は、通常40%以下、好ましくは30%以下、さらに好ましくは20%以下である。
本発明の洗浄剤の25℃における粘度は、通常2〜300mm2/s、洗浄性およびリンス性の観点から、好ましくは3〜100mm2/s、更に好ましくは4〜50mm2/sである。粘度はオストワルドまたはウベローデなどの粘度計にて測定できる。
本発明の洗浄剤のpH(10%水溶液)は通常10〜14、洗浄性および非腐蝕性の観点から、好ましくは10.5〜13.5である。
本発明の洗浄剤のpH(10%水溶液)は通常10〜14、洗浄性および非腐蝕性の観点から、好ましくは10.5〜13.5である。
本発明の洗浄剤は各種の金属、例えば、鉄、銅、ニッケル、アルミ、およびこれらのうちの2種以上からなる合金に対する腐食性が少ない。特に非鉄金属、とりわけアルミに対する腐食性が少ない。
本発明の洗浄剤のアルミに対する腐食速度(mdd)は、下記の試験方法で測定できる。好ましい腐食速度は10mmd以下、特に5mmd以下である。
腐食試験方法:
アルミ試験片(20mm×50mm、厚さ1mm)を洗浄剤に浸漬し、50℃で1週間放置した後、純水でリンスした後、90℃で30分間乾燥し、試験片の重量を測定した。腐食速度は下式により求めた。
腐食速度(mdd)=[浸漬前の重量(mg)−浸漬後の重量(mg)]
÷[試験片の浸漬部分の表面積(dm2)×日数]
本発明の洗浄剤のアルミに対する腐食速度(mdd)は、下記の試験方法で測定できる。好ましい腐食速度は10mmd以下、特に5mmd以下である。
腐食試験方法:
アルミ試験片(20mm×50mm、厚さ1mm)を洗浄剤に浸漬し、50℃で1週間放置した後、純水でリンスした後、90℃で30分間乾燥し、試験片の重量を測定した。腐食速度は下式により求めた。
腐食速度(mdd)=[浸漬前の重量(mg)−浸漬後の重量(mg)]
÷[試験片の浸漬部分の表面積(dm2)×日数]
本発明の洗浄剤が適用できる用途は特に限定はなく、各種の電子部品、電気部品およびアルミ建材などの洗浄に使用され、好ましくは電子部品の洗浄、特にアルミニウムが部品の一部または全部に使用されている電子部品などの洗浄用として幅広く用いることができる。例えば液晶パネル用ガラス基板(配向膜パターン化の前の洗浄、不具合配向膜の剥離洗浄)、半導体基板、プリント基盤、プラズマディスプレイガラス基板、サーマルヘッドなどの電子部品、エアコン冷却フィン、空気清浄機アルミ電極板、電気カミソリ刃などの電気部品、アルミ建材等が挙げられる。また、洗浄の対象物(汚れ)は、油分、指紋、樹脂、有機パーティクルなどの有機物、無機パーティクル(例えば、ガラス粉、セラミック粉、金属粉など)などの無機物が挙げられる。本発明の洗浄剤はこれらのうち、とくに、液晶パネル用ガラス基板の洗浄(配向膜を薄膜化する前のガラス基板の洗浄、または配向膜が不具合となったガラス基板の洗浄)に好適に用いることができる。
本発明の他の実施態様は上記の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、浸漬および浸漬揺動から選ばれる1種以上の方法で洗浄することを特徴とする電子部品、電気部品またはアルミ建材の洗浄方法である。
本発明の洗浄剤を使用した上記洗浄方法の効果をさらに良好に発揮できるのは、電子部品がガラス基板または半導体基板である場合であり、特にガラス基板または半導体基板が少なくとも一部にアルミニウムを使用した基板である場合である。
洗浄条件のうち、液晶パネル用ガラス基板の場合の例を挙げると、洗浄温度は、通常10〜70℃、好ましくは15〜60℃程度である。洗浄時間は通常0.2〜120分、好ましくは0.5〜30分である。水によるリンス温度は、通常5〜90℃、好ましくは10〜70℃であり、リンス方法としては上記洗浄条件と同じ条件が適用できる。リンス後、通常50〜150℃、好ましくは60〜100℃で通常1〜120分間、好ましくは3〜60分間加熱乾燥することにより清浄な液晶パネル用ガラス基板が得られ、再生使用することができる。
洗浄時の本発明の洗浄剤は、必要によりさらに水で稀釈されて使用されてもよいが、好ましいのは上記の水の含有量の範囲内である。
洗浄条件のうち、液晶パネル用ガラス基板の場合の例を挙げると、洗浄温度は、通常10〜70℃、好ましくは15〜60℃程度である。洗浄時間は通常0.2〜120分、好ましくは0.5〜30分である。水によるリンス温度は、通常5〜90℃、好ましくは10〜70℃であり、リンス方法としては上記洗浄条件と同じ条件が適用できる。リンス後、通常50〜150℃、好ましくは60〜100℃で通常1〜120分間、好ましくは3〜60分間加熱乾燥することにより清浄な液晶パネル用ガラス基板が得られ、再生使用することができる。
洗浄時の本発明の洗浄剤は、必要によりさらに水で稀釈されて使用されてもよいが、好ましいのは上記の水の含有量の範囲内である。
本発明の他の実施態様は、上記の本発明の洗浄方法で洗浄し、リンスした後、乾燥して得られる電子部品、電気部品またはアルミ建材である。
電子部品としては、例えば液晶パネル用ガラス基板、半導体基板、プリント基盤、プラズマディスプレイガラス基板およびサーマルヘッドなど;電気部品としては、エアコン冷却フィン、空気清浄機アルミ電極板、電気カミソリ刃など;アルミ建材としては、アルミ製窓枠などが挙げられる。
電子部品としては、例えば液晶パネル用ガラス基板、半導体基板、プリント基盤、プラズマディスプレイガラス基板およびサーマルヘッドなど;電気部品としては、エアコン冷却フィン、空気清浄機アルミ電極板、電気カミソリ刃など;アルミ建材としては、アルミ製窓枠などが挙げられる。
<実施例>
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、以下において部は重量部を示す。
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、以下において部は重量部を示す。
実施例1〜9、比較例1〜3
表1に記載の部数(純分表示)の各成分を、1Lのビーカー中で室温で十分に撹拌・混合して実施例および比較例の洗浄剤を作製した。
表1中の略号は下記の通りである。
A−1:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
A−2:テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド
A−3:テトラn−ブチルアンモニウムハイドロオキサイド
A−4:水酸化ナトリウム
B−1:グリセリン
B−2:ジグリセリン
B−3:ソルビトール
C1−1:エチレングリコール
C1−2:プロピレングリコール
C2−1:ジエチレングリコールモノメチルエーテル
表1に記載の部数(純分表示)の各成分を、1Lのビーカー中で室温で十分に撹拌・混合して実施例および比較例の洗浄剤を作製した。
表1中の略号は下記の通りである。
A−1:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
A−2:テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド
A−3:テトラn−ブチルアンモニウムハイドロオキサイド
A−4:水酸化ナトリウム
B−1:グリセリン
B−2:ジグリセリン
B−3:ソルビトール
C1−1:エチレングリコール
C1−2:プロピレングリコール
C2−1:ジエチレングリコールモノメチルエーテル
実施例および比較例で得られた洗浄剤の評価試験方法を以下に示し、評価結果を表1に示す。
1.配向膜剥離性
予めITO膜(インジウム・スズ酸化膜)を形成されたガラス基板(25×25mm、厚さ0.75mm)の上にポリイミド樹脂を塗布し、80℃で焼き付ける作業を3回繰り返し、半焼性の垂直配向ポリイミド膜(膜厚5μm)が密着したガラス基板試験片を作成した。試験片を洗浄剤(25℃)に所定時間(1分、2分または30分)浸漬後、試験片をステンレス網かごの上に置きイオン交換水で1分間シャワーリンスし、さらに裏側の面についても同様にリンスした。次に、試験片を70℃の循風乾燥機中で10分間乾燥後、顕微鏡で観察して配向膜剥離性を次の5段階で評価した。
<評価基準>
5:ガラス基板面に配向膜が全くなし。
4:ガラス基板面に配向膜が痕跡程度残っている。
3:ガラス基板面の一部に配向膜が少し残っている。
2:ガラス基板面の大部分に配向膜が残っている。
1:ガラス基板全面に配向膜が残っている。
予めITO膜(インジウム・スズ酸化膜)を形成されたガラス基板(25×25mm、厚さ0.75mm)の上にポリイミド樹脂を塗布し、80℃で焼き付ける作業を3回繰り返し、半焼性の垂直配向ポリイミド膜(膜厚5μm)が密着したガラス基板試験片を作成した。試験片を洗浄剤(25℃)に所定時間(1分、2分または30分)浸漬後、試験片をステンレス網かごの上に置きイオン交換水で1分間シャワーリンスし、さらに裏側の面についても同様にリンスした。次に、試験片を70℃の循風乾燥機中で10分間乾燥後、顕微鏡で観察して配向膜剥離性を次の5段階で評価した。
<評価基準>
5:ガラス基板面に配向膜が全くなし。
4:ガラス基板面に配向膜が痕跡程度残っている。
3:ガラス基板面の一部に配向膜が少し残っている。
2:ガラス基板面の大部分に配向膜が残っている。
1:ガラス基板全面に配向膜が残っている。
2.レジスト剥離性
3インチのシリコンウエハ上にポジ型フォトレジスト(ノボラック樹脂)を2μmの厚みで塗布し、80℃で10分間焼き付け、試験片を作成した。試験片を洗浄剤中に50℃にて所定時間(1分、2分または30分)浸漬した後、イオン交換水で1分間シャワーリンスした。次に、試験片を70℃の循風乾燥機中で10分間乾燥後、顕微鏡で観察してレジスト剥離性を次の5段階で評価した。
<評価基準>
5:ウエハ面にレジストが全くなし。
4:ウエハ面にレジストが痕跡程度残っている。
3:ウエハ面の一部にレジストが少し残っている。
2:ウエハ面の大部分にレジストが残っている。
1:ウエハ全面にレジストが残っている。
3インチのシリコンウエハ上にポジ型フォトレジスト(ノボラック樹脂)を2μmの厚みで塗布し、80℃で10分間焼き付け、試験片を作成した。試験片を洗浄剤中に50℃にて所定時間(1分、2分または30分)浸漬した後、イオン交換水で1分間シャワーリンスした。次に、試験片を70℃の循風乾燥機中で10分間乾燥後、顕微鏡で観察してレジスト剥離性を次の5段階で評価した。
<評価基準>
5:ウエハ面にレジストが全くなし。
4:ウエハ面にレジストが痕跡程度残っている。
3:ウエハ面の一部にレジストが少し残っている。
2:ウエハ面の大部分にレジストが残っている。
1:ウエハ全面にレジストが残っている。
3.腐蝕性
アルミ薄膜(膜厚0.1μm)が密着したガラス基板試験片(25×25mm、厚さ0.75mm)を洗浄剤(40℃)に所定時間浸漬し、アルミ薄膜が完全になくなり試験片が透明になるまでの時間を測定して腐蝕時間とした。腐蝕時間が長いほど非腐蝕性がよい。(表1中、>36は、36時間後でもアルミ薄膜がなくならなかったことを示す。)
アルミ薄膜(膜厚0.1μm)が密着したガラス基板試験片(25×25mm、厚さ0.75mm)を洗浄剤(40℃)に所定時間浸漬し、アルミ薄膜が完全になくなり試験片が透明になるまでの時間を測定して腐蝕時間とした。腐蝕時間が長いほど非腐蝕性がよい。(表1中、>36は、36時間後でもアルミ薄膜がなくならなかったことを示す。)
4.腐蝕速度
前述の腐食速度試験法で測定した。
前述の腐食速度試験法で測定した。
表1に示されるように、本発明の洗浄剤(実施例1〜9)は、剥離性試験において2分間の浸漬時間で半焼成垂直配向ポリイミド膜またはフォトレジストが剥離でき、しかも非腐蝕性が非常に良好である。
本発明の洗浄剤は、金属(特にアルミ)非腐蝕性に優れ、かつ、油分、指紋、樹脂およびパーティクルを洗浄除去する能力にも優れているので、液晶パネル用ガラス基板や半導体基板をはじめとする電子部品、電気部品、金属部品および建材等の洗浄用途に適用が可能であり極めて有用性が高い。
Claims (12)
- アルカリ成分(A)、窒素原子を含有しない数平均分子量92〜400の3〜8価の多価アルコール(B)、並びに窒素原子を含有しない数平均分子量62〜250の2価アルコール(C1)および窒素原子を含有しない数平均分子量32〜500の1価アルコール(C2)からなる群より選ばれる少なくとも1種のアルコール(C)からなるアルカリ洗浄剤。
- 一般式(1)におけるR1、R2、R3およびR4のいずれもがメチル基またはエチル基である請求項2記載の洗浄剤。
- (B)が、グリセリン、ジグリセリン、トリグリセリン、ソルビトール、キシリトールおよびショ糖からなる群から選ばれる少なくとも1種の多価アルコールである請求項1〜3いずれか記載の洗浄剤。
- (A)、(B)および(C)の合計重量に基づいて、(A)を0.1〜25重量%、(B)を1〜25重量%、(C)を60〜95重量%含有する請求項1〜4いずれか記載の洗浄剤。
- さらに、界面活性剤(D)、アミド基含有親水性溶剤(E)、その他の添加剤(F)および/または水を含有してなる請求項1〜5いずれか記載の洗浄剤。
- 洗浄剤の全重量に基づく水の量が2〜30重量%である請求項1〜6いずれか記載の洗浄剤。
- 50℃におけるアルミの腐食速度が、10mdd以下である請求項1〜7のいずれか記載の洗浄剤。
- 請求項1〜8のいずれか記載の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、浸漬および浸漬揺動から選ばれる1種以上の方法で洗浄することを特徴とする電子部品、電気部品またはアルミ建材の洗浄方法。
- 電子部品がガラス基板または半導体基板である請求項9記載の洗浄方法。
- ガラス基板または半導体基板が少なくとも一部にアルミニウムを使用した基板である請求項10記載の洗浄方法。
- 請求項9記載の洗浄方法で洗浄し、リンスした後、乾燥して得られる電子部品、電気部品またはアルミ建材。
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