PL199501B1 - Kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego - Google Patents

Kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego

Info

Publication number
PL199501B1
PL199501B1 PL367838A PL36783802A PL199501B1 PL 199501 B1 PL199501 B1 PL 199501B1 PL 367838 A PL367838 A PL 367838A PL 36783802 A PL36783802 A PL 36783802A PL 199501 B1 PL199501 B1 PL 199501B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
weight
dielectric
cleaning composition
water
cleaning
Prior art date
Application number
PL367838A
Other languages
English (en)
Other versions
PL367838A1 (pl
Inventor
Chien-Pin Sherman Hsu
Original Assignee
Mallinckrodt Baker Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mallinckrodt Baker Inc filed Critical Mallinckrodt Baker Inc
Publication of PL367838A1 publication Critical patent/PL367838A1/pl
Publication of PL199501B1 publication Critical patent/PL199501B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/28—Heterocyclic compounds containing nitrogen in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0073—Anticorrosion compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/33—Amino carboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43—Solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263—Amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest kompozycja czyszcz aca do oczyszczania pozosta losci z pod lo zy stosowanych w mikroelektronice zwieraj acych (1) dielektryk, który stanowi porowaty dielektryk, dielek- tryk o ma lej warto sci sta lej dielektrycznej ?, lub dielektryk o du zej warto sci sta lej dielektrycznej ? i (2) dielektryk metalizowany miedzi a, charakteryzuj aca si e tym, ze jest wolna od krzemianów i zawiera: od 0,05% do 30% wagowych jednej lub wi ecej mocnych nie daj acych amoniaku zasad zawieraj acych nie- nukleofilowe, dodatnio na ladowane przeciwjony, wybrane z grupy obejmuj acej wodorotlenek tetraalki- loamoniowy, jego sole i wodorotlenek choliny; od 5 do 99,95% wagowych dimetylopiperydonu; od 0 do 95% wagowych wody lub innego wspó lrozpuszczalnika organicznego; od 0 do 40% wagowych rozbu- dowanej przestrzennie aminy lub alkanoloaminy; od 0 do 40% wagowych kwasu organicznego lub nieorganicznego; od 0 do 40% wagowych innego inhibitora korozji metalu; od 0 do 5% wagowych surfaktanta; od 0 do 5% wagowych srodka chelatuj acego metal; i od 0 do 10% wagowych fluorku. Ujawniono sposób oczyszczania uk ladu mikroelektronicznego zwieraj acego (1) dielektryk, który sta- nowi porowaty dielektryk, dielektryk o ma lej warto sci sta lej dielektrycznej ?, lub dielektryk o du zej war- to sci sta lej dielektrycznej ? i (2) dielektryk metalizowany miedzi a, w którym pod lo ze kontaktuje si e z kompozycj a czyszcz ac a wed lug wynalazku, przy czym kompozycja czyszcz aca jest wolna od krze- mianów. PL PL PL PL

Description

Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego.
Kompozycje czyszczące do oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice, są wolne od amoniaku, a zwłaszcza takie kompozycje czyszczące przydatne są do i o lepszej kompatybilności z podłoż ami stosowanymi w mikroelektronice obejmującymi wraż liwe dielektryki, porowate, o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ oraz zdolności metalizacji miedzią. Zastosowano takie kompozycje czyszczące do usuwania fotomasek, oczyszczania z pozostałości po plazmowo wytwarzanych organicznych, metaloorganicznych i nieorganicznych związkach i oczyszczania z pozostałości po procesach planaryzacji, takich jak chemiczno-mechaniczne polerowanie (CMP), jak również jako dodatek w zawiesinowych pozostał oś ciach po planaryzacji.
Wiele środków do usuwania powłok fotomaski i środków do usuwania pozostałości proponowano do zastosowania w dziedzinie mikroelektroniki jako kolejne lub końcowe środki linii produkcyjnej stosującej środki czyszczące. W procesie wytwarzania cienką warstwę fotomaski osadza się na płytce podłoża, a następnie obwód drukowany zostaje odwzorowany na tej cienkiej warstwie. Po wysuszeniu, niespolimeryzowaną maskę usuwa się z zastosowaniem wywoływacza fotomaski. Uzyskany obraz przenosi się następnie na materiał podstawowy, którym jest na ogól dielektyk lub metal, stosując reaktywne gazy plazmowe do trawienia lub roztwory chemiczne do trawienia. Gazy do trawienia lub roztwory chemiczne do trawienia selektywnie atakują niezabezpieczoną fotomaską powierzchnię podłoża. W efekcie plazmowego procesu trawienia, fotomaska, gaz trawiący i produkty uboczne trawienia materiału osadzają się jako pozostałość wokół lub na bocznej ściance wytrawionych otworów na podłożu.
Ponadto, po zakończeniu etapu trawienia, maskę trzeba usunąć z zabezpieczonej powierzchni płytki tak, aby możliwa była końcowa operacja wykańczająca. Można to przeprowadzić w etapie spopielania plazmowego stosując odpowiednie gazy do spopielania plazmowego lub środki chemiczne na bazie wody do usuwania powłok. Opracowanie odpowiedniej kompozycji czyszczącej do usuwania tej substancji maski bez szkodliwego wpływu jak np. korozja, rozpuszczanie lub matowienie metalowych obwodów elektrycznych, także okazało się problematyczne.
W miarę zwiększania poziomów scalenia w procesach produkcji mikroelektroniki i zmniejszania wymiarów urządzeń wzornikowej mikroelektroniki, coraz powszechniejsze stało się stosowanie w dziedzinie metalizowanych miedzią, porowatych dielektryków o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ. Te materiały mają dodatkowe zalety, jeśli chodzi o znalezienie dopuszczalnych kompozycji czyszczących. Wielu kompozycji opracowanych w uprzednich technologiach wykorzystujących „tradycyjne” lub „typowe” urządzenia półprzewodnikowe, zawierające Al/SiO2 lub Al(Cu)/SiO2 nie można stosować do metalizowanych miedzią dielektryków o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ. Na przykład kompozycje środka do usuwania powłok lub środka do usuwania pozostałości na bazie hydroksyloaminy z powodzeniem stosowano do urządzeń do oczyszczania z zastosowaniem metalizacji Al, ale w praktyce nie nadają się przy metalizacji miedzią. Podobnie, wiele środków do usuwania powłok z elementów metalizowanych miedzią o małej wartości stałej dielektrycznej κ nie nadaje się dla metalizowanych Al, jeśli nie przeprowadzi się znaczących zmian składu.
Usunięcie pozostałości po trawieniu i/lub spopielaniu, będących wynikiem trawienia i/lub procesu spopielania, okazało się problematyczne. Brak możliwości całkowitego usunięcia lub neutralizacji tych pozostałości może prowadzić do absorpcji wilgoci i powstawania niepożądanych substancji, które mogą powodować korozję struktur metalicznych. Materiały obwodów elektrycznych zostają skorodowane niepożądanymi substancjami i powstają nieciągłości obwodów elektrycznych oraz niepożądanie zwiększa się oporność elektryczną.
Stosowane obecnie środki do czyszczenia końcowego w szerokim zakresie wykazują kompatybilność z niektórymi, wrażliwymi dielektrykami i metalizacjami, w zakresie od całkowicie niedopuszczalnego do marginesowo zadowalającego. Wiele z obecnie stosowanych środków do usuwania powłok lub środków czyszczących do usuwania pozostałości nie jest dopuszczonych do stosowania z zaawansowanymi połączonymi wzajemnie materia łami, takimi jak dielektryki o mał ej lub duż ej wartości stałej dielektrycznej κ i elementami metalizowanymi miedzią. Ponadto, typowe stosowane alkaliczne roztwory czyszczące są zbyt agresywne wobec dielektryków o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ i/lub metalizowanych miedzią. Ponadto, wiele z tych alkalicznych kompozycji czyszczących zawiera organiczne rozpuszczalniki, które wykazują małą trwałość produktu, szczególnie przy wyższych wartościach pH i w wyższych temperaturach procesu.
PL 199 501 B1
Występuje zatem zapotrzebowanie na kompozycje czyszczące w mikroelektronice, odpowiednie do końcowych operacji czyszczenia, które są skutecznymi środkami czyszczącymi i nadają się do usuwania fotomasek, oczyszczania z pozostałych po plazmowym procesie wytwarzania organicznych, metaloorganicznych i nieorganicznych substancji i oczyszczania z pozostałości po operacjach planaryzacji, takich jak chemiczno-mechaniczne polerowanie itp. Przedmiotem wynalazku są kompozycje skuteczne w usuwaniu fotomasek, przygotowaniu/oczyszczaniu powierzchni i powierzchni półprzewodnikowych z dobrą kompatybilnością z zaawansowanymi połączonymi wzajemnie materiałami oraz elementami metalizowanymi miedzią.
Stwierdzono że, amoniak (NH3) i zasady pochodzące od amoniaku, takie jak wodorotlenek amonu i inne sole (NH4X, X = OH, węglan itp.) są zdolne do rozpuszczenia/skorodowania metali, takich jak miedź poprzez tworzenie kompleksu. Wybór preparatów do czyszczenia półprzewodników jest zatem ograniczony, gdy wymagana jest kompatybilność z porowatymi dielektrykami o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ oraz elementami metalizowanymi miedzią. Te związki mogą generować amoniak w procesie równowagowym. Amoniak może tworzyć kompleks z metalami, takimi jak miedź i prowadzić do korozji/rozpuszczania metalu zgodnie z następującym równaniem.
ΝΗ4Χ θ NH3 + HX (Równanie 1)
Cu + 2NH3 [Cu(NH3)2]+ [Cu(NH3)2]2+ (Równanie 2)
Zatem wodorotlenek amonu i sole amoniowe mogą być źródłem nukleofilowego i chelatującego metal amoniaku (NH3) na drodze reakcji równowagowej opisanej w Równaniu 1, szczególnie gdy dodaje się inne zasady, takie jak aminy i alkanoloaminy. W obecności tlenu, metale takie jak miedź mogą rozpuszczać się/korodować poprzez tworzenie kompleksu z amoniakiem, jak opisano w Równaniu 2. Takie tworzenie kompleksu może dodatkowo przesunąć równowagę (Równanie 1) w prawo, powodując powstanie większej ilości amoniaku, prowadząc do większego rozpuszczania/korozji metalu.
Na ogół wrażliwe dielektryki o małej wartości stałej dielektrycznej κ ulegają znacznej degradacji w silnie alkalicznych warunkach. Amoniak i zasady pochodzące od amoniaku wykazują także słabą kompatybilność z wrażliwymi dielektrykami, takimi jak krzemopółtoratlenek wodoru (HSQ) i krzemopółtoratlenek metylu (MSQ). Ponownie, mogą one być źródłem amoniaku i/lub innych substancji o charakterze nukleofilowym, a zatem prowadzą do reagowania/degradacji wrażliwych dielektryków.
Stwierdzono, że alkaliczne preparaty czyszczące z mocną zasadą nie dającą amoniaku, zawierające nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony (takie jak tetraalkiloamoniowy) w rozbudowanych przestrzennie rozpuszczalnikach amidowych wykazują znacznie lepszą kompatybilność z wrażliwymi, porowatymi dielektrykami o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ oraz zdolności metalizacji miedzią. Korzystne bazy rozpuszczalnikowe są odporne na działanie silnie alkalicznych warunków, z uwagi na efekty przeszkody przestrzennej i/lub małą lub brak reaktywności w reakcjach nukleofilowych (w stosunku do substancji o charakterze nukleofilowym, takich jak jony wodorotlenowe). Ulepszoną kompatybilność wobec dielektryków częściowo osiąga się dzięki temu, że kompozycje nie zawierają niepożądanych substancji o charakterze nukleofilowym. Dobrą kompatybilność z elementami metalizowanymi miedzią osiąga się przez selektywne zastosowanie pewnych kompatybilnych z miedzią rozbudowanych przestrzennie rozpuszczalników amidowych. Te składniki można komponować w roztwory czyszczące lub zawiesiny częściowo wodne do praktycznie niewodnych (na bazie rozpuszczalnika organicznego).
Przedmiotem wynalazku jest kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice zwierających (1) dielektryk, który stanowi porowaty dielektryk, dielektryk o małej wartości stałej dielektrycznej κ, lub dielektryk o dużej wartości stałej dielektrycznej κ i (2) dielektryk metalizowany miedzią, charakteryzująca się tym, że jest wolna od krzemianów i zawiera:
od 0,05% do 30% wagowych jednej lub więcej mocnych nie dających amoniaku zasad zawierających nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony, wybrane z grupy obejmującej wodorotlenek tetraalkiloamoniowy, jego sole i wodorotlenek choliny;
od 5 do 99,95% wagowych dimetylopiperydonu;
od 0 do 95% wagowych wody lub innego współrozpuszczalnika organicznego; od 0 do 40% wagowych rozbudowanej przestrzennie aminy lub alkanoloaminy; od 0 do 40% wagowych kwasu organicznego lub nieorganicznego; od 0 do 40% wagowych innego inhibitora korozji metalu;
od 0 do 5% wagowych surfaktanta;
od 0 do 5% wagowych środka chelatującego metal; i
PL 199 501 B1 od 0 do 10% wagowych fluorku.
Korzystnie kompozycja czyszcząca jako nie dającą amoniaku mocną zasadę zawiera wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól. Korzystniej jako wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól zawiera związek o wzorze:
[(R)4N+]p[X]-q w którym każ dy R oznacza podstawiony lub niepodstawiony alkil i X oznacza OH lub anion soli; i p i q są równe i oznaczają liczby całkowite od 1 do 3.
Korzystnie zawiera związek, w którym R oznacza alkil o 1 do 22 atomach węgla i X oznacza OH lub węglan. Korzystniej zawiera związek, w którym R oznacza alkil o od 1 do 6 atomach węgla.
Kompozycja czyszcząca według wynalazku zawiera wodę lub co najmniej jeden inny współrozpuszczalnik organiczny wybrany z grupy obejmującej sulfotlenek dimetylu, sulfolan, dietanoloaminę, trietanoloaminę, 2-(metyloamino)etanol i 3-(dietyloamino)-1,2-propanodiol.
Kompozycja czyszcząca zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon, trietanoloaminę, kwas trans-1,2-cykloheksanodiamino-tetraoctowy i wodę.
Korzystnie kompozycja czyszcząca zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon i wodę.
Korzystniej kompozycja czyszcząca zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon, trietanoloaminę, kwas etylenodiaminotetra(metyleno-fosfoniowy) i wodę.
Przedmiotem wynalazku jest również sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego zwierającego (1) dielektryk, który stanowi porowaty dielektryk, dielektryk o małej wartości stałej dielektrycznej κ, lub dielektryk o dużej wartości stałej dielektrycznej κ i (2) dielektryk metalizowany miedzią, charakteryzujący się tym, że podłoże kontaktuje się z określoną powyżej kompozycją czyszczącą według wynalazku wolną od krzemianów.
Odpowiednie silne zasady obejmują KOH i NaOH. Kompozycje czyszczące zawierające nie dające amoniaku silne zasady zawierające nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony wykazują znacznie lepszą kompatybilność z dielektrykami o małej wartości stałej dielektrycznej κ oraz zdolności metalizacji miedzią. Wolne od amoniaku wodorotlenki tetraalkiloamoniowe (TAAH) obejmują bardzo silne zasady, które opracowano uzyskując nieoczekiwanie ulepszoną kompatybilność z dielektrykami o ma ł ej wartoś ci stał ej dielektrycznej κ , w porównaniu z kompozycjami czyszczą cymi z wodorotlenkiem amonu. Szczególnie korzystne są wodorotlenek tetrametyloamoniowy, wodorotlenek tetrabutyloamoniowy, wodorotlenek choliny i węglan tetrametyloamoniowy.
Podczas gdy poprzednie próby kontrolowania lub hamowania korozji metalu obejmowały ostrożne kontrolowanie wartości pH i/lub stosowanie związków hamujących korozję, takich jak benzotriazol (BT), we względnie niskich stężeniach < 2% wagowych, nieoczekiwanie stwierdzono, że znaczącą poprawę hamowania korozji miedzi można uzyskać stosując kompozycje czyszczące według wynalazku, gdy stosuje się jeden lub więcej rozbudowanych przestrzennie rozpuszczalników amidowych. W kompozycjach czyszczących według wynalazku można stosować dowolny odpowiedni rozbudowany przestrzennie rozpuszczalnik amidowy. Takie korzystne rozbudowane przestrzennie rozpuszczalniki amidowe obejmują rozbudowane przestrzennie acykliczne i rozbudowane przestrzennie cykliczne amidy o wzorach
R1CONR2R3 i
'(CR4R5 )n
CR6R 7CONR8 ? w których n oznacza liczbę od 1 do 22, korzystnie 1 do 6; i R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 i R8 niezależnie od siebie oznaczają H, alkil (podstawiony lub niepodstawiony), korzystnie alkil o od 1 do 6 atomach węgla i aryl (podstawiony lub niepodstawiony), korzystnie aryl o od 3 do 14 atomach węgla, z zastrzeż eniem, ż e co najmniej jeden element z grupy obejmują cej R1, R2 i R3 i co najmniej jeden element z grupy obejmującej R4, R5, R6, R7 i R8 nie oznacza atomu wodoru.
Niektóre przykłady takich odpowiednich rozbudowanych przestrzennie acyklicznych rozpuszczalników amidowych obejmują np. acetamid, dimetyloformamid (DMF), N,N'-dimetyloacetamid (DMAc), benzamid itp. Przykłady odpowiednich rozbudowanych przestrzennie cyklicznych amidów
PL 199 501 B1 obejmują np. N-metylo-2-pirolidynon (NMP), 1,5-dimetylo-2-pirolidynon, 1,3-dimetylo-2-piperydon, 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon, 1,5-dimetylo 2-piperydon itp.
Kompozycje czyszczące według wynalazku zawierające nie dające amoniaku silne zasady można wytwarzać w postaci kompozycji wodnych, częściowo wodnych lub na bazie rozpuszczalnika organicznego. Nie dające amoniaku, silne zasady zawierające nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony można stosować z samymi rozbudowanymi przestrzennie rozpuszczalnikami amidowymi lub w połączeniu z innymi trwałymi rozpuszczalnikami, korzystnie jednym lub więcej polarnych rozpuszczalników organicznych odpornych na działanie silnych zasad, które nie zawierają substancji o charakterze nukleofilowym bez efektu przeszkody przestrzennej, takie jak sulfotlenek dimetylu (DM-SO), sulfolan (SFL), dimetylopiperydon, dietanoloaminę, trietanoloaminę, 2-(metyloamino)etanol,
3-(dimetyloamino)-1,2-propanodiol itp. Kompozycja czyszcząca może także ewentualnie zawierać kwasy organiczne lub nieorganiczne, korzystnie słabe kwasy organiczne lub nieorganiczne, rozbudowane przestrzennie aminy, rozbudowane przestrzennie alkanoloaminy i rozbudowane przestrzennie hydroksyloaminy oraz inne inhibitory korozji, takie jak benzotriazol, katechol, glicerol, glikol etylenowy itp. Kompozycje czyszczące mogą także zawierać dowolne odpowiednie surfaktanty, takie jak np. dimetyloheksynol (Surfynol-61), etoksylowany tetrametylodecynodiol (Surfynol-465), cetooksypropylobetainę politetrafluoroetylenu (Zonyl FSK), (Zonyl FSH) itp. Ponadto podczas skutecznego usuwania i czyszczenia fotomasek, pozostałości po trawieniu/spopieleniu plazmowym, protektorowych substancji absorbujących światło i powłok antyrefleksyjnych (ARC) można stosować szeroki zakres pH i temperatur obróbki/roboczych. Stwierdzono także, że niektóre preparaty tego typu są szczególnie skuteczne podczas oczyszczania bardzo trudnych próbek, które zawierają tantal w ich strukturze, taki jak warstwy barierowe tantalu (Ta) lub azotku tantalu oraz tlenki tantalu.
W kompozycjach według wynalazku moż na stosować dowolny odpowiedni krzemian nie zawierający jonów metalu. Krzemiany korzystnie obejmują czwartorzędowe krzemiany amoniowe, takie jak krzemian tetraalkiloamoniowy (obejmujący grupy alkilowe zawierające hydroksy- i alkoksylo-, na ogół o od 1 do 4 atomach węgla w alkilu lub alkoksylu). Najbardziej korzystnym krzemianem nie zawierającym jonów metalu jest krzemian tetra-metyloamoniowy. Inne odpowiednie źródła krzemianu, nie zawierające jonów metalu, można wytwarzać in-situ przez rozpuszczenie w silnie alkalicznej kompozycji czyszczącej dowolnej, jednej lub więcej substancji wymienionych poniżej. Odpowiednie nie zawierające jonów metalu substancje przydatne do generowania krzemianów w kompozycji czyszczącej obejmują stałe płytki krzemowe, kwas krzemowy, koloidalną krzemionkę, dymioną krzemionkę lub dowolne inne odpowiednie formy krzemu lub krzemionki. Można stosować krzemiany metali, takie jak metakrzemian sodu, lecz nie są one zalecane z uwagi na szkodliwe efekty zanieczyszczeń metalicznych dla obwodów scalonych. Krzemiany mogą występować w kompozycji w ilości od 0 do 10% wagowych, korzystnie w ilości od 0,1 do 5% wagowych.
Kompozycje według wynalazku mogą także zawierać odpowiednie środki chelatujące metal w celu zwię kszenia wydajnoś ci preparatu w zatrzymywaniu metali w roztworze i w celu zwię kszenia rozpuszczania metalicznych pozostałości na płytce. Środek chelatujący na ogół występuje w kompozycjach w ilości od 0 do 5% wagowych, korzystnie w ilości od 0,1 do 2% wagowych. Typowe przykłady środków chelatujących przydatnych do tego celu obejmują następujące kwasy organiczne i ich izomery i sole: kwas etylenodiaminotetraoctowy (EDTA), kwas butylenodiaminotetraoctowy, kwas (1,2-cykloheksylenodinitrilo)tetraoctowy (CyDTA), kwas dietylenotriaminopentaoctowy (DETPA), kwas etylenodiaminotetrapropionowy, kwas (hydroksyetylo)etylenodiaminotrioctowy (HEDTA), kwas N,N,N',N'-etylenodiaminotetra(metylenofosfoniowy) (EDTMP), kwas trietylenotetraaminoheksaoctowy (TTHA), kwas 1,3-diamino-2-hydroksypropano-N,N,N',N'-tetraoctowy (DHPTA), kwas metyloiminodioctowy, kwas propylenodiaminotetraoctowy, kwas nitrolotrioctowy (NTA), kwas cytrynowy, kwas winowy, kwas glukonowy, kwas cukrowy, kwas glicerynowy, kwas szczawiowy, kwas ftalowy, kwas maleinowy, kwas migdałowy, kwas malonowy, kwas mlekowy, kwas salicylowy, katechol, kwas galusowy, galusan propylu, pirogalol, 8-hydroksychinolinę i cysteinę. Korzystne środki chelatujące obejmują kwasy aminokarboksylowe takie jak EDTA, CyDTA i EDTMP.
Kompozycje czyszczące mogą także ewentualnie zawierać związki fluorkowe w kompozycji czyszczącej, takie jak np. fluorek tetrametyloamoniowy, fluorek tetrabutyloamoniowy i fluorek amonu. Inne odpowiednie fluorki obejmują, np. fluoroborany, fluoroborany tetrabutyloamoniowe, heksafluorki glinu, fluorek antymonu itp. Fluorki występują w ilości od 0 do 10% wagowych, korzystnie od 0,1 do 5% wagowych.
PL 199 501 B1
Kompozycje czyszczące według wynalazku na ogół zawierają od 0,05 do 30% wagowych mocnej zasady nie dającej amoniaku; od 5 do 99,95% wagowych rozbudowanego przestrzennie rozpuszczalnika amidowego; od 0 do 95% wagowych wody lub innego współrozpuszczalnika organicznego; od 0 do 40% wagowych rozbudowanej przestrzennie aminy lub alkanoloaminy; 0 do 40% wagowych kwasów organicznych lub nieorganicznych; 0 do 40% wagowych inhibitora korozji metalu, takiego jak benzotriazol, katechol, glicerol, glikol etylenowy itp.; od 0 do 5% wagowych surfaktanta; 0 do 10% wagowych krzemianu nie zawierającego jonów metali; od 0 do 5% wagowych środka chelatującego metal; i od 0 do 10% wagowych fluorku.
Przykłady tych typów preparatów przedstawiono w poniższej Tabeli 1.
T a b e l a 1
Części wagowe kompozycji
Składnik A B C D E F G H
DMPD 32 16 16 20 50 16
H2O 32 32 32 32
TMAH 16 16 16 10 10 10 10 16
TEA 16 15
CyDTA 0,2
SFL 16 30
HEP 50
NMP 50
EDTMP 0,4
DMPD = dimetylopiperydon
TMAH = 25% wodorotlenek tetrametyloamoniowy
TEA = trietanoloamina
CyDTA = kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy
SFL = sulfolan
HEP = 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon
NMP = N-metylopirolidynon
EDTMP = kwas etylenodiaminotetra(metylenofosfoniowy)
Szybkości wytrawiania miedzi dla kompozycji czyszczących D, E, F G i H według Tabeli 1 zestawiono podając dane o szybkości wytrawiania w poniższych Tabelach 2 i 3. Szybkość wytrawiania określano wykorzystując następującą procedurę testową.
Zastosowano fragmenty folii miedzianej o wymiarach w przybliżeniu 13 x 50 mm. Zmierzono grubości fragmentów folii. Po czyszczeniu fragmentów folii 2-propanolem, wodą destylowaną i acetonem, fragmenty folii osuszono w piecu suszarniczym. Następnie oczyszczone, osuszone fragmenty folii umieszczono w luźno zamkniętych butelkach zawierających wstępnie ogrzane kompozycje czyszczące według wynalazku i umieszczono w piecu próżniowym przez od dwóch do czterech godzin, w wybranej temperaturze. Po obróbce i usunięciu z pieca i butelek, oczyszczone folie przepłukano dużą ilością wody destylowanej i suszono w piecu suszarniczym przez około 1 godzinę, po czym pozostawiono do oziębienia do temperatury pokojowej, a następnie szybkość wytrawiania określono w przeliczeniu na stratę masy lub zmianę masy.
Wyniki przedstawiono w Tabelach 2 i 3.
PL 199 501 B1
T a b e l a 2
Kompozycja Szybkość wytrawiania Cu (nm/godzinę) w temperaturze 70-75°C (test 24 godzinny)
D <1
E <1
F <1
G <1
T a b e l a 3
Kompozycja Szybkość wytrawiania Cu (nm/godzinę) w temperaturze 65°C (test 24 godzinny)
H 0,1
Zdolność czyszczenia kompozycji według wynalazku zilustrowano w następujących testach, w których układ mikroelektroniczny składający się z płytki o następującej strukturze, mianowicie, PR/ARC/CDO/SiN/Cu Dual Damascene (po wytrawianiu rowków), w którym PR = „fotomaska” i ARC = powł oka antyrefleksyjna, CDO = tlenek domieszkowany wę glem, zanurzono w roztworach czyszczących o wybranej temperaturze i przez wybrany czas, a następnie przepłukano wodą, osuszono, po czym stopień oczyszczenia określono metodą kontroli SEM. Wyniki przedstawiono w Tabeli 4.
T a b e l a 4
Kompozycja i warunki obróbki Parametry czyszczenia Kompatybilność z podłożem
Kompozycja H 75°C, 20 minut 100% Czystości; usunięto wszystkie PR, ARC i pozostałości Kompatybilny z Cu i CDO
Zastrzeżenia patentowe

Claims (17)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice zwierających (1) dielektryk, który stanowi porowaty dielektryk, dielektryk o małej wartości stałej dielektrycznej κ, lub dielektryk o dużej wartości stałej dielektrycznej κ i (2) dielektryk metalizowany miedzią, znamienna tym, że jest wolna od krzemianów i zawiera:
    od 0,05% do 30% wagowych jednej lub więcej mocnych nie dających amoniaku zasad zawierających nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony, wybrane z grupy obejmującej wodorotlenek tetraalkiloamoniowy, jego sole i wodorotlenek choliny;
    od 5 do 99,95% wagowych dimetylopiperydonu; od 0 do 95% wagowych wody lub innego współrozpuszczalnika organicznego; od 0 do 40% wagowych rozbudowanej przestrzennie aminy lub alkanoloaminy; od 0 do 40% wagowych kwasu organicznego lub nieorganicznego;
    od 0 do 40% wagowych innego inhibitora korozji metalu; od 0 do 5% wagowych surfaktanta; od 0 do 5% wagowych środka chelatującego metal; i od 0 do 10% wagowych fluorku.
  2. 2. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że jako nie dającą amoniaku mocną zasadę zawiera wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól.
  3. 3. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 2, znamienna tym, że jako wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól zawiera związek o wzorze:
    [(R)4N+]p[X]-q w którym każ dy R oznacza podstawiony lub niepodstawiony alkil i X oznacza OH lub anion soli; i p i q są równe i oznaczają liczby całkowite od 1 do 3.
  4. 4. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 3, znamienna tym, że zawiera związek, w którym R oznacza alkil o 1 do 22 atomach wę gla i X oznacza OH lub wę glan.
    PL 199 501 B1
  5. 5. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 4, znamienna tym, że zawiera związek, w którym R oznacza alkil o od 1 do 6 atomach wę gla.
  6. 6. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera wodę lub co najmniej jeden inny współrozpuszczalnik organiczny wybrany z grupy obejmującej sulfotlenek dimetylu, sulfolan, dietanoloaminę, trietanoloaminę, 2-(metyloamino)etanol i 3-(dietyloamino)-1,2-propanodiol.
  7. 7. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon, trietanoloaminę, kwas trans-1,2-cykloheksanodiamino-tetraoctowy i wodę.
  8. 8. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon i wodę.
  9. 9. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon, trietanoloaminę, kwas etylenodiaminotetra(metylen-fosfoniowy) i wodę .
  10. 10. Sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego zwierającego (1) dielektryk, który stanowi porowaty dielektryk, dielektryk o małej wartości stałej dielektrycznej κ, lub dielektryk o dużej wartości stałej dielektrycznej κ i (2) dielektryk metalizowany miedzią, znamienny tym, że podłoże kontaktuje się z kompozycją czyszczącą, przy czym kompozycja czyszcząca jest wolna od krzemianów i zawiera:
    od 0,05% do 30% wagowych jednej lub więcej mocnych nie dających amoniaku zasad zawierających nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony, wybrane z grupy obejmującej wodorotlenek tetraalkiloamoniowy, jego sole i wodorotlenek choliny;
    od 5 do 99,95% wagowych dimetylopiperydonu; od 0 do 95% wagowych wody lub innego współrozpuszczalnika organicznego; od 0 do 40% wagowych rozbudowanej przestrzennie aminy lub alkanoloaminy; od 0 do 40% wagowych kwasu organicznego lub nieorganicznego;
    od 0 do 40% wagowych innego inhibitora korozji metalu; od 0 do 5% wagowych surfaktanta; od 0 do 5% wagowych środka chelatującego metal; i od 0 do 10% wagowych fluorku.
  11. 11. Sposób według zastrz. 10, znamienny tym, że jako mocną zasadę nie dającą amoniaku stosuje się wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól.
  12. 12. Sposób według zastrz. 11, znamienny tym, że jako wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól stosuje się związek o wzorze:
    [(R)4N+]p[X]-q w którym każ dy R oznacza podstawiony lub niepodstawiony alkil i X oznacza OH lub anion soli; i p i q są równe i oznaczają liczby całkowite od 1 do 3.
  13. 13. Sposób według zastrz. 12, znamienny tym, że stosuje się związek, w którym R oznacza alkil o 1 do 22 atomach węgla i X oznacza OH lub węglan.
  14. 14. Sposób według zastrz. 13, znamienny tym, że stosuje się związek, w którym R oznacza alkil o od 1 do 6 atomach węgla.
  15. 15. Sposób według zastrz. 10, znamienny tym, że stosuje się kompozycję czyszczącą zawierającą wodę lub co najmniej jeden inny współrozpuszczalnik wybrany z grupy obejmującej sulfotlenek dimetylu, sulfolan, dietanoloaminę, trietanoloaminę, 2-(metyloamino)etanol i 3-(dietyloamino)-1,2-propanodiol.
  16. 16. Sposób według zastrz. 10, znamienny tym, że stosuje się kompozycję czyszczącą zawierającą wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon, trietanoloaminę, kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy i wodę.
  17. 17. Sposób według zastrz. 10, znamienny tym, że stosuje się kompozycję czyszczącą zawierającą wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon i wodę.
PL367838A 2001-07-09 2002-07-08 Kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego PL199501B1 (pl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30431201P 2001-07-09 2001-07-09
PCT/US2002/021374 WO2003006597A1 (en) 2001-07-09 2002-07-08 Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL367838A1 PL367838A1 (pl) 2005-03-07
PL199501B1 true PL199501B1 (pl) 2008-09-30

Family

ID=23175967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL367838A PL199501B1 (pl) 2001-07-09 2002-07-08 Kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego

Country Status (17)

Country Link
EP (1) EP1404796B1 (pl)
JP (1) JP4177758B2 (pl)
KR (2) KR20040018437A (pl)
CN (2) CN1526007A (pl)
AT (1) ATE545695T1 (pl)
AU (1) AU2002320305A1 (pl)
BR (1) BR0211054A (pl)
CA (1) CA2452884C (pl)
IL (2) IL159761A0 (pl)
IN (1) IN2004CH00042A (pl)
MY (1) MY139607A (pl)
NO (1) NO20040067L (pl)
PL (1) PL199501B1 (pl)
RS (1) RS904A (pl)
TW (1) TWI292437B (pl)
WO (1) WO2003006597A1 (pl)
ZA (1) ZA200400064B (pl)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040192938A1 (en) 2003-03-24 2004-09-30 Manzer Leo Ernest Production of 5-mehyl-N-aryl-2-pyrrolidone and 5-methyl-N-alkyl-2-pyrrolidone by reductive of levulinic acid esters with aryl and alkyl amines
ES2293340T3 (es) * 2003-08-19 2008-03-16 Mallinckrodt Baker, Inc. Composiciones decapantes y de limpieza para microelectronica.
KR101331747B1 (ko) * 2005-01-27 2013-11-20 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 반도체 기판 처리 조성물
US9329486B2 (en) 2005-10-28 2016-05-03 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US7632796B2 (en) 2005-10-28 2009-12-15 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US8263539B2 (en) 2005-10-28 2012-09-11 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use
CA2677964A1 (en) * 2007-02-14 2008-08-21 Mallinckrodt Baker, Inc. Peroxide activated oxometalate based formulations for removal of etch residue
MY160647A (en) * 2008-10-09 2017-03-15 Avantor Performance Mat Inc Aqueous acidic formulations for copper oxide etch residue removal and prevention of copper electrodeposition
US8298751B2 (en) 2009-11-02 2012-10-30 International Business Machines Corporation Alkaline rinse agents for use in lithographic patterning
WO2012161790A1 (en) * 2011-02-24 2012-11-29 John Moore Concentrated chemical composition and method for removing photoresist during microelectric fabrication
US9158202B2 (en) * 2012-11-21 2015-10-13 Dynaloy, Llc Process and composition for removing substances from substrates
US10072237B2 (en) * 2015-08-05 2018-09-11 Versum Materials Us, Llc Photoresist cleaning composition used in photolithography and a method for treating substrate therewith
KR20220056194A (ko) * 2019-08-30 2022-05-04 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 포토레지스트 박리 조성물
CN111519190B (zh) * 2020-05-27 2022-03-18 湖北兴福电子材料有限公司 一种铜制程面板中稳定蚀刻锥角的蚀刻液及稳定方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4744834A (en) * 1986-04-30 1988-05-17 Noor Haq Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide
WO1988005813A1 (en) * 1987-02-05 1988-08-11 Macdermid, Incorporated Photoresist stripper composition
US5091103A (en) * 1990-05-01 1992-02-25 Alicia Dean Photoresist stripper
US6110881A (en) * 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
DE69333877T2 (de) * 1992-07-09 2006-06-14 Ekc Technology Inc Reinigungsmittelzusammensetzung, das einem Redox Aminverbindung enthält
JPH0959689A (ja) * 1995-08-29 1997-03-04 Mitsubishi Chem Corp 研削剤除去用洗浄剤
IL139546A (en) * 1998-05-18 2005-08-31 Mallinckrodt Inc Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
JP4565741B2 (ja) * 1998-05-18 2010-10-20 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド マイクロエレクトロニクス基板洗浄用珪酸塩含有アルカリ組成物
US6558879B1 (en) * 2000-09-25 2003-05-06 Ashland Inc. Photoresist stripper/cleaner compositions containing aromatic acid inhibitors

Also Published As

Publication number Publication date
AU2002320305A1 (en) 2003-01-29
ZA200400064B (en) 2004-10-27
KR20040018437A (ko) 2004-03-03
PL367838A1 (pl) 2005-03-07
BR0211054A (pt) 2004-07-20
CN1526007A (zh) 2004-09-01
IN2004CH00042A (pl) 2005-12-02
JP4177758B2 (ja) 2008-11-05
CN102399651A (zh) 2012-04-04
IL159761A0 (en) 2004-06-20
CA2452884A1 (en) 2003-01-23
TWI292437B (en) 2008-01-11
JP2004536181A (ja) 2004-12-02
IL159761A (en) 2006-12-10
EP1404796B1 (en) 2012-02-15
CA2452884C (en) 2010-12-07
ATE545695T1 (de) 2012-03-15
KR100944444B1 (ko) 2010-02-26
KR20090076934A (ko) 2009-07-13
MY139607A (en) 2009-10-30
EP1404796A1 (en) 2004-04-07
RS904A (sr) 2007-02-05
WO2003006597A1 (en) 2003-01-23
NO20040067L (no) 2004-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2452885C (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
EP1404795B1 (en) Microelectronic cleaning compositions containing ammonia-free fluoride salts
US7393819B2 (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
CA2452884C (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
KR20140086927A (ko) 구리, 텅스텐, 및 다공성의 유전 상수 κ가 낮은 유전체들에 대한 양립성이 향상된 반수성 중합체 제거 조성물
JP2004536181A5 (pl)
JP2008519310A (ja) アルミニウム含有基板に使用するためのポストエッチ洗浄組成物

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20120708