JP2008046153A - ポジ型レジスト処理液組成物及び現像液 - Google Patents
ポジ型レジスト処理液組成物及び現像液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008046153A JP2008046153A JP2006218695A JP2006218695A JP2008046153A JP 2008046153 A JP2008046153 A JP 2008046153A JP 2006218695 A JP2006218695 A JP 2006218695A JP 2006218695 A JP2006218695 A JP 2006218695A JP 2008046153 A JP2008046153 A JP 2008046153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive resist
- liquid composition
- treatment
- resist
- ammonium hydroxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000012545 processing Methods 0.000 title abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 23
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 21
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract 1
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 36
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- -1 hydroxyethyl group Chemical group 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 3
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920001661 Chitosan Polymers 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N acetylenediol Chemical compound OC#CO ZUQAPLKKNAQJAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000005211 alkyl trimethyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920003064 carboxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920003090 carboxymethyl hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012972 dimethylethanolamine Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylethanamine Chemical compound CCN(C)CC GNVRJGIVDSQCOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】半導体ウェハ等の表面保護膜としてレジストを塗布し、基板の周縁部（ベベル部、エッジ部、ノッチ部等）の研磨を行う製造工程において、ポジ型レジスト表面に親水性を付与することにより研磨屑等の汚染源がポジ型レジスト表面に付着するのを防止するレジスト処理液組成物を提供する。
【解決手段】本発明のポジ型レジスト処理液組成物は、下記の一般式（Ｉ）：
式中、Ｒ１及びＲ３はそれぞれメチル基を示し、Ｒ２は炭素数１２〜１８のアルキル基を示す、で表される水酸化第四級アンモニウムを含有する水溶液からなる。
【選択図】 なし
【解決手段】本発明のポジ型レジスト処理液組成物は、下記の一般式（Ｉ）：
式中、Ｒ１及びＲ３はそれぞれメチル基を示し、Ｒ２は炭素数１２〜１８のアルキル基を示す、で表される水酸化第四級アンモニウムを含有する水溶液からなる。
【選択図】 なし
Description
本発明は半導体基板の周縁部の研磨を行う製造工程において、研磨屑等の汚染源がウェハの表面保護膜であるポジ型レジスト表面に付着するのを防止するポジ型レジスト処理液組成物、及び現像工程のリンス・乾燥の際にレジストパターンが倒壊するのを防止するポジ型レジスト用現像液に関する。
半導体デバイスの製造工程において、半導体ウェハ等の基板周縁部分を研磨する工程がある（例えば特許文献１参照）。この工程は、例えばトレンチキャパシタのトレンチ（ディープトレンチ）をＳｉウェハの表面に形成するＲＩＥ（Reactive Ion Etching）工程において、エッチング中に生じる副生成物がＳｉウェハのベベル部及びエッジ部に付着し、さらにエッチングのマスクと作用して形成される針状突起物を、研磨砥粒が付与された研磨テープ等により研磨し除去する工程である。針状突起はウェハの搬送時等に破損して発塵の原因となり、歩留まりの低下に繋がるため除去しなければならない。
上記の工程において、研磨の際にウェハの破片や研磨テープ中の砥粒由来のパーティクルが飛散してウェハ表面に付着するのを防止する方法として、ポジ型レジスト等の表面保護膜を事前に形成し、さらに研磨中にウェハ上方より純水を供給してポジ型レジスト表面を水で被覆する方法等が挙げられる。しかし樹脂等からなるレジスト膜は疎水性を示すため、水がポジ型レジスト全面を被覆できずこれらのパーティクルがレジスト表面に強固に付着してしまい、研磨後の表面を物理的に洗浄しても殆ど除去できない点が問題であった。
この対策としてポジ型レジスト表面に何らかの方法を用いて親水性を付与し、レジスト膜と水との親和力を高める方法が挙げられる。ポジ型レジスト表面の親水化処理としてプラズマ処理による方法が一般に知られているが、この方法ではプラズマ処理するための装置導入が必要となり、コストアップに繋がる点が問題となる。
他のポジ型レジスト膜の親水化処理方法として、例えば特許文献２には光ディスクの製造方法において、ポジ型レジスト表面に純水を５分以上滴下することにより−ＯＨ基を付与し、親水性を向上させる方法が開示されている。しかしながらこの方法では親水化処理に時間がかかりスループットの低下が問題となる。
また、レジストパターン形成方法において、例えば特許文献３には現像液の濡れ性に優れた親水化処理剤としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、ジエチルエタノールアミン水溶液等を用い、これらの親水化処理剤をポジ型レジスト表面に数分間供給して親水性を高める方法が開示されている。しかしながらこの方法でも親水化処理に時間がかかりスループットの低下が問題となる。
さらに、特許文献４には処理基板周縁部の研磨に際し、予め基板表面に界面活性剤又は水溶性高分子剤を供給することにより、基板表面に界面活性剤又は水溶性高分子剤のコーティングを施し、基板表面にパーティクルが付着するのを防止する方法が開示されている。しかしながらこの方法では基板表面への純水の供給により界面活性剤や水溶性高分子が除去され、コーティング効果がなくなるため、研磨処理中に界面活性剤を連続的又は断続的に供給する必要があるため大量の処理液が必要となり不経済である。
ポジ型レジスト表面の親水化はＴＭＡＨ、コリン等の一般的な有機アルカリ溶液で表面を僅かに溶解させことにより達成可能であるが、枚葉式装置を用いてウェハを回転させながらウェハ表面に処理液を塗布し、回転の遠心力で処理液をウェハ全面に伸展させる手法においては、上記の有機アルカリ溶液では表面張力が大きいため必要となる処理液の量が多く、また濡れ広がり性に劣るためウェハ全面に均一に処理液が広がらずに親水化が不十分となる問題がある。これらの問題は２００ｍｍ、３００ｍｍ等の大口径ウェハ上のポジ型レジスト全面を親水化する場合等において特に顕著となる。
また、半導体デバイスの製造工程においては、パターンの微細化、高アスペクト比化に伴い、現像工程のリンス・乾燥の際にポジ型レジストパターンとリンス液（例えば水）との間の界面張力によってパターンが倒壊する問題が懸念されている。
特開２００４−２４１４３４号公報
特開平９−２１２９２２号公報
特開平９−１０６０８１号公報
特開２００５−２７７０５０号公報
本発明の目的は、ポジ型レジスト全面に均一に親水性を付与することが可能な処理液組成物、特に半導体基板の周縁部の研磨を行う製造工程において、表面保護膜となるポジ型レジスト表面に短時間で親水性を付与するとともに、親水性を持続させることにより研磨中に純水または研磨液を供給するのみでポジ型レジスト表面へのパーティクルの付着を防止し、スループットの向上に寄与できる処理液組成物、及び少量の液量で基板表面を均一に親水化できる処理液組成物を提供することにある。
また本発明の別の目的は、現像時にポジ型レジストの表面を親水化することにより、リンス・乾燥する際にポジ型レジストと水との間に働く界面張力を緩和し、レジストパターンの倒壊を防止することが可能な現像液を提供することにある。
本発明者らは上記の課題を解決し得る処理液組成物を見出すべく鋭意検討を重ねた結果、炭素数１２〜１８のアルキル基及びヒドロキシエチル基を有する水酸化第四級アンモニウムを含有する処理液組成物が表面張力低下能に優れることを見出し、さらに研究を進めた結果、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は下記の一般式（Ｉ）：
式中、Ｒ１及びＲ３はそれぞれメチル基を示し、Ｒ２は炭素数１２〜１８のアルキル基を示す、で表される水酸化第四級アンモニウムを含有する水溶液からなる、ポジ型レジスト処理液組成物に関する。
また本発明は、前記ポジ型レジスト処理液組成物をポジ型レジスト表面に対して処理してなる、ポジ型レジスト表面処理方法に関する。
さらに本発明は、半導体基板の周縁部を研磨する際に、予め前記ポジ型レジスト処理液組成物をポジ型レジスト表面に対して処理してなる、前記ポジ型レジスト表面処理方法に関する。
また本発明は、スプレー噴霧法、滴下法または浸漬法により処理する、前記ポジ型レジスト表面処理方法に関する。
さらに本発明は、上記一般式（Ｉ）で表される水酸化第四級アンモニウムを含有する水溶液からなるポジ型レジスト用現像液に関する。
本発明のポジ型レジスト処理液組成物は、炭素数１２〜１８のアルキル基及びヒドロキシエチル基を有する水酸化第四級アンモニウムを含有することにより表面張力低下能に優れ、少量の処理液組成物で均一に基板に塗布することができる。また、レジストに対する浸透性が高まることからポジ型レジスト表面を短時間で数十Å〜数百Åの範囲で溶解させ、それにより親水化を促進することが可能である。さらに、本発明のポジ型レジスト処理液組成物により処理する場合、一度親水化させるとその効果が持続するため、コーティング効果が基板表面へ純水や研磨液を供給することにより消失しない。
本明細書において、「親水化」とはレジスト表面に親水性を付与することを意味し、親水化はいわゆる濡れ性によって評価することができる。例えば基板表面へ純水を供給した後、レジスト表面の水が弾かれる（疎水性）か、レジスト全面が濡れたまま保持される（親水性）かによって評価することができる。
本発明のポジ型レジスト処理液組成物は、上記一般式（Ｉ）で表される水酸化第四級アンモニウムを含有することにより上記の優れた効果を奏する。また、例えば、一般的な有機アルカリであるＴＭＡＨやコリン（一般式（Ｉ）中のＲ1〜Ｒ3がすべてメチル基からなる）と異なり表面張力が小さいため、これらの有機アルカリに比べ必要とする処理液組成物の量が少なく、また弱アルカリ性であるため基板を傷めることもない。
なお、本発明者らは一般式（Ｉ）で表される化合物において、式中のＲ２が炭素数８のアルキル基の場合に、かかる水酸化第四級アンモニウムを含有する処理液組成物が親水化作用をほとんど示さないことを見出している。
本発明のポジ型レジスト用現像液はポジ型レジスト表面を親水性化することにより、リンス・乾燥の際のポジ型レジストとリンス液（例えば水）との間に働く界面張力を緩和するため、レジストパターンの倒壊を防止することができる。
また、本発明の現像液はレジスト表面に濡れ性を付与するため、現像液が基板表面全体を被覆し、現像むらの発生を抑制する効果も有する。
本発明の処理液組成物によれば、半導体基板の周縁部（ベベル部、エッジ部、ノッチ部等）の研磨を行う製造工程において、表面保護膜となるポジ型レジスト表面に短時間で親水性を付与でき、かつ付与した親水性が持続することから研磨中は純水の供給のみでポジ型レジスト表面へのパーティクルの付着を防止でき、スループットの向上に寄与できる。また、処理液組成物の表面張力が小さいことからポジ型レジスト表面の親水化において処理液組成物の使用量を低減できるとともに、基板に均一に塗布することができる。また本発明のポジ型レジスト用現像液によれば、ポジ型レジストの現像とともにレジスト表面を親水化するので、乾燥時のレジストパターンの倒壊を防止することができる。
本発明の処理液組成物は、ポジ型レジスト表面に親水性を付与することが可能な処理液であって、下記一般式（Ｉ）で表される、メチル基、炭素数１２〜１８のアルキル基及びヒドロキシエチル基を有する水酸化第四級アンモニウムを含有する。
式中、Ｒ１及びＲ３はそれぞれメチル基を示し、Ｒ２は炭素数１２〜１８のアルキル基を示す。Ｒ２は直鎖状または分枝鎖状のいずれであってもよいが、好ましくは直鎖状アルキル基である。
一般式（Ｉ）で示される水酸化第四級アンモニウムの好ましい例としては、下記の式（Ｉａ）で示される２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ラウリル）アンモニウムハイドロオキサイド、式（Ｉｂ）で示される２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ミリスチル）アンモニウムハイドロオキサイド、式（Ｉｃ）で示される２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ステアリル）アンモニウムハイドロオキサイド等が挙げられる。一般式（Ｉ）で示される水酸化第四級アンモニウムは単独で用いても２種以上を混合して用いてもよい。
処理液組成物中の水酸化第四級アンモニウムの濃度は好ましくは０．０１〜１０質量％であり、特に好ましくは０．５〜５質量％である。水酸化第四級アンモニウムの濃度が低いと親水化が不十分となる場合や、十分な親水性を付与するのに長時間の処理を必要とする場合があり、また水酸化第四級アンモニウムの濃度が高いとレジストに対するダメージが大きくなる。水酸化第四級アンモニウムの好ましい濃度はレジストの種類によって異なるため、レジストの種類に応じて処理液組成物中の水酸化第四級アンモニウムの濃度を適宜調整するのが好ましい。
本発明の処理液組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で上記の水酸化第四級アンモニウム以外の他の成分を含有してもよい。他の成分としては、アニオン系界面活性剤（ポリカルボン酸系、ポリアクリル酸系、アルキルベンゼンスルホン酸系等）、カチオン系界面活性剤（アルキルトリメチルアンモニウムクロライド、アルキルピリジニウムクロライド等の第四級アンモニム塩等）、水溶性高分子剤［セルロース類（メチルセルロース、メチルヒドロキシエチルセルロース、メチルヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、カルボキシエチルセルロース、カルボキシメチルヒドロキシエチルセルロース等）、キトサン類等］、ノニオン系界面活性剤（アセチレンジオール系、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリビニルピロリドン等）等、有機アルカリ［ＴＭＡＨ、ジエチルエタノールアミン等］、アルコール類［メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等］等が挙げられる。
本発明の処理液組成物を用いた処理方法としては、（１）スプレー噴霧法、（２）滴下法、（３）浸漬法等、レジスト表面へ処理液組成物を接触させる各種の方法が挙げられる。例えば、（１）スプレー噴霧法または（２）滴下法の場合、枚葉装置等を用いて被処理基板を回転させながら被処理基板の上方に配置したノズルより処理液組成物を噴霧又は滴下し、被処理基板表面のポジ型レジスト全面に処理液組成物がゆきわたるように塗布する。（３）浸漬法では被処理基板表面のポジ型レジスト全面に処理液組成物が浸るように浸漬する。親水化の処理時間は、いずれも方法においても好ましくは５秒〜６０秒であり、特に好ましくは１０秒〜３０秒である。処理時間が短いと親水化が不十分となり、また処理時間が長すぎるとレジストに対するダメージが大きくなる。（２）滴下法においては一般に表面張力の小さい処理液組成物の方が表面張力の大きい処理液組成物に比べウェハ表面全体を被覆するのに要する処理液組成物の量が少なくてすむことが知られている。したがって、表面張力の小さい本発明の処理液組成物では表面張力の大きいＴＭＡＨ、コリン等の有機アルカリに比べ、処理液組成物の供給量を低減することができる。
本発明のポジ型レジスト用現像液は上記一般式（Ｉ）で表される水酸化第四級アンモニウムを含有する。現像液に用いる水酸化第四級アンモニウムの好ましい例及び現像液中の水酸化第四級アンモニウムの含有量はポジ型レジスト処理液組成物の場合と同様である。
本発明のポジ型レジスト用現像液は、一般式（Ｉ）で表される水酸化第四級アンモニウム以外の他の成分として、無機アルカリ類（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等）、第一級アミン類（エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等）、第二級アミン類（ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等）、第三級アミン類（トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等）、アルコールアミン類（ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等）、第四級アンモニウム塩（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等）、環状アミン類（ピロール、ピヘリジン等）、アルコール類、界面活性剤等の現像液に添加される通常の成分を含有することができる。
一般に、半導体デバイスの製造工程においてはレジスト膜を形成した基板に所定のマスクを通して露光し、ベーク、現像、リンス・乾燥することによりレジストパターンを得る。現像工程において、現像及びリンス処理は上記の処理液組成物による処理方法と同様にスプレー噴霧法、滴下法、浸漬法等により行うことができる。例えば、枚葉装置を用いて処理する場合、被処理基板を回転させながら被処理基板上方に配置した現像液ノズル及びリンス液ノズルから被処理基板表面に現像液及びリンス液を供給することにより処理する。
本発明の処理液組成物又は本発明の現像液を適用するポジ型レジストは特に制限されず、例えばノボラック樹脂、ポリアクリル酸、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン、ポリノルボルネン樹脂、それらにフッ素を導入した樹脂等を材料として用いたポジ型レジストが挙げられる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
シリコンウェハー上にポジ型レジスト［長瀬産業（株）製８２０、膜厚約１７，０００Å］をスピン塗布した後、溶媒除去および基板との密着性向上を目的として１２０℃で１０分間ベーキングした。表１に示す組成となるように純水中に表中の各成分をそれぞれ溶解し、処理液組成物を調製した。各処理液組成物中に、試験片として上記のポジ型レジスト膜を成膜したシリコンウェハーを２５℃で１０秒間撹拌せずに浸漬し、その後超純水で３分間流水リンスを行った。リンス後に試験片を引き上げ、レジスト表面の濡れ性を目視により観察した。また処理前後の膜厚減少量を光学干渉式膜厚計により測定し、レジストへのダメージを評価した。結果を表１に示す。
比較例１〜４に示すようにＴＭＡＨを含有する溶液では、１．５質量％以上のＴＭＡＨで親水性を示したのに対し、実施例１〜４に示す２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ラウリル）アンモニウムハイドロオキサイド（化合物１）を含有する溶液では、０．５質量％の化合物１で良好な親水性を示し、かつレジストの膜減り量が小さかった。また実施例５〜７に示す２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ミリスチル）アンモニウムハイドロオキサイド（化合物２）又は２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ステアリル）アンモニウムハイドロオキサイド（化合物３）を含有する溶液でも同様に親水性を示し、かつ親水性付与時のレジストの膜減り量が小さかった。一方、比較例５や比較例６に示すように純水滴下やジエタノールアミンを用いる特許文献２や特許文献３に記載の処理液組成物では親水化されなかった。
×：疎水性（流水リンス後試験片を引き上げると、直ちに水が弾かれるか又は徐々に弾かれる）
○：親水性（レジスト全面が濡れたままの状態）
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
化合物１：２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ラウリル）アンモニウムハイドロオキサイド
化合物２：２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ミリスチル）アンモニウムハイドロオキサイド
化合物３：２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ステアリル）アンモニウムハイドロオキサイド
表１と同様の評価試験をポジ型レジスト膜［東京応化工業（株）製ＯＦＰＲ−８００、膜厚約１８，０００Å］を成膜したシリコンウェハーを試験片として実施した。結果を表２に示す。比較例７〜１０に示すようにＴＭＡＨを含有する溶液では、２．０質量％のＴＭＡＨで親水性を示したのに対し、実施例８〜９に示す２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ラウリル）アンモニウムハイドロオキサイド（化合物１）を含有する溶液では、１．０質量％の化合物１で親水性を示し、かつレジストの膜減り量が小さかった。また実施例１０に示す２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ミリスチル）アンモニウムハイドロオキサイド（化合物２）を含有する溶液でも同様に親水性を示し、親水性付与時のレジストの膜減り量が小さかった。また比較例１１や比較例１２に示すように特許文献２や特許文献３に記載の処理液では親水化されなかった。
×：疎水性（流水リンス後試験片を引き上げると、直ちに水が弾かれるか又は徐々に弾かれる）
○：親水性（レジスト全面が濡れたままの状態）
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
化合物１：２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ラウリル）アンモニウムハイドロオキサイド
化合物２：２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ミリスチル）アンモニウムハイドロオキサイド
表２に示す評価で用いたポジ型レジスト（膜厚約１１，０００Å）を成膜した３００ｍｍシリコンウェハーに対し、枚葉装置を用い、ウェハ上に処理液組成物を滴下し親水化する方法において、処理液組成物がウェハ上のレジスト表面全面を被覆するのに要する処理液組成物の量を調べた。結果を表３に示す。実施例１１及び比較例１３に示すように、本発明の処理液組成物では、レジスト表面全面を被覆するのに必要な量がＴＭＡＨを含有する処理液組成物に比べて少ないことが分かる。
化合物１：２−ヒドロキシエチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ラウリル）アンモニウムハイドロオキサイド
Claims (5)
- 下記の一般式（Ｉ）：
- 請求項１に記載のポジ型レジスト処理液組成物をポジ型レジスト表面に対して処理してなる、ポジ型レジスト表面処理方法。
- 半導体基板の周縁部を研磨する際に、予め請求項１に記載のポジ型レジスト処理液組成物をポジ型レジスト表面に対して処理してなる、請求項２に記載のポジ型レジスト表面処理方法。
- スプレー噴霧法、滴下法または浸漬法により処理する、請求項２または３に記載のポジ型レジスト表面処理方法。
- 請求項１に記載の一般式（Ｉ）で表される水酸化第四級アンモニウムを含有する水溶液からなるポジ型レジスト用現像液。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006218695A JP5053592B2 (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | ポジ型レジスト処理液組成物及び現像液 |
| KR1020097002677A KR101323818B1 (ko) | 2006-08-10 | 2007-08-10 | 포지티브형 레지스터 처리액 조성물 및 현상액 |
| EP07792334A EP2053465B1 (en) | 2006-08-10 | 2007-08-10 | Positive resist processing liquid composition and liquid developer |
| CNA2007800269406A CN101490626A (zh) | 2006-08-10 | 2007-08-10 | 正型抗蚀剂处理液组合物及显像液 |
| PCT/JP2007/065689 WO2008018580A1 (fr) | 2006-08-10 | 2007-08-10 | Composition liquide de traitement de résine photosensible positive et développeur liquide |
| US12/310,054 US8323880B2 (en) | 2006-08-10 | 2007-08-10 | Positive resist processing liquid composition and liquid developer |
| TW096129692A TW200815945A (en) | 2006-08-10 | 2007-08-10 | Positive resist treating liquid composition and developer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006218695A JP5053592B2 (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | ポジ型レジスト処理液組成物及び現像液 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008046153A true JP2008046153A (ja) | 2008-02-28 |
| JP2008046153A5 JP2008046153A5 (ja) | 2009-10-15 |
| JP5053592B2 JP5053592B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=39033108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006218695A Expired - Fee Related JP5053592B2 (ja) | 2006-08-10 | 2006-08-10 | ポジ型レジスト処理液組成物及び現像液 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8323880B2 (ja) |
| EP (1) | EP2053465B1 (ja) |
| JP (1) | JP5053592B2 (ja) |
| KR (1) | KR101323818B1 (ja) |
| CN (1) | CN101490626A (ja) |
| TW (1) | TW200815945A (ja) |
| WO (1) | WO2008018580A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015028576A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-02-12 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
| WO2015141706A1 (ja) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | Hoya株式会社 | 現像促進層を有するレジスト層付ブランク |
| KR20180092862A (ko) | 2017-02-10 | 2018-08-20 | 주식회사 다이셀 | 레지스트 친수화 처리제 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5994736B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2016-09-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 |
| CN114706271A (zh) | 2016-03-31 | 2022-07-05 | 富士胶片株式会社 | 半导体制造用处理液及图案形成方法 |
| US10174687B2 (en) | 2017-01-04 | 2019-01-08 | Hyundai Motor Company | Method of controlling engine |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336470A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-12-08 | Sanyo Chem Ind Ltd | アルカリ洗浄剤 |
| WO2006134902A1 (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-21 | Tokuyama Corporation | フォトレジスト現像液、および該現像液を用いた基板の製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB459309A (en) * | 1935-07-11 | 1937-01-06 | Ig Farbenindustrie Ag | Improvements in the manufacture and production of quaternary ammonium bases |
| CA1112243A (en) * | 1978-09-08 | 1981-11-10 | Manfred Bock | Process for the preparation of polyisocyanates containing isocyanurate groups and the use thereof |
| US4628023A (en) * | 1981-04-10 | 1986-12-09 | Shipley Company Inc. | Metal ion free photoresist developer composition with lower alkyl quaternary ammonium hydrozide as alkalai agent and a quaternary ammonium compound as surfactant |
| JPS636548A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジストの現像前処理剤及び現像処理方法 |
| JPS6472155A (en) | 1987-09-12 | 1989-03-17 | Tama Kagaku Kogyo Kk | Developing solution for positive type photoresist |
| JPH01129250A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-22 | Tama Kagaku Kogyo Kk | ポジ型フォトレジスト用現像液 |
| JP3475314B2 (ja) | 1995-10-12 | 2003-12-08 | 大日本印刷株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JPH09212922A (ja) | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Ricoh Co Ltd | 光ディスクの製造方法及び光ディスク |
| US6328641B1 (en) * | 2000-02-01 | 2001-12-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for polishing an outer edge ring on a semiconductor wafer |
| JP4125148B2 (ja) | 2003-02-03 | 2008-07-30 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
| FR2866246B1 (fr) * | 2004-02-17 | 2006-05-12 | Commissariat Energie Atomique | Membranes catanioniques cristallisees stabilisees par des polymeres, leur procede de preparation et applications |
| JP4284215B2 (ja) | 2004-03-24 | 2009-06-24 | 株式会社東芝 | 基板処理方法 |
| KR100617855B1 (ko) | 2004-04-30 | 2006-08-28 | 산요가세이고교 가부시키가이샤 | 알칼리 세정제 |
| WO2006025373A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | 界面活性剤 |
| FR2880032B1 (fr) | 2004-12-23 | 2007-04-20 | Commissariat Energie Atomique | Nanodisques catanioniques cristallises stabilises, procede de preparation et applications |
-
2006
- 2006-08-10 JP JP2006218695A patent/JP5053592B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-08-10 KR KR1020097002677A patent/KR101323818B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-08-10 TW TW096129692A patent/TW200815945A/zh unknown
- 2007-08-10 CN CNA2007800269406A patent/CN101490626A/zh active Pending
- 2007-08-10 US US12/310,054 patent/US8323880B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-10 EP EP07792334A patent/EP2053465B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-10 WO PCT/JP2007/065689 patent/WO2008018580A1/ja active Application Filing
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005336470A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-12-08 | Sanyo Chem Ind Ltd | アルカリ洗浄剤 |
| WO2006134902A1 (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-21 | Tokuyama Corporation | フォトレジスト現像液、および該現像液を用いた基板の製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015028576A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-02-12 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
| WO2015141706A1 (ja) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | Hoya株式会社 | 現像促進層を有するレジスト層付ブランク |
| JP2015194741A (ja) * | 2014-03-18 | 2015-11-05 | Hoya株式会社 | レジスト層付ブランク、その製造方法、マスクブランクおよびインプリント用モールドブランク、ならびに転写用マスク、インプリント用モールドおよびそれらの製造方法 |
| KR20180092862A (ko) | 2017-02-10 | 2018-08-20 | 주식회사 다이셀 | 레지스트 친수화 처리제 |
| US10466592B2 (en) | 2017-02-10 | 2019-11-05 | Daicel Corporation | Agent for resist hydrophilization treatment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200815945A (en) | 2008-04-01 |
| EP2053465A1 (en) | 2009-04-29 |
| KR20090035588A (ko) | 2009-04-09 |
| WO2008018580A1 (fr) | 2008-02-14 |
| JP5053592B2 (ja) | 2012-10-17 |
| KR101323818B1 (ko) | 2013-10-31 |
| US20100086882A1 (en) | 2010-04-08 |
| EP2053465A4 (en) | 2011-04-13 |
| EP2053465B1 (en) | 2013-01-16 |
| US8323880B2 (en) | 2012-12-04 |
| CN101490626A (zh) | 2009-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4752270B2 (ja) | 洗浄液及びそれを用いた洗浄方法 | |
| WO2014080917A1 (ja) | ガラス基板の洗浄方法 | |
| US20010025017A1 (en) | Cleaning agent composition, method for cleaning and use thereof | |
| JP5053592B2 (ja) | ポジ型レジスト処理液組成物及び現像液 | |
| JP4741315B2 (ja) | ポリマー除去組成物 | |
| US20090120457A1 (en) | Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices | |
| US20080006305A1 (en) | Resist, Barc and Gap Fill Material Stripping Chemical and Method | |
| KR20010043674A (ko) | 세정 조성물 및 잔류물을 제거하는 방법 | |
| WO2009073596A2 (en) | Formulations for cleaning memory device structures | |
| TW200306348A (en) | PH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates | |
| JP2003289060A (ja) | 半導体デバイス用基板の洗浄液および洗浄方法 | |
| US7938911B2 (en) | Process for cleaning a semiconductor wafer using a cleaning solution | |
| JP4634718B2 (ja) | エッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物 | |
| CN101233221A (zh) | 铜钝化的化学机械抛光后清洗组合物及使用方法 | |
| TW201840641A (zh) | 光阻親水化處理劑 | |
| CN1862391B (zh) | 除光阻层的组合物及其使用方法 | |
| JP2008502935A (ja) | 水性エッジビード除去液 | |
| CN101410503A (zh) | 用于后cmp清洗工艺的改良碱性溶液 | |
| KR20080009970A (ko) | 포토레지스트 현상액 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴형성 방법 | |
| JPWO2007020979A1 (ja) | ハードマスクの除去用組成物及び除去方法 | |
| WO2014079145A1 (zh) | 一种去除光刻胶的清洗液 | |
| TWI670243B (zh) | 玻璃基板、玻璃基板之製造方法、及黑矩陣基板 | |
| KR102347910B1 (ko) | 감광성 수지 및 반사방지막의 도포성 향상 및 제거용 신너 조성물 | |
| JP4837467B2 (ja) | レジスト親水化処理液組成物およびその処理方法 | |
| JP4610469B2 (ja) | 洗浄除去剤 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081024 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090806 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090806 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090806 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090909 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120312 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120626 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120726 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |