PL199501B1 - Kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego - Google Patents
Kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznegoInfo
- Publication number
- PL199501B1 PL199501B1 PL367838A PL36783802A PL199501B1 PL 199501 B1 PL199501 B1 PL 199501B1 PL 367838 A PL367838 A PL 367838A PL 36783802 A PL36783802 A PL 36783802A PL 199501 B1 PL199501 B1 PL 199501B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- weight
- dielectric
- cleaning composition
- water
- cleaning
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title abstract description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- RJLKIAGOYBARJG-UHFFFAOYSA-N 1,3-dimethylpiperidin-2-one Chemical compound CC1CCCN(C)C1=O RJLKIAGOYBARJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,4-benzodioxine-3-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)O)COC2=C1 HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 5
- 229940075419 choline hydroxide Drugs 0.000 claims abstract description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 8
- -1 salt anion Chemical class 0.000 claims description 8
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FCKYPQBAHLOOJQ-UWVGGRQHSA-N 2-[[(1s,2s)-2-[bis(carboxymethyl)amino]cyclohexyl]-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)[C@H]1CCCC[C@@H]1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UWVGGRQHSA-N 0.000 claims description 4
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LTACQVCHVAUOKN-UHFFFAOYSA-N 3-(diethylamino)propane-1,2-diol Chemical compound CCN(CC)CC(O)CO LTACQVCHVAUOKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JORXWOUXPJBKOF-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetrakis(phosphanylidenemethyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound C(CN(C=P)C=P)N(C=P)C=P JORXWOUXPJBKOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 15
- 239000002585 base Substances 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 5
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 description 4
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 4
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCCC1=O WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N Benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- BZORFPDSXLZWJF-UHFFFAOYSA-N N,N-dimethyl-1,4-phenylenediamine Chemical compound CN(C)C1=CC=C(N)C=C1 BZORFPDSXLZWJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N Propyl gallate Chemical compound CCCOC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ZTHYODDOHIVTJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003950 cyclic amides Chemical class 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 2
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N (2R)-2-hydroxy-2-phenylacetic acid Chemical compound O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1.O[C@@H](C(O)=O)c1ccccc1 QBYIENPQHBMVBV-HFEGYEGKSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N -2,3-Dihydroxypropanoic acid Natural products OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYUDERIVRYVSGE-UHFFFAOYSA-N 1,3-diaminoprop-1-en-2-ol Chemical compound NCC(O)=CN FYUDERIVRYVSGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXHVIDNQBMVYHQ-UHFFFAOYSA-N 1,5-dimethylpiperidin-2-one Chemical compound CC1CCC(=O)N(C)C1 YXHVIDNQBMVYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FILVIKOEJGORQS-UHFFFAOYSA-N 1,5-dimethylpyrrolidin-2-one Chemical compound CC1CCC(=O)N1C FILVIKOEJGORQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C(C)CN(CC(O)=O)CC(O)=O XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIMXAFGAUMQPMG-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[bis(carboxymethyl)amino]butyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCCCN(CC(O)=O)CC(O)=O ZIMXAFGAUMQPMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYMDDFRYORANCC-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-[bis(carboxymethyl)amino]-2-hydroxypropyl]-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O WYMDDFRYORANCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWSGEVNYFYKXCP-UHFFFAOYSA-N 2-[carboxymethyl(methyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(C)CC(O)=O XWSGEVNYFYKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCMHUGYTOGXZIW-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylamino)propane-1,2-diol Chemical compound CN(C)CC(O)CO QCMHUGYTOGXZIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGGCEDYMGLPKNS-UHFFFAOYSA-N 5,5,6-trimethylundec-3-yne-2,2-diol Chemical class CCCCCC(C)C(C)(C)C#CC(C)(O)O AGGCEDYMGLPKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N D-glyceric acid Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UWTATZPHSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017717 NH4X Inorganic materials 0.000 description 1
- IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N R-2-phenyl-2-hydroxyacetic acid Natural products OC(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 IWYDHOAUDWTVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000637 aluminium metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K antimony trifluoride Chemical compound F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 229960002433 cysteine Drugs 0.000 description 1
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012458 free base Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 229960002510 mandelic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052914 metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- HIQXJRBKNONWAH-UHFFFAOYSA-N methylidenephosphane Chemical compound P=C HIQXJRBKNONWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007344 nucleophilic reaction Methods 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229940075579 propyl gallate Drugs 0.000 description 1
- 239000000473 propyl gallate Substances 0.000 description 1
- 235000010388 propyl gallate Nutrition 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005494 tarnishing Methods 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- WJZPIORVERXPPR-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium;carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C WJZPIORVERXPPR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- APSPVJKFJYTCTN-UHFFFAOYSA-N tetramethylazanium;silicate Chemical group C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-][Si]([O-])([O-])[O-] APSPVJKFJYTCTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZWNJUCOSVQYLV-UHFFFAOYSA-H trifluoroalumane Chemical class [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Al+3].[Al+3] BZWNJUCOSVQYLV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/28—Heterocyclic compounds containing nitrogen in the ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
- C11D3/0073—Anticorrosion compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/33—Amino carboxylic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3263—Amides or imides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3281—Heterocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest kompozycja czyszcz aca do oczyszczania pozosta losci z pod lo zy stosowanych w mikroelektronice zwieraj acych (1) dielektryk, który stanowi porowaty dielektryk, dielek- tryk o ma lej warto sci sta lej dielektrycznej ?, lub dielektryk o du zej warto sci sta lej dielektrycznej ? i (2) dielektryk metalizowany miedzi a, charakteryzuj aca si e tym, ze jest wolna od krzemianów i zawiera: od 0,05% do 30% wagowych jednej lub wi ecej mocnych nie daj acych amoniaku zasad zawieraj acych nie- nukleofilowe, dodatnio na ladowane przeciwjony, wybrane z grupy obejmuj acej wodorotlenek tetraalki- loamoniowy, jego sole i wodorotlenek choliny; od 5 do 99,95% wagowych dimetylopiperydonu; od 0 do 95% wagowych wody lub innego wspó lrozpuszczalnika organicznego; od 0 do 40% wagowych rozbu- dowanej przestrzennie aminy lub alkanoloaminy; od 0 do 40% wagowych kwasu organicznego lub nieorganicznego; od 0 do 40% wagowych innego inhibitora korozji metalu; od 0 do 5% wagowych surfaktanta; od 0 do 5% wagowych srodka chelatuj acego metal; i od 0 do 10% wagowych fluorku. Ujawniono sposób oczyszczania uk ladu mikroelektronicznego zwieraj acego (1) dielektryk, który sta- nowi porowaty dielektryk, dielektryk o ma lej warto sci sta lej dielektrycznej ?, lub dielektryk o du zej war- to sci sta lej dielektrycznej ? i (2) dielektryk metalizowany miedzi a, w którym pod lo ze kontaktuje si e z kompozycj a czyszcz ac a wed lug wynalazku, przy czym kompozycja czyszcz aca jest wolna od krze- mianów. PL PL PL PL
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego.
Kompozycje czyszczące do oczyszczania podłoży stosowanych w mikroelektronice, są wolne od amoniaku, a zwłaszcza takie kompozycje czyszczące przydatne są do i o lepszej kompatybilności z podłoż ami stosowanymi w mikroelektronice obejmującymi wraż liwe dielektryki, porowate, o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ oraz zdolności metalizacji miedzią. Zastosowano takie kompozycje czyszczące do usuwania fotomasek, oczyszczania z pozostałości po plazmowo wytwarzanych organicznych, metaloorganicznych i nieorganicznych związkach i oczyszczania z pozostałości po procesach planaryzacji, takich jak chemiczno-mechaniczne polerowanie (CMP), jak również jako dodatek w zawiesinowych pozostał oś ciach po planaryzacji.
Wiele środków do usuwania powłok fotomaski i środków do usuwania pozostałości proponowano do zastosowania w dziedzinie mikroelektroniki jako kolejne lub końcowe środki linii produkcyjnej stosującej środki czyszczące. W procesie wytwarzania cienką warstwę fotomaski osadza się na płytce podłoża, a następnie obwód drukowany zostaje odwzorowany na tej cienkiej warstwie. Po wysuszeniu, niespolimeryzowaną maskę usuwa się z zastosowaniem wywoływacza fotomaski. Uzyskany obraz przenosi się następnie na materiał podstawowy, którym jest na ogól dielektyk lub metal, stosując reaktywne gazy plazmowe do trawienia lub roztwory chemiczne do trawienia. Gazy do trawienia lub roztwory chemiczne do trawienia selektywnie atakują niezabezpieczoną fotomaską powierzchnię podłoża. W efekcie plazmowego procesu trawienia, fotomaska, gaz trawiący i produkty uboczne trawienia materiału osadzają się jako pozostałość wokół lub na bocznej ściance wytrawionych otworów na podłożu.
Ponadto, po zakończeniu etapu trawienia, maskę trzeba usunąć z zabezpieczonej powierzchni płytki tak, aby możliwa była końcowa operacja wykańczająca. Można to przeprowadzić w etapie spopielania plazmowego stosując odpowiednie gazy do spopielania plazmowego lub środki chemiczne na bazie wody do usuwania powłok. Opracowanie odpowiedniej kompozycji czyszczącej do usuwania tej substancji maski bez szkodliwego wpływu jak np. korozja, rozpuszczanie lub matowienie metalowych obwodów elektrycznych, także okazało się problematyczne.
W miarę zwiększania poziomów scalenia w procesach produkcji mikroelektroniki i zmniejszania wymiarów urządzeń wzornikowej mikroelektroniki, coraz powszechniejsze stało się stosowanie w dziedzinie metalizowanych miedzią, porowatych dielektryków o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ. Te materiały mają dodatkowe zalety, jeśli chodzi o znalezienie dopuszczalnych kompozycji czyszczących. Wielu kompozycji opracowanych w uprzednich technologiach wykorzystujących „tradycyjne” lub „typowe” urządzenia półprzewodnikowe, zawierające Al/SiO2 lub Al(Cu)/SiO2 nie można stosować do metalizowanych miedzią dielektryków o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ. Na przykład kompozycje środka do usuwania powłok lub środka do usuwania pozostałości na bazie hydroksyloaminy z powodzeniem stosowano do urządzeń do oczyszczania z zastosowaniem metalizacji Al, ale w praktyce nie nadają się przy metalizacji miedzią. Podobnie, wiele środków do usuwania powłok z elementów metalizowanych miedzią o małej wartości stałej dielektrycznej κ nie nadaje się dla metalizowanych Al, jeśli nie przeprowadzi się znaczących zmian składu.
Usunięcie pozostałości po trawieniu i/lub spopielaniu, będących wynikiem trawienia i/lub procesu spopielania, okazało się problematyczne. Brak możliwości całkowitego usunięcia lub neutralizacji tych pozostałości może prowadzić do absorpcji wilgoci i powstawania niepożądanych substancji, które mogą powodować korozję struktur metalicznych. Materiały obwodów elektrycznych zostają skorodowane niepożądanymi substancjami i powstają nieciągłości obwodów elektrycznych oraz niepożądanie zwiększa się oporność elektryczną.
Stosowane obecnie środki do czyszczenia końcowego w szerokim zakresie wykazują kompatybilność z niektórymi, wrażliwymi dielektrykami i metalizacjami, w zakresie od całkowicie niedopuszczalnego do marginesowo zadowalającego. Wiele z obecnie stosowanych środków do usuwania powłok lub środków czyszczących do usuwania pozostałości nie jest dopuszczonych do stosowania z zaawansowanymi połączonymi wzajemnie materia łami, takimi jak dielektryki o mał ej lub duż ej wartości stałej dielektrycznej κ i elementami metalizowanymi miedzią. Ponadto, typowe stosowane alkaliczne roztwory czyszczące są zbyt agresywne wobec dielektryków o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ i/lub metalizowanych miedzią. Ponadto, wiele z tych alkalicznych kompozycji czyszczących zawiera organiczne rozpuszczalniki, które wykazują małą trwałość produktu, szczególnie przy wyższych wartościach pH i w wyższych temperaturach procesu.
PL 199 501 B1
Występuje zatem zapotrzebowanie na kompozycje czyszczące w mikroelektronice, odpowiednie do końcowych operacji czyszczenia, które są skutecznymi środkami czyszczącymi i nadają się do usuwania fotomasek, oczyszczania z pozostałych po plazmowym procesie wytwarzania organicznych, metaloorganicznych i nieorganicznych substancji i oczyszczania z pozostałości po operacjach planaryzacji, takich jak chemiczno-mechaniczne polerowanie itp. Przedmiotem wynalazku są kompozycje skuteczne w usuwaniu fotomasek, przygotowaniu/oczyszczaniu powierzchni i powierzchni półprzewodnikowych z dobrą kompatybilnością z zaawansowanymi połączonymi wzajemnie materiałami oraz elementami metalizowanymi miedzią.
Stwierdzono że, amoniak (NH3) i zasady pochodzące od amoniaku, takie jak wodorotlenek amonu i inne sole (NH4X, X = OH, węglan itp.) są zdolne do rozpuszczenia/skorodowania metali, takich jak miedź poprzez tworzenie kompleksu. Wybór preparatów do czyszczenia półprzewodników jest zatem ograniczony, gdy wymagana jest kompatybilność z porowatymi dielektrykami o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ oraz elementami metalizowanymi miedzią. Te związki mogą generować amoniak w procesie równowagowym. Amoniak może tworzyć kompleks z metalami, takimi jak miedź i prowadzić do korozji/rozpuszczania metalu zgodnie z następującym równaniem.
ΝΗ4Χ θ NH3 + HX (Równanie 1)
Cu + 2NH3 [Cu(NH3)2]+ [Cu(NH3)2]2+ (Równanie 2)
Zatem wodorotlenek amonu i sole amoniowe mogą być źródłem nukleofilowego i chelatującego metal amoniaku (NH3) na drodze reakcji równowagowej opisanej w Równaniu 1, szczególnie gdy dodaje się inne zasady, takie jak aminy i alkanoloaminy. W obecności tlenu, metale takie jak miedź mogą rozpuszczać się/korodować poprzez tworzenie kompleksu z amoniakiem, jak opisano w Równaniu 2. Takie tworzenie kompleksu może dodatkowo przesunąć równowagę (Równanie 1) w prawo, powodując powstanie większej ilości amoniaku, prowadząc do większego rozpuszczania/korozji metalu.
Na ogół wrażliwe dielektryki o małej wartości stałej dielektrycznej κ ulegają znacznej degradacji w silnie alkalicznych warunkach. Amoniak i zasady pochodzące od amoniaku wykazują także słabą kompatybilność z wrażliwymi dielektrykami, takimi jak krzemopółtoratlenek wodoru (HSQ) i krzemopółtoratlenek metylu (MSQ). Ponownie, mogą one być źródłem amoniaku i/lub innych substancji o charakterze nukleofilowym, a zatem prowadzą do reagowania/degradacji wrażliwych dielektryków.
Stwierdzono, że alkaliczne preparaty czyszczące z mocną zasadą nie dającą amoniaku, zawierające nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony (takie jak tetraalkiloamoniowy) w rozbudowanych przestrzennie rozpuszczalnikach amidowych wykazują znacznie lepszą kompatybilność z wrażliwymi, porowatymi dielektrykami o małej lub dużej wartości stałej dielektrycznej κ oraz zdolności metalizacji miedzią. Korzystne bazy rozpuszczalnikowe są odporne na działanie silnie alkalicznych warunków, z uwagi na efekty przeszkody przestrzennej i/lub małą lub brak reaktywności w reakcjach nukleofilowych (w stosunku do substancji o charakterze nukleofilowym, takich jak jony wodorotlenowe). Ulepszoną kompatybilność wobec dielektryków częściowo osiąga się dzięki temu, że kompozycje nie zawierają niepożądanych substancji o charakterze nukleofilowym. Dobrą kompatybilność z elementami metalizowanymi miedzią osiąga się przez selektywne zastosowanie pewnych kompatybilnych z miedzią rozbudowanych przestrzennie rozpuszczalników amidowych. Te składniki można komponować w roztwory czyszczące lub zawiesiny częściowo wodne do praktycznie niewodnych (na bazie rozpuszczalnika organicznego).
Przedmiotem wynalazku jest kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice zwierających (1) dielektryk, który stanowi porowaty dielektryk, dielektryk o małej wartości stałej dielektrycznej κ, lub dielektryk o dużej wartości stałej dielektrycznej κ i (2) dielektryk metalizowany miedzią, charakteryzująca się tym, że jest wolna od krzemianów i zawiera:
od 0,05% do 30% wagowych jednej lub więcej mocnych nie dających amoniaku zasad zawierających nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony, wybrane z grupy obejmującej wodorotlenek tetraalkiloamoniowy, jego sole i wodorotlenek choliny;
od 5 do 99,95% wagowych dimetylopiperydonu;
od 0 do 95% wagowych wody lub innego współrozpuszczalnika organicznego; od 0 do 40% wagowych rozbudowanej przestrzennie aminy lub alkanoloaminy; od 0 do 40% wagowych kwasu organicznego lub nieorganicznego; od 0 do 40% wagowych innego inhibitora korozji metalu;
od 0 do 5% wagowych surfaktanta;
od 0 do 5% wagowych środka chelatującego metal; i
PL 199 501 B1 od 0 do 10% wagowych fluorku.
Korzystnie kompozycja czyszcząca jako nie dającą amoniaku mocną zasadę zawiera wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól. Korzystniej jako wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól zawiera związek o wzorze:
[(R)4N+]p[X]-q w którym każ dy R oznacza podstawiony lub niepodstawiony alkil i X oznacza OH lub anion soli; i p i q są równe i oznaczają liczby całkowite od 1 do 3.
Korzystnie zawiera związek, w którym R oznacza alkil o 1 do 22 atomach węgla i X oznacza OH lub węglan. Korzystniej zawiera związek, w którym R oznacza alkil o od 1 do 6 atomach węgla.
Kompozycja czyszcząca według wynalazku zawiera wodę lub co najmniej jeden inny współrozpuszczalnik organiczny wybrany z grupy obejmującej sulfotlenek dimetylu, sulfolan, dietanoloaminę, trietanoloaminę, 2-(metyloamino)etanol i 3-(dietyloamino)-1,2-propanodiol.
Kompozycja czyszcząca zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon, trietanoloaminę, kwas trans-1,2-cykloheksanodiamino-tetraoctowy i wodę.
Korzystnie kompozycja czyszcząca zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon i wodę.
Korzystniej kompozycja czyszcząca zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon, trietanoloaminę, kwas etylenodiaminotetra(metyleno-fosfoniowy) i wodę.
Przedmiotem wynalazku jest również sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego zwierającego (1) dielektryk, który stanowi porowaty dielektryk, dielektryk o małej wartości stałej dielektrycznej κ, lub dielektryk o dużej wartości stałej dielektrycznej κ i (2) dielektryk metalizowany miedzią, charakteryzujący się tym, że podłoże kontaktuje się z określoną powyżej kompozycją czyszczącą według wynalazku wolną od krzemianów.
Odpowiednie silne zasady obejmują KOH i NaOH. Kompozycje czyszczące zawierające nie dające amoniaku silne zasady zawierające nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony wykazują znacznie lepszą kompatybilność z dielektrykami o małej wartości stałej dielektrycznej κ oraz zdolności metalizacji miedzią. Wolne od amoniaku wodorotlenki tetraalkiloamoniowe (TAAH) obejmują bardzo silne zasady, które opracowano uzyskując nieoczekiwanie ulepszoną kompatybilność z dielektrykami o ma ł ej wartoś ci stał ej dielektrycznej κ , w porównaniu z kompozycjami czyszczą cymi z wodorotlenkiem amonu. Szczególnie korzystne są wodorotlenek tetrametyloamoniowy, wodorotlenek tetrabutyloamoniowy, wodorotlenek choliny i węglan tetrametyloamoniowy.
Podczas gdy poprzednie próby kontrolowania lub hamowania korozji metalu obejmowały ostrożne kontrolowanie wartości pH i/lub stosowanie związków hamujących korozję, takich jak benzotriazol (BT), we względnie niskich stężeniach < 2% wagowych, nieoczekiwanie stwierdzono, że znaczącą poprawę hamowania korozji miedzi można uzyskać stosując kompozycje czyszczące według wynalazku, gdy stosuje się jeden lub więcej rozbudowanych przestrzennie rozpuszczalników amidowych. W kompozycjach czyszczących według wynalazku można stosować dowolny odpowiedni rozbudowany przestrzennie rozpuszczalnik amidowy. Takie korzystne rozbudowane przestrzennie rozpuszczalniki amidowe obejmują rozbudowane przestrzennie acykliczne i rozbudowane przestrzennie cykliczne amidy o wzorach
R1CONR2R3 i
'(CR4R5 )n
CR6R 7CONR8 ? w których n oznacza liczbę od 1 do 22, korzystnie 1 do 6; i R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 i R8 niezależnie od siebie oznaczają H, alkil (podstawiony lub niepodstawiony), korzystnie alkil o od 1 do 6 atomach węgla i aryl (podstawiony lub niepodstawiony), korzystnie aryl o od 3 do 14 atomach węgla, z zastrzeż eniem, ż e co najmniej jeden element z grupy obejmują cej R1, R2 i R3 i co najmniej jeden element z grupy obejmującej R4, R5, R6, R7 i R8 nie oznacza atomu wodoru.
Niektóre przykłady takich odpowiednich rozbudowanych przestrzennie acyklicznych rozpuszczalników amidowych obejmują np. acetamid, dimetyloformamid (DMF), N,N'-dimetyloacetamid (DMAc), benzamid itp. Przykłady odpowiednich rozbudowanych przestrzennie cyklicznych amidów
PL 199 501 B1 obejmują np. N-metylo-2-pirolidynon (NMP), 1,5-dimetylo-2-pirolidynon, 1,3-dimetylo-2-piperydon, 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon, 1,5-dimetylo 2-piperydon itp.
Kompozycje czyszczące według wynalazku zawierające nie dające amoniaku silne zasady można wytwarzać w postaci kompozycji wodnych, częściowo wodnych lub na bazie rozpuszczalnika organicznego. Nie dające amoniaku, silne zasady zawierające nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony można stosować z samymi rozbudowanymi przestrzennie rozpuszczalnikami amidowymi lub w połączeniu z innymi trwałymi rozpuszczalnikami, korzystnie jednym lub więcej polarnych rozpuszczalników organicznych odpornych na działanie silnych zasad, które nie zawierają substancji o charakterze nukleofilowym bez efektu przeszkody przestrzennej, takie jak sulfotlenek dimetylu (DM-SO), sulfolan (SFL), dimetylopiperydon, dietanoloaminę, trietanoloaminę, 2-(metyloamino)etanol,
3-(dimetyloamino)-1,2-propanodiol itp. Kompozycja czyszcząca może także ewentualnie zawierać kwasy organiczne lub nieorganiczne, korzystnie słabe kwasy organiczne lub nieorganiczne, rozbudowane przestrzennie aminy, rozbudowane przestrzennie alkanoloaminy i rozbudowane przestrzennie hydroksyloaminy oraz inne inhibitory korozji, takie jak benzotriazol, katechol, glicerol, glikol etylenowy itp. Kompozycje czyszczące mogą także zawierać dowolne odpowiednie surfaktanty, takie jak np. dimetyloheksynol (Surfynol-61), etoksylowany tetrametylodecynodiol (Surfynol-465), cetooksypropylobetainę politetrafluoroetylenu (Zonyl FSK), (Zonyl FSH) itp. Ponadto podczas skutecznego usuwania i czyszczenia fotomasek, pozostałości po trawieniu/spopieleniu plazmowym, protektorowych substancji absorbujących światło i powłok antyrefleksyjnych (ARC) można stosować szeroki zakres pH i temperatur obróbki/roboczych. Stwierdzono także, że niektóre preparaty tego typu są szczególnie skuteczne podczas oczyszczania bardzo trudnych próbek, które zawierają tantal w ich strukturze, taki jak warstwy barierowe tantalu (Ta) lub azotku tantalu oraz tlenki tantalu.
W kompozycjach według wynalazku moż na stosować dowolny odpowiedni krzemian nie zawierający jonów metalu. Krzemiany korzystnie obejmują czwartorzędowe krzemiany amoniowe, takie jak krzemian tetraalkiloamoniowy (obejmujący grupy alkilowe zawierające hydroksy- i alkoksylo-, na ogół o od 1 do 4 atomach węgla w alkilu lub alkoksylu). Najbardziej korzystnym krzemianem nie zawierającym jonów metalu jest krzemian tetra-metyloamoniowy. Inne odpowiednie źródła krzemianu, nie zawierające jonów metalu, można wytwarzać in-situ przez rozpuszczenie w silnie alkalicznej kompozycji czyszczącej dowolnej, jednej lub więcej substancji wymienionych poniżej. Odpowiednie nie zawierające jonów metalu substancje przydatne do generowania krzemianów w kompozycji czyszczącej obejmują stałe płytki krzemowe, kwas krzemowy, koloidalną krzemionkę, dymioną krzemionkę lub dowolne inne odpowiednie formy krzemu lub krzemionki. Można stosować krzemiany metali, takie jak metakrzemian sodu, lecz nie są one zalecane z uwagi na szkodliwe efekty zanieczyszczeń metalicznych dla obwodów scalonych. Krzemiany mogą występować w kompozycji w ilości od 0 do 10% wagowych, korzystnie w ilości od 0,1 do 5% wagowych.
Kompozycje według wynalazku mogą także zawierać odpowiednie środki chelatujące metal w celu zwię kszenia wydajnoś ci preparatu w zatrzymywaniu metali w roztworze i w celu zwię kszenia rozpuszczania metalicznych pozostałości na płytce. Środek chelatujący na ogół występuje w kompozycjach w ilości od 0 do 5% wagowych, korzystnie w ilości od 0,1 do 2% wagowych. Typowe przykłady środków chelatujących przydatnych do tego celu obejmują następujące kwasy organiczne i ich izomery i sole: kwas etylenodiaminotetraoctowy (EDTA), kwas butylenodiaminotetraoctowy, kwas (1,2-cykloheksylenodinitrilo)tetraoctowy (CyDTA), kwas dietylenotriaminopentaoctowy (DETPA), kwas etylenodiaminotetrapropionowy, kwas (hydroksyetylo)etylenodiaminotrioctowy (HEDTA), kwas N,N,N',N'-etylenodiaminotetra(metylenofosfoniowy) (EDTMP), kwas trietylenotetraaminoheksaoctowy (TTHA), kwas 1,3-diamino-2-hydroksypropano-N,N,N',N'-tetraoctowy (DHPTA), kwas metyloiminodioctowy, kwas propylenodiaminotetraoctowy, kwas nitrolotrioctowy (NTA), kwas cytrynowy, kwas winowy, kwas glukonowy, kwas cukrowy, kwas glicerynowy, kwas szczawiowy, kwas ftalowy, kwas maleinowy, kwas migdałowy, kwas malonowy, kwas mlekowy, kwas salicylowy, katechol, kwas galusowy, galusan propylu, pirogalol, 8-hydroksychinolinę i cysteinę. Korzystne środki chelatujące obejmują kwasy aminokarboksylowe takie jak EDTA, CyDTA i EDTMP.
Kompozycje czyszczące mogą także ewentualnie zawierać związki fluorkowe w kompozycji czyszczącej, takie jak np. fluorek tetrametyloamoniowy, fluorek tetrabutyloamoniowy i fluorek amonu. Inne odpowiednie fluorki obejmują, np. fluoroborany, fluoroborany tetrabutyloamoniowe, heksafluorki glinu, fluorek antymonu itp. Fluorki występują w ilości od 0 do 10% wagowych, korzystnie od 0,1 do 5% wagowych.
PL 199 501 B1
Kompozycje czyszczące według wynalazku na ogół zawierają od 0,05 do 30% wagowych mocnej zasady nie dającej amoniaku; od 5 do 99,95% wagowych rozbudowanego przestrzennie rozpuszczalnika amidowego; od 0 do 95% wagowych wody lub innego współrozpuszczalnika organicznego; od 0 do 40% wagowych rozbudowanej przestrzennie aminy lub alkanoloaminy; 0 do 40% wagowych kwasów organicznych lub nieorganicznych; 0 do 40% wagowych inhibitora korozji metalu, takiego jak benzotriazol, katechol, glicerol, glikol etylenowy itp.; od 0 do 5% wagowych surfaktanta; 0 do 10% wagowych krzemianu nie zawierającego jonów metali; od 0 do 5% wagowych środka chelatującego metal; i od 0 do 10% wagowych fluorku.
Przykłady tych typów preparatów przedstawiono w poniższej Tabeli 1.
T a b e l a 1
| Części wagowe kompozycji | ||||||||
| Składnik | A | B | C | D | E | F | G | H |
| DMPD | 32 | 16 | 16 | 20 | 50 | 16 | ||
| H2O | 32 | 32 | 32 | 32 | ||||
| TMAH | 16 | 16 | 16 | 10 | 10 | 10 | 10 | 16 |
| TEA | 16 | 15 | ||||||
| CyDTA | 0,2 | |||||||
| SFL | 16 | 30 | ||||||
| HEP | 50 | |||||||
| NMP | 50 | |||||||
| EDTMP | 0,4 |
DMPD = dimetylopiperydon
TMAH = 25% wodorotlenek tetrametyloamoniowy
TEA = trietanoloamina
CyDTA = kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy
SFL = sulfolan
HEP = 1-(2-hydroksyetylo)-2-pirolidynon
NMP = N-metylopirolidynon
EDTMP = kwas etylenodiaminotetra(metylenofosfoniowy)
Szybkości wytrawiania miedzi dla kompozycji czyszczących D, E, F G i H według Tabeli 1 zestawiono podając dane o szybkości wytrawiania w poniższych Tabelach 2 i 3. Szybkość wytrawiania określano wykorzystując następującą procedurę testową.
Zastosowano fragmenty folii miedzianej o wymiarach w przybliżeniu 13 x 50 mm. Zmierzono grubości fragmentów folii. Po czyszczeniu fragmentów folii 2-propanolem, wodą destylowaną i acetonem, fragmenty folii osuszono w piecu suszarniczym. Następnie oczyszczone, osuszone fragmenty folii umieszczono w luźno zamkniętych butelkach zawierających wstępnie ogrzane kompozycje czyszczące według wynalazku i umieszczono w piecu próżniowym przez od dwóch do czterech godzin, w wybranej temperaturze. Po obróbce i usunięciu z pieca i butelek, oczyszczone folie przepłukano dużą ilością wody destylowanej i suszono w piecu suszarniczym przez około 1 godzinę, po czym pozostawiono do oziębienia do temperatury pokojowej, a następnie szybkość wytrawiania określono w przeliczeniu na stratę masy lub zmianę masy.
Wyniki przedstawiono w Tabelach 2 i 3.
PL 199 501 B1
T a b e l a 2
| Kompozycja | Szybkość wytrawiania Cu (nm/godzinę) w temperaturze 70-75°C (test 24 godzinny) |
| D | <1 |
| E | <1 |
| F | <1 |
| G | <1 |
T a b e l a 3
| Kompozycja | Szybkość wytrawiania Cu (nm/godzinę) w temperaturze 65°C (test 24 godzinny) |
| H | 0,1 |
Zdolność czyszczenia kompozycji według wynalazku zilustrowano w następujących testach, w których układ mikroelektroniczny składający się z płytki o następującej strukturze, mianowicie, PR/ARC/CDO/SiN/Cu Dual Damascene (po wytrawianiu rowków), w którym PR = „fotomaska” i ARC = powł oka antyrefleksyjna, CDO = tlenek domieszkowany wę glem, zanurzono w roztworach czyszczących o wybranej temperaturze i przez wybrany czas, a następnie przepłukano wodą, osuszono, po czym stopień oczyszczenia określono metodą kontroli SEM. Wyniki przedstawiono w Tabeli 4.
T a b e l a 4
| Kompozycja i warunki obróbki | Parametry czyszczenia | Kompatybilność z podłożem |
| Kompozycja H 75°C, 20 minut | 100% Czystości; usunięto wszystkie PR, ARC i pozostałości | Kompatybilny z Cu i CDO |
Zastrzeżenia patentowe
Claims (17)
- Zastrzeżenia patentowe1. Kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice zwierających (1) dielektryk, który stanowi porowaty dielektryk, dielektryk o małej wartości stałej dielektrycznej κ, lub dielektryk o dużej wartości stałej dielektrycznej κ i (2) dielektryk metalizowany miedzią, znamienna tym, że jest wolna od krzemianów i zawiera:od 0,05% do 30% wagowych jednej lub więcej mocnych nie dających amoniaku zasad zawierających nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony, wybrane z grupy obejmującej wodorotlenek tetraalkiloamoniowy, jego sole i wodorotlenek choliny;od 5 do 99,95% wagowych dimetylopiperydonu; od 0 do 95% wagowych wody lub innego współrozpuszczalnika organicznego; od 0 do 40% wagowych rozbudowanej przestrzennie aminy lub alkanoloaminy; od 0 do 40% wagowych kwasu organicznego lub nieorganicznego;od 0 do 40% wagowych innego inhibitora korozji metalu; od 0 do 5% wagowych surfaktanta; od 0 do 5% wagowych środka chelatującego metal; i od 0 do 10% wagowych fluorku.
- 2. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że jako nie dającą amoniaku mocną zasadę zawiera wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól.
- 3. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 2, znamienna tym, że jako wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól zawiera związek o wzorze:[(R)4N+]p[X]-q w którym każ dy R oznacza podstawiony lub niepodstawiony alkil i X oznacza OH lub anion soli; i p i q są równe i oznaczają liczby całkowite od 1 do 3.
- 4. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 3, znamienna tym, że zawiera związek, w którym R oznacza alkil o 1 do 22 atomach wę gla i X oznacza OH lub wę glan.PL 199 501 B1
- 5. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 4, znamienna tym, że zawiera związek, w którym R oznacza alkil o od 1 do 6 atomach wę gla.
- 6. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera wodę lub co najmniej jeden inny współrozpuszczalnik organiczny wybrany z grupy obejmującej sulfotlenek dimetylu, sulfolan, dietanoloaminę, trietanoloaminę, 2-(metyloamino)etanol i 3-(dietyloamino)-1,2-propanodiol.
- 7. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon, trietanoloaminę, kwas trans-1,2-cykloheksanodiamino-tetraoctowy i wodę.
- 8. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon i wodę.
- 9. Kompozycja czyszcząca według zastrz. 1, znamienna tym, że zawiera wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon, trietanoloaminę, kwas etylenodiaminotetra(metylen-fosfoniowy) i wodę .
- 10. Sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego zwierającego (1) dielektryk, który stanowi porowaty dielektryk, dielektryk o małej wartości stałej dielektrycznej κ, lub dielektryk o dużej wartości stałej dielektrycznej κ i (2) dielektryk metalizowany miedzią, znamienny tym, że podłoże kontaktuje się z kompozycją czyszczącą, przy czym kompozycja czyszcząca jest wolna od krzemianów i zawiera:od 0,05% do 30% wagowych jednej lub więcej mocnych nie dających amoniaku zasad zawierających nie-nukleofilowe, dodatnio naładowane przeciwjony, wybrane z grupy obejmującej wodorotlenek tetraalkiloamoniowy, jego sole i wodorotlenek choliny;od 5 do 99,95% wagowych dimetylopiperydonu; od 0 do 95% wagowych wody lub innego współrozpuszczalnika organicznego; od 0 do 40% wagowych rozbudowanej przestrzennie aminy lub alkanoloaminy; od 0 do 40% wagowych kwasu organicznego lub nieorganicznego;od 0 do 40% wagowych innego inhibitora korozji metalu; od 0 do 5% wagowych surfaktanta; od 0 do 5% wagowych środka chelatującego metal; i od 0 do 10% wagowych fluorku.
- 11. Sposób według zastrz. 10, znamienny tym, że jako mocną zasadę nie dającą amoniaku stosuje się wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól.
- 12. Sposób według zastrz. 11, znamienny tym, że jako wodorotlenek tetraalkiloamoniowy lub jego sól stosuje się związek o wzorze:[(R)4N+]p[X]-q w którym każ dy R oznacza podstawiony lub niepodstawiony alkil i X oznacza OH lub anion soli; i p i q są równe i oznaczają liczby całkowite od 1 do 3.
- 13. Sposób według zastrz. 12, znamienny tym, że stosuje się związek, w którym R oznacza alkil o 1 do 22 atomach węgla i X oznacza OH lub węglan.
- 14. Sposób według zastrz. 13, znamienny tym, że stosuje się związek, w którym R oznacza alkil o od 1 do 6 atomach węgla.
- 15. Sposób według zastrz. 10, znamienny tym, że stosuje się kompozycję czyszczącą zawierającą wodę lub co najmniej jeden inny współrozpuszczalnik wybrany z grupy obejmującej sulfotlenek dimetylu, sulfolan, dietanoloaminę, trietanoloaminę, 2-(metyloamino)etanol i 3-(dietyloamino)-1,2-propanodiol.
- 16. Sposób według zastrz. 10, znamienny tym, że stosuje się kompozycję czyszczącą zawierającą wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon, trietanoloaminę, kwas trans-1,2-cykloheksanodiaminotetraoctowy i wodę.
- 17. Sposób według zastrz. 10, znamienny tym, że stosuje się kompozycję czyszczącą zawierającą wodorotlenek tetrametyloamoniowy, dimetylopiperydon i wodę.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US30431201P | 2001-07-09 | 2001-07-09 | |
| PCT/US2002/021374 WO2003006597A1 (en) | 2001-07-09 | 2002-07-08 | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL367838A1 PL367838A1 (pl) | 2005-03-07 |
| PL199501B1 true PL199501B1 (pl) | 2008-09-30 |
Family
ID=23175967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL367838A PL199501B1 (pl) | 2001-07-09 | 2002-07-08 | Kompozycja czyszcząca do oczyszczania pozostałości z podłoży stosowanych w mikroelektronice i sposób oczyszczania układu mikroelektronicznego |
Country Status (17)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1404796B1 (pl) |
| JP (1) | JP4177758B2 (pl) |
| KR (2) | KR20040018437A (pl) |
| CN (2) | CN102399651A (pl) |
| AT (1) | ATE545695T1 (pl) |
| AU (1) | AU2002320305A1 (pl) |
| BR (1) | BR0211054A (pl) |
| CA (1) | CA2452884C (pl) |
| IL (2) | IL159761A0 (pl) |
| IN (1) | IN2004CH00042A (pl) |
| MY (1) | MY139607A (pl) |
| NO (1) | NO20040067L (pl) |
| PL (1) | PL199501B1 (pl) |
| RS (1) | RS904A (pl) |
| TW (1) | TWI292437B (pl) |
| WO (1) | WO2003006597A1 (pl) |
| ZA (1) | ZA200400064B (pl) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040192938A1 (en) | 2003-03-24 | 2004-09-30 | Manzer Leo Ernest | Production of 5-mehyl-N-aryl-2-pyrrolidone and 5-methyl-N-alkyl-2-pyrrolidone by reductive of levulinic acid esters with aryl and alkyl amines |
| CN1839355B (zh) * | 2003-08-19 | 2012-07-11 | 安万托特性材料股份有限公司 | 用于微电子设备的剥离和清洁组合物 |
| TWI538033B (zh) * | 2005-01-27 | 2016-06-11 | 安堤格里斯公司 | 半導體基板處理用之組成物 |
| US7632796B2 (en) | 2005-10-28 | 2009-12-15 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| US8263539B2 (en) | 2005-10-28 | 2012-09-11 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use |
| US9329486B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-05-03 | Dynaloy, Llc | Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| JP2010518242A (ja) * | 2007-02-14 | 2010-05-27 | マリンクロット ベーカー， インコーポレイテッド | エッチング残留物を除去するための、過酸化物によって活性化されたオキソメタレートベース調合物 |
| KR101521066B1 (ko) * | 2008-10-09 | 2015-05-18 | 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. | 산화구리 에칭 잔여물 제거 및 구리 전착 방지용 수성 산성 배합물 |
| US8298751B2 (en) | 2009-11-02 | 2012-10-30 | International Business Machines Corporation | Alkaline rinse agents for use in lithographic patterning |
| WO2012161790A1 (en) * | 2011-02-24 | 2012-11-29 | John Moore | Concentrated chemical composition and method for removing photoresist during microelectric fabrication |
| US9158202B2 (en) * | 2012-11-21 | 2015-10-13 | Dynaloy, Llc | Process and composition for removing substances from substrates |
| US10072237B2 (en) * | 2015-08-05 | 2018-09-11 | Versum Materials Us, Llc | Photoresist cleaning composition used in photolithography and a method for treating substrate therewith |
| JP7530048B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2024-08-07 | 日産化学株式会社 | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 |
| KR20210126667A (ko) * | 2019-02-15 | 2021-10-20 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 세정제 조성물 및 세정 방법 |
| US20220326620A1 (en) * | 2019-08-30 | 2022-10-13 | Dow Global Technologies Llc | Photoresist stripping composition |
| CN111519190B (zh) * | 2020-05-27 | 2022-03-18 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种铜制程面板中稳定蚀刻锥角的蚀刻液及稳定方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4744834A (en) * | 1986-04-30 | 1988-05-17 | Noor Haq | Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide |
| JPH01502059A (ja) * | 1987-02-05 | 1989-07-13 | マクダーミツド インコーポレーテツド | フォトレジストストリッパー組成物 |
| US5091103A (en) * | 1990-05-01 | 1992-02-25 | Alicia Dean | Photoresist stripper |
| US6110881A (en) * | 1990-11-05 | 2000-08-29 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials |
| JP3048207B2 (ja) * | 1992-07-09 | 2000-06-05 | イー．ケー．シー．テクノロジー．インコーポレイテッド | 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤組成物およびこれを使用した基板の洗浄方法 |
| JPH0959689A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-04 | Mitsubishi Chem Corp | 研削剤除去用洗浄剤 |
| JP4565741B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2010-10-20 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス基板洗浄用珪酸塩含有アルカリ組成物 |
| PT1105778E (pt) | 1998-05-18 | 2009-09-23 | Mallinckrodt Baker Inc | Composições alcalinas contendo silicato para limpeza de substratos microelectrónicos |
| US6558879B1 (en) * | 2000-09-25 | 2003-05-06 | Ashland Inc. | Photoresist stripper/cleaner compositions containing aromatic acid inhibitors |
-
2002
- 2002-07-05 MY MYPI20022558A patent/MY139607A/en unknown
- 2002-07-08 CN CN2010102990065A patent/CN102399651A/zh active Pending
- 2002-07-08 RS YUP-9/04A patent/RS904A/sr unknown
- 2002-07-08 KR KR20047000266A patent/KR20040018437A/ko not_active Ceased
- 2002-07-08 IL IL15976102A patent/IL159761A0/xx active IP Right Grant
- 2002-07-08 EP EP02749817A patent/EP1404796B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-08 BR BR0211054-7A patent/BR0211054A/pt not_active IP Right Cessation
- 2002-07-08 KR KR1020097008556A patent/KR100944444B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-08 AU AU2002320305A patent/AU2002320305A1/en not_active Abandoned
- 2002-07-08 AT AT02749817T patent/ATE545695T1/de active
- 2002-07-08 CN CNA028138759A patent/CN1526007A/zh active Pending
- 2002-07-08 CA CA2452884A patent/CA2452884C/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-08 WO PCT/US2002/021374 patent/WO2003006597A1/en not_active Ceased
- 2002-07-08 JP JP2003512356A patent/JP4177758B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-08 PL PL367838A patent/PL199501B1/pl not_active IP Right Cessation
- 2002-07-09 TW TW091115168A patent/TWI292437B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-01-06 ZA ZA200400064A patent/ZA200400064B/en unknown
- 2004-01-07 IL IL159761A patent/IL159761A/en not_active IP Right Cessation
- 2004-01-08 IN IN42CH2004 patent/IN2004CH00042A/en unknown
- 2004-01-08 NO NO20040067A patent/NO20040067L/no not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1404796B1 (en) | 2012-02-15 |
| EP1404796A1 (en) | 2004-04-07 |
| BR0211054A (pt) | 2004-07-20 |
| AU2002320305A1 (en) | 2003-01-29 |
| KR20090076934A (ko) | 2009-07-13 |
| IL159761A0 (en) | 2004-06-20 |
| JP2004536181A (ja) | 2004-12-02 |
| KR100944444B1 (ko) | 2010-02-26 |
| IN2004CH00042A (pl) | 2005-12-02 |
| WO2003006597A1 (en) | 2003-01-23 |
| ATE545695T1 (de) | 2012-03-15 |
| CN1526007A (zh) | 2004-09-01 |
| IL159761A (en) | 2006-12-10 |
| JP4177758B2 (ja) | 2008-11-05 |
| CA2452884C (en) | 2010-12-07 |
| NO20040067L (no) | 2004-03-05 |
| ZA200400064B (en) | 2004-10-27 |
| CN102399651A (zh) | 2012-04-04 |
| MY139607A (en) | 2009-10-30 |
| PL367838A1 (pl) | 2005-03-07 |
| RS904A (sr) | 2007-02-05 |
| CA2452884A1 (en) | 2003-01-23 |
| KR20040018437A (ko) | 2004-03-03 |
| TWI292437B (en) | 2008-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1404797B1 (en) | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility | |
| EP1404795B1 (en) | Microelectronic cleaning compositions containing ammonia-free fluoride salts | |
| US7393819B2 (en) | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility | |
| CA2452884C (en) | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility | |
| JP2008519310A (ja) | アルミニウム含有基板に使用するためのポストエッチ洗浄組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20120708 |