JPH01133049A - レジスト剥離剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はプリント基板や半導体の製造時に用いられるレ
ジスト剥離剤に関するものである。

［従来の技術］ プリント基板や半導体回路を作成する場合、最終的にエ
ツチング後のレジストを剥離する工程がある。従来、こ
の工程に塩化メチレン、テトラクロルエチレン、０−ジ
クロルベンセン等の塩素系溶剤が使われている。

［発明の解決しようとする問題点］ 本発明は従来使用されていた塩素系溶剤は地下水汚染の
点から好ましくないため、その使用量を抑えるべく塩素
系溶剤にかわる新規のレジスト剥離剤を提供することを
目的とするものである。

［問題点を解決するだめの手段］ 本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
１，２−ジフルオロエタンを有効成分として含有するレ
ジスト剥離剤を提供するものである。

本発明のレジスト剥離剤の有効成分である１、２−ジフ
ルオロエタン（以下Ｒ１５２という）は、レジスト剥離
力に優れ、プリント基板や半導体の材質に悪影響の少な
い優れた溶剤である。

本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、レジ
スト剥離力を高めるために、炭化水素類、アルコール類
、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステル
類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも１種を含有させ
ることができる。これらの有機溶剤のレジスト剥離剤中
の含有割合は、０〜５０重量％、好ましくは１０〜４０
重量％、さらに好ましくは２０〜３０重量％である。１
，２−ジフルオロエタンと有機溶剤との混合物に共沸組
成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好まし
い。

炭化水素類としては炭素数ｌ〜１５の直鎖又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、イ
ソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、２−メチル
ペンタン、２．２−ジメチルブタン、２．３−ジメチル
ブタン、ｎ−へブタン、イソへブタン、３−メチルヘキ
サン、２．４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−
メチルへブタン、３−メチルへブタン、４−メチルへブ
タン、２．２−ジメチルヘキサン、２．５−ジメチルヘ
キサン、３．３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−
エチルペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２
゜３、３−　トリメデルベンクン、２．３．４−１−ジ
メチルペンタン％２．２．３−トリメチルペンタン、イ
ソオクタン、ノナン、２．２．５−トリメチルヘキサン
、デカン、ドデンカン、ｌ−ペンテン、２−ペンテン、
ｌ−ヘキセン、１−オクテン、１−ノネン、ｌ−デセン
、シクロペンタン、メチルシクロベンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エヂルシク口ヘキサン、
ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペ
ンテン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフ
タレン等から選ばれるものである。より好ましくは、ｎ
−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へブタン等である。

アルコール類としては、炭素数］　−Ｉ７の鎖状又は環
状の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノー
ル、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、５ｅｃ−ブチル
アルコール、イソブチルアルコール、Ｌｅｒｔ−ブチル
アルコール、べ°ブチルアルコール、５ｅｃ−アミルア
ルコール、Ｉ−エチル−１−プロパツール、２−メチル
−１−ブタノール、イソペンチルアルコール、ｔｅｒＬ
−ペンチルアルコール、３−メチル−２−ブタノール、
ネオペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチ
ル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール
、２−エチル−１−ブタノール、ｌ−ヘプタツール、２
−ヘプタツール、３−ヘプタツール、１−オクタノール
、２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、
ｌ−ノナノール、３．５．５−　トリメチル−１−ヘキ
サノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−
ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコ
ール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、１−
メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノ
ール、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシク
ロヘキサノール、α−テルピネオール、アビニチノール
、２．６−シメチルー４−ヘプタツール、トリメチルノ
ニルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシ
ルアルコール等から選ばれるものである。より好ましく
はメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール笠
である。

ケトン類としては、Ｒ−Ｇｏ−Ｒ’　、　Ｒ−ＣＯ，Ｒ
−ＣＯ−Ｒ″−７−１ｒ−ｃｌ＋２−＋ ＣＯ−Ｒ”“、　Ｒ−ＣＯ−Ｒ″、　Ｒ−ＣＯ−Ｒ’　
（ここで、Ｒ，Ｒ’　、　Ｒ”は炭素数１〜９の飽和又
は不飽和炭化水素基）のいずれかの一般式で示されるも
のが好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペ
ンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチル−
〇−ブチルケトン、メチルブチルケトン、２−ヘプタノ
ン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニル
アセトン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−ｎ−ア
ミルケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケト
ン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソ
ホロン、２．４−ベンタンジオン、ジアセトンアルコー
ル、アセトフェノン、フェンチョン等から選ばれるもの
である。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン
等である。。

塩素化炭化水素類としては、炭素数１〜２の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、１，１−ジクロルエタン、１，２−ジクロロ
エタン、１，１，ｌｌ−ジクロルエタン、１，１，２−
１−ジクロルエタン、１，１，１，２−テトラクロルエ
タン、１，１，２．２−テトラクロルエタン、ペンタク
ロルエタン、１，１−ジクロルエチレン、１，２−ジク
ロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メ
チレン、１、１，　ｌ−トリクロルエタン、トリクロル
エチレン、テトラクロルエチレン等である。

芳呑族類としては、ベンゼン誘導体、ナフタレン誘導体
が好ましく、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンセン、イソプロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、第
２プチルベンヤン、トリエチルベンゼン、ジイソプロピ
ルベンゼン、スチレン、アルキルベンセンスルホン酸、
フェノール、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、ブ
チルベンセン、ｐ−シメン、シクロヘキシルベンゼン、
ペンチルベンセン、ジベンチルベンゼン、ドデシルベン
セン、ビフェニル、０−クレゾール、ｍ−クレゾール、
キシレノール等から選ばれるものである。より好ましく
は、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノールτである
。

エステル類としては、次の一般式で示されるＲ３ ０ＯＲ４ （ここでＲ，、Ｌ、　Ｒ，、Ｒ４，Ｒ６，Ｒ，は！１又
は叶又は炭素数１〜１９の飽和ないし、不飽和結合を有
する炭化水素基。） 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンデル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸５ｅｃ−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、３−メトキシブチルアセ
テート、酢酸５ｅｃ−ヘキシル、２−エチルブチルアセ
テート、２−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンデル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−２
−メチル。

プロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン
酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香
酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、
安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビエチ＞酸
ベンジル、アジピン酸ビス−２−エチルヘキシル、γ−
ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、
シュウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジ
メチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、酒
石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン酸ジブチ
ル、セバシン酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジ
メチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブデル、フタル
酸ビス−２−エチルヘキシル、フタル酸ジオクチル等か
ら選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチル、酢酸
エチル等である。

本発明により剥離し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、Ｘ線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂なベースにしたキノンジア
ジド系、シス−１，４−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、Ｘ線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル１、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト剥離剤はいずれにも有効である。

レジスト剥離方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。

［実施例］ 実施例１〜７ 下記第１表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。フォトレジストフィルム（Ｌａｍｉｎ
ｅｒ　：ダイナケム社製）がラミネートされたプリント
基板（銅張積層板）を用い露光、現像、エツチング工程
にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で１５分間浸
漬し、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を観察した。

結果を第１表に示す。

第１表 （）内は混合比［重量％コ ○：良好に剥離できる　△：少量残存 ×：かなり残存 ［発明の効果］ 本発明のレジスト剥離剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト剥離効果に優れたものである。

又、従来の塩素系剥離剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）１，２−ジフルオロエタンを有効成分として含有
   するレジスト剥離剤。
2. （２）レジスト剥離剤中には、炭化水素類、アルコール
   類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
   ル類から選ばれる少なくとも１種が含まれている特許請
   求の範囲第１項記載のレジスト剥離剤。