KR100620260B1 - 세정 조성물 및 이를 사용하여 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법 - Google Patents

세정 조성물 및 이를 사용하여 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판으로부터 감광성 내식막, 플라즈마 에칭 잔류물 및 CMP 잔류물을 제거하는데 유용한 수성계 비-부식성 세정 조성물에 관한 것이다. 한가지 바람직한 세정 조성물은 하이드록실아민 또는 하이드록실아민염 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함한다. 또다른 세정 조성물은 아민, 4급 암모늄 하이드록사이드 및 암모늄 하이드록사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함한다.
마이크로 전자 공학, 비-부식성 세정 조성물, 감광성 내식막, 플라즈마 에칭 잔류물, CMP 잔류물, 하이드록실아민, 암모늄 하이드록사이드 화합물, 건식 스트리핑, 부식 억제제, 평탄화.

Description

세정 조성물 및 이를 사용하여 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법{A cleaning composition and a method for removing residues from a substrate using the same}
발명의 배경
발명의 분야
본 발명은 마이크로 전자 공학 제조 분야에 사용되는 세정 조성물 및 세정방법, 특히 비-부식성 세정 조성물 및 기판으로부터의 감광성 내식막, 플라즈마 에칭 잔류물 및 화학 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing; CMP) 잔류물의 제거방법에 관한 것이다.
기술분야의 설명
미세 회로 제조시, 포지티브형 감광성 내식막이 일련의 사진 평판 및 플라즈마 에칭 단계에 의해 레티큘(reticule)의 마스크 패턴 원판을 웨이퍼 기판으로 전사시키기 위한 중간 마스크로서 사용된다. 미세 회로 제조 공정의 여러 단계들 중의 하나는 기판으로부터 패턴화된 감광성 내식막 필름을 제거하는 것이다. 일반적으로, 이러한 단계는 2가지 방법 중의 어느 하나의 영향을 받는다. 한 가지 방법은, 감광성 내식막-피복된 기판을 주로 유기 용매와 아민으로 이루어진 감광성 내식막 스트리퍼 용액과 접촉시키는 습식 스트리핑(wet stripping) 단계를 포함한다. 그러나, 특히 감광성 내식막 필름을 제조하는 동안 이를 UV선 및 플라즈마 처리에 노출시키는 경우, 스트리퍼 용액으로는 감광성 내식막을 신뢰할 정도로 완전하게 제거할 수 없다. 몇몇 감광성 내식막 필름은 이러한 처리로 인해 고도로 가교결합되므로 스트리퍼 용액에 용해되기가 더욱 어렵다. 또한, 이러한 통상의 습식 스트리핑 방법에 사용되는 화학물질은 금속층 또는 산화물층을 할로겐-함유 가스로 플라즈마 에칭하는 동안 형성된 무기 잔류물을 제거하는데 종종 효과적이지 못하다.
감광성 내식막을 제거하는 또다른 방법은, 산소 플라즈마 애슁(oxygen plasma ashing)으로 공지되어 있는 공정에서 기판 표면으로부터 내식막 필름을 연소시키기 위해 감광성 내식막-피복된 웨이퍼를 산소 플라즈마에 노출시킴을 포함한다. 산소 플라즈마 애슁 공정은, 진공 챔버에서 수행되며 이에 따라 기류건조(airborne) 미립자 또는 금속성 오염물에 덜 민감할 것으로 기대되기 때문에, 미세 회로 제조 공정에 보다 널리 사용되고 있다. 그러나, 산소 플라즈마 애슁 공정 역시 상기한 플라즈마 에칭 잔류물을 제거하는데 충분히 효과적이지 못하다. 대신, 후속적으로 감광성 내식막 필름을 특정 알칼리 용액에 노출시킴으로써 이들 플라즈마 에칭 잔류물을 제거할 수 있다. 현재, 몇가지 시판품들이 플라즈마 에칭 공정에 이은 산소 애슁 공정으로 잔존하는 플라즈마 에칭 잔류물을 세정하는데 이용가능하다. 예를 들면, EKC 265[제조원: 이케이씨 테크놀로지 인코포레이티드(EKC Technology, Inc.)]는 물, 알칸올아민, 카테콜 및 하이드록실아민으로 이루어진 플라즈마 에칭 세정액이다. 이러한 조성물이 문헌[참조; 리(Lee)의 미국 특허 제5,279,771호]에 기재되어 있다. ACT 935[제조원: 애쉬랜드 케미칼(Ashland Chemical)]는 물, 알칸올아민 및 하이드록실아민으로 이루어진 또 다른 플라즈마 에칭 세정액이다. 이들 둘 다에서, 하이드록실아민은 부식 억제제로서 사용된다. 후-스트립 린스인 R-10[제조원: 미쓰비시 가스 케미칼(Mitsubishi Gas Chemical)]은 물, 알칸올아민 및 당 알콜로 이루어진 것이며, 여기서 당 알콜은 부식 억제제로서 작용한다.
이러한 시판품들이 플라즈마 에칭 잔류물을 효과적으로 용해시킬 수는 있지만, 이에 함유되어 있는 물과 알칸올아민의 배합물이 또한 기판 위에 패턴화 부착되어 있는 금속층을 공격할 수도 있다. 이들 제품에 부식 억제제를 첨가하면 기판 위에 부착된 금속층 및 산화물층에 대한 바람직하지 않은 공격을 어느 정도 완화시킬 수 있다. 그러나, 이들 제품의 pH가 11 이상이기 때문에, 부식 억제제가 존재한다 하더라도, 이들이 몇몇 부식-민감성 금속층들을 공격할 수 있다. 특히, 알루미늄 또는 알루미늄 합금(예: Al-Cu-Si), 티탄 질화물, 티탄 텅스텐 등과 같은 금속층이 부식에 특히 민감하다. 또한, 적당한 부식 억제제를 첨가하는 것이 기판 금속층의 부식을 방지하는데 필수적이기는 하지만, 부식 억제제가 플라즈마 에칭 잔류물의 제거를 억제해서는 안된다.
플라즈마 에칭 잔류물의 화학적 조성이 일반적으로 기판 상의 금속층 또는 산화물층의 조성과 유사하기 때문에, 플라즈마 에칭 잔류물 제거와 부식 억제 작용 간의 균형을 효과적으로 유지시키기는 어렵다. 선행 기술분야의 세정 조성물에 사용되는 알칸올아민은 종종 플라즈마 에칭 잔류물과 기판 금속층을 둘 다 공격하는 것으로 밝혀졌다. 또한, 이소프로필 알콜과 같은 후-세정제 린스를 사용하지 않으면, 부식이 매우 심각해질 수 있다. 또한, 몇가지 유형의 부식 억제제는 플라즈마 에칭 잔류물 제거를 지연시키는 것으로 밝혀졌다. 또한, 플라즈마 에칭 잔류물의 제거속도와 기판 금속층 부식 억제 작용 간에는 항상 상충되는 면이 있다. 따라서, 금속층의 부식을 야기시키지 않으면서 플라즈마 에칭 잔류물을 효과적이면서도 신속하게 제거하는 방법이 요구되고 있다.
감광성 내식막 스트리퍼/세정제 적용 분야의 몇가지 다른 특허 문헌들이 다음과 같이 있기는 하지만, 이들 중 어떠한 것도 본 발명의 방법 또는 조성물의 사용에 대해 기재한 바 없다.
가가쿠 간토(Kagaku Kanto)에게 양도된 일본 특허원 제(평)7-028254호에는 당 알콜, 알콜 아민, 물 및 4급 암모늄 하이드록사이드를 포함하는 비-부식성 내식막 제거액이 기재되어 있다.
PCT 공개 특허원 제WO 88/05813호에는 부티로락톤 또는 카프로락톤, 4급 암모늄 하이드록사이드 화합물 및, 임의로, 비이온성 계면활성제를 함유하는 포지티브형 또는 네가티브형 감광성 내식막 스트리퍼가 교시되어 있다.
무라오카(Muraoka) 등의 미국 특허 제4,239,661호에는 0.01 내지 20% 트리알킬(하이드록시알킬)암모늄 하이드록사이드의 수용액을 포함하는 표면 처리제가 기재되어 있다. 이러한 표면 처리제는 중간 반도체 제품의 표면에 부착된 유기 및 무기 오염물을 제거하는데 유용하다.
미야시타(Miyashita) 등의 미국 특허 제4,904,571호에는 용매(예: 물, 알콜, 에테르, 케톤 등), 4급 암모늄 하이드록사이드를 포함한, 용매에 용해시킨 알칼리성 화합물 및 용매에 용해시킨 수소화붕소 화합물을 함유하는 인쇄 회로판 감광성 내식막 스트리퍼 조성물이 교시되어 있다.
딘(Dean) 등의 미국 특허 제5,091,103호에는 N-알킬-2-피롤리돈(A), 1,2-프로판디올(B) 및 테트라알킬암모늄 하이드록사이드(C)를 함유하는 포지티브형 감광성 내식막 스트리핑 조성물이 교시되어 있다.
워드(Ward) 등의 미국 특허 제5,139,607호에는 테트라하이드로푸르푸릴 알콜(A), 다가 알콜(B)(예: 에틸렌 글리콜 또는 프로필렌 글리콜), 푸르푸릴 알콜과 알킬렌 옥사이드의 반응 생성물(C), 수용성 브뢴스테드 염기형 하이드록사이드 화합물(D)(예: 알칼리 금속 수산화물, 암모늄 하이드록사이드 및 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드) 및 물(E)을 함유하는 포지티브형 및 네가티브형 감광성 내식막 스트리핑 조성물이 교시되어 있다. 임의로, 이들 조성물은 또한 1% 이하의 비이온성 계면활성제를 함유할 수도 있다.
아오야마(Aoyama) 등의 미국 특허 제5,174,816호에는 0.01 내지 15중량%의 4급 암모늄 하이드록사이드[예: 트리메틸(2-하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드] 및 0.1 내지 20중량%의 당 또는 당 알콜[예: 크실리톨, 만노즈, 글루코즈 등]을 함유하는 수용액을 포함하는, 건식 에칭 후 암모늄 라인 패턴 기판의 표면 위에 잔류하는 염소를 제거하기 위한 조성물이 기재되어 있다.
감광성 내식막 및 플라즈마 에칭 잔류물의 제거 이외에, 미세 회로 제조시에 널리 사용되는 또다른 단계로는 평탄화 에칭 백(planarization etch back) 또는 화학 기계적 연마(CMP)와 같은 평탄화 공정이 포함된다. 기판 위에 재료 층이 연속적으로 부착되면 표면이 불균일해지므로 이러한 편평하지 않은 형태의 면 전반에 평판 인쇄술로 화상을 인쇄하기가 어렵기 때문에, 미세 회로 제조시에 평탄화 공정이 필요하다. 평탄화 공정은 심지어 평판 인쇄술에 의해 표면 상에 화상이 보다 용이하게 형성되도록 한다.
평탄화 에칭 백에서는, SiO2 함유 유리 상의 스핀(spin on glass: SOG) 또는 중합체 내식막과 같은 평탄화 물질을 통상적으로 평탄하지 않은 형태의 면 위에서 회전시켜 기판을 평탄화시킨다. 이어서, 기판을 플라즈마 에칭 공정에 도입하며, 여기서 평탄화 물질과 아래에 놓여있는 기판이 동일한 속도로 적절하게 에칭되어 평면이 형성된다. 이러한 공정의 경우, 플라즈마 에칭 잔류물과 평탄화 물질의 일부가 통상적으로 기판 위에 잔존하므로 제거해야 한다.
CMP 공정에서는, 평탄화시키고자 하는 표면을 연마 슬러리의 존재하에서 회전식 연마 패드와 접촉시킨다. 슬러리의 화학적 성질과 연마 패드의 연마 작용에 의해 기판 표면층의 일부가 제거된다. CMP의 문제점은 CMP 공정에 사용되는 슬러리로부터 또는 박리된 기판 재료로부터 발생한 잔류물이 기판 이면에 잔존한다는 점이다. 이들 잔류물은 바이어스를 오염시킬 수 있으며, 미세 회로의 작용에 유해한 영향을 미칠 수 있다. 특히, 나트륨, 칼륨 등의 알칼리 금속 및 철을 포함하는 금속 오염물을 함유하는 연마 슬러리로부터 생성되는 잔류물은 미세 회로를 심각하게 오염시킨다.
CMP 오염물은 통상적으로, 표면을 암모늄 하이드록사이드 또는 과산화수소와 혼합된 암모늄 하이드록사이드를 함유하는 가성 용액과 접촉시킴으로써, 기판 표면으로부터 제거한다. 또한, 이러한 용액을 사용하여 브러쉬로 문질러줌으로써 미립자를 제거하기도 한다. 그러나, 이러한 가성 용액은 기판의 결점부위를 통해 확산되어 알루미늄, 알루미늄 합금, 내화 금속 등과 같은 금속층을 공격할 수 있다. 금속을 공격하게 되면 후속적으로 금속에 공극이 생겨 미세 회로 불량을 야기할 수 있다.
특정 유기 부식 억제제와 불소 함유 화합물과의 배합물을 사용하여 금속 공격으로 인한 문제점을 해결하고자 하는 시도가 몇몇 특허 문헌에 기재되어 있다. 예를 들면, 와인바거(Winebarger) 등의 미국 특허 제 5,478,436호에서는 유기 부식 억제제(글리콜 및 디메틸설폭사이드)와 불소 함유 화합물(예: 암모늄 플루오라이드, 불화수소 및 과불소산)과의 배합물을 사용한다. 보우던(Bowden) 등의 미국 특허 제5,320,709호에는 다가 알콜 중의 무수 암모늄 플루오라이드를 사용하는 것으로 기재되어 있다. 이러한 조성물과 관련한 문제점은 유기 용매가 단지 약한 부식 억제제이므로 고농도(50중량% 초과)의 유기 용매가 필요하다는 점이다. 따라서, 유기 물질계 세정액이 환경에 비친화적이기 때문에 폐기물 제거와 관련한 문제가 있다.
따라서, 기판으로부터 감광성 내식막, 플라즈마 에칭 잔류물 및 CMP 잔류물을 제거하는 조성물이 여전히 요구된다. 또한, 기판에 유해한 영향을 미치지 않는 조성물이 요구된다. 추가로, 폐기하더라도 환경에 유해하지 않는 수성계 조성물이 요구된다.
발명의 요지
간략하게 요약하면, 본 발명은 기판으로부터 감광성 내식막, 플라즈마 에칭 잔류물 및 CMP 잔류물을 제거하는데 유용한 수성계 비-부식성 세정 조성물에 관한 것이다. 당해 조성물은, 하이드록실아민 또는 하이드록실아민염 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함한다.
또다른 양태에서, 본 발명은, 아민, 4급 암모늄 하이드록사이드 및 암모늄 하이드록사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함하는 세정 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 또한 잔류물을 함유하는 기판을 상기한 하나 이상의 세정 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하여, 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법에 관한 것이다.
바람직한 양태의 상세한 설명
본 발명은 기판으로부터 감광성 내식막, 플라즈마 에칭 잔류물 및 CMP 잔류물을 제거하는데 유용한 비-부식성 세정 조성물에 관한 것이다. 당해 조성물은 바람직하게는, 하이드록실아민 또는 하이드록실아민염 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함한다.
본 발명의 조성물은 하이드록실아민이나, 하이드록실아민을 질산 또는 황산과 같은 산과 반응시켜 제조한 하이드록실아민의 염을 함유할 수 있다.
본 발명의 세정 조성물을 형성하는데 사용할 수 있는 바람직한 하이드록실아민염에는 하이드록실암모늄 니트레이트(HAN이라고도 함), 하이드록실암모늄 설페이트(HAS라고도 함), 하이드록실암모늄 포스페이트, 하이드록실암모늄 클로라이드, 하이드록실암모늄 옥살레이트, 하이드록실암모늄 시트레이트 등이 포함된다. 하이드록실암모늄염의 알킬 치환된 유도체, 예를 들면, 하이드록실 디에틸암모늄염 등도 유용하다.
상기한 조성물 중의 불소 함유 화합물은 산 플루오라이드, 불소화 염, 폴리암모늄 플루오라이드 염 및 이들의 혼합물로부터 선택할 수 있다. 바람직한 산 플루오라이드는 불화수소(HF) 및 과불소산이다. 바람직한 플루오라이드 염은 암모늄 플루오라이드, 암모늄 바이플루오라이드, 암모늄 디플루오라이드 및 테트라알킬 암모늄 플루오라이드 염, 예를 들면, 테트라메틸 암모늄 플루오라이드 및 테트라에틸 암모늄 플루오라이드이다. 바람직하게는, 불소 함유 화합물은 조성물의 중량을 기준으로 하여 약 0.5 내지 10중량%를 차지한다.
폴리암모늄염은 폴리아민을 HF와 반응시켜 폴리암모늄 플루오라이드 염을 형성함으로써 제조할 수 있다. 예를 들면, HF는 에틸렌 디아민의 수용액과 반응하여 에틸렌디암모늄 디플루오라이드를 형성할 수 있다. 또는, 과량의 HF가 폴리아민과 반응하여 폴리암모늄염을 형성할 수도 있다. 바람직한 폴리암모늄염에는 에틸렌디암모늄 디플루오라이드 및 디에틸렌트리암모늄 트리플루오라이드가 포함된다.
불소 함유 화합물은, 표면 상의 오염물 또는 기판에 함입되어 있는 오염물이 모두 제거되도록 아래에 놓여있는 규소계 기판을 약하게 에칭시킴으로써 오염물을 제거하는데 도움을 주는 것으로 믿어진다. 또한, 많은 플라즈마 에칭 잔류물, 특히 플루오라이드 종을 함유하는 것은 불소 용액에 가용성이므로 이 역시 제거되는 것으로 믿어진다. 하이드록실아민과 이의 염은 부식 억제제로서 작용하며 잔류물 제거를 촉진시킨다. 따라서, 불소 화합물과 하이드록실아민 또는 이의 염과의 배합물이 세정 조성물로서 특히 유용한 것으로 본 출원인에 의해 밝혀졌다.
세정 조성물의 pH는 미세 회로 제조에 사용되는 금속을 공격하거나 부식시키지 않도록 약산성 내지 약염기성인 것이 바람직하다. 세정 조성물이 지나치게 염기성이거나 지나치게 산성인 경우, 기판 위의 금속층이 공격을 받을 수 있다. 따라서, pH가 바람직하게는 약 2 내지 9, 보다 바람직하게는 약 2 내지 6인 조성물을 제공하기 위해서는 세정 조성물 중의 성분들을 적절한 농도로 혼합해야 한다.
본 발명의 바람직한 양태에 있어서, 불소 함유 화합물을 물, 하이드록실아민염, 및 아민, 4급 암모늄 하이드록사이드 및 암모늄 하이드록사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 염기성 화합물을 포함하는 조성물과 혼합한다. 이러한 조성물이 1996년 9월 6일자로 출원되어 계류 중인 미국 특허원 제08/709,053호에 기재되어 있으며, 이들 문헌의 주제가 본원에 참고로 인용되어 있다.
세정 조성물 중의 한가지 성분으로서 사용될 수 있는 아민에는 알칸올아민, 예를 들면, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디에틸렌글리콜아민, N-하이드록실에틸피페라진 등이 포함된다. 조성물에 사용될 수 있는 4급 암모늄 하이드록사이드에는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 하이드록시에틸 및 이들이 조합된 그룹을 갖는 테트라알킬암모늄 하이드록사이드[예:테트라메틸암모늄 하이드록사이드(이하, TMAH라 함), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 트리메틸 하이드록시에틸암모늄 하이드록사이드, 메틸 트리(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드, 테트라(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드, 벤질 트리메틸암모늄 하이드록사이드 등]가 포함된다. 또한, 암모늄 하이드록사이드와 하나 이상의 4급 암모늄 하이드록사이드와의 배합물을 사용할 수도 있다. 바람직하게는, 하이드록실아민염은, 하이드록실아민염, 염기성 화합물 및 물을 모두 합한 총 중량(불소 함유 화합물 및 세정 조성물의 다른 임의 성분의 중량은 제외)을 기준으로 하여, 약 1 내지 70중량%를 차지하고, 염기성 화합물은 약 0.1 내지 10중량%를 차지하며, 물은 조성물의 나머지를 차지한다.
하이드록실아민염을 안정화시키기 위해 킬레이트화 안정화제를 세정 조성물에 임의로 포함시킬 수 있다. 적합한 킬레이트화 안정화제에는 트리에틸렌테트라민(이하, TETA라 함), 2,2'-[[메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노]비스에탄올[상표명 이르가멧(IRGAMET) 42], (2-벤조티아졸리티오)석신산[상표명 이르가코르(IRGACOR) 252], 트리신, 비신 및 다른 수용성 킬레이트 화합물이 포함된다. 바람직하게는, 당해 킬레이트화 안정화제는, 세정 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 5 내지 약 5000중량ppm의 양으로 본 발명의 조성물 속에 존재한다.
기판으로부터의 플라즈마 에칭 잔류물의 제거능을 향상시키기 위해 계면활성제를 세정 조성물에 임의로 포함시킬 수 있다. 적합한 계면활성제는 비이온성, 양이온성 및 음이온성 계면활성제로부터 선택된다. 바람직하게는, 계면활성제는, 세정 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 약 0.1 내지 100중량ppm의 양으로 본 발명의 조성물 속에 존재한다. 세정 조성물은 또한 당 알콜, 카테콜 등과 같은 미량의 부식 억제제를 임의로 함유할 수 있다.
세정 조성물 속에 포함될 수 있는 또다른 임의 시약은 부식 억제제이다. 바 람직한 부식 억제제는 락트산, 살리실 알콜, 살리실 알독심, 갈산, 갈산 에스테르 및 알리자린이다.
본 발명은, 아민, 4급 암모늄 하이드록사이드 및 암모늄 하이드록사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함하는 세정 조성물에 관한 것이기도 하다.
4급 암모늄 하이드록사이드 및 불소 함유 화합물은 본 발명에서 상기한 바와 같다. 4급 암모늄 하이드록사이드는 감광성 내식막 잔류물을 제거하는데 사용되는데 반해, 불소 함유 화합물은 불소 함유 플라즈마 에칭 잔류물을 용해시키고 기판을 약하게 에칭하여 표면 상의 입자 및 기판에 함입되어 있는 입자를 제거하는 것으로 믿어진다. 또한, 상기한 바와 같은 킬레이트화제, 계면활성제 및 부식 억제제와 같은 다른 성분들을 세정 조성물에 가할 수 있다.
상기한 세정 조성물의 pH는 미세 회로 제조에 사용되는 금속을 공격하거나 부식시키지 않도록 약산성 내지 약염기성일 수 있다. 따라서, 약 2 내지 9의 pH를 유지하기 위해서는 세정 조성물 중의 성분들을 적절한 농도로 혼합해야 한다.
본 발명은 또한 상기한 세정 조성물 중의 하나를 잔류물을 함유하는 기판에 도포하는 단계를 포함하여, 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법에 관한 것이다.
감광성 내식막 또는 다른 중합체 잔류물이 기판 표면 위에 잔존하는 경우, 본 발명의 세정방법을 건식 스트리핑 방법과 병용할 수도 있다. 건식 스트리핑은 통상적으로 본 발명의 세정방법을 실시하기 전에 수행한다. O2 플라즈마 애슁 공정, 오존 가스 상-처리, 불소 플라즈마 처리, 고온 H2 가스 처리(미국 특허 제5,691,117호에 기재되어 있음) 등을 포함하는 모든 적합한 건식 스트리핑 방법을 사용할 수 있다. 바람직한 건식 스트리핑 방법은 O2 플라즈마 애슁 공정이다.
또한, 세정방법은 감광성 내식막과 그외의 잔류물을 스트리핑하여 제거하는데 사용되는 오존수와 함께 사용할 수도 있다. 오존수는 오존과 초순수(예: 탈이온수)의 단순 혼합물일 수 있다. 오존은 오존 발생기와 같은 모든 통상의 수단으로 생성시킬 수 있다. 오존을 가스 공급 노즐로 물에 분사시키고, 물과 오존을 나선형 혼합기에 공급하고, 가스를 흐르는 물에 흡기시키고, 오존이 물에 용해되도록 소정 압력으로 조절한 처리 탱크 속에 오존을 공급하는 등의 모든 적합한 방법으로 오존과 물을 혼합할 수 있다. 이어서, 오존수를 탱크에 넣고 기판을 오존수에 침지시키거나 분무 린스를 사용하여, 오존수를 적절한 방법으로 기판과 접촉시킬 수 있다.
본 발명을 이의 구체적인 양태를 참조로 하여 상기에 기재하였지만, 본원에 기재된 발명의 취지를 벗어나지 않으면서 다수의 변화, 개질 및 변형을 가할 수 있음이 자명하다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구의 범위의 취지 및 폭넓은 범위 내에 속하는 모든 변화, 개질 및 변형을 포함한다. 본원에 인용된 모든 특허원, 특허 및 다른 공보들의 전문을 참고로 인용한다.

Claims (25)

  1. 하이드록실암모늄 니트레이트, 하이드록실암모늄 포스페이트, 하이드록실암모늄 옥살레이트, 하이드록실암모늄 시트레이트 및 하이드록실암모늄 클로라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하이드록실아민염 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함하는 세정 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 불소 함유 화합물이 산 플루오라이드(a), 불소화 염(b) 및 폴리암모늄 플루오라이드 염(c)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 화합물인 세정 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 불소 함유 화합물이 불화수소, 과불소산, 암모늄 플루오라이드, 테트라메틸암모늄 플루오라이드, 암모늄 바이플루오라이드, 에틸렌디암모늄 디플루오라이드 및 디에틸렌트리암모늄 트리플루오라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 화합물인 세정 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 아민, 4급 암모늄 하이드록사이드 및 암모늄 하이드록사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 부가 성분을 추가로 포함하는 세정 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 4급 암모늄 하이드록사이드 화합물이 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 트리메틸 하이드록시에틸암모늄 하이드록사이드, 메틸 트리(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드 및 테트라(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
  6. 제4항에 있어서, 아민이 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디에틸렌글리콜아민 및 N-하이드록시에틸피페라진으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 부식 억제제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 부식 억제제가 락트산, 살리실 알콜, 살리실 알독심, 갈산, 갈산 에스테르 및 알리자린으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 계면활성제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 킬레이트화제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
  11. 제1항에 있어서, pH 범위가 약 2 내지 6인 세정 조성물.
  12. 트리메틸 하이드록시에틸암모늄 하이드록사이드, 메틸 트리(하이드록시에틸) 암모늄 하이드록사이드, 테트라(하이드록시에틸)암모늄 하이드록사이드, 디에틸렌 글리콜아민 및 N-하이드록시에틸피페라진으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 화합물(i), 하나 이상의 불소 함유 화합물(ii) 및 물(iii)을 포함하는 세정 조성물.
  13. 제12항에 있어서, 불소 함유 화합물이 산 플루오라이드(a), 불소화 염(b) 및 폴리암모늄 플루오라이드 염(c)으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
  14. 제12항에 있어서, 불소 함유 화합물이 불화수소, 과불소산, 암모늄 플루오라이드, 테트라메틸암모늄 플루오라이드, 암모늄 바이플루오라이드, 에틸렌디암모늄 디플루오라이드 및 디에틸렌트리암모늄 트리플루오라이드로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
  15. 제12항에 있어서, 부식 억제제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
  16. 제15항에 있어서, 부식 억제제가 락트산, 살리실 알콜, 살리실 알독심, 갈산, 갈산 에스테르 및 알리자린으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 세정 조성물.
  17. 제12항에 있어서, 계면활성제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
  18. 제12항에 있어서, 킬레이트화제를 추가로 포함하는 세정 조성물.
  19. 제12항에 있어서, pH 범위가 약 2 내지 9인 세정 조성물.
  20. 잔류물 함유 기판을 제1항에 따르는 세정 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하여, 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 기판을 건식 스트리핑(dry stripping)시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  22. 제20항에 있어서, 기판을 오존수와 접촉시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  23. 잔류물 함유 기판을 제12항에 따르는 세정 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하여, 기판으로부터 잔류물을 제거하는 방법.
  24. 제23항에 있어서, 기판을 건식 스트리핑시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
  25. 제23항에 있어서, 기판을 오존수와 접촉시키는 단계를 추가로 포함하는 방법.
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