KR20010043674A - 세정 조성물 및 잔류물을 제거하는 방법 - Google Patents
세정 조성물 및 잔류물을 제거하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010043674A KR20010043674A KR1020007012878A KR20007012878A KR20010043674A KR 20010043674 A KR20010043674 A KR 20010043674A KR 1020007012878 A KR1020007012878 A KR 1020007012878A KR 20007012878 A KR20007012878 A KR 20007012878A KR 20010043674 A KR20010043674 A KR 20010043674A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cleaning composition
- substrate
- group
- fluoride
- compound
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims abstract description 26
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 24
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical class [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- -1 hydroxylamine salt compound Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 26
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 26
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 19
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 14
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical group CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 6
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 claims description 5
- BRXKYDOLYRYHMP-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumylethylazanium;difluoride Chemical compound F.F.NCCN BRXKYDOLYRYHMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M Trifluoroacetate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- FZENGILVLUJGJX-NSCUHMNNSA-N (E)-acetaldehyde oxime Chemical compound C\C=N\O FZENGILVLUJGJX-NSCUHMNNSA-N 0.000 claims description 3
- ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-3-nitro-5-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC(Cl)=CC(C(F)(F)F)=C1 ZQXCQTAELHSNAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N Alizarin Natural products C1=CC=C2C(=O)C3=C(O)C(O)=CC=C3C(=O)C2=C1 RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- HFVAFDPGUJEFBQ-UHFFFAOYSA-M alizarin red S Chemical compound [Na+].O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C(S([O-])(=O)=O)C(O)=C2O HFVAFDPGUJEFBQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 3
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CQRYARSYNCAZFO-UHFFFAOYSA-N salicyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1O CQRYARSYNCAZFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IJGSGCGKAAXRSC-UHFFFAOYSA-M tris(2-hydroxyethyl)-methylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].OCC[N+](C)(CCO)CCO IJGSGCGKAAXRSC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XMYXFZHMOVKTFV-UHFFFAOYSA-N NO.NO.NO.OC(CC(O)=O)(CC(O)=O)C(O)=O Chemical compound NO.NO.NO.OC(CC(O)=O)(CC(O)=O)C(O)=O XMYXFZHMOVKTFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YIVSWULVVGTVFT-UHFFFAOYSA-L hydroxyazanium;oxalate Chemical compound O[NH3+].O[NH3+].[O-]C(=O)C([O-])=O YIVSWULVVGTVFT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine hydrochloride Substances Cl.ON WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XBUFCZMOAHHGMX-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;phosphoric acid Chemical compound ON.ON.ON.OP(O)(O)=O XBUFCZMOAHHGMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WCYJQVALWQMJGE-UHFFFAOYSA-M hydroxylammonium chloride Chemical compound [Cl-].O[NH3+] WCYJQVALWQMJGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- CRJZNQFRBUFHTE-UHFFFAOYSA-N hydroxylammonium nitrate Chemical compound O[NH3+].[O-][N+]([O-])=O CRJZNQFRBUFHTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 2
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- VHLDQAOFSQCOFS-UHFFFAOYSA-M tetrakis(2-hydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].OCC[N+](CCO)(CCO)CCO VHLDQAOFSQCOFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 22
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 description 7
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 3
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- 150000005206 1,2-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- GVVJDMBWNVYFSD-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1-hydroxypiperazine Chemical compound CCC1CNCCN1O GVVJDMBWNVYFSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRGUSFBJBOKSML-UHFFFAOYSA-N 3',5'-di-O-methyltricetin Chemical compound COC1=C(O)C(OC)=CC(C=2OC3=CC(O)=CC(O)=C3C(=O)C=2)=C1 HRGUSFBJBOKSML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000003341 Bronsted base Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017758 Cu-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017931 Cu—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N D-mannopyranose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(2-hydroxyethyl)glycine Chemical compound OCCN(CCO)CC(O)=O FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDDMFNIRSJVBHE-UHFFFAOYSA-N Piscigenin Natural products COC1=C(O)C(OC)=CC(C=2C(C3=C(O)C=C(O)C=C3OC=2)=O)=C1 IDDMFNIRSJVBHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N Xylitol Natural products OCCC(O)C(O)C(O)CCO TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M benzyltrimethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- 239000007998 bicine buffer Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical class B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N diethylhydroxylamine Chemical class CCN(O)CC FVCOIAYSJZGECG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCFYHBSOLOXZIF-UHFFFAOYSA-N dihydrochrysin Natural products COC1=C(O)C(OC)=CC(C2OC3=CC(O)=CC(O)=C3C(=O)C2)=C1 KCFYHBSOLOXZIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- VGYYSIDKAKXZEE-UHFFFAOYSA-L hydroxylammonium sulfate Chemical compound O[NH3+].O[NH3+].[O-]S([O-])(=O)=O VGYYSIDKAKXZEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000378 hydroxylammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 239000008400 supply water Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;fluoride Chemical compound [F-].CC[N+](CC)(CC)CC QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMCJATLPEJCACU-UHFFFAOYSA-N tricin Natural products COc1cc(OC)c(O)c(c1)C2=CC(=O)c3c(O)cc(O)cc3O2 BMCJATLPEJCACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000000811 xylitol Substances 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N xylitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N 0.000 description 1
- 229960002675 xylitol Drugs 0.000 description 1
- 235000010447 xylitol Nutrition 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
- C11D3/04—Water-soluble compounds
- C11D3/046—Salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/38—Cationic compounds
- C11D1/62—Quaternary ammonium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
- C11D3/0073—Anticorrosion compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
- C11D3/04—Water-soluble compounds
- C11D3/042—Acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/24—Organic compounds containing halogen
- C11D3/245—Organic compounds containing halogen containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/06—Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/10—Salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3281—Heterocyclic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 기판으로부터 감광성 내식막, 플라즈마 에칭 잔류물 및 CMP 잔류물을 제거하는데 유용한 수성계 비-부식성 세정 조성물에 관한 것이다. 한가지 바람직한 세정 조성물은 하이드록실아민 또는 하이드록실아민염 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함한다. 또다른 세정 조성물은 아민, 4급 수산화암모늄 및 수산화암모늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함한다.
Description
발명의 배경
발명의 분야
본 발명은 마이크로 전자 공학 제조 분야에 사용되는 세정 조성물 및 세정방법, 보다 특히, 비-부식성 세정 조성물 및 기판 상의 감광성 내식막, 플라즈마 에칭 잔류물 및 화학적-기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing; CMP) 잔류물의 제거방법에 관한 것이다.
기술분야의 설명
미세 회로 제조시, 포지티브형 감광성 내식막이 일련의 사진 평판 및 플라즈마 에칭 단계에 의해 레티큘(reticule)의 마스크 패턴 원판을 웨이퍼 기판으로 전사시키기 위한 중간 마스크로서 사용된다. 미세 회로 제조 공정의 여러 단계들 중의 하나는 기판으로부터 패턴화된 감광성 내식막 필름을 제거하는 것이다. 일반적으로, 이러한 단계는 2가지 방법 중의 어느 하나의 영향을 받는다. 한 가지 방법은, 감광성 내식막-피복된 기판을 주로 유기 용매와 아민으로 이루어진 감광성 내식막 스트리퍼 용액과 접촉시키는 습식 스트리핑(wet stripping) 단계를 포함한다. 그러나, 특히 감광성 내식막 필름을 제조하는 동안 이를 UV선 및 플라즈마 처리에 노출시킬 경우, 스트리퍼 용액으로는 감광성 내식막을 신뢰할 정도로 완전하게 제거할 수 없다. 몇몇 감광성 내식막 필름은 이러한 처리로 인해 고도로 가교결합되므로 스트리퍼 용액에 용해되기가 더욱 어렵다. 또한, 이러한 통상의 습식 스트리핑 방법에 사용되는 화학물질은 금속층 또는 산화물층을 할로겐-함유 가스로 플라즈마 에칭하는 동안 형성된 무기 잔류 물질을 제거하는데 종종 효과적이지 못하다.
감광성 내식막을 제거하는 또다른 방법은, 산소 플라즈마 에싱(oxygen plasma ashing)이라고 공지되어 있는 공정에서 기판 표면으로부터 내식막 필름을 연소시키기 위해 감광성 내식막-피복된 웨이퍼를 산소 플라즈마에 노출시킴을 포함한다. 산소 플라즈마 에싱은, 진공 챔버에서 수행되며 이에 따라 기류건조(airborne) 미립자 또는 금속성 오염물질에 덜 민감할 것으로 기대되기 때문에, 미세 회로 제조 공정에 보다 널리 사용되고 있다. 그러나, 산소 플라즈마 에싱 역시 위에서 주지한 플라즈마 에칭 잔류물을 제거하는데 충분히 효과적이지 못하다. 대신, 후속적으로 감광성 내식막 필름을 특정 알칼리 용액에 노출시킴으로써 이들 플라즈마 에칭 잔류물을 제거시킬 수 있다. 현재, 몇가지 시판품들이 플라즈마 에칭에 이은 산소 에싱으로 인해 잔존하는 플라즈마 에칭 잔류물을 세정하는데 이용가능하다. 예를 들면, EKC 265(제조원; EKC Technology, Inc.)는 물, 알칸올아민, 카테콜 및 하이드록실아민으로 이루어진 플라즈마 에칭 세정액이다. 이러한 조성물이 문헌(참조; 리(Lee)의 미국 특허 제5,279,771호)에 기재되어 있다. ACT 935(제조원; Ashland Chemical)는 또다른 플라즈마 에칭 세정액으로서 물, 알칸올아민 및 하이드록실아민으로 이루어진다. 이들 둘 다에서, 하이드록실아민은 부식 억제제로서 사용된다. 후-스트립 린스인 R-10(제조원; Mitsubishi Gas Chemical)은 물, 알칸올아민 및 당 알콜로 이루어지며, 여기서 당 알콜은 부식 억제제로서 작용한다.
이러한 시판품들이 플라즈마 에칭 잔류물을 효과적으로 용해시킬 수는 있지만, 이에 함유되어 있는 물과 알칸올아민의 배합물이 또한 기판 위에 패턴으로 부착되어 있는 금속층을 공격할 수 있다. 이들 제품에 부식 억제제를 첨가하면 기판 위에 부착된 금속층 및 산화물층에 대한 바람직하지 않은 공격을 어느 정도 완화시킬 수 있다. 그러나, 이들 제품의 pH가 11 이상이기 때문에, 부식 억제제가 존재한다 하더라도, 이들이 몇몇 부식-민감성 금속층들을 공격할 수 있다. 특히, 알루미늄 또는 알루미늄 합금(예를 들면, Al-Cu-Si), 티탄 질화물, 티탄 텅스텐 등과 같은 금속층이 부식에 특히 민감하다. 또한, 적당한 부식 억제제를 첨가하는 것이 기판 금속층의 부식을 방지하는데 필수적이기는 하지만, 부식 억제제가 플라즈마 에칭 잔류물의 제거를 억제해서는 안된다.
플라즈마 에칭 잔류물의 화학적 조성이 일반적으로 기판 상의 금속층 또는 산화물층의 조성과 유사하기 때문에, 플라즈마 에칭 잔류물 제거와 부식 억제 작용 간의 균형을 효과적으로 유지시키기는 어렵다. 선행 기술분야의 세정 조성물에 사용되는 알칸올아민은 종종 플라즈마 에칭 잔류물과 기판 금속층을 둘 다 공격하는 것으로 밝혀졌다. 더욱이, 이소프로필 알콜과 같은 후-세정제 린스를 사용하지 않으면, 부식이 매우 심각해질 수 있다. 또한, 몇가지 유형의 부식 억제제는 플라즈마 에칭 잔류물 제거를 지연시키는 것으로 밝혀졌다. 또한, 플라즈마 에칭 잔류물의 제거속도와 기판 금속층 부식 억제 작용 간에는 항상 상충되는 면이 있다. 따라서, 금속층의 부식을 야기시키지 않으면서 플라즈마 에칭 잔류물을 효과적이면서도 신속하게 제거하는 방법이 요구되고 있다.
감광성 내식막 스트리퍼/세정제 적용 분야의 몇가지 다른 특허들이 다음과 같이 존재하기는 하지만, 이들 중 어떠한 것도 본 발명의 방법 또는 조성물의 사용에 대해 기재한 바 없다.
가가쿠 간토(Kagaku Kanto)에게 양도된 일본 특허원 제7-028254호에는 당 알콜, 알콜 아민, 물 및 4급 수산화암모늄을 포함하는 비-부식성 내식막 제거액이 기재되어 있다.
PCT 공개 특허원 제WO 88-05813호에는 부티로락톤 또는 카프로락톤, 4급 수산화암모늄 화합물 및 임의로 비이온성 계면활성제를 함유하는 포지티브형 또는 네가티브형 감광성 내식막 스트리퍼가 교시되어 있다.
무라오카(Muraoka) 등의 미국 특허 제4,239,661호에는 0.01 내지 20% 트리알킬(하이드록시알킬)암모늄 하이드록사이드의 수용액을 포함하는 표면-처리제가 기재되어 있다. 이러한 처리제는 중간 반도체 제품의 표면에 부착된 유기 및 무기 오염물질을 제거하는데 유용하다.
미야시타(Miyashita) 등의 미국 특허 제4,904,571호에는 용매(예를 들면, 물, 알콜, 에테르, 케톤 등), 4급 수산화암모늄을 포함한, 용매에 용해시킨 알칼리 화합물 및 용매에 용해시킨 수소화붕소 화합물을 함유하는 인쇄 회로판 감광성 내식막 스트리퍼 조성물이 교시되어 있다.
딘(Dean) 등의 미국 특허 제5,091,103호에는 N-알킬-2-피롤리돈(A), 1,2-프로판디올(B) 및 테트라알킬암모늄 하이드록사이드(C)를 함유하는 포지티브형 감광성 내식막 스트리핑 조성물이 교시되어 있다.
워드(Ward) 등의 미국 특허 제5,139,607호에는 테트라하이드로푸르푸릴 알콜(A), 다가 알콜(B)(예를 들면, 에틸렌 글리콜 또는 프로필렌 글리콜), 푸르푸릴 알콜과 알킬렌 옥사이드의 반응 생성물(C), 수용성 브뢴스테드 염기형 하이드록사이드 화합물(D)(예를 들면, 알칼리 금속 수산화물, 수산화암모늄 및 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드) 및 물(E)을 함유하는 포지티브형 및 네가티브형 감광성 내식막 스트리핑 조성물이 교시되어 있다. 임의로, 이들 조성물은 또한 1% 이하의 비이온성 계면활성제를 함유할 수 있다.
아오야마(Aoyama) 등의 미국 특허 제5,174,816호에는 건식 에칭 후 암모늄 라인 패턴 기판의 표면 위에 잔류하는 염소를 제거하기 위한 조성물이 기재되어 있으며, 여기서 당해 조성물은 0.01 내지 15중량%의 4급 수산화암모늄(예를 들면, 트리메틸(2-하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드) 및 0.1 내지 20중량%의 당 또는 당 알콜(예를 들면, 크실리톨, 만노즈, 글루코즈 등)을 함유하는 수용액을 포함한다.
감광성 내식막 및 플라즈마 에칭 잔류물의 제거 이외에, 미세 회로 제조시에 널리 사용되는 또다른 단계는 평탄화 에칭 백(planarization etch back) 또는 화학적-물리적 연마(CMP)와 같은 평탄화 공정을 포함한다. 기판 위에 물질 층이 연속적으로 부착되면 표면이 울퉁불퉁해지므로 이러한 평탄하지 않은 지형 전반에 평판 인쇄술로 화상을 인쇄하기가 어렵기 때문에, 미세 회로 제조시에 평탄화 공정이 필요하다. 평탄화 공정은 심지어 평판 인쇄술에 의해 표면 상에 화상이 보다 용이하게 형성되도록 한다.
평탄화 에칭 백에서는, SiO2함유 유리 상의 스핀 또는 중합체 내식막과 같은 평탄화 물질을 통상적으로 평탄하지 않은 지형 위에서 회전시켜 기판을 평탄화시킨다. 이어서, 기판을 플라즈마 에칭 공정에 도입하며, 여기서 평탄화 물질과 아래에 놓여있는 기판이 동일한 속도로 적절하게 에칭되어 평면이 형성된다. 이러한 공정의 경우, 플라즈마 에칭 잔류물과 평탄화 물질의 일부가 통상적으로 기판 위에 잔존하므로 제거해야 한다.
CMP 공정에서는, 평탄화시키고자 하는 표면을 연마 슬러리의 존재하에서 회전식 연마 패드와 접촉시킨다. 슬러리의 화학적 성질과 연마 패드의 연마 작용에 의해 기판 표면층의 일부가 제거된다. CMP의 문제점은 CMP 공정에 사용되는 슬러리로부터 또는 박리된 기판 물질로부터 생성된 잔류물이 기판 이면에 잔존한다는 점이다. 이들 잔류물은 비아(via)를 오염시킬 수 있으며, 미세 회로의 작용에 유해한 영향을 미칠 수 있다. 특히, 나트륨, 칼륨 등의 알킬리 금속 및 철을 포함하는 금속 오염물을 함유하는 연마 슬러리로부터 생성되는 잔류물은 미세 회로를 심각하게 오염시킨다.
CMP 오염물은 통상적으로, 표면을 수산화암모늄 또는 과산화수소와 혼합된 수산화암모늄을 함유하는 가성 용액과 접촉시킴으로써, 기판 표면으로부터 제거시킨다. 또한, 이러한 용액을 사용하여 브러쉬로 문질러줌으로써 미립자를 제거하기도 한다. 그러나, 이러한 가성 용액은 기판의 결점부위를 통해 확산되어 알루미늄, 알루미늄 합금, 내화 금속 등과 같은 금속층을 공격할 수 있다. 금속을 공격하게 되면 후속적으로 금속에 공극이 생겨 미세 회로 불량을 야기시킬 수 있다.
특정한 유기 부식 억제제와 불소 함유 화합물과의 배합물을 사용하여 금속 공격으로 인한 문제점을 해결하고자 하는 시도가 몇몇 특허 문헌에 기재되어 있다. 예를 들면, 와인바거(Winebarger) 등의 미국 특허 제 5,478,436호에서는 유기 부식 억제제(글리콜 및 디메틸설폭사이드)와 불소 함유 화합물(예를 들면, 불화암모늄, 불화수소 및 과불소산)과의 배합물을 사용한다. 보우던(Bowden) 등의 미국 특허 제5,320,709호에는 다가 알콜 중의 무수 불화암모늄을 사용하는 것으로 기재되어 있다. 이러한 조성물과 관련한 문제점은 유기 용매가 단지 약한 부식 억제제이므로 고농도의 유기 용매(50중량% 이상)가 필요하다는 점이다. 따라서, 유기 물질계 세정 용액이 환경에 비친화적이기 때문에 폐기물 제거와 관련한 문제가 있다.
따라서, 기판으로부터 감광성 내식막, 플라즈마 에칭 잔류물 및 CMP 잔류물을 제거하는 조성물이 여전히 요구된다. 또한, 기판에 유해한 영향을 미치지 않는 조성물이 요구된다. 추가로, 폐기하더라도 환경에 유해하지 않는 수성계 조성물이 요구된다.
발명의 요지
간략하게 요약하면, 본 발명은 기판으로부터 감광성 내식막, 플라즈마 에칭 잔류물 및 CMP 잔류물을 제거하는데 유용한 수성계 비-부식성 세정 조성물에 관한 것이다. 당해 조성물은, 하이드록실아민 또는 하이드록실아민염 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함한다.
또다른 양태에서, 본 발명은, 아민, 4급 수산화암모늄 및 수산화암모늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함하는 세정 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 또한 잔류물을 함유하는 기판을 상기한 하나 이상의 세정 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하여, 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법에 관한 것이다.
바람직한 양태의 상세한 설명
본 발명은 기판으로부터 감광성 내식막, 플라즈마 에칭 잔류물 및 CMP 잔류물을 제거하는데 유용한 비-부식성 세정 조성물에 관한 것이다. 당해 조성물은 바람직하게는, 하이드록실아민 또는 하이드록실아민염 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함한다.
본 발명의 조성물은 하이드록실아민이나, 하이드록실아민을 질산 또는 황산과 같은 산과 반응시켜 제조한 하이드록실아민의 염을 함유할 수 있다.
본 발명의 세정 조성물을 형성하는데 사용할 수 있는 바람직한 하이드록실아민염에는 하이드록실암모늄 니트레이트(HAN이라 함), 하이드록실암모늄 설페이트(HAS라 함), 하이드록실암모늄 포스페이트, 하이드록실암모늄 클로라이드, 하이드록실암모늄 옥살레이트, 하이드록실암모늄 시트레이트 등이 포함된다. 하이드록실암모늄염의 알킬 치환된 유도체, 예를 들면, 하이드록실 디에틸암모늄염 등도 유용하다.
상기한 조성물 중의 불소 함유 화합물은 산 플루오라이드, 불소화 염, 폴리암모늄 플루오라이드 염 및 이들의 혼합물로부터 선택할 수 있다. 바람직한 산 플루오라이드는 불화수소(HF) 및 과불소산이다. 바람직한 플루오라이드 염은 암모늄 플루오라이드, 암모늄 비플루오라이드, 암모늄 디플루오라이드 및 테트라알킬 암모늄 플루오라이드 염, 예를 들면, 테트라메틸 암모늄 플루오라이드 및 테트라에틸 암모늄 플루오라이드이다. 바람직하게는, 불소 함유 화합물은 조성물의 중량을 기준으로 하여 약 0.5 내지 10중량%를 차지한다.
폴리암모늄염은 폴리아민을 HF와 반응시켜 폴리암모늄 플루오라이드 염을 형성함으로써 제조할 수 있다. 예를 들면, HF는 에틸렌 디아민의 수용액과 반응하여 에틸렌디암모늄 디플루오라이드를 형성할 수 있다. 또한, 과량의 HF가 폴리아민과 반응하여 폴리암모늄염을 형성할 수도 있다. 바람직한 폴리암모늄염에는 에틸렌디암모늄 디플루오라이드 및 디에틸렌트리암모늄 트리플루오라이드가 포함된다.
불소 함유 화합물은, 표면 상의 오염물 또는 기판에 함입되어 있는 오염물이 전부 제거되도록 아래에 놓여있는 규소계 기판을 약하게 에칭시킴으로써 오염물을 제거하는데 도움을 주는 것으로 믿어진다. 또한, 플라즈마 에칭 잔류물 중의 대부분, 특히 플루오라이드 종을 함유하는 것은 불소 용액에 가요성이므로 이 역시 제거되는 것으로 믿어진다. 하이드록실아민과 이의 염은 부식 억제제로서 작용하며 잔류물 제거를 촉진시킨다. 따라서, 불소 화합물과 하이드록실아민 또는 이의 염과의 배합물이 세정 조성물로서 특히 유용한 것으로 본 출원인에 의해 밝혀졌다.
세정 조성물의 pH는 미세 회로 제조에 사용되는 금속을 공격하거나 부식시키지 않도록 약산성 내지 약염기성인 것이 바람직하다. 세정 조성물이 지나지게 가성이거나 산성인 경우, 기판 위의 금속층이 공격을 받을 수 있다. 따라서, pH가 바람직하게는 약 2 내지 9, 보다 바람직하게는 약 2 내지 6인 조성물을 제공하기 위해서는 세정 조성물 중의 성분들을 적절한 농도로 혼합해야 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 있어서, 불소 함유 화합물을 물, 하이드록실아민염, 및 아민, 4급 수산화암모늄 및 수산화암모늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 염기성 화합물을 포함하는 조성물과 혼합한다. 이러한 조성물이 1996년 9월 6일자로 출원되어 계류 중인 미국 특허원 제08/709,053호에 기재되어 있으며, 이들 문헌의 주제가 본원에 참고로 인용되어 있다.
세정 조성물 중의 한가지 성분으로서 사용될 수 있는 아민에는 알칸올아민, 예를 들면, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디에틸렌글리콜아민, N-하이드록실에틸피페라진 등이 포함된다. 조성물에 사용될 수 있는 4급 수산화암모늄에는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 하이드록시에틸 및 이의 조합을 갖는 테트라알킬암모늄 하이드록사이드[예를 들면, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(이하, TMAH라 함), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 트리메틸 하이드록시에틸암모늄 하이드록사이드, 메틸 트리(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드, 테트라(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드, 벤질 트리메틸암모늄 하이드록사이드 등]이 포함된다. 또한, 수산화암모늄과 하나 이상의 4급 수산화암모늄과의 배합물을 사용할 수도 있다. 바람직하게는, 하이드록실아민염은, 하이드록실아민염, 염기성 화합물 및 물을 모두 합한 총 중량(불소 함유 화합물 및 세정 조성물의 다른 임의 성분의 중량은 제외)을 기준으로 하여, 약 1 내지 70중량%를 차지하고, 염기성 화합물은 약 0.1 내지 10중량%를 차지하며, 물은 조성물의 나머지를 차지한다.
하이드록실아민염을 안정화시키기 위해 킬레이트화 안정화제를 세정 조성물에 임의로 포함시킬 수 있다. 적합한 킬레이트화 안정화제에는 트리에틸렌테트라민(이하, TETA라 함), 2,2'-[[메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노]비스에탄올(상품명 이르가멧(IRGAMET) 42), (2-벤조티아졸리티오)숙신산(상품명 이르가코르(IRGACOR) 252), 트리신, 비신 및 다른 수용성 킬레이트 화합물이 포함된다. 바람직하게는, 안정화제는, 세정 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 5 내지 약 5000중량ppm의 양으로 본 발명의 조성물 속에 존재한다.
기판으로부터의 플라즈마 에칭 잔류물의 제거능을 향상시키기 위해 계면활성제를 세정 조성물에 임의로 포함시킬 수 있다. 적합한 계면활성제는 비이온성, 양이온성 및 음이온성 계면활성제로부터 선택된다. 바람직하게는, 계면활성제는, 세정 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 0.1 내지 약 100중량ppm의 양으로 본 발명의 조성물 속에 존재한다. 세정 조성물은 또한 당 알콜, 카테콜 등과 같은 미량의 부식 억제제를 임의로 함유할 수 있다.
세정 조성물 속에 포함될 수 있는 또다른 임의 시약은 부식 억제제이다. 바람직한 부식 억제제는 락트산, 살리실 알콜, 살리실 알독심, 갈산, 갈산 에스테르 및 알리자린이다.
본 발명은, 아민, 4급 수산화암모늄 및 수산화암모늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함하는 세정 조성물에 관한 것이기도 하다.
4급 수산화암모늄 및 불소 함유 화합물은 본 발명에서 앞서 기재한 바와 같다. 4급 수산화암모늄은 감광성 내식막 잔류물을 제거하는데 사용되는데 반해, 불소 함유 화합물은 불소 함유 플라즈마 에칭 잔류물을 용해시키고 기판을 약하게 에칭하여 표면 상의 입자나 기판에 함입되어 있는 입자를 제거하는 것으로 믿어진다. 또한, 위에 기재한 바와 같은 킬레이트화제, 계면활성제 및 부식 억제제와 같은 다른 성분들을 세정 조성물에 가할 수 있다.
상기한 세정 조성물의 pH는 미세 회로 제조에 사용되는 금속을 공격하거나 부식시키지 않도록 약산성 내지 약염기성일 수 있다. 따라서, 약 2 내지 9의 pH를 유지하기 위해서는 세정 조성물 중의 성분들을 적절한 농도로 혼합해야 한다.
본 발명은 또한 상기한 세정 조성물 중의 하나를 잔류물을 함유하는 기판에 도포하는 단계를 포함하여, 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법에 관한 것이다.
감광성 내식막 또는 다른 중합체 잔류물이 표면 위에 잔존하는 경우, 본 발명의 세정방법을 건식 스트리핑 방법과 병용할 수도 있다. 건식 스트리핑은 통상적으로 본 발명의 세정방법을 실시하기 전에 수행한다. O2플라즈마 에싱, 오존 가스 상-처리, 불소 플라즈마 처리, 비등 H2가스 처리(미국 특허 제5,691,117호에 기재되어 있음) 등을 포함하는 모든 적합한 건식 스트리핑 방법을 사용할 수 있다. 바람직한 건식 스트리핑 방법은 O2플라즈마 에싱이다.
또한, 세정방법은 감광성 내식막과 그외의 잔류물을 스트리핑하여 제거하는데 사용되는 오존수와 함께 사용할 수도 있다. 오존수는 오존과 초순수 물(예를 들면, 탈이온수)의 단순 혼합물일 수 있다. 오존은 오존 발생기와 같은 모든 통상의 수단으로 생성시킬 수 있다. 오존을 가스 공급 노즐로 물에 분사시키고, 물과 오존을 나선형 혼합기에 공급하고, 가스를 흐르는 물에 흡기시키고, 오존이 물에 용해되도록 소정 압력으로 조절한 처리 탱크 속에 오존을 공급하는 등의 모든 적합한 방법으로 오존과 물을 혼합할 수 있다. 이어서, 오존수를 탱크에 넣고 기판을 오존수에 침지시키거나 분무 린스를 사용하여, 오존수를 적절한 방법으로 기판과 접촉시킬 수 있다.
본 발명을 이의 구체적인 양태를 참조로 하여 위에 기재하였지만, 본원에 기재된 발명의 취지를 벗어나지 않으면서 다수의 변화, 개질 및 변형을 가할 수 있음이 자명하다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구의 범위의 취지 및 폭넓은 범위 내에 속하는 모든 변화, 개질 및 변형을 포함한다. 본원에 인용된 모든 특허원, 특허 및 다른 공보들의 전문을 참고로 인용한다.
Claims (25)
- 하이드록실암모늄 니트레이트, 하이드록실암모늄 포스페이트, 하이드록실암모늄 옥살레이트, 하이드록실암모늄 시트레이트 및 하이드록실암모늄 클로라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하이드록실아민염 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함하는 세정 조성물.
- 제1항에 있어서, 불소 함유 화합물이 산 플루오라이드(a), 불소화 염(b) 및 폴리암모늄 플루오라이드 염(c)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 화합물인 세정 조성물.
- 제1항에 있어서, 불소 함유 화합물이 불화수소, 과불소산, 암모늄 플루오라이드, 테트라메틸암모늄 플루오라이드, 암모늄 비플루오라이드, 에틸렌디암모늄 디플루오라이드 및 디에틸렌트리암모늄 트리플루오라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 화합물인 세정 조성물.
- 제1항에 있어서, 아민, 4급 수산화암모늄 및 수산화암모늄으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 부가 성분을 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 제4항에 있어서, 4급 수산화암모늄 화합물이 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 트리메틸 하이드록시에틸암모늄 하이드록사이드, 메틸 트리(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드 및 테트라(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제4항에 있어서, 아민이 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디에틸렌글리콜아민 및 N-하이드록시에틸피페라진으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제1항에 있어서, 부식 억제제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 제7항에 있어서, 부식 억제제가 락트산, 살리실 알콜, 살리실 알독심, 갈산, 갈산 에스테르 및 알리자린으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제1항에 있어서, 계면활성제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 제1항에 있어서, 킬레이트화제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 제1항에 있어서, pH 범위가 약 2 내지 6인 세정 조성물.
- 트리메틸 하이드록시에틸암모늄 하이드록사이드, 메틸 트리(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드, 테트라(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드, 디에틸렌 글리콜아민 및 N-하이드록시에틸피페라진으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함하는 세정 조성물.
- 제12항에 있어서, 불소 함유 화합물이 산 플루오라이드(a), 불소화 염(b) 및 폴리암모늄 플루오라이드 염(c)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제12항에 있어서, 불소 함유 화합물이 불화수소, 과불소산, 암모늄 플루오라이드, 테트라메틸암모늄 플루오라이드, 암모늄 비플루오라이드, 에틸렌디암모늄 디플루오라이드 및 디에틸렌트리암모늄 트리플루오라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제12항에 있어서, 부식 억제제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 제15항에 있어서, 부식 억제제가 락트산, 살리실 알콜, 살리실 알독심, 갈산, 갈산 에스테르 및 알리자린으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
- 제12항에 있어서, 계면활성제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 제12항에 있어서, 킬레이트화제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
- 제12항에 있어서, pH 범위가 약 2 내지 9인 세정 조성물.
- 잔류물 함유 기판을 제1항에 따르는 세정 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하여, 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법.
- 제20항에 있어서, 기판을 건식 스트리핑(dry stripping)시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제20항에 있어서, 기판을 오존수와 접촉시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 잔류물 함유 기판을 제12항에 따르는 세정 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하여, 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법.
- 제23항에 있어서, 기판을 건식 스트리핑시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제23항에 있어서, 기판을 오존수와 접촉시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/081,840 US6030932A (en) | 1996-09-06 | 1998-05-19 | Cleaning composition and method for removing residues |
US09/081,840 | 1998-05-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010043674A true KR20010043674A (ko) | 2001-05-25 |
KR100620260B1 KR100620260B1 (ko) | 2006-09-07 |
Family
ID=22166733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020007012878A KR100620260B1 (ko) | 1998-05-19 | 1999-05-18 | 세정 조성물 및 이를 사용하여 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6030932A (ko) |
EP (1) | EP1080170B1 (ko) |
JP (1) | JP2002515537A (ko) |
KR (1) | KR100620260B1 (ko) |
DE (1) | DE69927809T2 (ko) |
TW (1) | TWI286570B (ko) |
WO (1) | WO1999060083A1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100862629B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2008-10-09 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 웨이퍼 세정 용액 및 이를 이용하여 상호접속 구조체를 형성하는 방법 |
KR100942009B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2010-02-12 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 포토레지스트, 에칭 잔류물 및 barc를 제거하기 위한제제 |
Families Citing this family (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040018949A1 (en) * | 1990-11-05 | 2004-01-29 | Wai Mun Lee | Semiconductor process residue removal composition and process |
US7205265B2 (en) * | 1990-11-05 | 2007-04-17 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning compositions and methods of use thereof |
US20040134873A1 (en) * | 1996-07-25 | 2004-07-15 | Li Yao | Abrasive-free chemical mechanical polishing composition and polishing process containing same |
US6117783A (en) * | 1996-07-25 | 2000-09-12 | Ekc Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and process |
US6245155B1 (en) * | 1996-09-06 | 2001-06-12 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Method for removing photoresist and plasma etch residues |
US6896826B2 (en) * | 1997-01-09 | 2005-05-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
US6755989B2 (en) | 1997-01-09 | 2004-06-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
US20020157686A1 (en) * | 1997-05-09 | 2002-10-31 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer |
US7163588B2 (en) * | 1997-05-09 | 2007-01-16 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece using water, a base, and ozone |
US20050194356A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-09-08 | Semitool, Inc. | Removing photoresist from a workpiece using water and ozone and a photoresist penetrating additive |
US7416611B2 (en) * | 1997-05-09 | 2008-08-26 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece with gases |
US7264680B2 (en) * | 1997-05-09 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for treating a workpiece using ozone |
US6701941B1 (en) * | 1997-05-09 | 2004-03-09 | Semitool, Inc. | Method for treating the surface of a workpiece |
US20050034745A1 (en) * | 1997-05-09 | 2005-02-17 | Semitool, Inc. | Processing a workpiece with ozone and a halogenated additive |
US6417112B1 (en) * | 1998-07-06 | 2002-07-09 | Ekc Technology, Inc. | Post etch cleaning composition and process for dual damascene system |
US7579308B2 (en) * | 1998-07-06 | 2009-08-25 | Ekc/Dupont Electronics Technologies | Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging |
US6348239B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-02-19 | Simon Fraser University | Method for depositing metal and metal oxide films and patterned films |
JP2000091289A (ja) * | 1998-09-10 | 2000-03-31 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US6828289B2 (en) * | 1999-01-27 | 2004-12-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature |
US6248704B1 (en) * | 1999-05-03 | 2001-06-19 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
US7348300B2 (en) | 1999-05-04 | 2008-03-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture |
US7521405B2 (en) | 2002-08-12 | 2009-04-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
US7129199B2 (en) | 2002-08-12 | 2006-10-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
US6673757B1 (en) * | 2000-03-22 | 2004-01-06 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
US6703319B1 (en) * | 1999-06-17 | 2004-03-09 | Micron Technology, Inc. | Compositions and methods for removing etch residue |
US6235693B1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-05-22 | Ekc Technology, Inc. | Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices |
US6155912A (en) * | 1999-09-20 | 2000-12-05 | United Microelectronics Corp. | Cleaning solution for cleaning a polishing pad used in a chemical-mechanical polishing process |
US6593653B2 (en) * | 1999-09-30 | 2003-07-15 | Novellus Systems, Inc. | Low leakage current silicon carbonitride prepared using methane, ammonia and silane for copper diffusion barrier, etchstop and passivation applications |
US6361712B1 (en) * | 1999-10-15 | 2002-03-26 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Composition for selective etching of oxides over metals |
US6399513B1 (en) * | 1999-11-12 | 2002-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Ozonated DI water process for organic residue and metal removal processes |
US6413923B2 (en) * | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US6492308B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-12-10 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6723691B2 (en) * | 1999-11-16 | 2004-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6394114B1 (en) * | 1999-11-22 | 2002-05-28 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method for stripping copper in damascene interconnects |
US6371134B2 (en) * | 2000-01-31 | 2002-04-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ozone cleaning of wafers |
EP1138726B1 (en) | 2000-03-27 | 2005-01-12 | Shipley Company LLC | Polymer remover |
WO2001081525A1 (fr) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Daikin Industries, Ltd. | Composition de detergent |
TW451347B (en) * | 2000-06-16 | 2001-08-21 | United Microelectronics Corp | Cleaning method after polycide gate etching |
EP1310989B1 (en) * | 2000-06-16 | 2005-12-14 | Kao Corporation | Detergent composition |
US6303482B1 (en) * | 2000-06-19 | 2001-10-16 | United Microelectronics Corp. | Method for cleaning the surface of a semiconductor wafer |
KR100363092B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2002-12-05 | 삼성전자 주식회사 | 강유전체막의 손상층을 제거하기 위한 세정액 및 이를이용한 세정방법 |
US6465358B1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-10-15 | Intel Corporation | Post etch clean sequence for making a semiconductor device |
JP2002114993A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄剤及び洗浄方法 |
JP2002113431A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
TWI242805B (en) * | 2001-02-15 | 2005-11-01 | United Microelectronics Corp | Post metal etch cleaning method |
DE10115161A1 (de) * | 2001-03-27 | 2002-10-10 | Henkel Kgaa | Reiniger für Magnesium, Aluminium und deren Legierungen |
US6627587B2 (en) * | 2001-04-19 | 2003-09-30 | Esc Inc. | Cleaning compositions |
JP3421329B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2003-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置の洗浄方法 |
WO2003002776A2 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | Algat Sherutey Gimur Teufati | Method of anodizing of magnesium and magnesium alloys and producing conductive layers on an anodized surface |
KR100468714B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법 |
MY143399A (en) | 2001-07-09 | 2011-05-13 | Avantor Performance Mat Inc | Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning |
JP3403187B2 (ja) * | 2001-08-03 | 2003-05-06 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液 |
US6638145B2 (en) * | 2001-08-31 | 2003-10-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Constant pH polish and scrub |
US6585567B1 (en) | 2001-08-31 | 2003-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Short CMP polish method |
US6551973B1 (en) * | 2001-10-09 | 2003-04-22 | General Chemical Corporation | Stable metal-safe stripper for removing cured negative-tone novolak and acrylic photoresists and post-etch residue |
US6455434B1 (en) | 2001-10-23 | 2002-09-24 | International Business Machines Corporation | Prevention of slurry build-up within wafer topography during polishing |
JP2003152176A (ja) * | 2001-11-14 | 2003-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の洗浄方法及びその製造方法 |
TW508691B (en) * | 2001-12-21 | 2002-11-01 | Nanya Technology Corp | Cleaning method after etching metal layer |
AU2003225178A1 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-10 | Ekc Technology, Inc. | Oxalic acid as a cleaning product for aluminium, copper and dielectric surfaces |
US6677286B1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions for removing etching residue and use thereof |
KR100464858B1 (ko) * | 2002-08-23 | 2005-01-05 | 삼성전자주식회사 | 유기 스트리핑 조성물 및 이를 사용한 산화물 식각 방법 |
TWI295076B (en) * | 2002-09-19 | 2008-03-21 | Dongwoo Fine Chem Co Ltd | Washing liquid for semiconductor substrate and method of producing semiconductor device |
TWI309675B (en) * | 2002-10-22 | 2009-05-11 | Ekc Technology Inc | Aqueous phosphoric acid compositions for cleaning semiconductor devices |
TW200413522A (en) * | 2002-11-08 | 2004-08-01 | Sumitomo Chemical Co | Washing liquid for semiconductor substrate |
US7018925B2 (en) * | 2003-01-06 | 2006-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Post high voltage gate oxide pattern high-vacuum outgas surface treatment |
JP2004277576A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Daikin Ind Ltd | エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法 |
US20040255974A1 (en) * | 2003-06-23 | 2004-12-23 | Burress Jeffrey P. | Equipment cleaner |
US7018560B2 (en) * | 2003-08-05 | 2006-03-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Composition for polishing semiconductor layers |
CA2544209C (en) * | 2003-10-28 | 2011-10-18 | Sachem, Inc. | Cleaning solutions and etchants and methods for using same |
KR100571658B1 (ko) * | 2003-11-21 | 2006-04-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자 제조 방법 |
KR100795364B1 (ko) * | 2004-02-10 | 2008-01-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 세정 방법 및도전성 구조물의 제조 방법 |
US7498295B2 (en) * | 2004-02-12 | 2009-03-03 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning comprising tetra alkyl ammonium hydroxide |
US7435712B2 (en) * | 2004-02-12 | 2008-10-14 | Air Liquide America, L.P. | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning |
KR20050110470A (ko) * | 2004-05-19 | 2005-11-23 | 테크노세미켐 주식회사 | 반도체 기판용 세정액 조성물, 이를 이용한 반도체 기판세정방법 및 반도체 장치 제조 방법 |
US20050282093A1 (en) * | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Dammel Ralph R | Aqueous edge bead remover |
KR100629416B1 (ko) * | 2004-07-28 | 2006-09-28 | 주식회사 삼양이엠에스 | 레지스트 수계 박리액 조성물 |
US8178482B2 (en) * | 2004-08-03 | 2012-05-15 | Avantor Performance Materials, Inc. | Cleaning compositions for microelectronic substrates |
EP1628336B1 (en) * | 2004-08-18 | 2012-01-04 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning liquid and cleaning method |
JP2006179845A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-07-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 金属用研磨液及び研磨方法 |
US7923423B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-04-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Compositions for processing of semiconductor substrates |
KR101331747B1 (ko) * | 2005-01-27 | 2013-11-20 | 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 반도체 기판 처리 조성물 |
US20060260491A1 (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-23 | Westby Ronald K | Ink proofer drive system |
US20060260488A1 (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-23 | Westby Ronald K | Ink proofer cleaning system |
US7600471B2 (en) * | 2005-05-10 | 2009-10-13 | Westby Ronald K | Hand proofer tool |
KR100655647B1 (ko) * | 2005-07-04 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판용 세정액 조성물, 이의 제조 방법, 이를이용한 반도체 기판의 세정 방법 및 반도체 장치의 제조방법 |
US7879782B2 (en) * | 2005-10-13 | 2011-02-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous cleaning composition and method for using same |
US8772214B2 (en) * | 2005-10-14 | 2014-07-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous cleaning composition for removing residues and method using same |
US7534753B2 (en) * | 2006-01-12 | 2009-05-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue |
TW200734448A (en) * | 2006-02-03 | 2007-09-16 | Advanced Tech Materials | Low pH post-CMP residue removal composition and method of use |
US20070191243A1 (en) * | 2006-02-13 | 2007-08-16 | General Chemical Performance Products, Llc | Removal of silica based etch residue using aqueous chemistry |
US7943562B2 (en) * | 2006-06-19 | 2011-05-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor substrate cleaning methods, and methods of manufacture using same |
US8685909B2 (en) * | 2006-09-21 | 2014-04-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antioxidants for post-CMP cleaning formulations |
US20080076688A1 (en) * | 2006-09-21 | 2008-03-27 | Barnes Jeffrey A | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use |
EP2082024A4 (en) * | 2006-09-25 | 2010-11-17 | Advanced Tech Materials | COMPOSITIONS AND METHODS FOR REMOVING A PHOTORESISTANT AGENT FOR RECYCLING A SILICON GALETTE |
US8720335B2 (en) * | 2007-04-24 | 2014-05-13 | Probity Engineering, Llc | Offset hand proofer tool |
US8231736B2 (en) | 2007-08-27 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Wet clean process for recovery of anodized chamber parts |
CN201219685Y (zh) * | 2008-04-16 | 2009-04-15 | 韩广民 | 组装结构产品及庭院椅 |
WO2010014619A2 (en) | 2008-07-28 | 2010-02-04 | Integrity Engineering, Inc. | Improvements to flexographic proofing tools and methods |
WO2010042457A1 (en) | 2008-10-09 | 2010-04-15 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Aqueous acidic formulations for copper oxide etch residue removal and prevention of copper electrodeposition |
CN102197124B (zh) | 2008-10-21 | 2013-12-18 | 高级技术材料公司 | 铜清洁及保护调配物 |
SG173833A1 (en) | 2009-02-25 | 2011-09-29 | Avantor Performance Mat Inc | Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers |
US8518865B2 (en) | 2009-08-31 | 2013-08-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Water-rich stripping and cleaning formulation and method for using same |
CN102051283B (zh) * | 2009-10-30 | 2014-11-05 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种含羟胺的清洗液及其应用 |
BRPI1003893A2 (pt) * | 2010-10-05 | 2013-02-13 | Univ Minas Gerais | composiÇço solubilizante de amostras inorgÂnicas e orgÂnicas, de origem animal, vegetal e humana |
US8889609B2 (en) | 2011-03-16 | 2014-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations |
US9472420B2 (en) * | 2013-12-20 | 2016-10-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for titanium nitride hard mask and etch residue removal |
JP6808714B2 (ja) * | 2015-08-03 | 2021-01-06 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 洗浄組成物 |
WO2017126554A1 (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | 富士フイルム株式会社 | 処理液 |
CN107589637A (zh) * | 2017-08-29 | 2018-01-16 | 昆山艾森半导体材料有限公司 | 一种含氟铝线清洗液 |
KR20230056230A (ko) | 2021-10-20 | 2023-04-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Cmp 후 세정액 조성물 |
Family Cites Families (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3582401A (en) * | 1967-11-15 | 1971-06-01 | Mallinckrodt Chemical Works | Photosensitive resist remover compositions and methods |
JPS4924123B1 (ko) * | 1969-08-14 | 1974-06-20 | ||
US3888783A (en) * | 1973-10-10 | 1975-06-10 | Amchem Prod | Cleaner for tin plated ferrous metal surfaces, comprising phosphate, silicate and borax |
DE2447225C2 (de) * | 1974-10-03 | 1983-12-22 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum Ablösen von positiven Photolack |
US3962108A (en) * | 1975-11-03 | 1976-06-08 | Kti Chemical, Inc. | Chemical stripping solution |
GB1573206A (en) * | 1975-11-26 | 1980-08-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of trating surfaces of intermediate products obtained in the manufacture of semiconductor devices |
US4169068A (en) * | 1976-08-20 | 1979-09-25 | Japan Synthetic Rubber Company Limited | Stripping liquor composition for removing photoresists comprising hydrogen peroxide |
US4215005A (en) * | 1978-01-30 | 1980-07-29 | Allied Chemical Corporation | Organic stripping compositions and method for using same |
JPS56115368A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | San Ei Chem Ind Ltd | Releasing agent of photosensitive polymer |
US4304681A (en) * | 1980-09-15 | 1981-12-08 | Shipley Company, Inc. | Novel stripping composition for positive photoresists and method of using same |
US4394419A (en) * | 1981-06-12 | 1983-07-19 | Oak Industries Inc. | Printed circuit material |
US4395479A (en) * | 1981-09-23 | 1983-07-26 | J. T. Baker Chemical Company | Stripping compositions and methods of stripping resists |
US4428871A (en) * | 1981-09-23 | 1984-01-31 | J. T. Baker Chemical Company | Stripping compositions and methods of stripping resists |
US4395348A (en) * | 1981-11-23 | 1983-07-26 | Ekc Technology, Inc. | Photoresist stripping composition and method |
US4403029A (en) * | 1982-09-02 | 1983-09-06 | J. T. Baker Chemical Company | Stripping compositions and methods of stripping resists |
US4401747A (en) * | 1982-09-02 | 1983-08-30 | J. T. Baker Chemical Company | Stripping compositions and methods of stripping resists |
US4401748A (en) * | 1982-09-07 | 1983-08-30 | J. T. Baker Chemical Company | Stripping compositions and methods of stripping resists |
US4791043A (en) * | 1983-12-20 | 1988-12-13 | Hmc Patents Holding Co., Inc. | Positive photoresist stripping composition |
DE3501675A1 (de) * | 1985-01-19 | 1986-07-24 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Mittel und verfahren zur entfernung von fotoresist- und stripperresten von halbleitersubstraten |
US4617251A (en) * | 1985-04-11 | 1986-10-14 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Stripping composition and method of using the same |
JPS6235357A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液 |
US4680133A (en) * | 1986-03-26 | 1987-07-14 | Environmental Management Associates, Inc. | Stripping composition containing an amide and a carbonate and use thereof |
JPH0721638B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1995-03-08 | 東京応化工業株式会社 | 基板の処理方法 |
US4885047A (en) * | 1986-08-11 | 1989-12-05 | Fusion Systems Corporation | Apparatus for photoresist stripping |
JPS6350838A (ja) * | 1986-08-21 | 1988-03-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 剥離液 |
US4770713A (en) * | 1986-12-10 | 1988-09-13 | Advanced Chemical Technologies, Inc. | Stripping compositions containing an alkylamide and an alkanolamine and use thereof |
AU1158288A (en) * | 1987-02-05 | 1988-08-24 | Macdermid, Incorporated | Photoresist stripper composition |
JPS63208043A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-29 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト用水溶性剥離液 |
DE3821231A1 (de) * | 1987-06-25 | 1989-01-05 | Siemens Ag | Entschichterloesung fuer gehaertete positivlacke |
JPS6413217A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-18 | Hitachi Maxell | Magnetic recording medium and its production |
JP2553872B2 (ja) * | 1987-07-21 | 1996-11-13 | 東京応化工業株式会社 | ホトレジスト用剥離液 |
US4824763A (en) * | 1987-07-30 | 1989-04-25 | Ekc Technology, Inc. | Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process |
JP2578821B2 (ja) * | 1987-08-10 | 1997-02-05 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型ホトレジスト用剥離液 |
US5185235A (en) * | 1987-09-09 | 1993-02-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Remover solution for photoresist |
JP2591626B2 (ja) * | 1987-09-16 | 1997-03-19 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液 |
JPH0769618B2 (ja) * | 1987-09-25 | 1995-07-31 | 旭化成工業株式会社 | フオトレジスト用剥離剤 |
JPH0769619B2 (ja) * | 1987-09-25 | 1995-07-31 | 旭化成工業株式会社 | フオトレジスト剥離剤 |
JP2631849B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1997-07-16 | ナガセ電子化学 株式会社 | 剥離剤組成物 |
IL84255A (en) * | 1987-10-23 | 1993-02-21 | Galram Technology Ind Ltd | Process for removal of post- baked photoresist layer |
JPH0727222B2 (ja) * | 1987-10-28 | 1995-03-29 | 日本合成ゴム株式会社 | ホトレジスト用剥離液 |
JPH01133049A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-25 | Asahi Glass Co Ltd | レジスト剥離剤 |
US4830772A (en) * | 1988-06-10 | 1989-05-16 | Hoechst Celanese Corporation | Stripper composition for removal of protective coatings |
JPH0638162B2 (ja) * | 1988-08-11 | 1994-05-18 | 工業技術院長 | レジスト剥離剤 |
DE3828513A1 (de) * | 1988-08-23 | 1990-03-01 | Merck Patent Gmbh | Abloesemittel fuer fotoresists |
JP2759462B2 (ja) * | 1988-11-11 | 1998-05-28 | ナガセ電子化学株式会社 | 水性剥離剤組成物 |
US4971715A (en) * | 1988-11-18 | 1990-11-20 | International Business Machines Corporation | Phenolic-free stripping composition and use thereof |
JPH02253265A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-12 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト剥離剤 |
US4921572A (en) * | 1989-05-04 | 1990-05-01 | Olin Corporation | Etchant solutions containing hydrogen fluoride and a polyammonium fluoride salt |
US4992108A (en) * | 1990-01-18 | 1991-02-12 | Ward Irl E | Photoresist stripping compositions |
US5145717A (en) * | 1990-01-31 | 1992-09-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Stripping method for removing resist from a printed circuit board |
US5102777A (en) * | 1990-02-01 | 1992-04-07 | Ardrox Inc. | Resist stripping |
US5091103A (en) * | 1990-05-01 | 1992-02-25 | Alicia Dean | Photoresist stripper |
JP2906590B2 (ja) * | 1990-06-14 | 1999-06-21 | 三菱瓦斯化学株式会社 | アルミニウム配線半導体基板の表面処理剤 |
JP2527268B2 (ja) * | 1990-09-17 | 1996-08-21 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離剤組成物 |
US5279771A (en) * | 1990-11-05 | 1994-01-18 | Ekc Technology, Inc. | Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine |
JP3160344B2 (ja) * | 1991-01-25 | 2001-04-25 | アシュランド インコーポレーテッド | 有機ストリッピング組成物 |
US5496491A (en) * | 1991-01-25 | 1996-03-05 | Ashland Oil Company | Organic stripping composition |
US5139607A (en) * | 1991-04-23 | 1992-08-18 | Act, Inc. | Alkaline stripping compositions |
JPH04350660A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置製造用ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法 |
JPH0524498A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-02 | Takata Kk | 助手席用エアバツグ装置 |
US5480585A (en) * | 1992-04-02 | 1996-01-02 | Nagase Electronic Chemicals, Ltd. | Stripping liquid compositions |
US5308745A (en) * | 1992-11-06 | 1994-05-03 | J. T. Baker Inc. | Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins |
US5320709A (en) * | 1993-02-24 | 1994-06-14 | Advanced Chemical Systems International Incorporated | Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution |
US5421906A (en) * | 1993-04-05 | 1995-06-06 | Enclean Environmental Services Group, Inc. | Methods for removal of contaminants from surfaces |
JP3302120B2 (ja) * | 1993-07-08 | 2002-07-15 | 関東化学株式会社 | レジスト用剥離液 |
US5464480A (en) * | 1993-07-16 | 1995-11-07 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
JP2586304B2 (ja) * | 1993-09-21 | 1997-02-26 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の洗浄液および洗浄方法 |
US6326130B1 (en) * | 1993-10-07 | 2001-12-04 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
US5419779A (en) * | 1993-12-02 | 1995-05-30 | Ashland Inc. | Stripping with aqueous composition containing hydroxylamine and an alkanolamine |
JP2803549B2 (ja) * | 1993-12-21 | 1998-09-24 | 信越化学工業株式会社 | 光反射性防止材料及びパターン形成方法 |
JP3316078B2 (ja) * | 1994-03-04 | 2002-08-19 | 日本表面化学株式会社 | レジスト剥離液 |
US5417802A (en) * | 1994-03-18 | 1995-05-23 | At&T Corp. | Integrated circuit manufacturing |
JP3074634B2 (ja) * | 1994-03-28 | 2000-08-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法 |
US5472830A (en) * | 1994-04-18 | 1995-12-05 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Non-corrosion photoresist stripping composition |
US5478436A (en) * | 1994-12-27 | 1995-12-26 | Motorola, Inc. | Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device |
US5567574A (en) * | 1995-01-10 | 1996-10-22 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Removing agent composition for photoresist and method of removing |
US5507978A (en) * | 1995-05-08 | 1996-04-16 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Novolak containing photoresist stripper composition |
JP3236220B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2001-12-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
US5824604A (en) * | 1996-01-23 | 1998-10-20 | Mattson Technology, Inc. | Hydrocarbon-enhanced dry stripping of photoresist |
US5855811A (en) * | 1996-10-03 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition containing tetraalkylammonium salt and use thereof in semiconductor fabrication |
US5709756A (en) * | 1996-11-05 | 1998-01-20 | Ashland Inc. | Basic stripping and cleaning composition |
US5925577A (en) * | 1997-02-19 | 1999-07-20 | Vlsi Technology, Inc. | Method for forming via contact hole in a semiconductor device |
US5939618A (en) * | 1997-08-08 | 1999-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for detecting leakage in a gas reactor |
US5837662A (en) * | 1997-12-12 | 1998-11-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
ATE319186T1 (de) * | 1997-12-19 | 2006-03-15 | Advanced Tech Materials | Ätzlösung für das selektive ätzen von siliziumoxid mit fluorid-salz, komplexmittel und glykol-lösungsmittel |
US6017827A (en) * | 1998-05-04 | 2000-01-25 | Micron Technology, Inc. | System and method for mixing a gas into a solvent used in semiconductor processing |
US6009888A (en) * | 1998-05-07 | 2000-01-04 | Chartered Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and polymer removal by UV laser aqueous oxidant |
US5964953A (en) * | 1998-05-26 | 1999-10-12 | Memc Electronics Materials, Inc. | Post-etching alkaline treatment process |
-
1998
- 1998-05-19 US US09/081,840 patent/US6030932A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-18 DE DE69927809T patent/DE69927809T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-18 KR KR1020007012878A patent/KR100620260B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-05-18 JP JP2000549692A patent/JP2002515537A/ja active Pending
- 1999-05-18 EP EP99924293A patent/EP1080170B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-18 WO PCT/US1999/010881 patent/WO1999060083A1/en active IP Right Grant
- 1999-07-30 TW TW088108193A patent/TWI286570B/zh active
- 1999-12-15 US US09/464,485 patent/US6191086B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100862629B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2008-10-09 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 웨이퍼 세정 용액 및 이를 이용하여 상호접속 구조체를 형성하는 방법 |
KR100942009B1 (ko) * | 2006-11-21 | 2010-02-12 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 포토레지스트, 에칭 잔류물 및 barc를 제거하기 위한제제 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69927809T2 (de) | 2006-07-20 |
US6030932A (en) | 2000-02-29 |
DE69927809D1 (de) | 2006-03-02 |
US6191086B1 (en) | 2001-02-20 |
EP1080170B1 (en) | 2005-10-19 |
JP2002515537A (ja) | 2002-05-28 |
EP1080170A1 (en) | 2001-03-07 |
KR100620260B1 (ko) | 2006-09-07 |
TWI286570B (en) | 2007-09-11 |
EP1080170A4 (en) | 2001-10-24 |
WO1999060083A1 (en) | 1999-11-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100620260B1 (ko) | 세정 조성물 및 이를 사용하여 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법 | |
JP4147320B2 (ja) | プラズマエッチング残留物を除去するための非腐食性洗浄組成物 | |
US8003587B2 (en) | Semiconductor process residue removal composition and process | |
TWI264068B (en) | Detergent composition | |
US7001874B2 (en) | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues | |
US8231733B2 (en) | Aqueous stripping and cleaning composition | |
EP1024965B9 (en) | Process for removing residues from a semiconductor substrate | |
US6831048B2 (en) | Detergent composition | |
US6949495B2 (en) | Cleaning solution for removing residue | |
EP1813667A1 (en) | Cleaning formulations | |
EP1620882A1 (en) | Removal of post-etch residues in semiconductor processing | |
EP1154868A1 (en) | Non-corrosive cleaning composition and method for removing plasma etching residues | |
US6245155B1 (en) | Method for removing photoresist and plasma etch residues | |
KR20010042461A (ko) | 감광성 내식막 및 플라즈마 에칭 잔류물의 제거방법 | |
JP4122171B2 (ja) | レジスト残渣除去剤または半導体デバイスあるいは液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤 | |
JP2001033988A (ja) | ホトリソグラフィー用リンス液およびこれを用いた基板の処理方法 | |
TW202403032A (zh) | 清潔組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120808 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130812 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140807 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150807 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160811 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |