JPH01133049A - レジスト剥離剤 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はプリント基板や半導体の製造時に用いられるレ
ジスト剥離剤に関するものである。
ジスト剥離剤に関するものである。
[従来の技術]
プリント基板や半導体回路を作成する場合、最終的にエ
ツチング後のレジストを剥離する工程がある。従来、こ
の工程に塩化メチレン、テトラクロルエチレン、0−ジ
クロルベンセン等の塩素系溶剤が使われている。
ツチング後のレジストを剥離する工程がある。従来、こ
の工程に塩化メチレン、テトラクロルエチレン、0−ジ
クロルベンセン等の塩素系溶剤が使われている。
[発明の解決しようとする問題点]
本発明は従来使用されていた塩素系溶剤は地下水汚染の
点から好ましくないため、その使用量を抑えるべく塩素
系溶剤にかわる新規のレジスト剥離剤を提供することを
目的とするものである。
点から好ましくないため、その使用量を抑えるべく塩素
系溶剤にかわる新規のレジスト剥離剤を提供することを
目的とするものである。
[問題点を解決するだめの手段]
本発明は前述の目的を達成すべくなされたものであり、
1,2−ジフルオロエタンを有効成分として含有するレ
ジスト剥離剤を提供するものである。
1,2−ジフルオロエタンを有効成分として含有するレ
ジスト剥離剤を提供するものである。
本発明のレジスト剥離剤の有効成分である1、2−ジフ
ルオロエタン(以下R152という)は、レジスト剥離
力に優れ、プリント基板や半導体の材質に悪影響の少な
い優れた溶剤である。
ルオロエタン(以下R152という)は、レジスト剥離
力に優れ、プリント基板や半導体の材質に悪影響の少な
い優れた溶剤である。
本発明のレジスト剥離剤には、各種の目的に応じてその
他の各種成分を含有させることができる。例えば、レジ
スト剥離力を高めるために、炭化水素類、アルコール類
、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステル
類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも1種を含有させ
ることができる。これらの有機溶剤のレジスト剥離剤中
の含有割合は、0〜50重量%、好ましくは10〜40
重量%、さらに好ましくは20〜30重量%である。1
,2−ジフルオロエタンと有機溶剤との混合物に共沸組
成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好まし
い。
他の各種成分を含有させることができる。例えば、レジ
スト剥離力を高めるために、炭化水素類、アルコール類
、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステル
類等の有機溶剤から選ばれる少なくとも1種を含有させ
ることができる。これらの有機溶剤のレジスト剥離剤中
の含有割合は、0〜50重量%、好ましくは10〜40
重量%、さらに好ましくは20〜30重量%である。1
,2−ジフルオロエタンと有機溶剤との混合物に共沸組
成が存在する場合には、その共沸組成での使用が好まし
い。
炭化水素類としては炭素数l〜15の直鎖又は環状の飽
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エチルペンタン、2
゜3、3− トリメデルベンクン、2.3.4−1−ジ
メチルペンタン%2.2.3−トリメチルペンタン、イ
ソオクタン、ノナン、2.2.5−トリメチルヘキサン
、デカン、ドデンカン、l−ペンテン、2−ペンテン、
l−ヘキセン、1−オクテン、1−ノネン、l−デセン
、シクロペンタン、メチルシクロベンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エヂルシク口ヘキサン、
ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペ
ンテン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフ
タレン等から選ばれるものである。より好ましくは、n
−ペンタン、n−ヘキサン、n−へブタン等である。
和又は不飽和炭化水素類が好ましく、n−ペンタン、イ
ソペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、2−メチル
ペンタン、2.2−ジメチルブタン、2.3−ジメチル
ブタン、n−へブタン、イソへブタン、3−メチルヘキ
サン、2.4−ジメチルペンタン、n−オクタン、2−
メチルへブタン、3−メチルへブタン、4−メチルへブ
タン、2.2−ジメチルヘキサン、2.5−ジメチルヘ
キサン、3.3−ジメチルヘキサン、2−メチル−3−
エチルペンタン、3−メチル−3−エチルペンタン、2
゜3、3− トリメデルベンクン、2.3.4−1−ジ
メチルペンタン%2.2.3−トリメチルペンタン、イ
ソオクタン、ノナン、2.2.5−トリメチルヘキサン
、デカン、ドデンカン、l−ペンテン、2−ペンテン、
l−ヘキセン、1−オクテン、1−ノネン、l−デセン
、シクロペンタン、メチルシクロベンタン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エヂルシク口ヘキサン、
ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペ
ンテン、デカリン、テトラリン、アミジノ、アミルナフ
タレン等から選ばれるものである。より好ましくは、n
−ペンタン、n−ヘキサン、n−へブタン等である。
アルコール類としては、炭素数] −I7の鎖状又は環
状の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノー
ル、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチル
アルコール、イソブチルアルコール、Lert−ブチル
アルコール、べ°ブチルアルコール、5ec−アミルア
ルコール、I−エチル−1−プロパツール、2−メチル
−1−ブタノール、イソペンチルアルコール、terL
−ペンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、
ネオペンチルアルコール、1−ヘキサノール、2−メチ
ル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール
、2−エチル−1−ブタノール、l−ヘプタツール、2
−ヘプタツール、3−ヘプタツール、1−オクタノール
、2−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、
l−ノナノール、3.5.5− トリメチル−1−ヘキ
サノール、1−デカノール、1−ウンデカノール、1−
ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコ
ール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−
メチルシクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノ
ール、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシク
ロヘキサノール、α−テルピネオール、アビニチノール
、2.6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノ
ニルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシ
ルアルコール等から選ばれるものである。より好ましく
はメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール笠
である。
状の飽和又は不飽和アルコール類が好ましく、メタノー
ル、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコール、n−ブチルアルコール、5ec−ブチル
アルコール、イソブチルアルコール、Lert−ブチル
アルコール、べ°ブチルアルコール、5ec−アミルア
ルコール、I−エチル−1−プロパツール、2−メチル
−1−ブタノール、イソペンチルアルコール、terL
−ペンチルアルコール、3−メチル−2−ブタノール、
ネオペンチルアルコール、1−ヘキサノール、2−メチ
ル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール
、2−エチル−1−ブタノール、l−ヘプタツール、2
−ヘプタツール、3−ヘプタツール、1−オクタノール
、2−オクタノール、2−エチル−1−ヘキサノール、
l−ノナノール、3.5.5− トリメチル−1−ヘキ
サノール、1−デカノール、1−ウンデカノール、1−
ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコ
ール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、1−
メチルシクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノ
ール、3−メチルシクロヘキサノール、4−メチルシク
ロヘキサノール、α−テルピネオール、アビニチノール
、2.6−シメチルー4−ヘプタツール、トリメチルノ
ニルアルコール、テトラデシルアルコール、ヘプタデシ
ルアルコール等から選ばれるものである。より好ましく
はメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール笠
である。
ケトン類としては、R−Go−R’ 、 R−CO,R
−CO−R″−7−1r−cl+2−+ CO−R”“、 R−CO−R″、 R−CO−R’
(ここで、R,R’ 、 R”は炭素数1〜9の飽和又
は不飽和炭化水素基)のいずれかの一般式で示されるも
のが好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペ
ンタノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−
〇−ブチルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノ
ン、4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニル
アセトン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−n−ア
ミルケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケト
ン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソ
ホロン、2.4−ベンタンジオン、ジアセトンアルコー
ル、アセトフェノン、フェンチョン等から選ばれるもの
である。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン
等である。。
−CO−R″−7−1r−cl+2−+ CO−R”“、 R−CO−R″、 R−CO−R’
(ここで、R,R’ 、 R”は炭素数1〜9の飽和又
は不飽和炭化水素基)のいずれかの一般式で示されるも
のが好ましく、アセトン、メチルエチルケトン、2−ペ
ンタノン、3−ペンタノン、2−ヘキサノン、メチル−
〇−ブチルケトン、メチルブチルケトン、2−ヘプタノ
ン、4−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、アセトニル
アセトン、メシチルオキシド、ホロン、メチル−n−ア
ミルケトン、エチルブチルケトン、メチルへキシルケト
ン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソ
ホロン、2.4−ベンタンジオン、ジアセトンアルコー
ル、アセトフェノン、フェンチョン等から選ばれるもの
である。より好ましくはアセトン、メチルエチルケトン
等である。。
塩素化炭化水素類としては、炭素数1〜2の飽和又は不
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1,1−ジクロルエタン、1,2−ジクロロ
エタン、1,1,ll−ジクロルエタン、1,1,2−
1−ジクロルエタン、1,1,1,2−テトラクロルエ
タン、1,1,2.2−テトラクロルエタン、ペンタク
ロルエタン、1,1−ジクロルエチレン、1,2−ジク
ロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メ
チレン、1、1, l−トリクロルエタン、トリクロル
エチレン、テトラクロルエチレン等である。
飽和、塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、四
塩化炭素、1,1−ジクロルエタン、1,2−ジクロロ
エタン、1,1,ll−ジクロルエタン、1,1,2−
1−ジクロルエタン、1,1,1,2−テトラクロルエ
タン、1,1,2.2−テトラクロルエタン、ペンタク
ロルエタン、1,1−ジクロルエチレン、1,2−ジク
ロルエチレン、トリクロルエチレン、テトラクロルエチ
レン等から選ばれるものである。より好ましくは塩化メ
チレン、1、1, l−トリクロルエタン、トリクロル
エチレン、テトラクロルエチレン等である。
芳呑族類としては、ベンゼン誘導体、ナフタレン誘導体
が好ましく、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンセン、イソプロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、第
2プチルベンヤン、トリエチルベンゼン、ジイソプロピ
ルベンゼン、スチレン、アルキルベンセンスルホン酸、
フェノール、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、ブ
チルベンセン、p−シメン、シクロヘキシルベンゼン、
ペンチルベンセン、ジベンチルベンゼン、ドデシルベン
セン、ビフェニル、0−クレゾール、m−クレゾール、
キシレノール等から選ばれるものである。より好ましく
は、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノールτである
。
が好ましく、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベ
ンセン、イソプロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、第
2プチルベンヤン、トリエチルベンゼン、ジイソプロピ
ルベンゼン、スチレン、アルキルベンセンスルホン酸、
フェノール、メシチレン、ナフタレン、テトラリン、ブ
チルベンセン、p−シメン、シクロヘキシルベンゼン、
ペンチルベンセン、ジベンチルベンゼン、ドデシルベン
セン、ビフェニル、0−クレゾール、m−クレゾール、
キシレノール等から選ばれるものである。より好ましく
は、アルキルベンゼンスルホン酸、フェノールτである
。
エステル類としては、次の一般式で示されるR3
0OR4
(ここでR,、L、 R,、R4,R6,R,は!1又
は叶又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結合を有
する炭化水素基。) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンデル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチルアセ
テート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンデル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−2
−メチル。
は叶又は炭素数1〜19の飽和ないし、不飽和結合を有
する炭化水素基。) 具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、
ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンデル、酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢
酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸5ec−ブチル、酢酸
ペンチル、酢酸イソペンチル、3−メトキシブチルアセ
テート、酢酸5ec−ヘキシル、2−エチルブチルアセ
テート、2−エチルヘキシルアセテート、酢酸シクロヘ
キシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸ブチル、プロピオン酸イソペ
ンデル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、酪酸イ
ソペンチル、イソ酪酸イソブチル、2−ヒドロキシ−2
−メチル。
プロピオン酸エチル、ステアリン酸ブチル、ステアリン
酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香
酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、
安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビエチ>酸
ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキシル、γ−
ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、
シュウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジ
メチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、酒
石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン酸ジブチ
ル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジ
メチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブデル、フタル
酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオクチル等か
ら選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチル、酢酸
エチル等である。
酸ペンチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香
酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソペンチル、
安息香酸ベンジル、アビエチン酸エチル、アビエチ>酸
ベンジル、アジピン酸ビス−2−エチルヘキシル、γ−
ブチロラクト、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、
シュウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジ
メチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、酒
石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン酸ジブチ
ル、セバシン酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジ
メチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブデル、フタル
酸ビス−2−エチルヘキシル、フタル酸ジオクチル等か
ら選ばれるものある。より好ましくは酢酸メチル、酢酸
エチル等である。
本発明により剥離し得るレジストとしては、何ら限定さ
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂なベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト剥離剤はいずれにも有効である。
れず、ポジ形またはネガ形の光露光用レジスト、遠紫外
露光用レジスト、X線又は電子線用レジストを挙げるこ
とができる。光露光用レジストの材質にはフェノール及
びクレゾールノボラック樹脂なベースにしたキノンジア
ジド系、シス−1,4−ポリイソプレンを主成分とする
環化ゴム系、ポリけい皮酸系等があり、遠紫外用レジス
トにはポリメチルメタアクリレート、ポリメチルイソプ
ロペニルケトン等があり、電子線、X線レジストにはポ
リメタフルル酸メチル1、メタクリル酸グリシジル−ア
クリル酸エチル共重合体、メタアクリル酸メチル−メタ
クリル酸共重合体等が知られているが、本発明のレジス
ト剥離剤はいずれにも有効である。
レジスト剥離方法も何ら限定されず、通常のスプレー法
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
、浸漬して攪拌したり、揺動したり、超音波を作用させ
たりする方法等を採用することができる。
[実施例]
実施例1〜7
下記第1表に示すレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lamin
er :ダイナケム社製)がラミネートされたプリント
基板(銅張積層板)を用い露光、現像、エツチング工程
にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で15分間浸
漬し、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を観察した。
試験を行なった。フォトレジストフィルム(Lamin
er :ダイナケム社製)がラミネートされたプリント
基板(銅張積層板)を用い露光、現像、エツチング工程
にて回路を作成後、レジスト剥離剤に常温で15分間浸
漬し、取出後顕微鏡にて硬化膜の剥離状況を観察した。
結果を第1表に示す。
第1表
()内は混合比[重量%コ
○:良好に剥離できる △:少量残存
×:かなり残存
[発明の効果]
本発明のレジスト剥離剤は実施例から明らかなようにレ
ジスト剥離効果に優れたものである。
ジスト剥離効果に優れたものである。
又、従来の塩素系剥離剤に比べ、プリント配線板に使わ
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。
れるプラスチック等に対し悪影響が少ない点も有利であ
る。
Claims (2)
- (1)1,2−ジフルオロエタンを有効成分として含有
するレジスト剥離剤。 - (2)レジスト剥離剤中には、炭化水素類、アルコール
類、ケトン類、塩素化炭化水素類、芳香族類又はエステ
ル類から選ばれる少なくとも1種が含まれている特許請
求の範囲第1項記載のレジスト剥離剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28958187A JPH01133049A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | レジスト剥離剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28958187A JPH01133049A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | レジスト剥離剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01133049A true JPH01133049A (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=17745086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28958187A Pending JPH01133049A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | レジスト剥離剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01133049A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0630730A1 (de) * | 1993-06-26 | 1994-12-28 | Solvay Fluor und Derivate GmbH | Zusammensetzungen mit chlorfreien, gegebenenfalls wasserstoffhaltigen Fluorkohlenwasserstoffen |
US5759973A (en) * | 1996-09-06 | 1998-06-02 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Photoresist stripping and cleaning compositions |
US5780406A (en) * | 1996-09-06 | 1998-07-14 | Honda; Kenji | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US5817610A (en) * | 1996-09-06 | 1998-10-06 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
US6413923B2 (en) | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP28958187A patent/JPH01133049A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0630730A1 (de) * | 1993-06-26 | 1994-12-28 | Solvay Fluor und Derivate GmbH | Zusammensetzungen mit chlorfreien, gegebenenfalls wasserstoffhaltigen Fluorkohlenwasserstoffen |
US5476603A (en) * | 1993-06-26 | 1995-12-19 | Solvay Fluor Und Derivate Gmbh | Compositions comprising chlorine-free, optionally hydrogen-containing fluorocarbons |
US5759973A (en) * | 1996-09-06 | 1998-06-02 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Photoresist stripping and cleaning compositions |
US5780406A (en) * | 1996-09-06 | 1998-07-14 | Honda; Kenji | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US5817610A (en) * | 1996-09-06 | 1998-10-06 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US6020292A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-01 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US6030932A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-29 | Olin Microelectronic Chemicals | Cleaning composition and method for removing residues |
US6191086B1 (en) | 1996-09-06 | 2001-02-20 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Cleaning composition and method for removing residues |
US6413923B2 (en) | 1999-11-15 | 2002-07-02 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US7001874B2 (en) | 1999-11-15 | 2006-02-21 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
US7402552B2 (en) | 1999-11-15 | 2008-07-22 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
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